JPS5944873B2 - transistor inverter - Google Patents
transistor inverterInfo
- Publication number
- JPS5944873B2 JPS5944873B2 JP52105629A JP10562977A JPS5944873B2 JP S5944873 B2 JPS5944873 B2 JP S5944873B2 JP 52105629 A JP52105629 A JP 52105629A JP 10562977 A JP10562977 A JP 10562977A JP S5944873 B2 JPS5944873 B2 JP S5944873B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- base
- voltage
- transistors
- inverter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 10
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Inverter Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は第1、第2トランジスタを交互に導通、不導
通制御するインバータに関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to an inverter that alternately controls conduction and non-conduction of first and second transistors.
この種のインバータにおいては一方のトランジスタが導
通、即ちONから不導通、即ちOFFにスイッチオーバ
ーする時に、それまでONであつたトランジスタの蓄積
効果により、他方のトランジスタがONになつた時に上
記一方のトランジスタのON状態から保持され、両トラ
ンジスタが短絡状態になる。In this type of inverter, when one transistor switches over from conduction, ie, ON, to non-conduction, ie, OFF, due to the accumulation effect of the transistor that was previously ON, when the other transistor becomes ON, one of the The ON state of the transistor is maintained, and both transistors become short-circuited.
このような短絡現象を避けるため従来に、おいては位相
制御技術を利用してトランジスタがONからOFF)O
FFからONにスイッチオーバするとき、空き時間を設
けるか、又はリアクトルを用いて電圧の立上り波形を純
らせていた。しかし上記位相制御は回路構成が複雑とな
り、リアクトルによるものは負荷電流の大きさが変化す
ると、リアクトルの値を変えなければならず、調整に多
大の時間を必要とする欠点があつた。′この発明の目的
は回路構成が比較的簡単で負荷電流により左右されず、
上記短絡状態を確実に避けることができるトランジスタ
インバータを提供することにある。In order to avoid such short-circuit phenomena, conventionally, phase control technology is used to switch the transistor from ON to OFF.
When switching over from FF to ON, a free time is provided or a reactor is used to purify the rising waveform of the voltage. However, the above-mentioned phase control requires a complicated circuit configuration, and when using a reactor, the value of the reactor must be changed when the magnitude of the load current changes, which has the drawback of requiring a large amount of time for adjustment. 'The purpose of this invention is to have a relatively simple circuit configuration and to be independent of load current.
The object of the present invention is to provide a transistor inverter that can reliably avoid the short-circuit condition.
この発明によれば第1、第2トランジスタのベース電圧
を基準電圧と第2、第1比較器で比較することにより、
蓄積効果による導通状態を検出し、その検出出力により
第1、第2トランジスタのベース側に接続された開閉器
を制御して、その第2、第1トランジスタを不導通にす
る。According to this invention, by comparing the base voltages of the first and second transistors with the reference voltage using the second and first comparators,
A conduction state due to an accumulation effect is detected, and the detection output controls a switch connected to the base side of the first and second transistors, thereby rendering the second and first transistors non-conductive.
このようにして一方のトランジスタが蓄積効果により導
通状態にある時、他方のトランジスタが導通しないよう
にされる。次に図面を参照して説明しよう。In this way, when one transistor is conducting due to storage effects, the other transistor is prevented from conducting. Next, let's explain with reference to the drawings.
まず第1図を参照してトランジスタの蓄積効果について
述べる。トランジスタ11のエミッタが接地され、コレ
クタが抵抗器12を通じて電源端子13へ接続され、ベ
ースは抵抗器14を通じて駆動電源15に接続される。
、駆動電源15から第2図Aに示すように+V1及び−
V2を交互に繰返す方形波電圧がトランジスタ11のベ
ースに印加される。その+V1でトランジスタ11にベ
ース電流計BIが第2図Bに示すように流れ、コレクタ
電圧は第2図Cに示すように電源端子13の電圧Ecc
から、飽和電圧Vcsに下り、この時ベース電圧は第2
図Dに示すように飽和電圧VBESとなる。駆動信号が
順バイアス+V1から逆バイアス一2になつても、半導
体の特有の性質として蓄積効果があるため、第2図Cに
示すように蓄積時間Tsの間、トランジスタ11は飽和
状態を持続する。この蓄積時間Tsの間、トランジスタ
11のベース電圧はベース飽和電圧VBESを保持する
。この発明は蓄積時間Tsの間、ベース電圧がベース飽
和電圧VBESを保持することを利用してインバータが
短絡状態になることを防ぐ、即ちインバータを構成する
第1、第2トランジスタのうち一方のトランジスタのベ
ース電圧がベース飽和電圧BESを保持していることを
検出し、その間は他方のトランジスタにこれを0Nにす
る駆動信号を送出しないようにする。First, the accumulation effect of a transistor will be described with reference to FIG. The emitter of the transistor 11 is grounded, the collector is connected to a power supply terminal 13 through a resistor 12, and the base is connected to a drive power supply 15 through a resistor 14.
, +V1 and - from the drive power supply 15 as shown in FIG. 2A.
A square wave voltage alternating V2 is applied to the base of transistor 11. At +V1, the base ammeter BI flows through the transistor 11 as shown in FIG. 2B, and the collector voltage is the voltage Ecc at the power supply terminal 13 as shown in FIG.
, the voltage drops to the saturation voltage Vcs, and at this time the base voltage becomes the second voltage.
As shown in Figure D, the saturation voltage VBES is reached. Even if the drive signal changes from forward bias +V1 to reverse bias -2, the transistor 11 remains saturated for the accumulation time Ts as shown in FIG. . During this accumulation time Ts, the base voltage of the transistor 11 maintains the base saturation voltage VBES. The present invention utilizes the fact that the base voltage maintains the base saturation voltage VBES during the accumulation time Ts to prevent the inverter from becoming short-circuited. It is detected that the base voltage of the transistor is maintained at the base saturation voltage BES, and during that time, a drive signal that turns it ON is not sent to the other transistor.
例えば第3図に示すように第1、第2トランジスタ21
,22のエミツタは負の電源端子23に接続され、コレ
クタはインバータトランス24の一次コイルの両端に接
続される。For example, as shown in FIG.
, 22 are connected to the negative power supply terminal 23, and their collectors are connected to both ends of the primary coil of the inverter transformer 24.
トランス24の一次コイルの中央は正の電源端子25に
接続され端子26,27間に与えられる駆動信号がトラ
ンジスタ21,22の両ベース間に印加されてトランジ
スタ21,22が交互に導通、不導通を繰返し、インバ
ータが構成される。この発明においては第1、第2トラ
ンジスタ21,22のベース側にそれぞれ第1、第2制
御開閉器28,29が接続される。The center of the primary coil of the transformer 24 is connected to the positive power supply terminal 25, and the drive signal applied between the terminals 26 and 27 is applied between the bases of the transistors 21 and 22, so that the transistors 21 and 22 are alternately turned on and off. Repeat this to configure the inverter. In this invention, first and second control switches 28 and 29 are connected to the base sides of the first and second transistors 21 and 22, respectively.
この例では第1制御開閉器28は端子26及びトランジ
スタ21のベース間に直列に挿入され、第2制御開閉器
29は端子27及びトランジスタ27のベース間に直列
に挿入される。第1、第2トランジスタ21,22のベ
ース電圧は第2、第1比較器32,31で基準電圧発生
器33の基準電圧と比較され、これ等比較器31,32
において第2、第1トランジスタ22,21のベース電
圧が飽和していることが検出される。比較器31,32
の各検出出力にて制御開閉器28,29はそれぞれオフ
とされて、第1、第2トランジスタ21,22に対する
駆動が阻止される。端子26及び開閉器28間に直列に
限流用インピーダンス素子34が、端子27及び開閉器
29に限流用インピーダンス素子35が直列にそれぞれ
挿入される。第4図Aに示すような駆動信号が端子26
,27間に与えられ、時点T。In this example, the first control switch 28 is inserted in series between the terminal 26 and the base of the transistor 21, and the second control switch 29 is inserted in series between the terminal 27 and the base of the transistor 27. The base voltages of the first and second transistors 21 and 22 are compared with the reference voltage of a reference voltage generator 33 by second and first comparators 32 and 31.
It is detected that the base voltages of the second and first transistors 22 and 21 are saturated. Comparators 31, 32
The control switches 28 and 29 are turned off at each detection output, and the driving of the first and second transistors 21 and 22 is blocked. A current-limiting impedance element 34 is inserted in series between the terminal 26 and the switch 28, and a current-limiting impedance element 35 is inserted in series between the terminal 27 and the switch 29, respectively. A drive signal as shown in FIG.
, 27 at time T.
に端子26が+V,になり、その後時点t1まで第2ト
ランジスタ22が蓄積時間中であつたとすると、トラン
ジスタ22のベース電圧BE2は第4図Cに示すように
ベース飽和電圧BESとなり、これと基準電圧発生器3
3の基準電圧E,と第1比較器31で比較される。基準
電圧E,の値はベース飽和電圧BESと不導通時に与え
られるトランジスタのベース電圧との間の値に選定され
ている。第1比較器31で第2トランジスタ22がベー
ス飽和となつていることを検出すると、その出力で開閉
器28は遮断される。従つてトランジスタ21を順方向
にバイアスしようとする駆動信号は遮断され、第1トラ
ンジスタ21は第2トランジスタ22の蓄積時間Tsの
間は遮断状態を保つ。時点t1に第2トランジスタ22
が不導通になると開閉器31は閉となり、トランジスタ
21に順方向駆動信号が与えられてこれが導通する。第
2トランジスタ22についても同様に第1トランジスタ
21の蓄積時間Tsの間、例えば時点T2及びT3間は
遮断状態を保つ。従つてトランジスタ21,22が0N
から0FF,0FFから0Nにスイツチオーバ一すると
き、インバータが短絡状態になることはない。第4図に
おいてBは基準電圧E,,Dはトランジスタ22のコレ
クタ電圧C2,Eは第1比較器31の検出出力、Fは開
閉器28の遮断期間、Gは第1トランジスタ21のベー
ス電圧BEl,Hはトランジスタ21のコレクタ電圧0
1である。If the terminal 26 becomes +V, and then the second transistor 22 is in the storage time until time t1, the base voltage BE2 of the transistor 22 becomes the base saturation voltage BES as shown in FIG. Voltage generator 3
The first comparator 31 compares the voltage with the reference voltage E of No. 3. The value of the reference voltage E, is selected to be between the base saturation voltage BES and the base voltage of the transistor applied when it is non-conducting. When the first comparator 31 detects that the base of the second transistor 22 is saturated, the switch 28 is cut off by its output. Therefore, the drive signal that attempts to bias the transistor 21 in the forward direction is cut off, and the first transistor 21 remains cut off during the accumulation time Ts of the second transistor 22. At time t1, the second transistor 22
When becomes non-conductive, switch 31 is closed, and a forward drive signal is applied to transistor 21, making it conductive. Similarly, the second transistor 22 remains cut off during the accumulation time Ts of the first transistor 21, for example, between time points T2 and T3. Therefore, transistors 21 and 22 are 0N.
When switching from 0FF to 0N, the inverter will not be short-circuited. In FIG. 4, B is the reference voltage E, D is the collector voltage C2 of the transistor 22, E is the detection output of the first comparator 31, F is the cutoff period of the switch 28, and G is the base voltage BEI of the first transistor 21. , H is the collector voltage of the transistor 21 0
It is 1.
第5図に第3図に示したインバータの具体例を、対応す
る部分に同一符号を付けて示す。入力端子26,27間
の駆動信号は入力トランス37を介してトランジスタ2
1,22に供給するようにした場合で、トランス37の
2次コイル37sの両端はそれぞれ開閉器28,29と
してのトランジスタ38,39の各コレクタに接続され
、中点は負電源端子23に接続される。トランジスタ3
8,39の各エミツタは限流用抵抗器34,35をそれ
ぞれ通じてトランジスタ21,22のベースに接続され
る。トランス37の2次コイル37sの両端はそれぞれ
ダイオード41,42を通じてコンデンサ43の一端に
接続され、コンデンサ43の他端は負電源端子23に接
続される。ダイオード41,42の陽極側がコンデンサ
43に接続されて、駆動信号がダイオード41,42に
より整流され、コンデンサ43に負の基準電圧Erが得
られる。比較器31,32としてトランジスタ44,4
5が設けられ、トランジスタ44,45のエミツタはコ
ンデンサ43及びダイオード41,42の接続点に接続
され、ベースはダイオード46,47をそれぞれ通じ、
更に抵抗器48,49を通じてトランジスタ22,21
のベースに接続され、コレクタはそれぞれトランジスタ
38,39のベースに接続される。FIG. 5 shows a specific example of the inverter shown in FIG. 3, with corresponding parts assigned the same reference numerals. The drive signal between the input terminals 26 and 27 is transmitted to the transistor 2 via the input transformer 37.
1 and 22, both ends of the secondary coil 37s of the transformer 37 are connected to the collectors of transistors 38 and 39 as switches 28 and 29, respectively, and the middle point is connected to the negative power supply terminal 23. be done. transistor 3
The emitters 8 and 39 are connected to the bases of transistors 21 and 22 through current-limiting resistors 34 and 35, respectively. Both ends of the secondary coil 37s of the transformer 37 are connected to one end of a capacitor 43 through diodes 41 and 42, respectively, and the other end of the capacitor 43 is connected to the negative power supply terminal 23. The anode sides of the diodes 41 and 42 are connected to a capacitor 43, and the driving signals are rectified by the diodes 41 and 42, so that a negative reference voltage Er is obtained at the capacitor 43. Transistors 44, 4 as comparators 31, 32
5 is provided, the emitters of transistors 44 and 45 are connected to the connection point of capacitor 43 and diodes 41 and 42, and the bases are connected through diodes 46 and 47, respectively.
Further, transistors 22 and 21 are connected through resistors 48 and 49.
The collectors are connected to the bases of transistors 38 and 39, respectively.
トランジスタ38のベースエミツタ間に抵抗器51が接
続され、コレクタエミツタ間にトランジスタ21の蓄積
電荷放電用のダイオード52が接続される。トランジス
タ38のコレクタはコンデンサ53を通じ、更にダイオ
ード54を通じて2次コイル37sの中点に接続され、
コンデンサ53及びダイオード54の接続点は抵抗器5
5を通じてトランジスタ38のベースに接続される。ダ
イオード54で駆動信号の一部を整流して、トランジス
タ38のベース電圧を与えている。抵抗器51、ダイオ
ード52、コンデンサ53、ダイオード54及び抵抗器
55とそれぞれ対応してトランジスタ39側にも抵抗器
56、ダイオード57、コンデンサ58、ダイオード5
9及び抵抗器61がそれぞれ設けられる。第6図は第5
図の動作波形を示し、Aは駆動信号、13は基準電圧E
,,Cはトランジスタ22のベース電圧BE,,Dはト
ランジスタ22のコレクタ電圧C2,Eはトランジスタ
44のコレクタ電圧VC3,Fはトランジスタ38のコ
レクタ電流1c3,Gはトランジスタ21のベース電流
1B1,Hはトランジスタ21のコレクタ電流1C1で
ある。時点T。に駆動信号が正となり、この時トランジ
スタ22に蓄積電荷があつたとすると、トランジスタ2
2のベース電圧VBE2はベース飽和電圧BO8となり
、比較用トランジスタ44により比較用基準電位E,と
比較され、トランジスタ44は順方向にバイアスされる
ため導通となり、したがつて開閉用トランジスタ38は
遮断となり、トランジスタ21を順方向にバイアスしよ
うとする駆動信号は阻止され、トランジスタ21はトラ
ンジスタ22の蓄積時間T8の間は遮断状態とされる。
トランジスタ22についても同様にトランジスタ21の
蓄積時間Tsの間、例えば時点T2〜Tsは遮断状態が
保たれてトランジスタ21,22が0Nから0FF,0
FFから0Nにスイツチオーバ一するときインバータが
短絡状態になることが防止される。上述においては第1
、第2開閉器28,29を第1、第2トランジスタ21
,22のベースにそれぞれ直列に接続したが、これ等を
それぞれ並列に接続してもよい。A resistor 51 is connected between the base and emitter of the transistor 38, and a diode 52 for discharging the accumulated charge of the transistor 21 is connected between the collector and emitter. The collector of the transistor 38 is connected to the midpoint of the secondary coil 37s through a capacitor 53 and a diode 54.
The connection point between the capacitor 53 and the diode 54 is the resistor 5.
5 to the base of transistor 38. A part of the drive signal is rectified by the diode 54 to provide the base voltage of the transistor 38. A resistor 56, a diode 57, a capacitor 58, and a diode 5 are connected to the transistor 39 side corresponding to the resistor 51, diode 52, capacitor 53, diode 54, and resistor 55, respectively.
9 and a resistor 61 are provided, respectively. Figure 6 is the 5th
The operating waveforms in the figure are shown, A is the drive signal, 13 is the reference voltage E
,,C is the base voltage BE of the transistor 22, ,D is the collector voltage C2 of the transistor 22, E is the collector voltage VC3 of the transistor 44, F is the collector current 1c3 of the transistor 38, G is the base current 1B1 of the transistor 21, H is the The collector current of the transistor 21 is 1C1. Time T. If the drive signal becomes positive and there is charge accumulated in transistor 22 at this time, then transistor 2
The base voltage VBE2 of 2 becomes the base saturation voltage BO8, which is compared with the comparison reference potential E by the comparison transistor 44, and the transistor 44 becomes conductive because it is forward biased, and therefore the switching transistor 38 is cut off. , a drive signal that would forward bias transistor 21 is blocked, and transistor 21 is cut off during the storage time T8 of transistor 22.
Similarly, for the transistor 22, the cut-off state is maintained during the accumulation time Ts of the transistor 21, for example, from time T2 to Ts, and the transistors 21 and 22 change from 0N to 0FF, 0.
When switching over from FF to ON, the inverter is prevented from becoming short-circuited. In the above, the first
, the second switches 28 and 29 are connected to the first and second transistors 21
, 22 are connected in series, but these may also be connected in parallel.
その例を第7図に第3図と対応する部分に同一符号を付
けて示す。またその動作波形を第8図に第4図と対応し
て示す。この場合はトランジスタ22が蓄積時間中、例
えば時点TO−T,においてはトランジスタ22のベー
ス電8VBE2は飽和電8.VBESとなり、これと比
較用基準電圧Erと比較され、開閉器28が導通となり
、トランジスタ21を順方向にバイアスしようとする駆
動信号は開閉器28に側路され、トランジスタ21はト
ランジスタ22の蓄積時間Tsの間は遮断状態を保つ。
またトランジスタ22についても同様にトランジスタ2
1の蓄積時間の間は遮断状態を保つ。第7図の具体例を
第9図に示す。An example of this is shown in FIG. 7, in which parts corresponding to those in FIG. 3 are given the same reference numerals. Further, its operating waveforms are shown in FIG. 8, corresponding to FIG. 4. In this case, during the storage time of transistor 22, for example at time TO-T, the base voltage 8VBE2 of transistor 22 becomes saturated voltage 8. VBES, which is compared with the reference voltage Er for comparison, the switch 28 becomes conductive, the drive signal that attempts to bias the transistor 21 in the forward direction is bypassed to the switch 28, and the transistor 21 changes the storage time of the transistor 22. The cutoff state is maintained during Ts.
Similarly, regarding the transistor 22,
The cut-off state is maintained during the accumulation time of 1. A specific example of FIG. 7 is shown in FIG.
開閉器用トランジスタ38,39のエミツタは各別の抵
抗器をそれぞれ通じてトランジスタ21,22のベース
にそれぞれ接続され、各コレクタはダイオード41,4
2及びコンデンサ43の接続点に接続され、その他第5
図に対応する部分は同一符号を付けて示す。また第9図
の動作波形を第6図と対応して示す。時点T。に駆動信
号が正になり、この時はトランジスタ22は電荷蓄積中
であつてトランジスタ22のベース電圧VBE2は飽和
電圧VBESとなつており、この電圧VBESは比較用
トランジスタ44により、比較用基準電圧Erと比較さ
れトランジスタ44は順方向にバイアスされるため導通
となり、したがつて開閉器用トランジスタ38も導通と
なり、トランジスタ21を順方向にバイアスしようとす
る電流は第10図Fに示すようにトランジスタ38にバ
イパスされ、トランジスタ21はトランジスタ22の蓄
積時間Tsの間は遮断状態を保つ。またトランジスタ2
2についても同様にトランジスタ21の蓄積時間Tsの
間は遮断状態が保たれる。以上説明したようにこの発明
によれば第1、第2インバータトランジスタの互に相手
側のベース電圧を監視してインバータの短絡状態を防い
でいるので、ベース駆動動作が確実にして調整が容易で
ある。またベース飽和電圧の有無を検出して相手のトラ
ンジスタがオン状態にあるか否かを検出するように構成
したから、その検出のために付加した第1、第2比較器
31,32及び第1、第2開閉器28,29としては高
耐圧の部品を使わなくて済む。The emitters of switch transistors 38 and 39 are connected to the bases of transistors 21 and 22 through separate resistors, respectively, and the collectors of each transistor are connected to diodes 41 and 4.
2 and the connection point of the capacitor 43, and the other 5th
Portions corresponding to the figures are designated by the same reference numerals. Further, the operating waveforms in FIG. 9 are shown in correspondence with FIG. 6. Time T. The drive signal becomes positive at this time, and at this time, the transistor 22 is accumulating charge and the base voltage VBE2 of the transistor 22 is the saturation voltage VBES. , the transistor 44 becomes conductive because it is forward biased, and therefore the switch transistor 38 also becomes conductive, and the current that tends to forward bias the transistor 21 is transferred to the transistor 38 as shown in FIG. 10F. Bypassed, transistor 21 remains cut off during the storage time Ts of transistor 22. Also transistor 2
Similarly, the transistor 21 is kept in a cut-off state during the storage time Ts of the transistor 21. As explained above, according to the present invention, the first and second inverter transistors mutually monitor the base voltage of the other side to prevent the inverter from being short-circuited, so the base drive operation is reliable and adjustment is easy. be. In addition, since the configuration is configured to detect whether or not the other transistor is in the on state by detecting the presence or absence of the base saturation voltage, the first and second comparators 31, 32 and the first , it is not necessary to use high-voltage components as the second switches 28 and 29.
よつて安価に作ることができることと、高電圧が印加さ
れないから部品の不良発生率は低い。このため信頼性の
向上も期待できる。Therefore, it can be manufactured at low cost, and since no high voltage is applied, the rate of defective parts is low. Therefore, improved reliability can also be expected.
第1図はトランジスタのパルス応答を説明するための回
路図、第2図はその動作波形図、第3図はこの発明によ
るインバータの一例を示す回路図、第4図はその動作波
形図、第5図は第3図の具体例を示す接続図、第6図は
その動作波形図、第7図はこの発明によるインバータの
他の例を示す回路図、第8図はその動作波形図、第9図
は第7図の具体例を示す接続図、第10図はその動作波
形図である。
21,22・・・・・・第1、第2インバータトランジ
スタ、28,29・・・・・・第1、第2制御開閉器、
31,32・・・・・・第2、第1比較器、33・・・
・・・基準電圧発生器、38,39・・・・・・開閉器
用トランジスタ、44,45・・・・・・比較用トラン
ジスタ。Fig. 1 is a circuit diagram for explaining the pulse response of a transistor, Fig. 2 is its operating waveform diagram, Fig. 3 is a circuit diagram showing an example of an inverter according to the present invention, Fig. 4 is its operating waveform diagram, and Fig. 4 is its operating waveform diagram. 5 is a connection diagram showing a specific example of FIG. 3, FIG. 6 is an operating waveform diagram thereof, FIG. 7 is a circuit diagram showing another example of the inverter according to the present invention, FIG. 8 is an operating waveform diagram thereof, and FIG. 9 is a connection diagram showing a specific example of FIG. 7, and FIG. 10 is an operation waveform diagram thereof. 21, 22... First and second inverter transistors, 28, 29... First and second control switches,
31, 32... Second, first comparator, 33...
... Reference voltage generator, 38, 39 ... Switch transistor, 44, 45 ... Comparison transistor.
Claims (1)
れるインバータにおいて、上記第2、第1トランジスタ
のベース電圧と基準電圧とを比較してベース飽和電圧を
検出する第1、第2比較器と、上記第1、第2トランジ
スタのベース側にそれぞれ接続され上記第1、又は第2
比較器が上記第2又は第1トランジスタのベース飽和電
圧を検出している状態においてベース飽和電圧を発生し
ていない他方の上記第1又は第2トランジスタを不導通
状態に保持する第1、第2制御開閉器とを具備するトラ
ンジスタインバータ。1. In an inverter in which first and second transistors are alternately controlled to be conductive and non-conductive, first and second comparators detect base saturation voltage by comparing base voltages of the second and first transistors with a reference voltage. and the first or second transistors connected to the base sides of the first and second transistors, respectively.
The first and second transistors maintain the other first or second transistor, which does not generate a base saturation voltage, in a non-conducting state in a state where the comparator detects the base saturation voltage of the second or first transistor. A transistor inverter comprising a control switch.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP52105629A JPS5944873B2 (en) | 1977-09-02 | 1977-09-02 | transistor inverter |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP52105629A JPS5944873B2 (en) | 1977-09-02 | 1977-09-02 | transistor inverter |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5439828A JPS5439828A (en) | 1979-03-27 |
| JPS5944873B2 true JPS5944873B2 (en) | 1984-11-01 |
Family
ID=14412758
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP52105629A Expired JPS5944873B2 (en) | 1977-09-02 | 1977-09-02 | transistor inverter |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5944873B2 (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2708755B2 (en) * | 1987-09-24 | 1998-02-04 | 富士電機株式会社 | Inverter device |
-
1977
- 1977-09-02 JP JP52105629A patent/JPS5944873B2/en not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5439828A (en) | 1979-03-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5636116A (en) | Synchronous rectifier impervious to reverse feed | |
| US3714451A (en) | Phase selective telemetry system | |
| US3467852A (en) | High speed controlled switching circuit | |
| US4999566A (en) | Current converter comprising current responsive, self oscillating, switching regulator | |
| US3787755A (en) | Rectifier | |
| JPS5944873B2 (en) | transistor inverter | |
| JPS5992717A (en) | Shortcircuit resistance control circuit for electric load | |
| US3046414A (en) | Pulse generator for producing periodic pulses of varying width from an alternating voltage | |
| US3178619A (en) | Detector circuit | |
| US2920239A (en) | Signal detecting circuit | |
| US3596146A (en) | High efficiency multivibrator | |
| JP2666497B2 (en) | Variable voltage generator | |
| US3934178A (en) | Device for generating a signal for a predetermined interval after a power switch is opened | |
| US2977549A (en) | Parabolic waveshape generator | |
| SU546996A1 (en) | Device to turn on backup power source | |
| SU980187A1 (en) | Delay device | |
| JPH06106020B2 (en) | Switching regulator | |
| SU957379A1 (en) | Transistor converter | |
| JPH06273476A (en) | Voltage application current measurement circuit | |
| SU146843A1 (en) | Power direction relays | |
| US3421028A (en) | Static protective relay system | |
| JPH03104006A (en) | Abnormality detecting circuit for magnetic storage device at the time of recording | |
| RU24318U1 (en) | RELAY | |
| JPS5826850B2 (en) | Astable multivibrator | |
| JPS6226157B2 (en) |