JPS5949698B2 - 電子部品の封止方法 - Google Patents
電子部品の封止方法Info
- Publication number
- JPS5949698B2 JPS5949698B2 JP55061862A JP6186280A JPS5949698B2 JP S5949698 B2 JPS5949698 B2 JP S5949698B2 JP 55061862 A JP55061862 A JP 55061862A JP 6186280 A JP6186280 A JP 6186280A JP S5949698 B2 JPS5949698 B2 JP S5949698B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- melting point
- substrate
- sealing
- low melting
- transparent substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W95/00—Packaging processes not covered by the other groups of this subclass
Landscapes
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電子部品の封止とくに低温封止に関するもので
ある。
ある。
さらに詳しくは、本発明は光学的窓を有するセラミック
パッケージ等における低温封止法に関するものである。
従来、光学的窓を有するセラミックパッケージの封止に
は、第１図に示すように、窓材の透明基板１の周縁部に
、あらかじめ低融点ガラス層２を形成しておき、セラミ
ックパッケージ３側には封入の電子部品４を組込んでお
き、前記セラミックパッケージ３と透明基板１を低融点
ガラス層２を介して位置合せし、シーリング炉等を用い
てセラミックパッケージ３と透明基板１を同時に加熱し
、前記低融点ガラス層２を溶融して透明基板１をセラミ
ックパッケージ３に接着密封する方法が用いられていた
。
パッケージ等における低温封止法に関するものである。
従来、光学的窓を有するセラミックパッケージの封止に
は、第１図に示すように、窓材の透明基板１の周縁部に
、あらかじめ低融点ガラス層２を形成しておき、セラミ
ックパッケージ３側には封入の電子部品４を組込んでお
き、前記セラミックパッケージ３と透明基板１を低融点
ガラス層２を介して位置合せし、シーリング炉等を用い
てセラミックパッケージ３と透明基板１を同時に加熱し
、前記低融点ガラス層２を溶融して透明基板１をセラミ
ックパッケージ３に接着密封する方法が用いられていた
。
５はパッケージの外部リードである。
し力化ながらこの方法では、低融点ガラスの融点が最低
でも４００℃程度と高いため、電子部品を組込んだセラ
ミックパッケージもシーリング炉で、最低４５０℃程度
の加熱を必要とする。従つて、高温限界が１００℃程度
の電子部品（例えば、有機物質で形成されたモザイク状
のカラーフィルタを貼り合せた固体撮像板）では、１０
０℃数分の加熱で、カラーフィルタの色素が劣化してし
まう。したがつて、従来の方法でかかる電子部品を封入
することは不可能である。一方、前記透明基板１の周縁
部およびセラミツクベツケージ３の周縁部を、それぞれ
あらかじめメタライズしておき、それぞれのメタライズ
の間Ｉ に低温半田等を挟み、前述と同じようにシーリ
ング炉で封止を行う方法もあるが、高温限界が１００℃
程度の電子部品の場合、融点が８０℃程度の低温半田を
使用せねばならず、封止後の信頼性が極端に悪くなる。
でも４００℃程度と高いため、電子部品を組込んだセラ
ミックパッケージもシーリング炉で、最低４５０℃程度
の加熱を必要とする。従つて、高温限界が１００℃程度
の電子部品（例えば、有機物質で形成されたモザイク状
のカラーフィルタを貼り合せた固体撮像板）では、１０
０℃数分の加熱で、カラーフィルタの色素が劣化してし
まう。したがつて、従来の方法でかかる電子部品を封入
することは不可能である。一方、前記透明基板１の周縁
部およびセラミツクベツケージ３の周縁部を、それぞれ
あらかじめメタライズしておき、それぞれのメタライズ
の間Ｉ に低温半田等を挟み、前述と同じようにシーリ
ング炉で封止を行う方法もあるが、高温限界が１００℃
程度の電子部品の場合、融点が８０℃程度の低温半田を
使用せねばならず、封止後の信頼性が極端に悪くなる。
以上述べてきたように、従来の封止法の欠点、すなわち
、透明基板とセラミックパッケージを同時に加熱して封
止を行うことにより生じる不都合に鑑み、本発明の目的
は、セラミツクパツケージ等に組み込んだ電子部品の温
度をあまり上昇することなく、すなわち、局所的な加熱
により、セラミツクパツケージ等の基板を透明基板で形
成された窓材で封入する方法を提供することにある。
、透明基板とセラミックパッケージを同時に加熱して封
止を行うことにより生じる不都合に鑑み、本発明の目的
は、セラミツクパツケージ等に組み込んだ電子部品の温
度をあまり上昇することなく、すなわち、局所的な加熱
により、セラミツクパツケージ等の基板を透明基板で形
成された窓材で封入する方法を提供することにある。
以下、本発明の一実施例を第２図を用いて説明する。ま
ず、第２図ａのごとく窓材となる透明基板２１（例えば
コバールガラスやサファイア板）の周縁部にタングステ
ンペーストの焼付やコバール金属のろう付等で、第１の
メタライズ層２２を形成し、さらに、その上に低融点物
質この場合は低融点金属層２３｛例えば、普通の半田（
融点１８０℃）｝を形成しておく。一方、ｂのごとくセ
ラミツクパツケージ基板２４側の周縁部にもコバールガ
ラス等で第２のメタライズ層２５を形成しておき、電子
部品２６を組み込む。
ず、第２図ａのごとく窓材となる透明基板２１（例えば
コバールガラスやサファイア板）の周縁部にタングステ
ンペーストの焼付やコバール金属のろう付等で、第１の
メタライズ層２２を形成し、さらに、その上に低融点物
質この場合は低融点金属層２３｛例えば、普通の半田（
融点１８０℃）｝を形成しておく。一方、ｂのごとくセ
ラミツクパツケージ基板２４側の周縁部にもコバールガ
ラス等で第２のメタライズ層２５を形成しておき、電子
部品２６を組み込む。
２Ｔは、パツケージのリードを示す。
その後、第２図ｃのごとくセラミツクパツケージ側の第
２のメタライズ層２５と、透明基板２１側の第１のメタ
ライズ層２２を、低融点金属層ｎを介して密着させ、前
記基板側より一集光した光ビームＡ（例えば、１ｎφ程
度に絞つたＹＡＧレーザ）で、第１のメタライズ層２２
を一端から順次照射してゆき、局所的に昇温する。例え
ば、低融点金属層２３として、融点１８０℃の半田を用
いる場合には、２００〜２５０℃程度まで昇温する。こ
うして第１のメタライズ層２２と第２のメタライズ層２
５を低融点金属で接着封止することができる。なお、電
子部品２６としてはたとえばモザイク状のカラーフイル
タの貼り合された固体撮像板を用いる。従つて、本発明
の方法を用いることにより、光学的窓を有するセラミツ
クパツケージの封止を、内部の電子部品を傷うことなく
、高信頼で行うことができる。
２のメタライズ層２５と、透明基板２１側の第１のメタ
ライズ層２２を、低融点金属層ｎを介して密着させ、前
記基板側より一集光した光ビームＡ（例えば、１ｎφ程
度に絞つたＹＡＧレーザ）で、第１のメタライズ層２２
を一端から順次照射してゆき、局所的に昇温する。例え
ば、低融点金属層２３として、融点１８０℃の半田を用
いる場合には、２００〜２５０℃程度まで昇温する。こ
うして第１のメタライズ層２２と第２のメタライズ層２
５を低融点金属で接着封止することができる。なお、電
子部品２６としてはたとえばモザイク状のカラーフイル
タの貼り合された固体撮像板を用いる。従つて、本発明
の方法を用いることにより、光学的窓を有するセラミツ
クパツケージの封止を、内部の電子部品を傷うことなく
、高信頼で行うことができる。
すなわち、窓材が透明基板であるため、レーザー光等に
より、この透明基板を透して直接第１のメタライズ層を
加熱でき、そして、通常透明基板もセラミツクパツケー
ジも非常に熱伝導が悪いため、内部の電子部品まで熱が
伝りにくく、局所的に高温封止が可能である。また、本
発明では光を利用して加熱する方式であるため、透明の
ガラスチヤンバー内に試料を入れて、外部より光ビーム
を照射することも可能であり、不活性ガス雰囲気中での
封止も非常に簡単に行うことができる。
より、この透明基板を透して直接第１のメタライズ層を
加熱でき、そして、通常透明基板もセラミツクパツケー
ジも非常に熱伝導が悪いため、内部の電子部品まで熱が
伝りにくく、局所的に高温封止が可能である。また、本
発明では光を利用して加熱する方式であるため、透明の
ガラスチヤンバー内に試料を入れて、外部より光ビーム
を照射することも可能であり、不活性ガス雰囲気中での
封止も非常に簡単に行うことができる。
なお、第１のメタライズ層に非常に光反射率の良い金属
を用いる場合には、あらかじめ、メタライズ層と透明基
板の間に、光の吸収層を設けておく必要がある。
を用いる場合には、あらかじめ、メタライズ層と透明基
板の間に、光の吸収層を設けておく必要がある。
また、第１および第２のメタライズ用の金属は少くとも
、低融点金属層２３よりも融点が高い方が望ましい。さ
らにまた、本実施例では、第１のメタライズ層２２上に
低融点金属層２３を形成した例を示したが、この低融点
金属層２３があらかじめ第１のメタライズ層２２上に形
成されてなくて、第２のメタライズ層２５上に形成され
ていても同じように封止することができるし、さらに箔
状にして第１）第２のメタライズ層の間に挟んで用いて
も同じであることは、言うまでもない。
、低融点金属層２３よりも融点が高い方が望ましい。さ
らにまた、本実施例では、第１のメタライズ層２２上に
低融点金属層２３を形成した例を示したが、この低融点
金属層２３があらかじめ第１のメタライズ層２２上に形
成されてなくて、第２のメタライズ層２５上に形成され
ていても同じように封止することができるし、さらに箔
状にして第１）第２のメタライズ層の間に挟んで用いて
も同じであることは、言うまでもない。
なお、このとき、メタライズ表面は、金メツキ等の耐蝕
性金属で被つておき、さらに、雰囲気は、多少還元性の
ある、Ｎ２ベース５％Ｈ２等を用いた方が良い。さらに
また、試料の設置場所にガラスチヤンバ一を用いれば、
チヤンバ一の外から十分光のエネルギーを照射できるの
で非常に都合が良い。以上述べてきた実施例は半田封止
の場合、すなわち、透明基板とセラミツクパツケージに
それぞれメタライズを行つておく場合について述べたが
、低融点金属の代りに、透明基板とセラミツクパツケー
ジを接着でき光を吸収する低融点ガラスを用いる場合に
は透明基板とセラミツクパツケージにメタライズの必要
がなく、実施例と同じように局部的な光線による加熱に
より透明基板とセラミツクパツケージのガラス封止が行
なえることは明らかである。
性金属で被つておき、さらに、雰囲気は、多少還元性の
ある、Ｎ２ベース５％Ｈ２等を用いた方が良い。さらに
また、試料の設置場所にガラスチヤンバ一を用いれば、
チヤンバ一の外から十分光のエネルギーを照射できるの
で非常に都合が良い。以上述べてきた実施例は半田封止
の場合、すなわち、透明基板とセラミツクパツケージに
それぞれメタライズを行つておく場合について述べたが
、低融点金属の代りに、透明基板とセラミツクパツケー
ジを接着でき光を吸収する低融点ガラスを用いる場合に
は透明基板とセラミツクパツケージにメタライズの必要
がなく、実施例と同じように局部的な光線による加熱に
より透明基板とセラミツクパツケージのガラス封止が行
なえることは明らかである。
さらにまた、セラミツクパツケージのみが光を吸収して
も封止が行なえることも明らかである。
も封止が行なえることも明らかである。
また、本発明はセラミツク基板以外の基板を用いた場合
にも適用することができる。以上のように、本発明は局
所的な加熱にて容易かつ確実に電子部品の封止を行うこ
とができ、信頼性の高いパツケージの製造に大きく寄与
するものである。
にも適用することができる。以上のように、本発明は局
所的な加熱にて容易かつ確実に電子部品の封止を行うこ
とができ、信頼性の高いパツケージの製造に大きく寄与
するものである。
また、集光したレーザ光で封止部に沿つて順次照射し、
極所的に封止してゆくため一括封止に比べ、ガス抜によ
るピンホールの発生が少く、均一封止ができる。
極所的に封止してゆくため一括封止に比べ、ガス抜によ
るピンホールの発生が少く、均一封止ができる。
第１図は従来の方法にて透明基板とセラミツクパツケー
ジを低融点ガラスで封止する場合の形状断面図、第２図
ａ−ｃは本発明の一実施例にかかるレーザービームを用
いた低温封止法を説明するための工程断面図である。 ２１・・・・・・透明基板、２２・・・・・・第１のメ
タライズ層、２３・・・・・・低融点金属層、２４・・
・・・・セラミツクパツケージ基板、２５・・・・・・
第２のメタライズ層、２６・・・・・・電子部品。
ジを低融点ガラスで封止する場合の形状断面図、第２図
ａ−ｃは本発明の一実施例にかかるレーザービームを用
いた低温封止法を説明するための工程断面図である。 ２１・・・・・・透明基板、２２・・・・・・第１のメ
タライズ層、２３・・・・・・低融点金属層、２４・・
・・・・セラミツクパツケージ基板、２５・・・・・・
第２のメタライズ層、２６・・・・・・電子部品。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 少くとも光を透す第１の基板と他の第２の基板を、
これらの第１、第２の基板より融点が低く光を吸収し、
さらに前記第１、第２の基板と融着する低融点物質を介
して密着する工程と、前記第１の基板側より集光した光
を封止部に沿つて順次照射することにより局所的に前記
低融点物質を昇温せしめ、前記第１の基板と第２の基板
を前記低融点物質を介して接着する工程とを備えたこと
を特徴とする電子部品の封止方法。 ２ 低融点物質も光を透し、第２の基板が光を吸収する
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の電子部
品の封止方法。 ３ 第１、第２の基板の少くとも片方に光を吸収する第
３の層をあらかじめ形成しておき、低融点物質およびこ
の第３の層を介して、前記第１および第２の基板を密着
することを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の電
子部品の封止方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55061862A JPS5949698B2 (ja) | 1980-05-09 | 1980-05-09 | 電子部品の封止方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55061862A JPS5949698B2 (ja) | 1980-05-09 | 1980-05-09 | 電子部品の封止方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56158458A JPS56158458A (en) | 1981-12-07 |
| JPS5949698B2 true JPS5949698B2 (ja) | 1984-12-04 |
Family
ID=13183340
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55061862A Expired JPS5949698B2 (ja) | 1980-05-09 | 1980-05-09 | 電子部品の封止方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5949698B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2018216722A1 (ja) | 2017-05-25 | 2018-11-29 | 信越化学工業株式会社 | 粉体の疎水化度の解析方法、高疎水化度処理着色顔料、並びにこれを含有する化粧料 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4685200A (en) * | 1982-01-18 | 1987-08-11 | Analog Devices, Incorporated | Low internal temperature technique for hermetic sealing of microelectronic enclosures |
| JPS58186951A (ja) * | 1982-04-24 | 1983-11-01 | Toshiba Corp | 電子部品のパッケ−ジング方法 |
-
1980
- 1980-05-09 JP JP55061862A patent/JPS5949698B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2018216722A1 (ja) | 2017-05-25 | 2018-11-29 | 信越化学工業株式会社 | 粉体の疎水化度の解析方法、高疎水化度処理着色顔料、並びにこれを含有する化粧料 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56158458A (en) | 1981-12-07 |
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