JPS5941875B2 - Laser beam recording method - Google Patents
Laser beam recording methodInfo
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- JPS5941875B2 JPS5941875B2 JP49112608A JP11260874A JPS5941875B2 JP S5941875 B2 JPS5941875 B2 JP S5941875B2 JP 49112608 A JP49112608 A JP 49112608A JP 11260874 A JP11260874 A JP 11260874A JP S5941875 B2 JPS5941875 B2 JP S5941875B2
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明とレーザービームによる熱的な変形を利用したレ
ーザービーム記録法に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a laser beam recording method that utilizes thermal deformation caused by a laser beam.
リアルタイムで記録する方式としては、従来より各種の
方法が利用されている。Various methods have been used for recording in real time.
例えば、磁気記録、電子束による記録などがある。これ
らの記録方式に比較して、レーザービーム方式は、経年
変化のない記録ができること、可視パターンとして記録
できること、情報の追加記録が容易にできることについ
て特に優れている。このようなレーザービーム方式の記
録用部材としては、レーザービームの幅射エネルギーを
吸収して、熱的に変形される材料が使用されるが、この
ような材料であればどのような材料でもよいという訳で
はなく、いくつかの特性を持つことが要求される。その
代表的な特性は機械的強度、安定性、反射率、吸収系数
、熱伝導率、軟化温度、蒸発温度(昇華温度)である。
即ち、記録部材には、非常は高密度な情報が記録される
ことから、記録された部材は微細なパターン状を呈する
ものであり、その後の取り扱いに対して機械的損傷を受
けないように十分な機械的強度を持つていなければなら
ない。また、記録された部材が、周囲の温度、湿度、経
時変化等によつて変化することのない安定な材料でなけ
ればならない。また、レーザービームの幅射エネルギー
が記録層内部に効果的に到達することにより、出来るだ
け弱いレーザービームを使用して記録が達成されるため
に、記録層の反射率は小さいことが望ましい。Examples include magnetic recording and recording using electron flux. Compared to these recording methods, the laser beam method is particularly superior in that it can record without aging, that it can record as a visible pattern, and that it can easily record additional information. As a recording member for such a laser beam method, a material that absorbs the radial energy of the laser beam and is thermally deformed is used, but any material may be used as long as it is such a material. However, it is required to have some characteristics. Its typical properties are mechanical strength, stability, reflectance, absorption number, thermal conductivity, softening temperature, and evaporation temperature (sublimation temperature).
In other words, since extremely high-density information is recorded on the recording member, the recorded member exhibits a fine pattern, and must be sufficiently protected from mechanical damage during subsequent handling. It must have good mechanical strength. Furthermore, the recorded member must be a stable material that does not change due to ambient temperature, humidity, changes over time, etc. Furthermore, it is desirable that the reflectance of the recording layer is low, since the beam energy of the laser beam can effectively reach the interior of the recording layer, thereby achieving recording using the weakest possible laser beam.
また、同様に効率的な記録がなされるために、記録層の
吸収係数は大きいことが望まれる。Similarly, in order to perform efficient recording, it is desirable that the absorption coefficient of the recording layer be large.
吸収係数が大きいことは、記録層中において、レーザー
ビームの幅射エネルギーが効率よく熱エネルギーに変換
されて、その結果、レーザービームの照射部の変形が容
易に行われることになる。また、解像力の点から、記録
層の熱伝導率は小さいことが望まれる。A large absorption coefficient means that the radial energy of the laser beam is efficiently converted into thermal energy in the recording layer, and as a result, the portion irradiated with the laser beam is easily deformed. Furthermore, from the viewpoint of resolution, it is desirable that the recording layer has a low thermal conductivity.
熱伝導率が大きい場合には、レーザービームの照射部が
変形される際に、照射部の熱が周囲に伝導して、照射部
周囲が溶解したり、一部蒸発したりして解像力が損われ
る。また記録層は、融点蒸発温度(昇華温度)が低いこ
とが望まれる。レーザービームの強度は蒸発温度にほぼ
比例する。レーザービームの照射装置の簡易化及び記録
速度の点から記録層の蒸発温度は低いことが望まれる。
このような諸特性を満たす記録層の構成材料の選択は非
常に難しい技術を含んでいる。従来採用されてきた主な
材料は、ロジウム等の金属や樹脂である。If the thermal conductivity is high, when the irradiated area of the laser beam is deformed, the heat of the irradiated area will be conducted to the surrounding area, causing the area around the irradiated area to melt or partially evaporate, resulting in a loss of resolution. be exposed. Further, it is desirable that the recording layer has a low melting point evaporation temperature (sublimation temperature). The intensity of the laser beam is approximately proportional to the evaporation temperature. It is desirable that the evaporation temperature of the recording layer be low in terms of simplifying the laser beam irradiation device and increasing the recording speed.
Selection of a constituent material of the recording layer that satisfies these various characteristics involves a very difficult technique. The main materials conventionally used are metals such as rhodium and resins.
これらの金属は光学濃度、安定性、耐傷摩耗性、といつ
た点では優れているが、反射率(70〜90%)力塙い
こと、融点(約20000C)及び沸点(約45000
C)が高いこと、また熱伝導率(約1.5Watt/C
rfL℃)が大きいことが指摘され、また、樹脂の場合
には、融点および沸点は低く、熱伝導率も低いことから
、金属に対して、より高感度な記録材料を提供するが、
光学濃度、安定性、耐傷摩耗性といつた点では実用に十
分な程度の良好性をもつていない。また、高密度な記録
をなすためには、高解像性を必要とし、このためには、
まず、非常に薄く、且つ均一な厚さ(通常数μ以下)の
記録層としなければならない。しかし、樹脂材数では、
このような均一な数μ以下の厚さの記録層の形成は非常
に困難であり、仮に、形成できたとしても実用に供され
る程度の機械的強度を備えていない。さらに、樹脂を用
いる場合には、レーザービームの幅射エネルギーを吸収
するために、通常、染料あるいは顔料を含んだ状態で使
用されるものであるから、非常に薄い膜とした場合には
、十分な光学濃度が期待できず記録されるパターンのコ
ントラストが十分でなくなる。このようなことが樹脂の
場合に指摘される。このように従来の記録材料ではレー
ザービーム出力を゛低く設定すること、記録速度の向上
並びに高密度情報を記録する場合における解像力の確保
のために、なお改善が望まれる。また、従来のレーザー
ビーム記録方式では、記録層にレーザービームを照射し
、記録層の照射部を除去することにより、記録層が除去
された部分と除去されない部分(未照射部)とのコント
ラスト、通常、光学濃度あるいは色調によるコントラス
トによつてパターンを形成するものであることから、十
分な光学的なコントラストを出す必要から、記録層の厚
さ方向について全部、あるいは大部分を除去することが
必要であつた。These metals have excellent optical density, stability, and scratch and wear resistance, but they also have low reflectance (70-90%), high melting point (about 20,000 C), and boiling point (about 45,000 C).
C) high thermal conductivity (approximately 1.5 Watt/C
It has been pointed out that resins have a large rfL°C), and in the case of resins, their melting points and boiling points are low, and their thermal conductivity is also low, so they provide recording materials with higher sensitivity than metals.
In terms of optical density, stability, and scratch and abrasion resistance, it does not have sufficient properties for practical use. In addition, high resolution is required for high-density recording, and for this purpose,
First, the recording layer must be extremely thin and have a uniform thickness (usually several microns or less). However, in terms of the number of resin materials,
It is very difficult to form such a uniform recording layer with a thickness of several microns or less, and even if it could be formed, it would not have enough mechanical strength for practical use. Furthermore, when resin is used, it usually contains dye or pigment in order to absorb the radial energy of the laser beam, so if it is made into a very thin film, it will not be sufficient. A high optical density cannot be expected, and the contrast of the recorded pattern will not be sufficient. This is pointed out in the case of resin. As described above, improvements are still desired in conventional recording materials in order to lower the laser beam output, increase the recording speed, and ensure resolution when recording high-density information. In addition, in the conventional laser beam recording method, by irradiating the recording layer with a laser beam and removing the irradiated part of the recording layer, the contrast between the part where the recording layer is removed and the part where it is not removed (unirradiated part), Usually, patterns are formed based on optical density or color tone contrast, so it is necessary to remove all or most of the recording layer in the thickness direction in order to provide sufficient optical contrast. It was hot.
このように従来の方法では、レーザービーム照射によつ
て除去する部分が大きいために、より強力なレーザービ
ームを用いたり、あるいは長い時間レーザービームを照
射する必要があるので、高速度記録への応用の点では十
分な特性を備えていないものである。而して、本発明は
、従来の記録材料に代えてより優れた高感度記録材料を
用い、特定の記録方式を採用することによつて、高速度
記録方法を提供することを主たる目的とする。In this way, in the conventional method, the area removed by laser beam irradiation is large, so it is necessary to use a more powerful laser beam or to irradiate the laser beam for a long time, so it is difficult to apply it to high-speed recording. It does not have sufficient characteristics in this respect. Therefore, the main object of the present invention is to provide a high-speed recording method by using a more superior high-sensitivity recording material in place of conventional recording materials and by adopting a specific recording method. .
その特徴とするところは、S,Se,Teおよびこれら
の化合物(カルコゲナイド)から選択された材料を主体
として形成される記録層に記録情報を有するレーザービ
ームを照射することにより、前記材料が軟化温度以上で
蒸発温度以下に発熱して記録層の表面に光散乱性の変形
を熱的に形成せしめるレーザービーム記録法にある。The feature is that by irradiating a recording layer formed mainly of a material selected from S, Se, Te, and their compounds (chalcogenide) with a laser beam containing recorded information, the material can be heated to a softening temperature. The above describes a laser beam recording method in which heat is generated below the evaporation temperature to thermally form a light-scattering deformation on the surface of the recording layer.
本発明において採用される記録層はS,Se,Teおよ
びこれらの化合物(カルコゲナイド)から選択された材
料を主体として形成される。The recording layer employed in the present invention is mainly formed of a material selected from S, Se, Te, and their compounds (chalcogenides).
S(イオウ)、Se(セレン)及びTe(テルル)はカ
ルコゲン元素である。これらの元素は、単独で又は二つ
以上の元素の混合物として記録層を構成する。カルコゲ
ナイドはカルコゲン元素を含んだ化合物である。カルコ
ゲン元素は、化学的に非常に活性であり、殆んど他の元
素と任意の割合で反応して化合物(カルコゲナイド)を
作る。他の元素の代表的なものとしては、As,Bi,
Bb,Ge,Si,Sn,In,Zn,Fe,Cu,A
g,Ni,Al,VおよびPbが挙げられる。これらの
他の元素とカルコゲン元素の少くなくとも一種とのカル
コゲンナイドは本発明において有効な記録材料を与える
。本発明において、記録層の成形材料として採用される
カルコゲン元素およびカルコゲンナイドは、次に挙げら
れる多くの特長を有している。S (sulfur), Se (selenium) and Te (tellurium) are chalcogen elements. These elements constitute the recording layer either singly or as a mixture of two or more elements. Chalcogenide is a compound containing a chalcogen element. Chalcogen elements are chemically very active and react with almost any other element in any proportion to form compounds (chalcogenides). Representative examples of other elements include As, Bi,
Bb, Ge, Si, Sn, In, Zn, Fe, Cu, A
g, Ni, Al, V and Pb. A chalcogenide composed of these other elements and at least one chalcogen element provides an effective recording material in the present invention. In the present invention, the chalcogen element and chalcogenide used as the molding material for the recording layer have many features listed below.
カルコゲン元素およびカルコゲンナイドの屈折率は、通
常2〜4の範囲にあり、これから決定される反射率は3
0〜600!)で、レーザービームの記録層内部への吸
収効率は高く、レーザービームの強度を低く設定できる
。The refractive index of chalcogen elements and chalcogenides is usually in the range of 2 to 4, and the reflectance determined from this is 3.
0-600! ), the absorption efficiency of the laser beam into the recording layer is high, and the intensity of the laser beam can be set low.
また、カルコゲン元素及びカルコゲンナイドの吸収端は
共通して、可視部(350〜700mμ)にあるととも
に、その組成及び組成比を変えることによつて、吸収端
を自由に変えることができ、従つて、使用するレーザー
ビーム波長に対応した吸収を持つ記録層を形成すること
ができ、レーザービームの輻射エネルギーの熱エネルギ
ーへの転換を効果的になさしめて、速い速度の記録を可
能にさせる。In addition, the absorption edges of chalcogen elements and chalcogenides are commonly located in the visible region (350 to 700 mμ), and the absorption edges can be freely changed by changing their composition and composition ratio. As a result, a recording layer having absorption corresponding to the wavelength of the laser beam used can be formed, and the radiant energy of the laser beam can be effectively converted into thermal energy, enabling high-speed recording.
また、分光特性における吸収端の調整は特定波長以外の
光線に対し不感性とすることが出来る。Furthermore, the adjustment of the absorption edge in the spectral characteristics can make it insensitive to light rays other than specific wavelengths.
カルコゲン元素及びカルコゲンナイドの熱伝導率はo.
5〜o.o1(Watt/CTIL℃)と充分小さく、
レーザービームの照射部周辺における熱的効果(溶融、
蒸発等)を低く押えることができ、さらには、熱伝導に
よる熱ひずみによる亀裂、それに伴う剥離を避けること
ができ、全体として、高解像性のシヤープなパターンを
作ることができる。また、カルコゲン元素及びカルコゲ
ナイドの他の特徴として、蒸発温度(通常、400〜1
500℃)が低いことが指摘される。このような諸特性
は、記録材として最も好適に利用せしめる。カルコゲン
元素及びカルコゲンナイドを記録層として用いることに
ついて挙げる他の特徴は、金属に較べて、任意の厚さの
且つ均一な記録層の形成が非常に容易であることが指摘
される。これはカルコゲン元素及びカノ、レコゲナイド
が非昇華性、低融点、低沸点でありW,Ta,Mo等の
金属と高温でも未反応(低反応)といつた物性を持つて
いるためであり、蒸着方法による記録層の形成の際、金
属に較べて、厚く、且つ均一な蒸着層の形成がより容易
に行われ得ることである。また、他の特徴は、カルコゲ
ン元素及びカルコゲナイドの硬さは、金属に較べてや\
劣るが、フイルム、ペーパー等の屈曲性の支持体に対す
る接着性が非常に優れているどとである。The thermal conductivity of chalcogen elements and chalcogenides is o.
5~o. o1 (Watt/CTIL℃), which is sufficiently small.
Thermal effects (melting,
evaporation, etc.), and furthermore, it is possible to avoid cracking due to thermal strain due to heat conduction and the resulting peeling, and as a whole, it is possible to create a sharp pattern with high resolution. In addition, as another characteristic of chalcogen elements and chalcogenides, the evaporation temperature (usually 400 to 1
500°C) is low. Such characteristics make it most suitable for use as a recording material. Another feature of using chalcogen elements and chalcogenides as recording layers is that it is much easier to form a uniform recording layer of any thickness than metals. This is because the chalcogen element, Kano, and Recogenide have physical properties such as non-sublimation, low melting point, and low boiling point, and do not react (low reaction) with metals such as W, Ta, and Mo even at high temperatures. When forming a recording layer using this method, a thick and uniform vapor deposited layer can be formed more easily than with metal. Another feature is that the hardness of chalcogen elements and chalcogenides is higher than that of metals.
Although inferior, it has very good adhesion to flexible supports such as films and papers.
これはカルコゲン元素及びカルコゲナイドるためである
。従つてカルコゲン元素及びカルコゲナイドを用いるこ
とによつて、プレート状、フイルム状、ペーパー状の各
種の形状の記録部材の提供が比較的容易になされる。従
つて、記録速度、解像性、記録装置の簡易化、使用する
レーザービームの種類に応じた記録層の製造、さらには
川途に応じた記録部材の製造について、非常に改善され
るものである。本発明による記録部材の最も代表的な構
成は第1図に示され、支持体1と記録層2から構成され
る。記録層は一般には蒸着又はスパツタリングによつて
形成されるが、加熱による融解塗布、あるいはカルコゲ
ン元素及びカルコゲナイドのアルカリ溶解性を利用して
溶液による塗布によつて形成されてもよい。This is due to chalcogen elements and chalcogenides. Therefore, by using chalcogen elements and chalcogenides, it is relatively easy to provide recording members in various shapes such as plate, film, and paper. Therefore, it will greatly improve recording speed, resolution, simplification of recording devices, manufacturing of recording layers according to the type of laser beam used, and manufacturing of recording members according to the market. be. The most typical structure of the recording member according to the present invention is shown in FIG. 1, and is composed of a support 1 and a recording layer 2. The recording layer is generally formed by vapor deposition or sputtering, but it may also be formed by melt coating by heating, or by solution coating using the alkali solubility of the chalcogen element and chalcogenide.
記録層の厚さは、通常の場合において、10μ〜10m
μに設定される。The thickness of the recording layer is usually 10μ to 10m.
Set to μ.
また、記録層が厚い場合には、支持体は必要によつて除
去されてよい。記録層の形成に用いる代表的なカルコゲ
ナイドとしては次の化合物が挙げられる。Sのカルコゲ
ナイドとしては、As−S化合物、Bi−S化合物、S
i−S化合物、Zn−S化合物、Ge−S化合物、Cu
−S化合物、Ag−S化合物、■−S化合物、Pb−S
化合物、In−S化合物、Al−S化合物、Sn−S化
合物、N1−S化合物、e−s−p化合物、Ge−S−
Cu化合物、e−sーNa化合物、As−S−1化合物
、As−S一Te化合物、As−S−Ge化合物、In
−Ge−S化合物、Ge−Sn−S化合物、Ge−S−
Ag化合物など、Seのカルコゲナイドとしては、As
−Se化合物、Sb−Se化合物、Bi一Se化合物、
Ge−Se化合物、As−Se−1化合物など、Teの
カルコゲサイドとしては、As−Te化合物、Sb−T
e化合物、Bi−Te化合物、Si−As−Te化合物
など、また、2つ以上のカルコゲン元素を含むカルコゲ
ンナイドとしては、As−S−Te化合物、As−S−
Te化合物、As−Se−Te化合物、Ge−Se−S
化合物、As−S−Se化合物、などである。Furthermore, if the recording layer is thick, the support may be removed if necessary. Typical chalcogenides used to form the recording layer include the following compounds. Examples of S chalcogenide include As-S compound, Bi-S compound, S
i-S compound, Zn-S compound, Ge-S compound, Cu
-S compound, Ag-S compound, ■-S compound, Pb-S
compound, In-S compound, Al-S compound, Sn-S compound, N1-S compound, e-sp compound, Ge-S-
Cu compound, e-s-Na compound, As-S-1 compound, As-S-Te compound, As-S-Ge compound, In
-Ge-S compound, Ge-Sn-S compound, Ge-S-
As chalcogenide of Se such as Ag compounds, As
-Se compound, Sb-Se compound, Bi-Se compound,
Examples of Te chalcogides such as Ge-Se compounds and As-Se-1 compounds include As-Te compounds and Sb-T
e compounds, Bi-Te compounds, Si-As-Te compounds, etc. Chalcogenides containing two or more chalcogen elements include As-S-Te compounds, As-S-
Te compound, As-Se-Te compound, Ge-Se-S
compound, As-S-Se compound, etc.
カルコゲン元素の反応性は共通しており、上記した各例
示化合物において、カルコゲン元素の種類を代えた化合
物もカルコゲンナイドとして記録材料に有効に用いられ
るものである。その他、カルコゲナイドとして非常に多
くの化合物があるが、これらのその他のカルコゲナイド
も本発明において適宜採用されてよい。記録層を形成す
る場合、必要に応じて、ハロゲン、Ge,Siなどの元
素を活性剤として少量(1モル%以下)加えることもま
た有効である。The reactivity of the chalcogen element is common, and among the above-mentioned exemplary compounds, compounds with different types of chalcogen elements can also be effectively used as chalcogenides in recording materials. In addition, there are many other compounds as chalcogenides, and these other chalcogenides may also be appropriately employed in the present invention. When forming a recording layer, it is also effective to add a small amount (1 mol % or less) of elements such as halogen, Ge, Si, etc. as an activator, if necessary.
またカルコゲンの構成成分として、Na,K等のアルカ
リ金属、Ca,Sr等のアルカリ土類金属、Si,Ge
,Sn,Pb等の第■b族元素、Tl,Al,In等の
第lb族元素、Zn等の第■b族元素、Eu,Sm等の
ランタン系希土類、U等のアクチニド希土類、などの元
素を添加することも有効である。またさらに、添加剤と
して、少量の金属を添加することは光学濃度及び光感度
の点で有効である。添加する金属としては、代表的なも
のはAg,Cu,Cd,Mn,Ga,In,Bi,Sb
,Fe,Niまたはこれらの合金が挙げられ、特にAg
,Sn,Zn,Bi及びCuが好適である。金属の添加
量は5モル%〜80モル%の範囲で適宜設定される。記
録層にレーザービームを照射する際その一部は蒸発する
可能性もあることを考慮した場合には、記録層は特に毒
性のない材料を使用することも好ましいと言える。この
点では、Ge−S化合物、Sn−S化合物、In−S化
合物、Cu−S化合物、Ag−S化合物、Zn−S化合
物あるいはこれらの化合物に金属を加えたものが好まし
い。カルコゲン元素及びカルコゲナイドは通常、ガラス
状態と結晶状態をとり得る。結晶状態とガラス状態とで
は、光屈折率、比熱、熱伝導度、熱膨張係数などについ
て異なる性質を示す。例えば、AS2S3の組成のカル
コゲナイドについて伝えば、結晶状態の光屈折率(波長
550〜580mμ)は2.66であるのに対し、ガラ
ス状態の光屈折率は2.77である。また、As2se
3の組成のカルコゲナイドの結晶状態の熱伝導率は4×
103Cat/CT!L−SeC・℃であり、ガラス状
態でのそれは7×104cat/CTn−Sec・℃で
ある。記録層は原則として、その製造条件の相違に依つ
て、結晶状態とガラス状態の両者を取り得る。この製造
条件の相違は、個々の実際の製造条件について、個別に
定められる可きものであり、全体に共通に適用される一
般条件を規定することは、困難である。結晶状態とガラ
ス状態の状態制御は、蒸着の場合には、蒸着源を結晶状
態とするか基板温度をガラス転移点附近とするかあるい
は蒸着後の条件では、結晶状態が得られ易く、また、蒸
着源をガラス状態にするか基板温度をガラン転移点以下
通常は室温以下の比較的低温と保持するなどの条件では
ガラス状態が得易い。また、カルコゲン元素およびカル
コゲナイドの溶液(カルコゲン元素及びカルコゲナイド
はアルカリに可溶であるから、通常、アルカリ溶液であ
る)を支持体上に塗膜形成する場合には、支持体の温度
を100℃以上の比較的高温にし塗布後除冷するか、塗
布後ガラス転移点以上で熱処理するなどの条件では結晶
状態が得易く、加熱したアルカリ溶液を室温以下に冷却
した支持体上に高速で塗布する条件ではガラス状態が侍
易い。また、融解による場合には、融解後徐冷する条件
では結晶状態が得易く、急冷する条件ではガラス状態が
得易い。ガラス状態と結晶状態のいずれの状態になり易
いかに関係している他の要因は、カルコゲナイドの組成
の種類並びに組成比である。例えば、Zn−S系、As
xSel−x(x<0.4),Ge−S−P系、Ge−
S−Cu系、及びAs−Te系などは結晶状態をとり易
く、Gel−XSx(0.4くx<0.6,X〉0.6
6),AsxSl−x(0.15くx〈0.55),G
el−XSex(x>0.75),Ge一S−Na系及
びAs−S−などは、ガラス状態をとり易い。Chalcogen also contains alkali metals such as Na and K, alkaline earth metals such as Ca and Sr, Si and Ge.
, Sn, Pb, etc., group Ib elements such as Tl, Al, In, etc., group IIb elements such as Zn, lanthanum-based rare earths such as Eu, Sm, actinide rare earths such as U, etc. Adding elements is also effective. Furthermore, adding a small amount of metal as an additive is effective in terms of optical density and photosensitivity. Typical metals to be added include Ag, Cu, Cd, Mn, Ga, In, Bi, and Sb.
, Fe, Ni or their alloys, especially Ag
, Sn, Zn, Bi and Cu are preferred. The amount of metal added is appropriately set in the range of 5 mol% to 80 mol%. Considering that a portion of the recording layer may evaporate when irradiated with a laser beam, it is also preferable to use a non-toxic material for the recording layer. In this respect, Ge--S compounds, Sn--S compounds, In--S compounds, Cu--S compounds, Ag--S compounds, Zn--S compounds, or compounds obtained by adding metals to these compounds are preferred. Chalcogen elements and chalcogenides can normally be in a glass state or a crystalline state. The crystalline state and the glass state exhibit different properties in terms of optical refractive index, specific heat, thermal conductivity, thermal expansion coefficient, etc. For example, regarding chalcogenide having the composition AS2S3, the optical refractive index in the crystalline state (wavelength 550 to 580 mμ) is 2.66, while the optical refractive index in the glass state is 2.77. Also, As2se
The thermal conductivity of the crystalline state of chalcogenide with composition 3 is 4×
103Cat/CT! L-SeC·°C, and that in the glass state is 7×10 4 cat/CTn-Sec·°C. In principle, the recording layer can be in both a crystalline state and a glassy state depending on the manufacturing conditions. This difference in manufacturing conditions can be determined individually for each actual manufacturing condition, and it is difficult to define general conditions that are commonly applied throughout. In the case of vapor deposition, the state control of the crystalline state and the glass state is such that the vapor deposition source is in the crystalline state, the substrate temperature is set near the glass transition point, or the conditions after vapor deposition are such that the crystalline state is easily obtained. A glass state can be easily obtained under conditions such as making the vapor deposition source in a glass state or keeping the substrate temperature at a relatively low temperature below the galant transition point, usually below room temperature. In addition, when forming a coating film on a support with a solution of chalcogen element and chalcogenide (chalcogen element and chalcogenide are soluble in alkali, so it is usually an alkaline solution), the temperature of the support should be set to 100°C or higher. A crystalline state is easily obtained under conditions such as applying at a relatively high temperature and slowly cooling it after application, or heat-treating it above the glass transition point after application, and under conditions where a heated alkaline solution is applied at high speed onto a support cooled to room temperature or below. Then, the glass state is easy to serve as a samurai. Further, in the case of melting, a crystalline state is easily obtained under conditions of slow cooling after melting, and a glass state is easily obtained under conditions of rapid cooling. Other factors related to whether the glass state or the crystalline state is likely to occur are the type and composition ratio of the chalcogenide composition. For example, Zn-S, As
xSel-x (x<0.4), Ge-S-P system, Ge-
S-Cu and As-Te systems tend to take a crystalline state, and Gel-XSx (0.4x<0.6, X>0.6
6), AsxSl-x (0.15 x <0.55), G
El-XSex (x>0.75), Ge-S-Na system, As-S-, etc. are likely to take a glass state.
また、上記した外、記録層を形成するに用いるカルコゲ
ンの出発材料が結晶状態にある場合には形成された記録
層も結晶状態を与える傾向があることも考慮される。記
録層には、その機械的強度、安定性、及び屈曲性の点か
らはガラス状態にある場合の方が推奨される。In addition to the above, it is also considered that when the starting material of chalcogen used to form the recording layer is in a crystalline state, the formed recording layer also tends to be in a crystalline state. From the viewpoint of mechanical strength, stability, and flexibility, it is recommended that the recording layer be in a glass state.
第1図は、本発明に用いる記録部材の最も代表的な構成
にあるものを示し、記録層2及び支持体1から構成され
る。本発明の実施の最も代表的な状態は第2図〜第4図
に示される。記録部材には、第2図に示されるようにレ
ーザービーム3が照射され、カルコゲナイドが軟化温度
以上で蒸発温度以下に発熱して記録層のレーザービーム
の照射部において光散乱性の変形4が形成される。レー
ザービームによつて形成される光散乱性の変形は、微小
な凹凸な集合から成つている。このような微小な凹凸の
形成のために、レーザービーム照射は、例えば、音響光
学素子とガルバノメータを組合せた、いわゆるA/0カ
ルバ法のように、一本のレーザービームを変調させて同
一画素について数回以上照射するか、2本以上のレーザ
ービームを照射するか、或いはこの両者を同時に採用す
ることによつて行われる。形成される凹凸の大きさ及び
その数は、光散乱を有効に生ずるように設定される。例
えば、通常は光散乱像の観察は可視光をもつて行われる
ので、光散乱を効果的に生じさせる可く、凹凸の大きさ
(山と谷の高さの差)は100mμ以下で十分である。
また、同様の点から凹凸の形成密度は、15コ/10μ
〜25コ/10μに設定されることが良好である。記録
された情報を散乱像として直接あるいは拡大投影して観
察するためには、このような凹凸はある一定以上集合し
た形状にあることが必要とされ、散乱像の記録部と非記
録部の可視光に対する光透過率の差は記録部の光透過率
が非記録部の光透過率の1〜1/5に設定されるのが好
ましい。このために、凹凸の集合度は、多くの場合にお
いて、5コ以上、特に好ましくは10コ以上が好ましい
。第2図に示されるようにして形成される光散乱像は、
凹凸部が格子点状または格子縞状、あるいは無秩序に配
列されて形成され、その観察は、反射又は透過によつて
なされる。第3図は透過による場合を示すものであり、
支持体側から与えられた全面光照射光は記録部材を透過
し、光散乱性の変形部4で選択的に散乱6され、散乱像
が観察される。この場合には、支持体は光透過性に設定
され、通常、ガラス、ポリエステル、アセテート、ポリ
エチレンなどの透明材料から成つている。反射で観察す
る場合は第4図に示され、全面光照射5は記録層の表面
側から与えられ、光散乱性の変形部4.において散乱6
されて散乱像が観察される。この場合には、支持体は、
金属、セラミツク、紙など不透明材から形成されてもよ
い。本発明による記録法は、光散乱を生じせしめる程度
の凹凸部のレーザービームによる形成によつて記録を達
成し得ることから、非常に記録が高速で且つ、低出力レ
ーザービームを用いることができる。FIG. 1 shows the most typical configuration of a recording member used in the present invention, which is composed of a recording layer 2 and a support 1. The most typical state of implementation of the invention is shown in FIGS. 2-4. The recording member is irradiated with a laser beam 3 as shown in FIG. 2, and the chalcogenide generates heat above its softening temperature and below its evaporation temperature, forming a light-scattering deformation 4 in the laser beam irradiated portion of the recording layer. be done. The light-scattering deformation formed by the laser beam consists of a collection of minute irregularities. In order to form such minute irregularities, laser beam irradiation is performed by modulating a single laser beam to target the same pixel, such as the so-called A/0 Kalva method, which combines an acousto-optic element and a galvanometer. This is accomplished by irradiating several times or more, by irradiating two or more laser beams, or by employing both at the same time. The size and number of the formed irregularities are set so as to effectively cause light scattering. For example, since light scattering images are normally observed using visible light, it is possible to effectively cause light scattering, and it is sufficient that the size of the unevenness (difference in height between peaks and valleys) is 100 mμ or less. be.
Also, from the same point, the formation density of unevenness is 15 pieces/10μ
It is preferable to set it to ~25 pieces/10 μ. In order to observe the recorded information directly as a scattering image or by enlarging and projecting it, it is necessary that these irregularities are gathered together to a certain extent, and the visible part of the recorded and non-recorded parts of the scattered image is The difference in light transmittance for light is preferably set such that the light transmittance of the recorded portion is set to 1 to 1/5 of the light transmittance of the non-recorded portion. For this reason, the degree of aggregation of the unevenness is preferably 5 or more, particularly preferably 10 or more in many cases. The light scattering image formed as shown in FIG.
The uneven portions are formed in the form of lattice points, checkered stripes, or randomly arranged, and are observed by reflection or transmission. Figure 3 shows the case of transmission,
The entire surface illumination light applied from the support side passes through the recording member, is selectively scattered 6 by the light-scattering deformed portion 4, and a scattered image is observed. In this case, the support is designed to be optically transparent and usually consists of a transparent material such as glass, polyester, acetate, polyethylene, etc. In the case of observation by reflection, as shown in FIG. 4, the entire surface light irradiation 5 is applied from the surface side of the recording layer, and the light-scattering deformed portion 4. Scattered at 6
and a scattering image is observed. In this case, the support is
It may be formed from an opaque material such as metal, ceramic, or paper. In the recording method according to the present invention, recording can be achieved by using a laser beam to form irregularities to the extent that light scattering occurs, so that recording can be performed at extremely high speed and a low-power laser beam can be used.
また、散乱像は、これを光電素子で受けて電気信号に変
換されて利用することもできる。 *実施例 1膜厚8
0μのポリエステルフイルムを基板としてGeSなるカ
ルコゲンガラスを真空蒸着によつて約1500λの膜厚
に形成し、ヒートモードレーザー記録用部材を作製した
。Further, the scattered image can be received by a photoelectric element and converted into an electrical signal for use. *Example 1 film thickness 8
A heat mode laser recording member was produced by using a 0μ polyester film as a substrate and forming chalcogen glass (GeS) to a thickness of about 1500λ by vacuum evaporation.
真空蒸着時の真空度は2×10−6T0rr)ポート温
度は約700℃であつた。上記のように作製した記録用
部材の書き込み実験を行つた。The degree of vacuum during vacuum evaporation was 2 x 10-6T0rr) and the port temperature was about 700°C. A writing experiment was conducted using the recording member manufactured as described above.
実験方法は図5に示す如く、記録用部材、T、をターン
テーブル、8、上に取りつけ、ターンテーブルをモータ
ー、9、で回転させ、テーブル面に平行な等速直線移動
、10、を行い、レーザー、12、のビームを変調器、
11,を通してミラー、13、で反射しレンズ、14、
で記録用部材面に集光し、スパイラル状の記録を行い、
外周部での線速度が増して記録ができなくなるまで、書
き込み実験を行つた。As shown in Fig. 5, the experimental method was to attach a recording member, T, to a turntable, 8, rotate the turntable with a motor, 9, and perform a uniform linear movement parallel to the table surface, 10. , a modulator for beams of lasers, 12,
11, through the mirror, 13, reflected by the lens, 14,
The light is focused on the surface of the recording member and recorded in a spiral pattern.
Writing experiments were conducted until the linear velocity at the outer periphery increased and recording became impossible.
光散乱性を記録用部材に与えるために8段のスポツト位
置を与えられる音響光学変調器を11の変調器として用
いた。従来のヒートモードレーザー記録法で書き込み実
験を行つて比較した。In order to impart light scattering properties to the recording member, an acousto-optic modulator provided with 8 stages of spot positions was used as the 11 modulator. A writing experiment was conducted using the conventional heat mode laser recording method and compared.
従来のヒートモードレーザー記録の実験法は図5に於て
変調器、11,を取り除いたものである。ただし集光レ
ンズとしては線巾が5μになるように10倍の顕微鏡対
物レンズを用いた。これらの実験結果を下の表にまとめ
る。A conventional experimental method for heat mode laser recording is shown in FIG. 5 with the modulator 11 removed. However, as a condensing lens, a 10x microscope objective lens was used so that the line width was 5 μm. The results of these experiments are summarized in the table below.
周、本実施例においてGeSに代えてSを用いた場合も
同様な結果が得られた。Similar results were obtained when S was used instead of GeS in this example.
実施例 2
実施例1と同様に真空蒸着法により、
Ag25Ge25s5Oなるカルコゲンガラスをポリエ
ステルフイルム上に約1500Aの厚さに形成して記録
用部材を作製した。Example 2 A recording member was prepared by forming a chalcogen glass of Ag25Ge25s5O to a thickness of about 1500 Å on a polyester film by vacuum evaporation in the same manner as in Example 1.
実施例1の実験装置を使つて、レーザー出力が同じ場合
の本発明方法と、従来の方法での約5μの線巾を得られ
る最高線速度を求めた。実施例 3
膜厚75μのアセテートフイルムを基板として、基板上
にGes2のカルコゲンガラスを厚さ2000λに蒸空
蒸着により形成して記録部材を用意した。Using the experimental apparatus of Example 1, the maximum linear velocity at which a line width of approximately 5 μm could be obtained using the method of the present invention and the conventional method when the laser output was the same was determined. Example 3 A recording member was prepared by using an acetate film having a thickness of 75 μm as a substrate and forming Ges2 chalcogen glass to a thickness of 2000 μm on the substrate by vapor deposition.
この記録部材に第6図に示される記録装置を用いてレー
ザービーム記録を行つた。この装置の入力は磁気テープ
であり、磁気テープ読取り装置15は800BPI,1
600BPIの密度切り換え及び7トラツク、9トラツ
クのトラツク数の切り換えが可能な磁気テープ読取り装
置で、その転送速度は36KCである。制御装置16は
装置全体と制御するとともに磁気テープ読み取り装置か
らの情報を内部メモリーに蓄積するために16ビツト/
語で8K語のコアメモリーを持つ汎用ミニコンピユータ
一である。制御装置16は文字発生装置17とX−Y偏
向装置置18、レーザービーム発生装置19及び記録部
材25の動きを制御している。文字発生装置17は8ビ
ツト/語で1K語のROM(リード・オンリーメモリー
)から出来ており、ROMの内容に対応したドツトパタ
ーンを発生するための△X−△Y振巾及びアンブランク
信号を発生させている。△Yは200KHz,△Xは4
0K11zの周波数で偏向されている。X−Y偏向装置
18は制御装置16からの命令によりレーザービームを
画面の任意の位置に動かす信号を出すもので最大応答は
40KHzである。レーザービーム発生装置19は記録
部材に光学情報を書き込むのに充分な出力をもつたもの
である。電気光学的なシヤツタ一20はアンブランク信
号を受け、記録用部材25に対してレーザービーム19
をオン・オフさせるカーセル(KevvCell)であ
る。偏向器21,22,23,24には超音波偏向器を
使用した。Laser beam recording was performed on this recording member using the recording apparatus shown in FIG. The input of this device is a magnetic tape, and the magnetic tape reader 15 is 800 BPI, 1
This is a magnetic tape reader capable of switching the density of 600 BPI and the number of tracks between 7 tracks and 9 tracks, and its transfer rate is 36 KC. The controller 16 has a 16-bit/16-bit readout for controlling the entire device and for storing information from the magnetic tape reader in internal memory.
It is a general-purpose minicomputer with a core memory of 8K words. A control device 16 controls the movements of a character generator 17, an X-Y deflector 18, a laser beam generator 19, and a recording member 25. The character generator 17 is made up of an 8-bit/word, 1K-word ROM (read-only memory), and receives △X-△Y amplitude and unblank signals to generate a dot pattern corresponding to the contents of the ROM. It is occurring. △Y is 200KHz, △X is 4
It is deflected at a frequency of 0K11z. The X-Y deflection device 18 outputs a signal to move the laser beam to an arbitrary position on the screen according to a command from the control device 16, and has a maximum response of 40 KHz. The laser beam generator 19 has sufficient output to write optical information on a recording member. An electro-optic shutter 20 receives the unblank signal and directs a laser beam 19 onto the recording member 25.
This is a car cell (KevvCell) that turns on and off. Ultrasonic deflectors were used as the deflectors 21, 22, 23, and 24.
これらの偏向器は各々△X,△Y振巾信号、X,Y偏向
信号をうけてレーザービームを所定の量だけ偏向させ、
かつ所定の位置に動かすものである。以上の操作は全て
ミニコンピユータ内で制御されるもので種々の動きが可
能である。These deflectors receive the △X, △Y amplitude signals and the X, Y deflection signals, respectively, and deflect the laser beam by a predetermined amount.
and move it to a predetermined position. All of the above operations are controlled within the minicomputer, and various movements are possible.
図7は本記録装置で記録されるドツトパターンの一例を
示したものである。即ち、レーザービームは文字発生装
置でY方向及びX方向に偏光される。ドツトパターンと
して文字を記録するためのドツト位置は電気光学的シヤ
ツタ一20のオン・オフにより決めら瓢斜線を施した卜
゛ント部がオン(アンプラック)でレーザ゛−ビームD
照射部となり、白抜のトン陪V)/){オフ(ブランク
)でレーザービームの非照射部となる。文字発生装置及
び電気光学的シヤツタ一で決定されるレーザービームの
記録部材への照射位置は、その照射部が光散乱性の表面
変形となされるべく、レーザービームは制御される。こ
の制御には、主として二つの方法が採用される。一つは
、ある記録ドツト部、例えばA7部にレーザービームが
到達される際、集中的にレーザービームを複数回微細な
間隔をおいて、往復走査させて、あるいは、レーザービ
ームを振わせてドツトA7を光散乱性とする方法であり
、他の一つは、ドツト部にレーザービームが複数回以上
間隔をおいて走査させるような微細な間隔で、文字発生
装置によつてレーザービームを走査させてドツト部を光
散乱性とする方法である。本実施例では後者の方法で記
録した。FIG. 7 shows an example of a dot pattern recorded by this recording apparatus. That is, the laser beam is polarized in the Y direction and the X direction at the character generator. The dot positions for recording characters as a dot pattern are determined by turning on and off the electro-optic shutter 20. When the shaded print area is on (amp rack), the laser beam D is turned on.
It becomes the irradiated part, and when it is off (blank), it becomes the non-irradiated part of the laser beam. The irradiation position of the laser beam on the recording member is determined by the character generator and the electro-optic shutter, and the laser beam is controlled so that the irradiated portion has a light-scattering surface deformation. Two methods are mainly used for this control. One is when a laser beam reaches a certain recording dot area, for example, area A7, the laser beam is scanned back and forth several times at minute intervals, or the laser beam is swung. One method is to make A7 light scattering, and the other is to scan the laser beam with a character generator at minute intervals such that the laser beam scans the dot portion multiple times at intervals. In this method, the dot portion is made light scattering. In this example, recording was performed using the latter method.
一つの文字を記録した後、他の文字を記録するためのレ
ーザービームの移動はX−Y偏光装置によつて行われる
。レーザービームとして出力50mwのアルゴンレーザ
ーを用い、記録部材に照射されるレーザービームの径は
1.0μに設定した。ドツトの径は10μとし、ドツト
の密度は106コ/dである。レーザービームの走査に
よつて一つのドツトに16本の溝を形成させて全体とし
て光散乱性の文字パターンを形成させた。光散乱性の文
字パターンを作るにレーザービームのエネルギーは5×
105erg/Cdで十分であつた。記録速度は700
0文字アルフアベツト/Secであつた。実施例 4基
板としてマイラーフイルムを用い、その上にGe2s3
を1500A厚に真空蒸着させて記録部材を用意した。After recording one character, the movement of the laser beam to record another character is performed by an XY polarizer. An argon laser with an output of 50 mw was used as the laser beam, and the diameter of the laser beam irradiated onto the recording member was set to 1.0 μm. The diameter of the dots is 10 μm, and the density of the dots is 10 6 cells/d. By scanning with a laser beam, 16 grooves were formed in one dot to form a light-scattering character pattern as a whole. The energy of the laser beam is 5x to create a light-scattering character pattern.
105erg/Cd was sufficient. Recording speed is 700
It was 0 character alpha alphabet/Sec. Example 4 Mylar film was used as the substrate, and Ge2s3 was placed on it.
A recording member was prepared by vacuum-depositing it to a thickness of 1500A.
この記録部材に、第8図に示す記録装置によつてレーザ
ービームによる記録を行なつた。被与体26は矢印27
の方向に動きそれと同期して記録部材28が矢印29の
方向に動く機構をもつている。本実施例ではレーザー発
振器30から出る光(発振器の反射鏡は反射率が100
(!)でないため必らず二方向の光が出る)の二つとも
を有効に使う。Recording was performed on this recording member using a laser beam using a recording apparatus shown in FIG. The recipient 26 is the arrow 27
The recording member 28 moves in the direction of the arrow 29 in synchronization with the movement in the direction of the arrow 29. In this embodiment, the light emitted from the laser oscillator 30 (the reflection mirror of the oscillator has a reflectance of 100
(!), so there is always light coming out in two directions).
レーザー発振器の反射鏡の反射率の高い方から出た光を
後方向の光とよび通常レーザー光として利用している強
度の高い光を前方向の光とよぶことにする。後方向の光
は被写体の反射率を測定するために使用される。レーザ
ーから出た後方向の光は3KHzの周波数をもつガルバ
ノメータでX偏向が行なわれる。レーザー光が被写体は
あたると被写体の反射率で反射されフオトセル36で受
光される。The light emitted from the higher reflectance mirror of the laser oscillator will be referred to as the backward light, and the high-intensity light that is normally used as laser light will be referred to as the forward light. The back light is used to measure the reflectance of the subject. The rearward light emitted from the laser is subjected to X-polarization using a galvanometer with a frequency of 3 KHz. When the laser beam hits an object, it is reflected by the reflectance of the object and is received by the photocell 36.
本実施例で使用している偏向器32はX軸だけの偏向で
Y方向は被写体が動くことにより実行される。本実施例
に於いて被写体は6001L7!L/Secの速度で送
られている。レーザー30の前方向の光は偏向器33に
よつて偏向器32と同期して偏向される。The deflector 32 used in this embodiment deflects only the X axis, and the deflection is performed in the Y direction by the movement of the subject. In this example, the subject is 6001L7! It is sent at a speed of L/Sec. The forward light of the laser 30 is deflected by a deflector 33 in synchronization with the deflector 32 .
偏向器33も3KHzのガルバノメータである。同期し
て偏向するために偏向信号は発振装置31より出されて
32,33に同時に送られる。記録用部材の速度は30
mm/Secの早さである。なお本実施例に使用される
レーザーは10mwのHe−Cdレーザーで後方向の光
のビーム径は100μ前方向の光のビーム径は1μにし
ぼられでいる。The deflector 33 is also a 3KHz galvanometer. For synchronous deflection, deflection signals are output from an oscillator 31 and sent to 32 and 33 at the same time. The speed of the recording member is 30
The speed is mm/Sec. The laser used in this embodiment is a 10 mw He--Cd laser, and the beam diameter of the backward light is 10μ, while the beam diameter of the forward light is narrowed to 1μ.
被写体の反射光はフオトセルでひろわれて増巾器35で
増巾されカー・セル(KenCeII)34を制御する
増巾器35の特性変化することにより画像のコントラス
トを変ることが出来、ネガ・ポジの反転も容易に行えた
。又、パルスレーザーを用いるか、偏向をデジタル的に
行い、レーザーと偏向装置33の間にグレイスケールを
挿入することにより擬似網点写真を得ることもできる。
又、増巾器の中にレベル検知器を入れることにより、被
写体の信号をデジタル化することにより不必要なバツク
グランド情報を取り除くことも可能である。このように
して、第9図に示されるように、被写体に対応した溝の
集合で光散乱性の記録パターンを形成した。The light reflected from the object is picked up by a photocell and amplified by an amplifier 35. By changing the characteristics of the amplifier 35 that controls the Kerr cell (KenCeII) 34, the contrast of the image can be changed. The reversal was also easy. A pseudo-halftone photograph can also be obtained by using a pulsed laser or by digitally performing deflection and inserting a gray scale between the laser and the deflection device 33.
Furthermore, by inserting a level detector into the amplifier, unnecessary background information can be removed by digitizing the signal of the subject. In this way, as shown in FIG. 9, a light-scattering recording pattern was formed by a set of grooves corresponding to the subject.
一本の溝の幅は約0.5μであり、溝間隔は0.6μに
設定した。光散乱パターンを記録するに必要なレーザー
ビームのエネルギーは3.7×10erg/?であつた
。実施例 5
厚さ25μのマイラ一上にGes2を200mμ厚に真
空蒸着させて記録部材を用意した。The width of one groove was approximately 0.5μ, and the groove interval was set to 0.6μ. The energy of the laser beam required to record the light scattering pattern is 3.7×10erg/? It was hot. Example 5 A recording member was prepared by vacuum-depositing Ges2 to a thickness of 200 μm on a Mylar sheet having a thickness of 25 μm.
この記録部材に第8図に示される記録装置に第10図に
示される記録装置を組合せた装置でレーザービーム記録
を行つた。第8図に示される記録装置の作動条件に実施
例4と同じである。第8図に示される記録装置において
、被写体に記録されている種種のハード情報の種類によ
つては、レーザービームの反射率にバラツキがあるもの
であり、特に反射率がある一定以上高くなつた場合、そ
れに伴つて記録レーザービームの強度が高くなり、この
場合には記録装置を完全に蒸発除去させる原因になり、
光散乱性パターンというよりむしろ完全な凹凸パターン
を形成させてしまうことになつて、均質の光散乱性パタ
ーンの記録が困難となる。このようなことを防止するた
めに採用されるのが第10図に示される記録方式であり
、記録レーザービームがある一定以上強くなつた場合、
それに伴つて生ずる記録層の完全蒸発除去によるレーザ
ービーム照射部の光透過性の増大を検知して記録レーザ
Lビームの強度を制御するものであつて、記録層の過度
の溶解及び過度の蒸発を防止する装置である。37は記
録用レーザービームで記録部材38に記録を行うための
ものである。Laser beam recording was performed on this recording member using a combination of the recording device shown in FIG. 8 and the recording device shown in FIG. 10. The operating conditions of the recording apparatus shown in FIG. 8 are the same as those in Example 4. In the recording device shown in Fig. 8, the reflectance of the laser beam varies depending on the type of various hard information recorded on the subject, and especially when the reflectance becomes higher than a certain level. In this case, the intensity of the recording laser beam increases accordingly, which in this case causes the recording device to be completely evaporated.
Rather than a light-scattering pattern, a complete uneven pattern is formed, making it difficult to record a homogeneous light-scattering pattern. In order to prevent this, the recording method shown in Figure 10 is adopted, in which when the recording laser beam becomes stronger than a certain level,
The intensity of the recording laser L beam is controlled by detecting the accompanying increase in light transmittance of the laser beam irradiated area due to complete evaporation of the recording layer, and prevents excessive melting and evaporation of the recording layer. It is a device that prevents Reference numeral 37 is for recording on the recording member 38 with a recording laser beam.
記録部材は透明なガラスシリンダー39に接触して矢印
45の方向に送られる。40は参照光で1mw0)He
−Neレーザーによる光で記録部材が記録されない位弱
い光である。The recording member is brought into contact with the transparent glass cylinder 39 in the direction of the arrow 45. 40 is the reference light 1mw0)He
-Ne laser light is so weak that it does not record on the recording member.
参照光は記録部材およびガラスシリンダーを通してフオ
トセル42で受光されている。記録用レーザービームは
記録部材、ガラスシリンダ一を通してフオトセル41で
受光されている。この二つの光は常に比較器43で監視
されている。記録用レーザービームのエネルギーが光散
乱性パターンを作るに必要な強度にある場合には、記録
用レーザービームが記録部材で散乱されフオトセル41
で観測される光は順次低下していくが、記録用レーザー
ビームがある一定値を過ぎて過度の強さになると記録部
材の記録層の蒸発除去が生じ、散乱が急激に減少しフオ
トセル41で受光される光が増加し、最終画像はポジ・
ネガが反転することとなる。これを防ぐために、フオト
セル41で受光される光量が42で受光される光を下ま
わると微小振動用偏向器44が働き記録用レーザービー
ム37に約3MHzの振動を与える。これにより先エネ
ルギーの分散をはかり記録層の過度の蒸発を防止する。The reference light is received by the photocell 42 through the recording member and the glass cylinder. A recording laser beam is received by a photocell 41 through a recording member and a glass cylinder. These two lights are constantly monitored by a comparator 43. When the energy of the recording laser beam is strong enough to create a light scattering pattern, the recording laser beam is scattered by the recording member and the photocell 41
The light observed in the photocell 41 gradually decreases, but when the intensity of the recording laser beam exceeds a certain value and becomes excessive, the recording layer of the recording member is evaporated and the scattering decreases rapidly. The amount of light received increases and the final image becomes positive.
The negative will be reversed. In order to prevent this, when the amount of light received by the photocell 41 becomes less than the light received by the photocell 42, the micro-vibration deflector 44 operates to give the recording laser beam 37 a vibration of about 3 MHz. This allows the energy to be dispersed and prevents excessive evaporation of the recording layer.
記録されるパターンの濃度の高い部分はやや太くなるの
が見た目には濃度がより高く見える。記録用ビームが非
常に弱い場合も同じような振動がおこるが参照光40の
性質上、このような振動がおこる場合は、記録がなされ
ない。The high-density parts of the recorded pattern are slightly thicker, which visually gives the appearance of higher density. Similar vibrations occur when the recording beam is very weak, but due to the nature of the reference beam 40, when such vibrations occur, no recording is possible.
このようにして、記録部材に、レーザービーム強度10
5〜106egrS)範囲で、光散乱性ペターンを形成
した。形成された光散乱性パターンの溝の幅は0.2〜
0.7μ、その密度は16本/10μであり、基板(マ
イラ一)側からのコリメーターで平行光束にした白色光
の透過率は、記録部は15(f)、未記録部は90%で
あつた。In this way, the laser beam intensity of 10
A light-scattering pattern was formed in the range of 5 to 106egrS). The groove width of the formed light scattering pattern is 0.2~
0.7μ, its density is 16 lines/10μ, and the transmittance of white light made into a parallel beam by a collimator from the substrate (Mylar) side is 15(f) in the recorded area and 90% in the unrecorded area. It was hot.
第1図は本発明に用いる記録部材の一態様を示す。 FIG. 1 shows one embodiment of a recording member used in the present invention.
Claims (1)
イト)から選択された材料を主体として形成される記録
層に記録情報を有するレーザービームを照射することに
より、前記材料が軟化温度以上で蒸発温度以下に発熱し
て記録層の表面に光散乱性の変形を熱的に形成せしめる
ことを特徴とするレーザービーム記録法。1 By irradiating a recording layer formed mainly of a material selected from S, Se, Te, and a compound thereof (chalcogenite) with a laser beam having recorded information, the material is heated to a temperature higher than the softening temperature and lower than the evaporation temperature. A laser beam recording method characterized by generating heat to thermally form a light-scattering deformation on the surface of a recording layer.
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP49112608A JPS5941875B2 (en) | 1974-09-30 | 1974-09-30 | Laser beam recording method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP49112608A JPS5941875B2 (en) | 1974-09-30 | 1974-09-30 | Laser beam recording method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5139125A JPS5139125A (en) | 1976-04-01 |
| JPS5941875B2 true JPS5941875B2 (en) | 1984-10-11 |
Family
ID=14590978
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP49112608A Expired JPS5941875B2 (en) | 1974-09-30 | 1974-09-30 | Laser beam recording method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5941875B2 (en) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5815319B2 (en) * | 1975-08-11 | 1983-03-24 | 富士写真フイルム株式会社 | Kirokuzairiyou |
| JPS5766996A (en) * | 1980-10-15 | 1982-04-23 | Hitachi Ltd | Information recording member and method of preparing thereof |
| JPS5994333U (en) * | 1982-12-15 | 1984-06-27 | 松村 幹 | Long mount for slide projector |
| EP0299073B1 (en) * | 1987-01-24 | 1995-11-29 | Dai Nippon Insatsu Kabushiki Kaisha | Optical recording medium and production thereof |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3819377A (en) * | 1971-08-12 | 1974-06-25 | Energy Conversion Devices Inc | Method of imaging and imaging material |
| JPS5211319B2 (en) * | 1972-05-23 | 1977-03-30 | ||
| JPS5042839A (en) * | 1973-08-20 | 1975-04-18 | ||
| JPS5042841A (en) * | 1973-08-20 | 1975-04-18 | ||
| JPS547458B2 (en) * | 1973-08-29 | 1979-04-06 | ||
| JPS547457B2 (en) * | 1973-08-29 | 1979-04-06 |
-
1974
- 1974-09-30 JP JP49112608A patent/JPS5941875B2/en not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5139125A (en) | 1976-04-01 |
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