JPS5952854B2 - 送信装置 - Google Patents
送信装置Info
- Publication number
- JPS5952854B2 JPS5952854B2 JP52155836A JP15583677A JPS5952854B2 JP S5952854 B2 JPS5952854 B2 JP S5952854B2 JP 52155836 A JP52155836 A JP 52155836A JP 15583677 A JP15583677 A JP 15583677A JP S5952854 B2 JPS5952854 B2 JP S5952854B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature
- attenuator
- transmitting device
- thermistor
- output level
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
- H04B1/02—Transmitters
- H04B1/04—Circuits
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Transmitters (AREA)
- Attenuators (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Cable Transmission Systems, Equalization Of Radio And Reduction Of Echo (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はヘテロダイン中継方式の中継器の送信装置に関
し、特にその送信出力レベルの温度による変化を補償す
る温度補償用の減衰器を含む送信装置に関するものであ
る。
し、特にその送信出力レベルの温度による変化を補償す
る温度補償用の減衰器を含む送信装置に関するものであ
る。
従来、この種の装置の送信出力レベルの温度変化の補償
は増幅器の内部に補償回路を設け、これによつて行なつ
ていた。
は増幅器の内部に補償回路を設け、これによつて行なつ
ていた。
このため技術的に調整が難しく、さらに各種送信装置総
合の異なつた温度変化特性を補償するには、あらかじめ
装置総合の温度特性を推定し、各各これに合つた温度補
償回路を取付けなければならないという欠点があつた。
本発明の目的はこのような欠点を解決するために温度補
償用の減衰器を設けた送信装置を提供することにある。
合の異なつた温度変化特性を補償するには、あらかじめ
装置総合の温度特性を推定し、各各これに合つた温度補
償回路を取付けなければならないという欠点があつた。
本発明の目的はこのような欠点を解決するために温度補
償用の減衰器を設けた送信装置を提供することにある。
本発明によれば、送信出力レベルが所定の温度特性を有
しかつ中間周波をマイクロ波に変換し増幅して送出する
送信装置において、送信装置の中間周波帯に非直線性素
子と、サーミスタを含むこの非直線性素子用バイアス回
路とを有する減衰器を設け、サーミスタで送信レベルの
温度特性と補償する送信装置が得られる。
しかつ中間周波をマイクロ波に変換し増幅して送出する
送信装置において、送信装置の中間周波帯に非直線性素
子と、サーミスタを含むこの非直線性素子用バイアス回
路とを有する減衰器を設け、サーミスタで送信レベルの
温度特性と補償する送信装置が得られる。
以下図面について詳細に説明する。
第１図は本発明のヘテロダイン中継方式の送信装置を簡
略化したブロック図であり、１は中間周波入力端子、２
は温度補償減衰器、３はミキサー、４はマイクロ波帯域
濾波器、５は増幅器、６はマイクロ波送信出力端子、７
は局部発振器である。
略化したブロック図であり、１は中間周波入力端子、２
は温度補償減衰器、３はミキサー、４はマイクロ波帯域
濾波器、５は増幅器、６はマイクロ波送信出力端子、７
は局部発振器である。
端子１から入力された中間周波信号は温度補償減衰器２
で温度変化に対応したレベルに設定され、ミキサー３に
よつてマイクロ波に変換される。さらに増幅器５で信号
は増幅され出力端子６より送信される。第２図は送信出
力レベルおよび温度補償減衰器の減衰量の対温度特性図
である。
で温度変化に対応したレベルに設定され、ミキサー３に
よつてマイクロ波に変換される。さらに増幅器５で信号
は増幅され出力端子６より送信される。第２図は送信出
力レベルおよび温度補償減衰器の減衰量の対温度特性図
である。
第１図で温度補償減衰器２がない場合、送信電力は第２
図ａのような送信出力レベル対温度変化特性がある。こ
こで第２図ａの逆特性、即ち高温で減衰量が小さく、低
温で減衰量が大きくなる同図をのような特性を有した温
度補償減衰器２を第１図の位置に挿入すると、第２図ｃ
のように送信出力レベルは温度変化に対し一定に保たれ
る。第３図は温度補償減衰器２の本発明の一実施例であ
つて、入力端子８、出力端子１７、抵抗９〜’ １１お
よびピンダイオード（非直線性素子）１２によつて構成
される減衰器と、サーミスタ１３、抵抗１４〜１６およ
び電源端子１８で構成されるバイアス回路と、コンデン
サ１９、２０と、チョークコイル２１とから成る。
図ａのような送信出力レベル対温度変化特性がある。こ
こで第２図ａの逆特性、即ち高温で減衰量が小さく、低
温で減衰量が大きくなる同図をのような特性を有した温
度補償減衰器２を第１図の位置に挿入すると、第２図ｃ
のように送信出力レベルは温度変化に対し一定に保たれ
る。第３図は温度補償減衰器２の本発明の一実施例であ
つて、入力端子８、出力端子１７、抵抗９〜’ １１お
よびピンダイオード（非直線性素子）１２によつて構成
される減衰器と、サーミスタ１３、抵抗１４〜１６およ
び電源端子１８で構成されるバイアス回路と、コンデン
サ１９、２０と、チョークコイル２１とから成る。
Ｇはグランド端子である。サーミスタ１３の抵抗値が温
度によつて変化することを利用し、ピンダイオード１２
のバイアスを変え、抵抗９〜１１及びピンダイオード１
２によつて構成される減衰器の減衰量を温度によつて変
化させることができる。温度が上昇するとサーミスタ１
３の抵抗値は下がる。これによりピンダイオード１２の
両端へ印加される電圧が下がり、ピンダイオード１２自
身の抵抗値は増加する。このよぬに温度が上がると減衰
器全体の減衰量は低下し、送信装置全体の送信出力レベ
ルの対温度特性と逆の特性となる。即ち、第２図ｂの特
性が得られる。ここで、ピンダイオード１２のバイアス
を変えた時、減衰器を定抵抗回路にするため、抵抗９の
値も変えなければならないが、実験によれば入力端子８
及び出力端子１７のりタンロスを２０ｄＢまで許容すれ
ば、抵抗９は固定であつてもさしつかえがない。また、
サーミスタ抵抗の温度変化ばかりでなく、抵抗１４，１
５を調整することによつても、温度変化による減衰量の
値を変えることができる。以上により第１図の入力端子
１に入力された信号は、温度によつて変化するレベル分
だけ温度補償減衰器２で補償され、送信装置の送信出力
レベルは温度変化に対し一定のレベルで゛出力端子６よ
り送信される。なお、第３図の温度補償減衰器を用いた
実験データとして、第４図に温度による減衰器の減衰量
の変化、第５図に温度による減衰器のリターンロス変化
を示す。以上説明したように本発明によれば、非直線性
素子を有する温度補償減衰器にサーミスタを含むバイア
ス回路を設け、ヘテロダイン中継機の送信装置の中間周
波帯に設けてあるため、送信装置の送信出力レベルの対
温度特性を容易にかつ確実に補償することができる。
度によつて変化することを利用し、ピンダイオード１２
のバイアスを変え、抵抗９〜１１及びピンダイオード１
２によつて構成される減衰器の減衰量を温度によつて変
化させることができる。温度が上昇するとサーミスタ１
３の抵抗値は下がる。これによりピンダイオード１２の
両端へ印加される電圧が下がり、ピンダイオード１２自
身の抵抗値は増加する。このよぬに温度が上がると減衰
器全体の減衰量は低下し、送信装置全体の送信出力レベ
ルの対温度特性と逆の特性となる。即ち、第２図ｂの特
性が得られる。ここで、ピンダイオード１２のバイアス
を変えた時、減衰器を定抵抗回路にするため、抵抗９の
値も変えなければならないが、実験によれば入力端子８
及び出力端子１７のりタンロスを２０ｄＢまで許容すれ
ば、抵抗９は固定であつてもさしつかえがない。また、
サーミスタ抵抗の温度変化ばかりでなく、抵抗１４，１
５を調整することによつても、温度変化による減衰量の
値を変えることができる。以上により第１図の入力端子
１に入力された信号は、温度によつて変化するレベル分
だけ温度補償減衰器２で補償され、送信装置の送信出力
レベルは温度変化に対し一定のレベルで゛出力端子６よ
り送信される。なお、第３図の温度補償減衰器を用いた
実験データとして、第４図に温度による減衰器の減衰量
の変化、第５図に温度による減衰器のリターンロス変化
を示す。以上説明したように本発明によれば、非直線性
素子を有する温度補償減衰器にサーミスタを含むバイア
ス回路を設け、ヘテロダイン中継機の送信装置の中間周
波帯に設けてあるため、送信装置の送信出力レベルの対
温度特性を容易にかつ確実に補償することができる。
第１図は中間周波をマイクロ波に変換する本発明の送信
装置の簡略プロツク図、第２図は送信出力レベルおよび
温度補償減衰器の減衰量の対温度特性図、第３図は本発
明の温度補償減衰器の実施回路図、第４図は第３図の温
度補償減衰器の減衰量対温度特性実験データ、第５図は
同減衰器のりタンロス対温度特性実験データである。 なお図中において、１・・・・・・中間周波入力端子、
２・・・・・・温度補償減衰器、３・・・・・・ミキサ
、４・・・・・・マイクロ波帯域濾波器、５・・・・・
・増幅器、６・・・・・・マイクロ波送信出力端子、７
・・・・・・局部発振器、８・・・・・・信号入力端子
、９，１０，１１・・・・・・抵抗、１２・・・・・・
ピンダイオード、１３・・・・・・サーミスタ、１４，
１５，１６・・・・・・抵抗、１７・・・・・・信号入
力端子、１８・・・・・・負電源入力端子、１９，２０
・・・・・・コンデンサ、２１・・・・・・チヨークコ
イルである。
装置の簡略プロツク図、第２図は送信出力レベルおよび
温度補償減衰器の減衰量の対温度特性図、第３図は本発
明の温度補償減衰器の実施回路図、第４図は第３図の温
度補償減衰器の減衰量対温度特性実験データ、第５図は
同減衰器のりタンロス対温度特性実験データである。 なお図中において、１・・・・・・中間周波入力端子、
２・・・・・・温度補償減衰器、３・・・・・・ミキサ
、４・・・・・・マイクロ波帯域濾波器、５・・・・・
・増幅器、６・・・・・・マイクロ波送信出力端子、７
・・・・・・局部発振器、８・・・・・・信号入力端子
、９，１０，１１・・・・・・抵抗、１２・・・・・・
ピンダイオード、１３・・・・・・サーミスタ、１４，
１５，１６・・・・・・抵抗、１７・・・・・・信号入
力端子、１８・・・・・・負電源入力端子、１９，２０
・・・・・・コンデンサ、２１・・・・・・チヨークコ
イルである。
Claims (1)
- １ 送信出力レベルが所定の温度特性を有しかつ中間周
波をマイクロ波に変換し増幅して送出する送信装置にお
いて、前記送信装置の前記中間周波帯に非直線性素子と
、サーミスタを含む前記非直線性素子用バイアス回路と
を有する減衰器を設け、前記サーミスタで前記送信出力
レベルの温度特性を補償することを特徴とする送信装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP52155836A JPS5952854B2 (ja) | 1977-12-23 | 1977-12-23 | 送信装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP52155836A JPS5952854B2 (ja) | 1977-12-23 | 1977-12-23 | 送信装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5487413A JPS5487413A (en) | 1979-07-11 |
| JPS5952854B2 true JPS5952854B2 (ja) | 1984-12-21 |
Family
ID=15614552
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP52155836A Expired JPS5952854B2 (ja) | 1977-12-23 | 1977-12-23 | 送信装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5952854B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5959745U (ja) * | 1982-10-11 | 1984-04-19 | セイレイ工業株式会社 | 枝打機におけるチエンソ−の回動構造 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0390120U (ja) * | 1989-12-27 | 1991-09-13 | ||
| JP5206828B2 (ja) * | 2011-03-14 | 2013-06-12 | 日本電気株式会社 | 信号処理回路および信号処理方法 |
-
1977
- 1977-12-23 JP JP52155836A patent/JPS5952854B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5959745U (ja) * | 1982-10-11 | 1984-04-19 | セイレイ工業株式会社 | 枝打機におけるチエンソ−の回動構造 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5487413A (en) | 1979-07-11 |
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