JPS597129B2 - 多素子薄膜磁気ヘッド組立体 - Google Patents
多素子薄膜磁気ヘッド組立体Info
- Publication number
- JPS597129B2 JPS597129B2 JP12532278A JP12532278A JPS597129B2 JP S597129 B2 JPS597129 B2 JP S597129B2 JP 12532278 A JP12532278 A JP 12532278A JP 12532278 A JP12532278 A JP 12532278A JP S597129 B2 JPS597129 B2 JP S597129B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film magnetic
- magnetic head
- thin film
- head
- substrate
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- Expired
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/48—Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed
- G11B5/488—Disposition of heads
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気テープなどの磁気記録媒体に磁気情報処理
を行なう磁気ヘッドに係わるものであり、特に複数の薄
膜磁気ヘッドの設けられた多素子薄膜磁気ヘッド組立体
に関するものである。
を行なう磁気ヘッドに係わるものであり、特に複数の薄
膜磁気ヘッドの設けられた多素子薄膜磁気ヘッド組立体
に関するものである。
薄膜磁気ヘッドは極めて小型化することが可能であるた
め、高密度磁気情報処理が可能であり、その利用が注目
されている。
め、高密度磁気情報処理が可能であり、その利用が注目
されている。
第１図に薄膜磁気ヘッドの１例を示す。
第１図は薄膜磁気ヘッド１を基板２上に２個配置したと
ころを示す一部断面斜視図である。この薄膜磁気ヘッド
１は、ガラス等の基板２上に下部磁性膜３、ＳｉＯ２、
Ａｌ２Ｏ３などよりなる下部絶縁膜４、Ａｕ、Ｃｕなど
よりなる導体膜５、下部絶縁膜３と同様の材質よりなる
上部絶縁層６、および上部磁性膜Ｔを順次積層したもの
で、導体膜５よりリード８を導出している。この薄膜磁
気ヘッド１のヘッド部（前面部）９で磁気記録媒体に磁
気情報処理を行うものである。この薄膜磁気ヘッド１で
より高密度の磁気情報処理を行うために第２図Ａに示す
ような多素子薄膜磁気ヘッド組立体が提案されている。
ころを示す一部断面斜視図である。この薄膜磁気ヘッド
１は、ガラス等の基板２上に下部磁性膜３、ＳｉＯ２、
Ａｌ２Ｏ３などよりなる下部絶縁膜４、Ａｕ、Ｃｕなど
よりなる導体膜５、下部絶縁膜３と同様の材質よりなる
上部絶縁層６、および上部磁性膜Ｔを順次積層したもの
で、導体膜５よりリード８を導出している。この薄膜磁
気ヘッド１のヘッド部（前面部）９で磁気記録媒体に磁
気情報処理を行うものである。この薄膜磁気ヘッド１で
より高密度の磁気情報処理を行うために第２図Ａに示す
ような多素子薄膜磁気ヘッド組立体が提案されている。
これは薄膜磁気ヘッド１を表面と裏面が平行な・ 平面
基板１０の両面に設けたものである。
基板１０の両面に設けたものである。
すなわち平行平面基板１０の一面（Ａ−ｓｌｄｅ）に一
定のピッチＰで薄膜磁気ヘッドＩＡ（ＩＡ、、１Ａ２、
・・・・・・・１Ａｉ−４、１Ａｉ、１Ａｉｆ、、・・
・・・・■以下この薄膜磁気ヘッドをＡ−ｓｉｄｅヘッ
ドという）を配ｊ 置するとともに平行平面基板の他面
（Ｂ−ｓｌｄｅ）に同じピッチＰで薄膜磁気ヘッドＩＢ
（ＩＢＩ、１Ｂ２、・・・・・・１Ｂｉ−、、１Ｂｉ、
・・・・・・：以下この薄膜磁気へツドをＢ−Ｓｉｄｅ
ヘツドという）を配置する。この時Ａ−Ｓｉｄｅヘツド
１Ａｉ−１，１Ａ１，１Ａ１＋１とＢ−Ｓｉｄｅヘツド
１Ｂ１１，１Ｂｉとは互いに違いになるように配置する
。ところでこの多素子薄膜磁気ヘツド組立体においては
、隣接トラツク間（たとえばヘツド１Ａｉにに対するヘ
ツド１Ｂｉ−１，１Ｂ１）のクロストークを防止するた
めに、トラツク幅ｗとヘツドピツチＰとをＷ＜Ｐ−Ｗと
なるように設計する必要がある。
定のピッチＰで薄膜磁気ヘッドＩＡ（ＩＡ、、１Ａ２、
・・・・・・・１Ａｉ−４、１Ａｉ、１Ａｉｆ、、・・
・・・・■以下この薄膜磁気ヘッドをＡ−ｓｉｄｅヘッ
ドという）を配ｊ 置するとともに平行平面基板の他面
（Ｂ−ｓｌｄｅ）に同じピッチＰで薄膜磁気ヘッドＩＢ
（ＩＢＩ、１Ｂ２、・・・・・・１Ｂｉ−、、１Ｂｉ、
・・・・・・：以下この薄膜磁気へツドをＢ−Ｓｉｄｅ
ヘツドという）を配置する。この時Ａ−Ｓｉｄｅヘツド
１Ａｉ−１，１Ａ１，１Ａ１＋１とＢ−Ｓｉｄｅヘツド
１Ｂ１１，１Ｂｉとは互いに違いになるように配置する
。ところでこの多素子薄膜磁気ヘツド組立体においては
、隣接トラツク間（たとえばヘツド１Ａｉにに対するヘ
ツド１Ｂｉ−１，１Ｂ１）のクロストークを防止するた
めに、トラツク幅ｗとヘツドピツチＰとをＷ＜Ｐ−Ｗと
なるように設計する必要がある。
第２図Ｂに各薄膜磁気ヘツド素子（１Ａ，−１，１Ｂ，
−，，１Ａ１，１Ｂｉ，１Ｂ１ャ，）による磁化トラツ
タ１１とガードバンド１２との位置関係を示すが、この
第２図Ｂに示すように従来の多素子Ｐ薄膜ヘツド組立体
では一Ｗの幅を持つガードバンド１２が発生する。
−，，１Ａ１，１Ｂｉ，１Ｂ１ャ，）による磁化トラツ
タ１１とガードバンド１２との位置関係を示すが、この
第２図Ｂに示すように従来の多素子Ｐ薄膜ヘツド組立体
では一Ｗの幅を持つガードバンド１２が発生する。
高密度情報処理を行なうためにはこのガードバンド１２
は損失であるが、このガードバンド１２を小さくすると
書き込み時と再生時のトラツキングの問題が生じクロス
トークの増加となるため、ガードバンド１２をむやみに
小さくすることは困難である。このガードバンド１２と
クロストークとの関係を以下に説明する。
は損失であるが、このガードバンド１２を小さくすると
書き込み時と再生時のトラツキングの問題が生じクロス
トークの増加となるため、ガードバンド１２をむやみに
小さくすることは困難である。このガードバンド１２と
クロストークとの関係を以下に説明する。
第３図はＡ−Ｓｉｄｅヘツド１Ａｉとその近傍のヘツド
による磁化トラツクとガードバンドの関係を模式的に示
す図である。磁気ヘツド１Ａｉの再生信号ＳＧはとなる
。
による磁化トラツクとガードバンドの関係を模式的に示
す図である。磁気ヘツド１Ａｉの再生信号ＳＧはとなる
。
ただし、ｗ：磁化トラツク幅、ｌ：再生２πヘツド幅、
ＵＸ）二Ｈ。
ＵＸ）二Ｈ。
ＣＯＳＴＸ：再生ヘツドにおける磁化パターンからのそ
れ磁場のテープに垂直な成分、λ：記録波長、Ｄ：ｌ−
ｗ１ガードバンド幅（両サイド）、Ｃ，： ロストーク
以外の雑音）ガードバンドすなわち無信号部分があれば
隣接トラツクＢＬ−１，Ｂｉからのクロストーク信号、
ユＨＢｉ−１（Ｘ）・１ＨＢ１（Ｘ）は０となり、磁気
ヘツド２ノ ２′１Ａｉの再生信号は、 に減少する。
れ磁場のテープに垂直な成分、λ：記録波長、Ｄ：ｌ−
ｗ１ガードバンド幅（両サイド）、Ｃ，： ロストーク
以外の雑音）ガードバンドすなわち無信号部分があれば
隣接トラツクＢＬ−１，Ｂｉからのクロストーク信号、
ユＨＢｉ−１（Ｘ）・１ＨＢ１（Ｘ）は０となり、磁気
ヘツド２ノ ２′１Ａｉの再生信号は、 に減少する。
しかしガードバンド１２がなくなると前記の隣接トラツ
クからの雑音を拾うことになる。
クからの雑音を拾うことになる。
本発明は上記問題に鑑み、基板２のＡ−Ｓｌｄｅヘツド
１Ａ１，１Ａ２，・・・・・・１Ａ１−１，１Ａｉ，１
Ａｉ＋１，・・・・・・とＢ−ｓ！Ｄｅヘツド１Ｂ！，
１Ｂ２，・・・・・・１Ｂｉ−１，１Ｂｉ・・・・・・
とを一定角θ傾け、隣接トラツク間の交差角θにより生
ずるアジマスロスにより、クロストーク信号を減衰させ
るものである。
１Ａ１，１Ａ２，・・・・・・１Ａ１−１，１Ａｉ，１
Ａｉ＋１，・・・・・・とＢ−ｓ！Ｄｅヘツド１Ｂ！，
１Ｂ２，・・・・・・１Ｂｉ−１，１Ｂｉ・・・・・・
とを一定角θ傾け、隣接トラツク間の交差角θにより生
ずるアジマスロスにより、クロストーク信号を減衰させ
るものである。
まず、アジマスロスについて簡単に説明する。
第４図において磁気テープ１３に書き込まれた磁化パタ
ーンと再生ヘツド１４が平行であれば出力信号Ｓ。はと
なる。
ーンと再生ヘツド１４が平行であれば出力信号Ｓ。はと
なる。
（ただしＷ：トラツタ幅、ｌ：再生へツ駄、Ｈｘ＝ＨＯ
ＣＯＳヤ７Ｘ：磁化パターンからのそれ磁場のテープに
垂直な成分、λ：記録波長）磁化パターンと再生ヘツド
１４とのなす角度がθ〔Ｒａｄ〕の時再生ヘツド１４の
有効部分が受ける平均磁場強度はとなり、再生ヘツド１
４が磁化パターンとなる角度θによつて係数Ａがの分だ
け小さくなる。
ＣＯＳヤ７Ｘ：磁化パターンからのそれ磁場のテープに
垂直な成分、λ：記録波長）磁化パターンと再生ヘツド
１４とのなす角度がθ〔Ｒａｄ〕の時再生ヘツド１４の
有効部分が受ける平均磁場強度はとなり、再生ヘツド１
４が磁化パターンとなる角度θによつて係数Ａがの分だ
け小さくなる。
その時の再生信号は
となり、アジマスロスによる欠損Ｌａは、ＤＢ単位で表
わすと、となる。
わすと、となる。
（２）式による、磁化パターンと再生ヘツド１３との傾
斜角度θとアジマスロスＬａとの関係を第５図に示す。
斜角度θとアジマスロスＬａとの関係を第５図に示す。
（ただしＷ＝１００〔μｍ〕・λ二１０〔μｍ〕ところ
で前記（１）式においてクロストークノイズはＤＤＨＢ
ｌ −１＋−ＨＢｉであるが、 ９１９１Ａ −ＳｉｄｅヘツドとＢ−Ｓｌｄｅヘツドを互いにθの角
度をなすように配列するとＡ１ヘツドの再生に対してＢ
ｉ−，，Ｂｉトラツクからのクロストークノイズは前記
（２）式に従いたとえば第５図に示すアジマスロスによ
り、ｌ−一＼▼▼ラＶフロノ 一 ５ − ゝに減衰す
る。
で前記（１）式においてクロストークノイズはＤＤＨＢ
ｌ −１＋−ＨＢｉであるが、 ９１９１Ａ −ＳｉｄｅヘツドとＢ−Ｓｌｄｅヘツドを互いにθの角
度をなすように配列するとＡ１ヘツドの再生に対してＢ
ｉ−，，Ｂｉトラツクからのクロストークノイズは前記
（２）式に従いたとえば第５図に示すアジマスロスによ
り、ｌ−一＼▼▼ラＶフロノ 一 ５ − ゝに減衰す
る。
第６図より明らかなようにＡ−ＳｌｄｅヘツドとＢ−Ｓ
ｌｄｅヘツドとのなす角を適当に選択することによりク
ロストークノイズを数＋ＤＢ減衰させることが可能とな
る。
ｌｄｅヘツドとのなす角を適当に選択することによりク
ロストークノイズを数＋ＤＢ減衰させることが可能とな
る。
以下、第６図に示す本発明の１実施例とともに本発明の
説明をする。
説明をする。
本実施例は磁気記録媒体の幅方向Ｚ（磁気記録媒体の進
行方向Ｘと直交する方向）の厚さが異なる基板１５の表
裏両面に薄膜磁気ヘツド１を配置したものである。
行方向Ｘと直交する方向）の厚さが異なる基板１５の表
裏両面に薄膜磁気ヘツド１を配置したものである。
この基板は頂角θの三角柱状のものでも、頂点付近を除
いた台形状のものでもよい。Ａ−Ｓｉｄｅヘツド１Ａ１
，１Ａ２・・・・・・，１Ａ１・・・とＢ−Ｓｌｄｅヘ
ツド１Ｂ，，１Ｂ２・・・・・・，１Ｂ１・・・とは各
々角度θをなすように配設されており、第６図Ｂに示す
両サイドヘツドの重複部１６の再生信号はγジマスロス
により減少される薄膜磁気ヘツドの配置は、第６図に示
すように各サイドのヘツドのトラツクが重複するように
しても、あるいは第７図に示すように、重複部がほとん
どないようにしてもよい。
いた台形状のものでもよい。Ａ−Ｓｉｄｅヘツド１Ａ１
，１Ａ２・・・・・・，１Ａ１・・・とＢ−Ｓｌｄｅヘ
ツド１Ｂ，，１Ｂ２・・・・・・，１Ｂ１・・・とは各
々角度θをなすように配設されており、第６図Ｂに示す
両サイドヘツドの重複部１６の再生信号はγジマスロス
により減少される薄膜磁気ヘツドの配置は、第６図に示
すように各サイドのヘツドのトラツクが重複するように
しても、あるいは第７図に示すように、重複部がほとん
どないようにしてもよい。
で基板にのこぎりの歯状の段部を設け各段部に薄膜磁気
ヘツドを配置したものである。
ヘツドを配置したものである。
第８図は基板の片面のみを他面とのなす角がθの段状に
成形した基板１６の片面にＡ−ＳｉｄｅヘツドＡｌ，Ａ
２，・・・・・・Ａｉ，・・・・・・を、他面にＢ−Ｓ
ｉｄｅヘツドＢｌ，Ｂ２・・・・・・Ｂｉ，・・・・・
・を配置し、各サイドのヘツドを互い違いに配置したも
のである。第９図は基板の両面に互い違いになるように
他面の段部とのなす角がθとなる段部を設けた基板１つ
の各段部に薄膜磁気ヘツドと配置したものである。
成形した基板１６の片面にＡ−ＳｉｄｅヘツドＡｌ，Ａ
２，・・・・・・Ａｉ，・・・・・・を、他面にＢ−Ｓ
ｉｄｅヘツドＢｌ，Ｂ２・・・・・・Ｂｉ，・・・・・
・を配置し、各サイドのヘツドを互い違いに配置したも
のである。第９図は基板の両面に互い違いになるように
他面の段部とのなす角がθとなる段部を設けた基板１つ
の各段部に薄膜磁気ヘツドと配置したものである。
第１０図は本発明のさらに別の実施例を示す図で、Ａ−
ＳｉｄｅＩ：．Ｂ−Ｓｉｄｅの各薄膜磁気ヘツドのなす
角を各々変化させたものである。
ＳｉｄｅＩ：．Ｂ−Ｓｉｄｅの各薄膜磁気ヘツドのなす
角を各々変化させたものである。
アジマスロスは第２式よりも明らかなように記録波長λ
によりその大きさが変化する。そこで記録波長λを波長
別にλ１，λ２・・・・・・と適数に分割し、各波長に
対し、アジマスロスが有効に働らくような交差角θλ１
，θλ２・・・・・・を有する薄膜磁気ヘツドのトラツ
クへその波長の情報と記録させる。薄膜磁気ヘツドの交
差角を可変にすることは困難であるので、各薄膜磁気ヘ
ツドの交差角に合わせて記録させる波長λを適当に分割
すれば、常に有効にアジマスロスを利用でき、クロスト
ークを減少させることができる。さらに記録情報が比較
的狭い波長帯の信号であればその波長帯λａに対し第５
図のグラフでアジマスロスが極大（図の谷部）となるよ
うな角度で薄膜磁気ヘツドを取り付ければ、より一層有
効にクロストークの影響を減少させることが可能になる
。
によりその大きさが変化する。そこで記録波長λを波長
別にλ１，λ２・・・・・・と適数に分割し、各波長に
対し、アジマスロスが有効に働らくような交差角θλ１
，θλ２・・・・・・を有する薄膜磁気ヘツドのトラツ
クへその波長の情報と記録させる。薄膜磁気ヘツドの交
差角を可変にすることは困難であるので、各薄膜磁気ヘ
ツドの交差角に合わせて記録させる波長λを適当に分割
すれば、常に有効にアジマスロスを利用でき、クロスト
ークを減少させることができる。さらに記録情報が比較
的狭い波長帯の信号であればその波長帯λａに対し第５
図のグラフでアジマスロスが極大（図の谷部）となるよ
うな角度で薄膜磁気ヘツドを取り付ければ、より一層有
効にクロストークの影響を減少させることが可能になる
。
以上のように本発明によれば複数の薄膜磁気ヘツド素子
が基板の表裏両面上に交互に所定間隔を置いて形成され
てなる多素子薄膜磁気ヘツド組立体において互いに隣接
する薄膜磁気ヘツド素子の設置角度差を所定角度だけ傾
斜させたので、アジマスロスを有効に利用して臨接する
薄膜磁気ヘツド素子のクロストークを減少させることが
可能となる。
が基板の表裏両面上に交互に所定間隔を置いて形成され
てなる多素子薄膜磁気ヘツド組立体において互いに隣接
する薄膜磁気ヘツド素子の設置角度差を所定角度だけ傾
斜させたので、アジマスロスを有効に利用して臨接する
薄膜磁気ヘツド素子のクロストークを減少させることが
可能となる。
従つて高密度情報処理を有効に行なうことができる。又
本発明は上記薄膜磁気ヘツド素子の傾斜を素子設置基板
の厚みを変化させるという極めて独特な構造体の採用に
よつて成したものであり、この採用によつて素子の傾斜
形成の為の製造が容易にできるものである。
本発明は上記薄膜磁気ヘツド素子の傾斜を素子設置基板
の厚みを変化させるという極めて独特な構造体の採用に
よつて成したものであり、この採用によつて素子の傾斜
形成の為の製造が容易にできるものである。
第１図は本発明に使用する薄膜磁気ヘツドの一部断面斜
視図、第２図は従来の多素子薄膜磁気ヘツド体の配置図
（第２図Ａ）およびその磁化トラツクを示す図（第２図
Ｂ）、第３図はクロストークを説明する図、第４図はア
ジマスロスを説明する図、第５図は傾斜角度とアジマス
ロスの関係を示す図、第６図は本発明の１実施例を示す
模式図（第６図Ａ）、およびその磁化トラツクの関係を
示す図（第６図Ｂ）、第７図は本発明の別の実施例を示
す模式図（第７図Ａ）およびその磁化トラツクの関係を
示す図（第７図Ｂ）、第８図〜第１０図は本発明のさら
に別の実施例を示す模式図である。 １・・・・・・薄膜磁気ヘツド、１Ａ・・・・・・Ａ−
Ｓｉｄｅの薄膜磁気ヘツド、１Ｂ・・・・・・Ｂ−Ｓｌ
ｄｅの薄膜磁気ヘツド、１５〜１８・・・・・・基板。
視図、第２図は従来の多素子薄膜磁気ヘツド体の配置図
（第２図Ａ）およびその磁化トラツクを示す図（第２図
Ｂ）、第３図はクロストークを説明する図、第４図はア
ジマスロスを説明する図、第５図は傾斜角度とアジマス
ロスの関係を示す図、第６図は本発明の１実施例を示す
模式図（第６図Ａ）、およびその磁化トラツクの関係を
示す図（第６図Ｂ）、第７図は本発明の別の実施例を示
す模式図（第７図Ａ）およびその磁化トラツクの関係を
示す図（第７図Ｂ）、第８図〜第１０図は本発明のさら
に別の実施例を示す模式図である。 １・・・・・・薄膜磁気ヘツド、１Ａ・・・・・・Ａ−
Ｓｉｄｅの薄膜磁気ヘツド、１Ｂ・・・・・・Ｂ−Ｓｌ
ｄｅの薄膜磁気ヘツド、１５〜１８・・・・・・基板。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 複数の薄膜磁気ヘッド素子が基板の表裏両面上に交
互に所定間隔を置いて形成されてなる多素子薄膜磁気ヘ
ッド組立体において、前記基板の厚みを複数の薄膜磁気
ヘッド素子の連設方向において変化せしめ、前記基板の
表裏両面上に交互に形成された互いに臨接する薄膜磁気
ヘッド素子を所定角度だけ傾斜させたことを特徴とする
多素子薄膜磁気ヘッド組立体。 ２ 前記互いに臨接する薄膜磁気ヘッド素子の設置角度
差をθとした時、▲数式、化学式、表等があります▼ （ただし、Ｗ：薄膜磁気ヘッドによる磁化トラック幅、
λ：磁気情報処理波長）の値が極小となるように前記θ
の値を選択したことを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の多素子薄膜磁気ヘッド組立体。 ３ 前記互いに臨接する薄膜磁気ヘッド素子の設置角度
差を各記録トラックに記録された記録信号の波長に応じ
て変化せしめたことを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の多素子薄膜磁気ヘッド組立体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12532278A JPS597129B2 (ja) | 1978-10-09 | 1978-10-09 | 多素子薄膜磁気ヘッド組立体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12532278A JPS597129B2 (ja) | 1978-10-09 | 1978-10-09 | 多素子薄膜磁気ヘッド組立体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5552520A JPS5552520A (en) | 1980-04-17 |
| JPS597129B2 true JPS597129B2 (ja) | 1984-02-16 |
Family
ID=14907236
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12532278A Expired JPS597129B2 (ja) | 1978-10-09 | 1978-10-09 | 多素子薄膜磁気ヘッド組立体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS597129B2 (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4439793A (en) * | 1981-10-22 | 1984-03-27 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Thin film head array |
| JPS6095711A (ja) * | 1983-10-28 | 1985-05-29 | Akai Electric Co Ltd | マルチトラツク磁気ヘツド |
| JPS6247813A (ja) * | 1985-08-28 | 1987-03-02 | Hitachi Ltd | ダブルアジマス薄膜磁気ヘツド |
| DE3776359D1 (en) * | 1986-02-13 | 1992-03-12 | Sony Corp | Duennschichtmagnetkopf. |
| JP2571042B2 (ja) * | 1986-08-29 | 1997-01-16 | 富士写真フイルム株式会社 | 複合薄膜磁気ヘツド |
| JPS6358609A (ja) * | 1986-08-29 | 1988-03-14 | Fuji Photo Film Co Ltd | 複合磁気ヘツド |
| JPH01169712A (ja) * | 1987-04-14 | 1989-07-05 | Fuji Photo Film Co Ltd | 複合薄膜磁気ヘッド |
| JPH083889B2 (ja) * | 1987-04-14 | 1996-01-17 | 富士写真フイルム株式会社 | 複合薄膜磁気ヘツド |
| JPH01137421A (ja) * | 1987-11-25 | 1989-05-30 | Victor Co Of Japan Ltd | 多トラック薄膜磁気ヘッド |
| JPH04206012A (ja) * | 1990-11-30 | 1992-07-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | マルチチャンネル薄膜磁気ヘッドおよびマルチチャンネル薄膜磁気ヘッド装置 |
-
1978
- 1978-10-09 JP JP12532278A patent/JPS597129B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5552520A (en) | 1980-04-17 |
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