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JPS5943849B2 - transistor amplifier circuit - Google Patents
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JPS5943849B2 - transistor amplifier circuit - Google Patents

transistor amplifier circuit

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Publication number
JPS5943849B2
JPS5943849B2 JP51123653A JP12365376A JPS5943849B2 JP S5943849 B2 JPS5943849 B2 JP S5943849B2 JP 51123653 A JP51123653 A JP 51123653A JP 12365376 A JP12365376 A JP 12365376A JP S5943849 B2 JPS5943849 B2 JP S5943849B2
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JP
Japan
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transistor
collector
amplifier circuit
transistors
diode
Prior art date
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Expired
Application number
JP51123653A
Other languages
Japanese (ja)
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JPS5348443A (en
Inventor
友幸 林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明はパルス信号等を増幅するのに適した非飽和型の
トランジスタ増幅回路に係り、簡単な構成でトランジス
タが飽和することなく良好な動作を行なう優れたトラン
ジスタ増幅回路を提供することを目的とするものである
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a non-saturating transistor amplifier circuit suitable for amplifying pulse signals, etc., and is an excellent transistor amplifier circuit that has a simple configuration and performs good operation without transistor saturation. The purpose is to provide the following.

一般に使用されているトランジスタ増幅回路は第1図に
示すように構成されている。
A commonly used transistor amplifier circuit is constructed as shown in FIG.

すなわら、第1図において、1は信号源、2は電圧シフ
ト機能を有する回路素子、3,4は増幅用のトランジス
タ、5は負荷、6,7は電源である。
That is, in FIG. 1, 1 is a signal source, 2 is a circuit element having a voltage shift function, 3 and 4 are amplifying transistors, 5 is a load, and 6 and 7 are power supplies.

第1図において今、信号源1より得られる信号がパルス
状のものであり、トランジスタ3,4にスイッチング動
作を行なわせているものとする。
In FIG. 1, it is assumed that the signal obtained from the signal source 1 is in the form of a pulse and causes the transistors 3 and 4 to perform a switching operation.

この場合、トランジスタ3,4が飽和すると信号源1か
らの信号がなくなってもしばらくの間トランジスタ3,
4がオンの状態を保持することになり、この蓄積効果に
よってトランジスタ3,4の出力側に現われるパルス状
出力の立下りに時間的遅れを生じ、正確な増幅が行なえ
ないという問題がある。
In this case, when the transistors 3 and 4 are saturated, even if the signal from the signal source 1 disappears, the transistors 3 and 4 remain for a while.
4 remains in the on state, and this accumulation effect causes a time delay in the fall of the pulsed output appearing on the output side of the transistors 3 and 4, resulting in a problem that accurate amplification cannot be performed.

特に第1図に示すようなプッシュプル増幅器の場合には
トランジスタ3,4が同時にオンする期間が生じ、これ
によって、トランジスタ14に過大な電流が流れトラン
ジスタ3,4が破壊されるという問題があった。
In particular, in the case of a push-pull amplifier as shown in FIG. 1, there is a period in which transistors 3 and 4 are turned on at the same time, which causes an excessive current to flow through transistor 14 and destroy transistors 3 and 4. Ta.

本発明は以上のような従来の欠点を除去するものであり
、簡単な構成でトランジスタが飽和することなく良好に
動作する優れたトランジスタ増幅回路を提供するもので
ある。
The present invention eliminates the above-mentioned conventional drawbacks and provides an excellent transistor amplifier circuit that has a simple configuration and operates well without transistor saturation.

以下、本発明のトランジスタ増幅回路について一実施例
の図面とともに説明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A transistor amplifier circuit according to the present invention will be described below with reference to drawings of an embodiment.

第2図は本発明のトランジスタ増幅回路における一実施
例の電気的結線図であり、図中、11は信号源、12は
抵抗、13,14は互にダーリントン接続されたトラン
ジスタ、15は負荷、16はダーリントン接続されたト
ランジスタ13゜14の内前段のトランジスタ13のベ
ースと後段のトランジスタ14のコレクタとの間に接続
された第」のダイオード、17は前段のトランジスタ1
3のコレクタと後段のトランジスタ14のコレクタとの
間に接続された第2のダイオード、18は前段のトラン
ジスタ13のエミッタ抵抗、19は電源である。
FIG. 2 is an electrical connection diagram of one embodiment of the transistor amplifier circuit of the present invention, in which 11 is a signal source, 12 is a resistor, 13 and 14 are transistors connected to each other in Darlington, 15 is a load, 16 is a diode connected between the base of the transistor 13 at the front stage and the collector of the transistor 14 at the rear stage of the Darlington-connected transistors 13 and 14, and 17 is the transistor 1 at the front stage.
A second diode is connected between the collector of 3 and the collector of the transistor 14 in the subsequent stage, 18 is the emitter resistance of the transistor 13 in the previous stage, and 19 is a power supply.

第2図において、今、信号源11からの信号が前段のト
ランジスタ13に印加され、ここで増幅された信号が更
に後段のトランジスタ14に印加されているものとする
In FIG. 2, it is assumed that a signal from the signal source 11 is now applied to the transistor 13 in the previous stage, and a signal amplified here is further applied to the transistor 14 in the latter stage.

この場合、トランジスタ13.14は共にオンの状態に
あり、トランジスタ14のベースに供給される電流が充
分太きいものであれば、当然トランジスタ14は飽和し
、そのコレクタ電位はベース電位より低下するこ々にな
る。
In this case, transistors 13 and 14 are both in the on state, and if the current supplied to the base of transistor 14 is large enough, transistor 14 will naturally be saturated and its collector potential will fall below the base potential. become many.

ところが、この場合、ダイオード16のしきい電圧■D
1と前段のトランジスタ13のベース。
However, in this case, the threshold voltage of the diode 16 D
1 and the base of transistor 13 in the previous stage.

エミッタ間の電圧v 1との関係が■。The relationship with the emitter voltage v1 is ■.

、−VBB1B であったとすれば、後段のトランジスタ14のコレクタ
とベースの電位がほぼ等しくなったとたん、第1のダイ
オード16に信号源1からの電流が流れこれが、後段の
トランジスタ14のコレクタに流れ出る。
, -VBB1B, as soon as the collector and base potentials of the subsequent transistor 14 become almost equal, current from the signal source 1 flows through the first diode 16 and flows out to the collector of the subsequent transistor 14. .

したがってこの電流によって前段のトランジスタ13の
ベースに供給される電流が減少し、その結果後段のトラ
ンジスタ14のコレクタ゛電流の減少をもたらし、後段
のトランジスタ14のコレクタとベースの電位がほぼ等
しくなったところで落ち着くようになる。
Therefore, this current causes the current supplied to the base of the transistor 13 in the previous stage to decrease, resulting in a decrease in the collector current of the transistor 14 in the latter stage, and settles when the collector and base potentials of the transistor 14 in the latter stage become approximately equal. It becomes like this.

一方、前段のトランジスタ13のコレクタ電位は第2の
ダイオード17によって、そのしきい電圧値■9□だけ
前段のトランジスタ13のコレクタ電位より高くなるが
、VD2′−1VD1の関係があれば前段のトランジス
タ13のベースとコレクタは互にその電位がほぼ等しく
なる。
On the other hand, the collector potential of the transistor 13 in the previous stage becomes higher than the collector potential of the transistor 13 in the previous stage by the threshold voltage value ■9□ due to the second diode 17. The potentials of the base and collector of 13 are approximately equal to each other.

すなわら、前段のトランジスタ13と後段のトランジス
タ14は、信号源1からの十分な電流に対し、飽和直前
のオン状態に保たれることになる。
In other words, the transistor 13 at the front stage and the transistor 14 at the rear stage are kept in an on state just before saturation in response to a sufficient current from the signal source 1.

したがって、上記第2図に示す実施例によれば前後両ト
ランジスタ13.14によって信号源1からの信号がパ
ルス状のものであってもその立下り特性を悪化させるこ
となく、上記信号を正確かつ確実に増幅することができ
るものである。
Therefore, according to the embodiment shown in FIG. 2, even if the signal from the signal source 1 is in the form of a pulse, the signal can be accurately and accurately processed by the front and rear transistors 13 and 14 without deteriorating its falling characteristics. This can be reliably amplified.

第3図はプッシュプル増幅器として構成した他の実施例
の電気的結線図であり、図中21は信号源、22は抵抗
、23,24は電圧シフト用のトランジスタ、25〜2
8は増幅用のトランジスタ、29.30は高速スイッチ
ング用ダイオード、31.32はシリコンダイオード、
33,34は負荷抵抗、35,36はエミッタ抵抗、3
7は負i、38,39は電源、40はエミッタ抵抗であ
る。
FIG. 3 is an electrical wiring diagram of another embodiment configured as a push-pull amplifier, in which 21 is a signal source, 22 is a resistor, 23 and 24 are voltage shift transistors, and 25 to 2
8 is an amplification transistor, 29.30 is a high-speed switching diode, 31.32 is a silicon diode,
33 and 34 are load resistances, 35 and 36 are emitter resistances, 3
7 is a negative i, 38 and 39 are power supplies, and 40 is an emitter resistance.

本発明は以上の実施例より明らかなようにダーリントン
接続された前段のトランジスタのベースと後段のトラン
ジスタのコレクタとの間に第1のダイオードを接続し、
前段のトランジスタのコレクタと後段のトランジスタの
コレクタとの間に第2のトランジスタを接続したもので
あり、両トランジスタ共に飽和領域に入ることがなく、
パルス状の信号でも立下り特性に影響を与えることなく
正確かつ確実に増幅することができるものである。
As is clear from the above embodiments, the present invention connects a first diode between the base of the transistor in the previous stage and the collector of the transistor in the latter stage, which are Darlington connected,
A second transistor is connected between the collector of the former transistor and the collector of the latter transistor, and neither transistor enters the saturation region.
Even pulsed signals can be amplified accurately and reliably without affecting the falling characteristics.

尚、実施例ではNPN)ランジスタを使用した場合につ
いて説明したが、PNPトランジスタを使用した場合も
同様である。
In the embodiment, the case where an NPN transistor is used has been described, but the same applies to the case where a PNP transistor is used.

又実施例では信号源からの信号をパルス状のものとして
説明したが、本発明の増幅回路は通常のリニア増幅器と
して使用することも可能である。
Furthermore, in the embodiments, the signal from the signal source is described as being in the form of a pulse, but the amplifier circuit of the present invention can also be used as a normal linear amplifier.

この場合には信号をクリップする場合に良好な効果を発
揮することになる。
In this case, a good effect will be exhibited when clipping the signal.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は従来のトランジスタ増幅回路の電気的結線図、
第2図は本発明のトランジスタ増幅回路における一実施
例の電気的結線図、第3図は他の実施例の電気的結線図
である。 11・・・・・・信号源、13,14・・−・・トラン
ジスタ、15・・・・・・負荷、16,17・・・・・
・ダイオード。
Figure 1 is an electrical wiring diagram of a conventional transistor amplifier circuit.
FIG. 2 is an electrical connection diagram of one embodiment of the transistor amplifier circuit of the present invention, and FIG. 3 is an electrical connection diagram of another embodiment. 11... Signal source, 13, 14... Transistor, 15... Load, 16, 17...
·diode.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 ダーリントン接続された2つのトランジスタの内、
前段のトランジスタのベースと後段のトランジスタのコ
レクタとの間に第1のダイオードを接続すると共に、前
段のトランジスタのコレクタと後段のトランジスタのコ
レクタとの間に第2のダイオードを接続し、前段のトラ
ンジスタのコレクタ側より出力を取出すように構成した
トランジスタ増幅回路。
1 Of the two transistors connected in Darlington,
A first diode is connected between the base of the preceding transistor and the collector of the subsequent transistor, and a second diode is connected between the collector of the preceding transistor and the collector of the subsequent transistor. A transistor amplifier circuit configured to take out the output from the collector side.
JP51123653A 1976-10-14 1976-10-14 transistor amplifier circuit Expired JPS5943849B2 (en)

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JPS5348443A JPS5348443A (en) 1978-05-01
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JPS6042912A (en) * 1983-08-19 1985-03-07 Toshiba Corp Amplifier circuit

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