JPS5942471B2 - 半導体発光装置の製造方法 - Google Patents
半導体発光装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS5942471B2 JPS5942471B2 JP53153379A JP15337978A JPS5942471B2 JP S5942471 B2 JPS5942471 B2 JP S5942471B2 JP 53153379 A JP53153379 A JP 53153379A JP 15337978 A JP15337978 A JP 15337978A JP S5942471 B2 JPS5942471 B2 JP S5942471B2
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- JP
- Japan
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- metal
- semiconductor substrate
- emitting device
- light emitting
- semiconductor light
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- Expired
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Led Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は半導体発光装置の製造方法に関する。
半導体発光装置たとえばＧａＰ発光ダイオードではこれ
に形成される電極として、良好なオーミックコンタクト
が得られること、ＰＮ接合面で発光した光を高効率で反
射すること、組立て時に良好なボンディング特性が得ら
れること等の特性が要求される。しかし従来では電極の
形成にあたり、良好なオーミックコンタクトを得るため
に、Ｐ型領域にＡｕのような単一金属又はＡｕ−Ｂｅ、
Ａｕ−Ｚｎのような多成分金属を、Ｎ型領域にＡｕのよ
うな単一金属又はＡｕ−Ｇｅ３Ａｕ−Ｓｉ、Ａｕ−Ｇｅ
−Ｎｉのような多成分金属を蒸着し、これを加熱してオ
ーミックコンタクトのある電極を作成している。ところ
が、この過程でＧａＰとこれらの金属とが反応し、Ｇａ
Ｐと金属とによる前記金属のＧａＰ側の表面での反応層
（前記金属の表面での変化層）で光を吸収するのみなら
ず、熱処理によつてＧａが金属層内に拡散し、ボンディ
ング性を劣化せしめてしまうことがあつた。この発明は
オーミックコンタクトを損なうことなく光を高効率で反
射し、かつ良好なボンデイグ性が確保できるようにする
ことを目的とする。
に形成される電極として、良好なオーミックコンタクト
が得られること、ＰＮ接合面で発光した光を高効率で反
射すること、組立て時に良好なボンディング特性が得ら
れること等の特性が要求される。しかし従来では電極の
形成にあたり、良好なオーミックコンタクトを得るため
に、Ｐ型領域にＡｕのような単一金属又はＡｕ−Ｂｅ、
Ａｕ−Ｚｎのような多成分金属を、Ｎ型領域にＡｕのよ
うな単一金属又はＡｕ−Ｇｅ３Ａｕ−Ｓｉ、Ａｕ−Ｇｅ
−Ｎｉのような多成分金属を蒸着し、これを加熱してオ
ーミックコンタクトのある電極を作成している。ところ
が、この過程でＧａＰとこれらの金属とが反応し、Ｇａ
Ｐと金属とによる前記金属のＧａＰ側の表面での反応層
（前記金属の表面での変化層）で光を吸収するのみなら
ず、熱処理によつてＧａが金属層内に拡散し、ボンディ
ング性を劣化せしめてしまうことがあつた。この発明は
オーミックコンタクトを損なうことなく光を高効率で反
射し、かつ良好なボンデイグ性が確保できるようにする
ことを目的とする。
この発明は、半導体基板の表面に単一金属又は多成分金
属を附着せしめたのち又は附着せしめつつ熱処理を行な
つて前記半導体基板の表面で前記金属と反応せしめ、つ
いで前記金属を溶解除去してから前記表面に新たに良好
なボンディング性を有する金属を附着することを特徴と
する。上述のように半導体基板の表面で金属と反応させ
ることによつて半導体基板の表面には、前記金属とによ
つて反応した変成層が形成される。
属を附着せしめたのち又は附着せしめつつ熱処理を行な
つて前記半導体基板の表面で前記金属と反応せしめ、つ
いで前記金属を溶解除去してから前記表面に新たに良好
なボンディング性を有する金属を附着することを特徴と
する。上述のように半導体基板の表面で金属と反応させ
ることによつて半導体基板の表面には、前記金属とによ
つて反応した変成層が形成される。
前記金属は半導体基板に対してオーミックコンタクトが
得られるちのであるから、前記変成層も又オーミックコ
ンタクトが得られるようになる。前記変成層が形成され
たのち、この変成層を残して前記金属（その金属の半導
体基板側の表面で変化した反応層を含む。）を溶解除去
するので、前記反応層による光の吸収は回避される。そ
してそのあと良好なボンディング特性を有する金属を別
に附着するので、良好なボンディング特性が確保される
ようになる。なおこの金属の附着の際、たとえば・ 蒸
着によるときは、この金属と変成層とが極力反応しない
ように、できる限り低温で処理することが望ましい。こ
の発明の実施例を図によつて説明すると、第１図に示す
ようにＰ型領域１及びＮ型領域２を有・ する半導体基
板（たとえばＧａＰ基板）３について、その表面に前記
半導体基板３に対してオーミックコンタクトの特性をも
つ金属４ａ、４ｂを附着する（第２図参照。
得られるちのであるから、前記変成層も又オーミックコ
ンタクトが得られるようになる。前記変成層が形成され
たのち、この変成層を残して前記金属（その金属の半導
体基板側の表面で変化した反応層を含む。）を溶解除去
するので、前記反応層による光の吸収は回避される。そ
してそのあと良好なボンディング特性を有する金属を別
に附着するので、良好なボンディング特性が確保される
ようになる。なおこの金属の附着の際、たとえば・ 蒸
着によるときは、この金属と変成層とが極力反応しない
ように、できる限り低温で処理することが望ましい。こ
の発明の実施例を図によつて説明すると、第１図に示す
ようにＰ型領域１及びＮ型領域２を有・ する半導体基
板（たとえばＧａＰ基板）３について、その表面に前記
半導体基板３に対してオーミックコンタクトの特性をも
つ金属４ａ、４ｂを附着する（第２図参照。
）。Ｐ型領域１に附着させる金属４ａとしてはＡｕ，Ａ
ｕ−Ｂｅ，Ａｕ−Ｚｎおよびそのニツケル化合物が、又
Ｎ型領域２に附着する金属４ｂとしてはＡｕ，Ａｕ−Ｇ
ｅ，Ａｕ−Ｓｉ，Ａｕ−Ｇｅ−Ｎｉ及びそのニツケル化
合物などが適当である。各金属４ａ，４ｂを附着したの
ち、水素雰囲気中でたとえば５２０゜，１０分間で加熱
処理すると、各金属と半導体基板とで反応が起り、半導
体基板の表面に前記反応による変成層５ａ，５ｂが形成
される（第３図参照。）。つぎに金属４ａ，４ｂがＡｕ
−Ｂｅ，Ａｕ−Ｇｅ−Ｎｉの場合、１２とＫＩの混合液
によるエツチングによつて金属４ａ，４ｂを溶解除去す
る（第４図参照。）。そしてこの除去のあとボンデイン
グ用の金属６ａ，６ｂ（たとえばＡｕ）を蒸着などによ
つて附着する（第５図参照。）。ついで金属６ａを適当
にホトエツチングし（第６図参照。）、噌ダイシングな
どによつて細分化する（第Ｔ図参照。）．その際ダイシ
ングにより両側面に歪層が生じた場合はチツプエツチン
グによりその歪層を除去する。なお金属６ａ，６ｂとし
て耐薬品性のものを使用すれば、電極として耐薬品性を
もたせることができて都合がよい。次にこの発明による
製造方法によつて得た製品の各特性を、従来の製造方法
によつて得た製品のそれと比較して説明する。
ｕ−Ｂｅ，Ａｕ−Ｚｎおよびそのニツケル化合物が、又
Ｎ型領域２に附着する金属４ｂとしてはＡｕ，Ａｕ−Ｇ
ｅ，Ａｕ−Ｓｉ，Ａｕ−Ｇｅ−Ｎｉ及びそのニツケル化
合物などが適当である。各金属４ａ，４ｂを附着したの
ち、水素雰囲気中でたとえば５２０゜，１０分間で加熱
処理すると、各金属と半導体基板とで反応が起り、半導
体基板の表面に前記反応による変成層５ａ，５ｂが形成
される（第３図参照。）。つぎに金属４ａ，４ｂがＡｕ
−Ｂｅ，Ａｕ−Ｇｅ−Ｎｉの場合、１２とＫＩの混合液
によるエツチングによつて金属４ａ，４ｂを溶解除去す
る（第４図参照。）。そしてこの除去のあとボンデイン
グ用の金属６ａ，６ｂ（たとえばＡｕ）を蒸着などによ
つて附着する（第５図参照。）。ついで金属６ａを適当
にホトエツチングし（第６図参照。）、噌ダイシングな
どによつて細分化する（第Ｔ図参照。）．その際ダイシ
ングにより両側面に歪層が生じた場合はチツプエツチン
グによりその歪層を除去する。なお金属６ａ，６ｂとし
て耐薬品性のものを使用すれば、電極として耐薬品性を
もたせることができて都合がよい。次にこの発明による
製造方法によつて得た製品の各特性を、従来の製造方法
によつて得た製品のそれと比較して説明する。
（ハ輝度
従来例によるものの輝度が５６５μＣｄであつたのに対
し、この発明によるものは１０６４μＣｄとなり、約８
８％の向上がみられた。
し、この発明によるものは１０６４μＣｄとなり、約８
８％の向上がみられた。
（２）ボンデイング性各種のボンデイングをほどこした
ところ、次のような結果が得られた。
ところ、次のような結果が得られた。
上記の表から、この発明によるものは、いかなるボンデ
イングによつても良好な特性が得られることが理解され
る。
イングによつても良好な特性が得られることが理解され
る。
（３）接触抵抗
接触抵抗の実測結果は次のとおりであつた。
これから理解されるように、この発明による処理をほど
こしても、電極部の抵抗は何ら影響されることはなく、
むしろ、表電極では抵抗は低下している。以上詳述した
ように、この発明によれば、オーミツク金属を附着処理
して半導体基板の表面にオーミツクコンタクト特性をも
たせてから、半導体基板との反応により反射率の低くな
つたオーミツク金属を除去し、そのあとにボンデイング
用金属を附着しているので、オーミツクコンタクトを確
保し、かつボンデイング特性を損なわずに輝度を大巾に
向上させることができるといつた効果を奏する。
こしても、電極部の抵抗は何ら影響されることはなく、
むしろ、表電極では抵抗は低下している。以上詳述した
ように、この発明によれば、オーミツク金属を附着処理
して半導体基板の表面にオーミツクコンタクト特性をも
たせてから、半導体基板との反応により反射率の低くな
つたオーミツク金属を除去し、そのあとにボンデイング
用金属を附着しているので、オーミツクコンタクトを確
保し、かつボンデイング特性を損なわずに輝度を大巾に
向上させることができるといつた効果を奏する。
第１図乃至第Ｔ図はこの発明の製造方法の過程を順次説
明するための断面図である。 ３ ・・・・・・半導体基板、４ａ，４ｂ・・・・・・
オーミツク特性をもっ金属、６ａ，６ｂ・・・・・・ボ
ンデイング特性をもつ金属。
明するための断面図である。 ３ ・・・・・・半導体基板、４ａ，４ｂ・・・・・・
オーミツク特性をもっ金属、６ａ，６ｂ・・・・・・ボ
ンデイング特性をもつ金属。
Claims (1)
- １ 半導体基板の表面にオーミック特性をもつ金属を附
着せしめたのち又は附着せしめつつ熱処理して前記半導
体基板の表面で前記金属と反応せしめ、これによつて前
記半導体基板の表面にオーミックコンタクト特性をもつ
変成層を形成し、ついで前記変成層を残して前記金属を
前記半導体基板の表面から除去してから、その除去した
あとの表面にボンディング特性をもつ金属を附着せしめ
てなる半導体発光装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53153379A JPS5942471B2 (ja) | 1978-12-09 | 1978-12-09 | 半導体発光装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53153379A JPS5942471B2 (ja) | 1978-12-09 | 1978-12-09 | 半導体発光装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5578580A JPS5578580A (en) | 1980-06-13 |
| JPS5942471B2 true JPS5942471B2 (ja) | 1984-10-15 |
Family
ID=15561170
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP53153379A Expired JPS5942471B2 (ja) | 1978-12-09 | 1978-12-09 | 半導体発光装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5942471B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60205160A (ja) * | 1984-03-28 | 1985-10-16 | 株式会社東芝 | 冷凍装置 |
| JPS6163570U (ja) * | 1984-09-28 | 1986-04-30 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5867079A (ja) * | 1981-10-19 | 1983-04-21 | Toshiba Corp | 半導体素子 |
-
1978
- 1978-12-09 JP JP53153379A patent/JPS5942471B2/ja not_active Expired
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60205160A (ja) * | 1984-03-28 | 1985-10-16 | 株式会社東芝 | 冷凍装置 |
| JPS6163570U (ja) * | 1984-09-28 | 1986-04-30 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5578580A (en) | 1980-06-13 |
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