JPS597675B2 - 型部材を製作する方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は溶融体から結晶体を引く方法に関し、かつ特に
、けい素などの材料の成形体を成長させる際に使用され
る毛細管型部材を提供することに係る。

ハロイト・イー・ラベル・ジュニ７ （ＨａｒｏｌｄＥ
， Ｌａ Ｂｅｌｌｅ ｊｒ， ）氏に認可された米
国特許第３４７１２６６号及び第３５９１３４８号には
、断面形を制御し所定の形状とした単結晶体を、結晶成
長で消費される溶融体を毛細管作用で補充するようにし
たいわゆる型部材によって成長させるための方法が記載
されている。

米国特許第３４７１２６６号に記載されている方法では
、毛細管の上端に作られる液体固体界面に於いて結晶成
長が起こる。

前記特許の方法によれば任意の断面の結晶体を毛細管か
ら成長させられることができる。

米国特許第３５９１３４８号に記載されている方法では
、結晶が型部材の上端表面上に支えられた溶融体薄膜か
ら引かれ、同型部材は前記薄膜を自動的に補給するよう
に、溶融体を貯蔵だめから同部材の上端表面へ送るため
の１条またはもつと多条の毛細管を有している。

薄膜は型部材の端表面全体を覆い、また薄膜の広がり全
体から結晶成長が起こるから、成長する結晶は型部材の
上端表面の側端縁形状に相当する断面形を有している。

米国特許第３５９１３４８号に記載されている方法はし
ばしば″’ ＥＦＧ”法と呼ばれるが、この”ＥＦＧ
”とは０側端縁を画定されてフイルムが供給される成
長″を意味する略語である。

ラベル氏のこれら双方の方法によれば、結晶を多様な幾
何学的形態、とりわげロツド管及び千リボンＱ形に成長
させることが可能である。

かつまた、これらの方法は双方とも、広範な材料、例え
ばサファイア、ルビー、けい素、チタン酸バリウム及び
イットリウム アルミニウム ガーネット （ ｙｔｔｒｉｕｍ ａｌｍｉｎｕｍ ｇａｒｎｅ
ｔ ）の単結晶体を成長させるのに使用されても構わな
い。

ラベル氏の方法に採用される型部材は成長させられるべ
き材料の融点及びそれよりも高い温度に於ける使用に耐
えることができなげればならない。

かつまた、これらの型部材は溶融体材料によって濡らさ
れ、同材料と反応せずかつ同材料に溶解せず、しかも非
常に高い純度を有する材料で造られなければならない。

その結果として、この型材料に適当な材料は普通は高価
である。

その上、型部材を製作する費用は型材料の性質及び与え
られなげればならない精密な公差のためにかなり高額で
ある。

けい素を成長させる際に使用される炭化けい素型では特
にそうである。

従って、実質的に単結晶のけい素体を米国特許第３４７
１２６６号及び第３５９１３４８号に記載されている方
法によって成長させる際に使用される高純度型部材を製
造する比較的簡単で高い費用のかからない方法を見出す
のが本発明の主目的である。

他の目的は上記性質の比較的高価でない高純度炭化けい
素型部材を提供することである。

更に他の目的は、形成された状態で結晶体として成長せ
られる材料の中実体を満たした毛細管を含む毛細管型部
材を提供することにある。

上に列挙された諸目的は、結晶体として成長せられる材
料で造られ適当形状の中子片を準備し、かつ前記の適当
な形状の中子片を選択された型材料によって被覆して、
予め決められた形の型部材を得るようにする諸工程を基
本的に有する製造方法によって達成される。

適当な形にされた中子片は毛細管の形を画定しかつ同片
は型部材がるつぼに装架される前に除去されても構わな
い。

好ましくは、中子片は保持され、かつ型部材は予充てん
された型部材として直接に使用される。

本発明のその他の目的、特徴及び多くの付帯利点は添付
図面と共に考察されるべき以下の記述に説明される即ち
同記述によって明らかにされる。

添付図面にあって同じ参照数字は類似部分を指している
。

本発明は多様な材料の結晶体を成長させる際に使用され
る型部材を提供するのに使用されることができるけれど
も、以下の詳細記述はけい素を成長させるための型部材
を提供することに係る。

この点に関して埋解されるべきは溶融けい素が広範囲に
亘る数の材料に対する溶剤であるから、けい素を成長さ
せるための型部材を製造するのに使用されることのでき
る材料の選択が限られることである。

然し、炭化けい素はけい素に対する型材料として適当で
あり、かつ以下の記述は炭化けい素型部材を製造するこ
とに係る。

ここで添付図面の第１図乃至第４図を参照すれば、けい
素平リボンを成長させる際に使用されるＥＦＧ型は単結
晶または多結晶けい素から成る中子片即ち成形部材２を
先ず準備することによって製造される。

中子片２は断面が矩形でありかつ同片の広い両Ｕｋｉ４
各々には図示の如《細長のくぼみ６が形成される。

ここのくぼみ６は、特に細長《する必要はない。

両側及び両端双方の面それぞれ８及び９は前後両而４と
同様に平らであり、かつ中子片の厚さ即ち同中子片の両
側面８０幅は毛細管の大きさである。

中子片の長さ、即ち、第１図に見られる如き広い面４の
垂直方向寸法は完成した型部材の目的とする所の毛細管
の長さと少くとも同じである。

中子片２の諸表面は酸化物、ちり、油等の如き不純物を
除去されるように適当な表面浄化処理を受け、かつ次い
で同片は均等な厚さの炭化けい素層１０によって被覆さ
れる。

この炭化けい素層は好ましくは化学的蒸気析出によって
、例えばメチルクロルシランの水素中気相反応による析
出によって施される。

けい素の熱膨張係数と炭化けい素の熱膨張係数は析出さ
れた炭化けい素の被覆にき裂が生じないようにすること
を可能ならしめるほどの差を有しうる程度に近似したも
のである。

析出されるＳｉＣ被覆は第２図に於いて６Ａに示されて
いるように《ぼみ６の形をとどめている。

中子片が完全に被覆され終った後に、ＳｉＣ被覆の頂面
と底面の双方１２はこれら両面を切削または研削するこ
とによって、けい素中子片２０両端面９を第３図に示さ
れている如く露出するように除去される。

この場合に炭化けい素被覆の少くとも頂面１２を除去す
ることによって、１４に示されている如く被覆の前後面
および側面が中子片２の長手方向軸線に直角に延びる平
らな同一面の頂端面側端縁となすように除去される。

この点に就℃、・て理解されるべきは炭化けい素層が型
部材を構成し、けい素リボンをＥＦＧによって成長させ
ることを可能とし、及び炭化けい素−けい素複合体があ
らかじめ充てんされた型部材として使用されても構わな
いことである。

然し、けい素をＥＦＧ生長させるために炭化けい素型部
材を使用する前にけい素中子片２を溶解し尽すようにし
てもかまわない。

すなわちけい素中子片は重量で１部の韮．２部の酢酸及
び３部の硝酸を含有するＣＰ４ の如き酸によって溶解
し除去することが可能であり、このようにすることもで
きる。

けい素中子片が除去されてしまってから（または複合構
造体が予充てんされた型部材として使用されるべき場合
に炭化けい素被覆の頂底両表面１２が除去されてしまっ
てから）、炭化けい素型部材は同部材の底端を溶融体充
てんるつぼの中に浸して保持する際に使用される適当な
支持構造体に装架される。

第４図に示されている如＜ー・例を挙げれば、整合させ
られて半径方向に延びている１対の剛固なピン１８が支
持リング１６に設けられて、これらのピンはくぼみ６Ａ
の中へ延びておりかつそれ故に型部材とかみ合っている
。

リング１６は適当なるつぼ２０の上端に載せられかつ炭
化けい素型部材の下端を同るつぼの底に近く但し同底か
ら距てて保持し、従って、型部材の内部は、るつぼに収
容された溶融けい素の給源だめが型部材の底端を包囲す
るに足る限り、毛細管の吸上げ作用によって溶融けい素
を充てんされて維持されることになる。

実際には（かつ前掲ラベル氏の特許に記載されている如
《）、るつぼに収容された溶融体から放射による熱の損
失を防ぐのに、型部材の上端を包囲して放射よけ覆いが
置かれるのが通例である。

けい素中子を炭化けい素型部材の中に保持し、かつこの
複合構造体を”あらかじめ充てんされた型部材として使
用することが真に有利なことであることはすでに知られ
ている。

主たる利点はこのようにすれば結晶成長過程の開始が容
易にされることである。

その他の何んらかの理由で処女炭化けい素型、即ちまだ
使用されていない炭化けい素型にある毛細管が溶融けい
素によって濡れ難《て、その結果、毛細管が毛細管作用
のみで溶融けい素で迅速に充てんされることにならず、
かつ型の頂面１４上に溶融体の薄膜が容易には作られず
かつ（または）維持されないことが判っている。

然し、本発明では形成されたあらかじめ充てんされた型
部材がもしもるつぼに装架されるならば、同るつぼ内の
けい素の給源だめが溶融せしめられるのに従って、けい
素中子片２も溶融することになるけれども、型部材の毛
細管通路内に残存することになる。

従って、もしも種子となるけい素が型部材の高温の頂而
１４上にもたらし、同種子けい素を薄膜の形成を生じせ
しめるように溶かし始めるべく維持するならば、同時に
同種子けい素は毛細管内で中子片２を溶かして形成され
た溶融柱に接触しかつ粘着することになり、従って溶融
薄膜が前掲ラベル氏の特許第３５９１３４８号に記載さ
れている態様に毛細管作用によって補給されることにな
る。

勿論、矩形側端縁形状の上端表面を有するＥＦＧ型はそ
の他の断面形のけい素中子を有する形に造られても構わ
ない。

従って、例えば、けい素中子は正方形であっても構わず
、また炭化げい素被覆は相反する両面上の厚さを優先的
に大きくして析出され、従って仕上り型部材は同部材の
上端に矩形側端縁形状を有し、かつ正方形断面の毛細管
通路を有している。

更に一例を挙げれば、矩形のＥＦＧ型は円筒Ｓｉ中子の
表面に均等厚さの炭化けい素被覆を施し次いで被覆上に
平らな表面を機械加工して、仕上’ＪＳｉＣ型が矩形側
端縁形状を断面に有しかつ円形断面の毛細管を有するよ
うにされることによって製造されることができる。

理解されるべきはピン１８を受けるくぼみ６Ａの根拠に
なるくぼみ６が両側表面８に形成された《ぼみまたはノ
ツチによって代えられても構わないことである。

あるいはまた、表面４または８に突起が同じ目的でくぼ
みの代りに形成されても構わない（第５図乃至第７図の
リブ２６を参照）。

ある場合には、けい素中子片の《ぼみに貫通孔が代えら
れても構わない。

従って、適用可能な場合には”くぼみ′”なる用語が貫
通孔を包含すると考えられるべきである。

第５図乃至第７図は毛細管からけい素フィラメントを成
長させるための型をラベル氏の米国特許第３４７１２６
６号の方法に従って提供するのに本発明が如何に使用さ
れるかを示している。

この場合に、けい素中子片は円周方向に延びているリブ
即ちフランジ２６を一端近《に有するシリンダ２４の形
をしている。

この中子片は酸化物、油、ちりなどを除去されるように
処理されてしまってから、炭化けい素の粘着性被覆３０
を第６図に示されているように設けられる。

この被覆はリブ２６の形に相当する形でリブ２６Ａの形
成されるように均等な厚さで施される。

その後、被覆は中子片の上下両端３２を機械加工により
切除される３そのほかに、炭化けい素は鋭《なった円形
上縁３８（第８図）で終端する傾斜表面３４を形成する
ように上方表面の周囲を機械加工でまたは研削されて除
去される。

その結果得られるのは炭化けい素被覆３０及びけい素中
子片２４から成るあらかじめ充てんされた円筒形炭化け
い素型である。

中子片２４が適当な大きさの断面にされると仮定すれば
、被覆３０の内面は毛細管大の円筒、即ちラベル氏の米
国特許第３４７１２６６号の所要条件に従うて毛細管の
吸上げ作用によってけい素を充てんされるようになって
いる毛細管を画定することになる。

このようにあらかじめ充てんされた型は中心孔を有する
支持円板４２によってるつぼ４０に装架されることがで
きる。

この孔は同円板の内周縁部分がリブ２６Ａの下にあって
同リプを支える肩として作用するように型をしつかり受
ける大きさにされている。

第８図はこのあらかじめ充てんされた型部材が断面では
如何に見えるかを示している。

もしもけい素中子が炭化けい素型部材から溶出されるな
らば、同型部材は同部材の内面に周囲みぞを有すること
になる。

このみぞは溶融けい素が結晶成長中に毛細管内を上方へ
流れるのをさまたげることにはならない。

ある場合にはるつぼの底に載っているように装架される
のが型部材にと′一）で望ましいことがある。

然し、このような場合には、第７図及び第８図に示され
ている如き横孔４４が溶融体の流入を可能ならしめるの
に型部材の底端に設げられなげればならない。

これらの横孔は型３０の一部を切取ることによって形成
されても構わないけれども、好ましくはこれらの孔は被
覆工程中に中子片の適当な部分に炭化けい素被覆が形成
されることのできないように同部分をマスクで覆うこと
によって形成される。

明らかに、その他の断面形の型部材が本発明に従って形
成されても構わない。

従って、例えば、正方形断面の型部材が正方形断面の中
子片の表面に炭化けい素被覆を施すことによって形成さ
れても構わない。

中子片の上下両端表面から炭化けい素を除去することは
同片が気相から析出される炭化けい素を受ける前に同片
のこれらの表面をマスクで覆う簡単な手段によって不要
にされることも埋解されるべきである。

冶金学的処理に精通せる人々に熟知されている種々の析
出方法がけい素中子の表面に炭化けい素被覆を形成する
のに使用されても構わない。

好ましくは析出はアール・シー・マーシャル（ Ｒ，
Ｃ．Ｍａｒｓｈａｌｌ ）氏、ジエー・ダブリュー・フ
ァウスト・ジュニア（Ｊ，Ｗ， Ｆａｕｓｔ ，．Ｊ
ｒ ）氏及びシー・イー・リアン（ Ｃ．Ｅ．Ｒｙａｎ
）氏によって編集され、米国サウス カロナイナ州
コロンビア市のサウス カロライナ プレス大学によっ
て発行された゛山化けい素（ Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｃａｒ
ｂｉｄｅ ） １９７３”（１９７４年）の９２ページ
以下にダブリュー・エフ・ニツペンバーグ（ Ｗ， Ｆ
． Ｋｎｉｐｐｅｎｂｅｒｇ ）氏、ジー・バースプイ
（ Ｇ．Ｖｅｒｓｐｕｉ ）氏及びエー・ダブリュー・
シー・フオン ケメネード（Ａ，Ｗ，Ｃ．Ｖｏｎ Ｋｅ
ｍｅｎａｄｅ ）氏によって記載されているように水素
中のメチルクロルブランの解離によって達成される。

その他の材料から成る部材が本発明に従って製造される
ことも考えられる。

従って、例えば、けい素を成長させるのに使用されるち
つ化けい素型がけい素中子片の表面にちつ化けい素の被
覆を析出することによって製造されても構わない。

ちつ化けい素は、電気化学協会報（Ｊ， Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ ）
第１１４号（１９６７年）の第７１７ページ以下に所載
のティー・エル・チュー（ Ｔ， Ｌ． Ｃｈｕ）、シ
ー・エッチ・リー（ Ｃ， Ｈ． Ｌｅｅ ）及びジー
・工一・グルーバ（ Ｇ．Ａ， Ｇｒｕｂｅｒ ） ３
氏の論文゛アモーフオラスＳ ｉ ３Ｎ４の調製及び性
質（ Ｔｈｅ Ｐｒｅｐａｒａｔｉｏｎａｎｄ Ｐｒｏ
ｐｅｒｔｉｅｓ ｏｆ Ａｍｏｒｐｈｏｒｕｓ
Ｓｉ３Ｎ４）”に記載されているように、例えば、Ｓｉ
Ｃｌ４及びＮＨ３ を使用する化学的蒸気析出によって
析出されても構わない。

けい素を成長させる際に使用される石英型がけい素中子
片の表面にＳｉ０２被覆を形成することによって製造さ
れても構わない。

このような被覆を形成するための最もありふれた方法は
けい素の単なる酸化、即ち による方法である。

この方法はほとんど総べてのけい素装置処理に使用され
る。

この被覆は、かつまたちつ化けい素被覆も、化学的に蒸
気析出された炭化けい素によってまたは同じ材料に（即
ちＳｉ３Ｎ４をＳ ｉ ３ Ｎ４にまたはＳｉＯ２をＳ
ｉ０２に）接合することによって付与されることのでき
る機械的剛固さを得るのに裏当て被覆を必要とするもの
である。

勿論、多くの代替方法が同じ最終目的のために採用され
ることができる。

従って、けい素はメタン中で例えば直接にちり化されま
たはアンモニア中で例えば直接にちつ化されることがで
きる。

これらの方法は双方とも、補助支えを必要とすることに
なる比較的薄い被覆をもたらすものである。

型材料を気相から析出することによって型部材？形成す
るのは、特にもしも型材料が上述Ω如く気相反応によっ
て形成されるならば、型部材がほとんど完全な純度にさ
れて製造されることができるから、好まれることである
。

これは融成物及び結晶製品へ望ましくない汚染の導入さ
れる可能性を最小にするから重要である。

埋解されるのは、けい素を成長させるための型部材がけ
い素でない中子片の表面に型材料を析出することによっ
て、例えば、ゲルマニウム中子片の表面に炭化けい素を
析出することによって形成されて、中子片が溶融及び（
または）適類な溶剤即ち反応性化学薬品によって除去さ
れても構わないことである。

然し、けい素中子片を使用するのは、るつぼ及び結晶製
品へ不純物の導入されるのを最低限にすると同時に、溶
融けい素によって濡らされかつ充てんされるべき新たな
型部材の毛細管の抵抗を克服する問題を避ける点で、明
らかに有利である。

けい素中子片は単結晶性または多結晶性であっても構わ
ない。

然し、多結晶性中子片が高価でなくかつ様々な形にして
得られ易いから好まれる。

本発明が如何にして実施されるかの特殊な実例は次の通
りである。

厚さが約０．４１ミリメートル（ ０． ０ １ ６イ
ンチ）で約２５．４ミリメートル（ｌ３ インチ）の幅と３ ４．９ ２ ５ミリメートル（１−
イ８ ンチ）の長さに有する単結晶けい素の平板即ちリボンが
表面不純物を除去されるように浄化されかつ次いで、ニ
ツペンバーグ氏（上掲）によって説明されたようにメチ
ルクロルシランの水素中解離によって析出される炭化け
い素の０．３８１ミリメートル（０．０１５インチ）厚
さの層によって全体に被覆される。

その後炭化けい素被覆はけい素をあらかじめ充てんされ
た炭化けい素ＥＦＧ型部材を残して、けい素板の両端か
ら研削によって除去される。

この型部材は次いでるつぼに装架されて、単結晶けい素
リボンを成長させるのに使用される。

本発明の方法が改変されれば、炭素を含有せず、それ故
に不純物として炭素の導入されるのを減らすかまたは皆
無にする選択された表面被覆、例えばＳｉＯまたはＳ
ｉ ３ Ｎ４を有する炭化けい素型が製造されることが
できる。

改変された方法は本質的には次の通りである。

第１に、けい素中子の表面の全部または選択された部分
のみに、選択された材料の表皮即ち被覆が化学的蒸気析
出によってまたは酸化またはちつ化によって設けられる
。

第２に、この被覆されたけい素中子の表面に炭化けい素
型が既述の如く蒸気析出によって形成される。

次に炭化けい素は中子の選択された範囲、例えば上下両
端から必要に応じて除去される。

その後、けい素中子は型部材の使用される前に除去され
ても、または予充てんされた型部材を提供するように保
持されても構わない。

何れの場合にも、型部材は選択された材料の被覆を有す
る炭化けい素体即ちサブストレート、例えばシリカを内
ぼりされた毛細管を有して第３図に示されている如き型
部材から成っている。

もしも所望されるならば、選択された同じまたは異なる
材料の補助被覆が炭化けい素体の外面の一部または全部
に（もしもけい素中子が除去されるのならば除去される
前後何れかに）施されることができる。

炭化けい素型の毛細管表面にシリヵを内ぼりするのはけ
い素中子の外面を酸化することによって達成される。

炭化けい素型の外面のシリヵ被覆も型の外面を酸化する
ことによって同様に作られる。

このような酸化はけい素中子または炭化けい素体を酸素
中で約１２００℃、または１２００℃よりも高い温度に
於いてそれぞれ加熱することによって達成される。

けい素中子の表面にＳｉ３Ｎ４の被覆を形成するのは前
掲のテイ・エルチュー氏等によって説明された如き既知
方法に従って達成される。

本発明の重要な特徴は本発明が精密な寸法の毛細管を有
する一体型を比較的低い価格で製作可能にする事実にあ
る。

２片またはもつと多数の片を結合して作られた型は”流
出する′゛、即ち片間に形成される割れ目を経由してけ
い素を漏らす傾向を持つから、一片型が有利である。

他の利点はあらかじめ充てんされた型部材が提供されて
、中子片が型部材を補強し、従って、予充てんされた薄
・肉型部材が匹敵できる寸法の充てんされない型部材よ
りも粗暴な扱いに耐えることができる事実に由来する。

更に他の利点はけい素を成長させるのに本明細書に説明
されたように造られた型部材が剛固な型材料体から型部
材を機械加工することによって可能であるよりも高い純
度で製造されることができ（従って融成物の汚染を少く
ず）る事実にある。

この高い純度は型材料が中子片の表面に気相反応によっ
て析出される事実に由来する。

更に他の利点は型部材の壁の厚さが単にけい素中子の表
面に析出される型材料の量を変えることによって変えら
れることができることである。

ＥＦＧ型の場合にも、溶融けい素の薄膜を支える端表面
の型の外面を機械加工または研削することによって如何
なる所望の外周縁形態にでも造られることができ、それ
と同時に毛細管は単に適当な形状寸法の中子片を使用す
ることによって如何なる所望断面をでも有するように造
られることができる。

選択された型式の型を造るのに１個よりも多《の中子片
が使用されても構わないことも注目されるべきである。

更に他の利点は本発明が多数の同形の型を比較的安《製
造するのを可能にすることである。

この点に関して注目されるべきは、例えば、けい素リボ
ンを成長させるための多数の同形ＥＦＧ型部材が中子片
２の長さの少くとも数倍の長さを有する中子片を準備し
、同中子片を第２図に就いて既述された如く炭化けい素
の層で被覆し、同中子片の上下両端表面の被覆を除去し
、かつ次いで複合構造体を横に、即ち両側面８に直角に
切断し、かく切断することによって得られる各部分が第
３図に示さ熟ているのと同様なあらかじめ充てんされた
型部材を構成することによって得られることができるこ
とである。

もしも充てんされていない空の型部材が所望されるなら
ば勿論、げい・素中子は複合構造体が切断されて多数の
部分にされる前にまたはその後に除去されても構わない
。

【図面の簡単な説明】

第１図乃至第３図は平リボンを成長させる際に使用され
るＥＦＧ型部材の本発明による形成を示す透視図、第４
図はるつぼに装架された同じ型部材を示す透視図、第５
図乃至第７図は結晶成長が毛細管に匍駅された状態で丸
フィラメント即ちロンドを成長させる際に使用される型
部材の形成を示す透視図、そして、第８図はるつぼに装
架された第７図の同じ型部材を同図よりも縮小して示す
断面図である。 ２−・・・・・「固体中子片」、６Ａ・・・・・・「く
ぼみ」、１０・・・・・・第２被選択材料の「中実層」
、または「炭化けい素部材」、１８・・・・・・「相互
に連結される装置」。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 第１被選択材料の溶融体から結晶体を成長させるた
   めに使用される、選択された大きさ及び形の毛細管を有
   する型部材を製作する方法にして、前記第１被選択材料
   から造られかつ前記毛細管の形及び大きさに相当する形
   及び大きさを有する中実の中子片を準備し、かつ、（ａ
   ） 前記第１被選択材料の融点よりも高い融点を有し
   、（ｂ） 前記第１被選択材料の溶融体によって濡ら
   されることができ、かつ（ｅ） 前記第１被選択材料
   に比較的溶解せずかつ同材料と比較的反応しない第２被
   選択材料の中実層によって前記中子片を被覆し、前記中
   子片の両端面を露出すべ《、両端面部分の中実層被覆を
   除去する諸工程を包含することを特徴とする型部材を製
   作する方法。 ２ 特許請求の範囲第１項の方法において、前記中子片
   はけい素で造られかつ前記中実層は炭化けい素で造られ
   ていることを特徴とする型部材を製作する方法。 ′３ 特許請求の範囲第１項の方法において、前記中子
   片は前記中実層の蒸気析出によって被覆されることを特
   徴とする型部材を製作する方法。 ４ 特許請求の範囲第１項の方法において、前記中子片
   は矩形断面を有していることを特徴とする型部材を製作
   する方法。 ５ 特許請求の範囲第１項の方法において、前記中子片
   は同片の少くとも一面にくぼみまたは突起を有している
   ことを特徴とする型部材を製作する方法。 ６ 特許請求の範囲第５項の方法において、前記くぼみ
   または突起は前記第２被覆選択材料によって被覆されて
   いることを特徴とする型部材を製作する方法。