JPS59804B2

JPS59804B2 - 光フアイバ接続用基板の製法

Info

Publication number: JPS59804B2
Application number: JP5371479A
Authority: JP
Inventors: 真二長沢; 国夫小薮
Original assignee: Nippon Telegraph and Telephone Corp
Current assignee: NTT Inc
Priority date: 1979-05-01
Filing date: 1979-05-01
Publication date: 1984-01-09
Also published as: JPS55146408A

Description

【発明の詳細な説明】本発明は、光ファイバ同志を接続する場合に用いる光フ
ァイバ接続用基板の製法に関する。

斯種光ファイバ接続用基板には、尤ファイバ同士を高精
度に軸合せする必要の為に、高精度に形成された光フア
イバ配設用溝を必要とする。この為、従来、予め用意さ
れた、側面に位置合せ用平面（オリエンテーシヨンフラ
ツト）を形成してなるシリコン単結晶基板の主面上に、
酸化膜でなるエツチング保護用膜を形成し、次に、この
酸化膜上に、位置合せ用帯状パターンと、第１の光フア
イバ配設用溝形成用パターンとを有する光フアイバ配設
用溝形成フオトマスクを、その位置合せ用帯状パターン
と、シリコン単結晶基板の位置合せ用平面とにより位置
合せをなして用いて、光フアイバ配設用溝形成用パター
ンに対応する第２の光フアイバ配設用溝形成用パターン
を有する光フアイバ配設用溝形成用エツチング用マスク
を形成し、次に、この光フアイバ配設用溝形成用エツチ
ング用マスクをマスクとせる、エツチング保護用膜に対
するエツチング処理により、エツチング保護用膜に、第
２の光フアイバ配設用溝形成用パターンに対応せる第３
の光フアイバ配設用溝形成用パターンを形成し、次に、
この第３の光フアイバ配設用溝形成用パターンの形成さ
れてなるエツチング保護用膜をマスクとせる、シリコン
単結晶基板に対する面方位選択エツチング処理により、
シリコン単結晶基板の主面側に、第３の光フアイバ配設
用溝形成用パターンに対応する光フアイバ配設用溝を形
成することにより、目的とせる光フアイバ接続用基板を
得るという製法が提案されている。所で斯る製法は、シ
リコン単結晶基板を用い、そして、それに対する面方位
選択エツチング処理をなすことにより、そのシリコン単
結晶基板に、光フアイバ配設用溝を形成して、目的とせ
る光フアイバ接続用基板を得るというものである。

従つて、上述した製法は、原理的に、光フアイバ配設用
溝を、高精度で得ることができるものである。然しなが
ら、上述した製法の場合、第３の光フアイバ配設用溝形
成用パターンの形成されてなるエツチング保護用膜をマ
スクとせる、シリコン単結晶基板に対する面方位選択エ
ツチング処理により、シリコン単結晶基板の主面側に、
光フアイバ配設用溝を形成する工程において、そのエツ
チング保護用膜が酸化膜であるので、そのエツチング保
護用膜が、シリコン単結晶基板に対する面方位選択エツ
チング処理時に用いるＫＯＨ溶液等のエツチヤントによ
つて、無視し得ない量溶去する。

このため、シリコン単結晶基板に対する面方位選択エツ
チング処理時、エツチング保護用膜に形成されている第
３の光フアイバ配設用溝形成用パターンの幅が、時間と
共に幅広になる。従つて、上述した製法において、前述
せるシリコン単結晶基板上にエツチング保護用膜を形成
する工程から、前述せるシリコン単結晶基板に対する面
方位選択エツチング処理によりシリコン単結晶基板に光
フアイバ配設用溝を形成する工程までの工程を、ただ一
回なすだけで、シリコン単結晶基板に、所要深さ（５０
〜５００μｍ）の光フアイバ配設用溝を形成するとすれ
ば、その深さに応じた、許容し得ない大なる幅分、エツ
チング保護用膜に形成されている第３の光フアイバ配設
用溝形成用パターンの幅が、幅広になるものである。

このため、シリコン単結晶基板に最終的に形成される光
フアィバ配設用溝が、エツチング保護用膜に形成されて
いる第３の光フアイバ配設用溝形成用パターンの頭初の
幅より、許容し得ない大なる幅分、大なる幅を有し、且
つ所期の深さより、許容し得ない大なる深さ分、大なる
深さを有するものとして形成されてしまうものである。
然しながら、上述した製法において、前述せるシリコン
単結晶基板上にエツチング保護用膜を形成する工程から
、前述せるシリコン単結晶基板に対する面方位選択エツ
チング処理によりシリコン単結晶基板に光フアイバ配設
用溝を形成する工程までの工程を、数回繰返して、シリ
コン単結晶基板に、所要の深さの光フアイバ配設用溝を
形成するとすれば、各回における、シリコン単結晶基板
に対する面方位エツチング処理時、エツチング保護用膜
に形成されている第３の光フアイバ配設用溝形成用パタ
ーンの幅が、時間と共に幅広になるとしても、その幅広
になる幅分は、各回におけるシリコン単結晶基板に対す
る面方位選択エツチング処理時間が、前述せるシリコン
単結晶基板上にエツチング保護用膜を形成する工程から
、前述せるシリコン単結晶基板に対する面方位選択エツ
チング処理によりシリコン単結晶基板に光フアイバ配設
用溝を形成する工程までの工程を、ただ一回なすだけで
、シリコン単結晶基板に、所要の深さの光フアイバ配設
用溝を形成する場合に比し、短くなるので、許容し得る
幅分にしかならないものである。

このため、シリコン単結晶基板に最終的に形成される光
フアイバ配設用溝が、各回におけるエツチング保護用膜
に形成されている第３の光フアイバ配設用溝形成用パタ
ーンの頭初の幅から許容し得る幅分しか幅広になつてい
ない幅を有し、且つ所期の深さから許容し得る深さ分し
か深くなつていない深さを有するものどして形成される
ものである。従つて、上述した製法によつて、シリコン
単結晶基板に所要深さの光フアイバ配設用溝を形成して
なる光フアイバ接続用基板を得る場合、前述せるシリコ
ン単結晶基板上にエツチング保護用膜を形成する工程か
ら、前述せるシリコン単結晶基板に対する面方位選択エ
ツチング処理によりシリコン単結晶基板に光フアイバ配
設用溝を形成する工程までの工程を、数回繰返を要する
ものである。

このため、上述した製法によつて、目的とせる光フアイ
バ接続用基板を得る場合、多くの時間を要すると共に、
各回において、光フアイバ配設用溝形成用フオトマスク
の位置合せ用帯状パターンと、シリコン単結晶基板の位
置合せ用平面との位置合せを必要とし、そしてそこに誤
差を伴なうので、最終的にシリコン単結晶基板に形成さ
れる光フアイバ配設用溝の精度が低下する、という欠点
を有していた。

又、上述した製法の場合、光フアイバ配設用フオトマス
クを、その位置合せ用帯状パターンと、シリコン単結晶
基板の位置合せ用平面とによる位置合せをなして用いて
、第２の光フアィバ配設用溝形成用パターンを有する光
フアイバ配設用溝形成用エツチング用マスクを得、これ
に基ずき、エツチング保護用膜に、第３の光フアイバ配
設用溝形成用パターンを形成し、そして、その第３の光
フアイバ配設用溝形成用パターンを有するエツチング保
護用膜を用いて、シリコン単結晶基板に、光フアイバ配
設用溝を形成するものである。

ところで、シリコン単結晶基板の位置合せ用平面に、シ
リコン単結晶基板の面方位に対する角度誤差を伴なつて
いることは否めないものである。このため、光フアイバ
配設用フオトマスクの位置合せ用帯状パターンと、シリ
コン単結晶基板の位置合せ用平面とによる位置合せを正
確になしても、エツチング保護用膜に形成される第３の
光フアイバ配設用溝形成用パターンは、シリコン単結晶
基板の面方位に対して、角度誤差を伴なつたものとして
形成されるものである。従つて上述した製法による場合
、光フアイバ配設用フオトマスクの位置合せ用帯状パタ
ーンと、シリコン単結晶基板の位置合せ用平面とによる
位置合せを正確になしても、シリコン単結晶基板に形成
される光フアイバ配設用溝が、エツチング保護用膜に形
成されている第３の光フアイバ配設用溝形成パターンの
幅を以て各部一様に形成されるべきであるにも拘わらず
、その延長方向に繰返して変化する幅を有するものとし
て、形成されるものである。

従つて、上述した製法による場合、光フアイバ配設用溝
を、高精度に、誤差なく、形成するに大なる困難を伴な
う、等の欠点を有していた。

依つて、本発明は、シリコン単結晶基板を用い、そして
、それに対する面方位選択エツチング処理をなすことに
より、そのシリコン単結晶基板に光フアイバ配設用溝を
形成して、目的とせる光フアイバ接続用基板を得る、と
いうものであるが、上述せる欠点なしに、目的とせる所
要の深さを有する光フアイバ配設用溝を形成してなる光
フアイバ接続用基板を得ることのできる、新規な光フア
イバ接続用基板の製法を提案せんとするもので、以下詳
述する所より明らかとなるであろう。第１図〜第１４図
は、本発明による光フアイバ接続用基板の製法の一例を
示し、第１図に示すごとき、側面に位置合せ用平面１を
形成してなる、平らな主面２を有するシリコン単結晶基
板３が予め用意され、然して、そのシリコン単結晶基板
３の主面２上に、第２図に示す如く、窒化膜でなるエツ
チング保護用膜４を形成する。

次に、このエツチング保護用膜４上に、第３図に示す如
く、フオトレジスト膜５（例えばシツプレ一社製ＡＺｌ
３５ＯＪでなる）を塗布して配し、続いて、このフオト
レジスト膜５上に、第４図に示す如く、例えばガラスで
なる透光性基板６上の下側位置に位置合せ用帯状パター
ン７が形成され、且つ透光性基板６の４隅位置に面方位
マーク形成用円形パターン８が形成されてなる面方位マ
ーク形成用フオトマスク９を、その位置合せ用帯状パタ
ーン７と、シリコン単結晶基板３の位置合せ用平面１と
の位置合せをなして密着して配する。

この場合、後述するところより明らかとなるが、面方位
マーク形成用フオトマスク９の面方位マーク形成用円形
パターン８が、字句どおり円形パターンであることは注
意すべきである。次に、このフオトマスク９をマスクと
せる、フオトレジスト膜５に対する、紫外線の露光、続
く現像処理をなし、依つて、第５図に示すごとく、エツ
チング保護用膜４上に、フオトマスク９の面方位マーク
形成用円形パターン８に対応する孔でなる面方位マーク
形成用円形パターン１０を有する、面方位マーク形成用
エツチング用マスク１１を形成する。

次に、この面方位マーク形成用エツチング用マスク１１
をマスクとせる、エツチング保護用膜４に対するエツチ
ング処理をなし、続いて、面方位マーク形成用エツチン
グ用マスク１１を、エツチング保護用膜４上より溶去す
ることにより、第６図に示すごとく、エツチング保護用
膜４に、面方位マーク形成用円形パターン１０に対応す
る孔でなる面方位マーク形成用円形パターン１２を形成
する。

次に、面方位マーク形成用円形パターン１２の形成され
てなるエツチング保護用膜４をマスクとせる、シリコン
単結晶基板３に対する、例えばＫＯＨ溶液によるエツチ
ャントを用いた、面方位選択エツチング処理をなすこと
により、第７図に示すごとく、シリコン単結晶基板３の
主面２側に、面方位マーク形成用円形パターン１２に対
応する、その面方位マーク形成用円形パターン１２に外
接する正方形パターンを有する溝による面方位マーク１
３を形成する。

この場合、エツチング保護用膜４に形成せる面方位マー
ク形成用円形パターン１２が円形パターンであるので、
面方位マーク１３が、正方形パターンを有し、且つその
正方形パターンの各辺が、シリコン単結晶基板３の面方
位と一致しているものとして形成されることは、注意す
べきである。

尚、面方位マーク１３の正方形パターンの各辺が、シリ
コン単結晶基板３の面方位と一致している態様は、シリ
コン単結晶基板３の主面が（１００）面であり、また面
方位マーク１３を形成するときの面方位選択エツチング
処理に、ＫＯＨ溶液によるエツチャントを用いる場合、
面方位マーク１３を構成する溝が、（１１１）面でなる
内面を有するものとして形成されるので、面方位マーク
１３の正方形パターンの各辺が、シリコン単結晶基板３
の（１００）面と、（１１１）面との交線と平行な直線
上に延長している態様を有する。因みに、エツチング保
護用膜４に形成せる面方位マーク形成用円形パターン１
２が、円形パターンでなく、正方形パターンであるとす
れば、その正方形パターンの各辺がシリコン単結晶基板
３の面方位と一致していない限り、面方位マーク１３は
、各辺がシリコン単結晶基板３の面方位と一致している
正方形パターンを有するものとして、形成されないもの
である。次に、エツチング保護用膜４上に、第８図に示
す如く、再び前述せるフオトレジスト膜５と同様のフオ
トレジスト膜１５を塗布して配し、続いて、このフオト
レジスト膜１５上に、第９図に示す如く、例えばガラス
でなる透光性基板１６上の下側位置に位置合せ用帯状パ
ターン１７が形成され、且つ透光性基板１６上の４隅位
置に面方位位置合せ用正方形格子パターン１８が形成さ
れ、更に透光性基板１６上の中央位置に光フアイバ配設
用溝形成用パターン１９が形成されてなる、光フアイバ
配設用溝形成用フオトマスク２０を、その帯状パターン
１７と、シリコン単結晶基板３の位置合せ用平面１とに
よる位置合せ、及び面方位位置合せ用正方形格子パター
ン１８と、シリコン単結晶基板３の主面２側に形成され
た面方位マーク１３とによる面方位位置合せをなして、
密着して配する。

この場合、光フアイバ配設用溝形成用フオトマスク２０
の面方位位置合せ用正方形格子パターン１８と、シリコ
ン単結晶基板３の面方位マーク１３との面方位位置合せ
は、光フアイバ配設用溝形成用パターン１８が正方形格
子パターン（単なる正方形パターンでない）を有するの
で、高精度で、容易になすことができることは注意すべ
きである。

次に、このフオトマスク２０をマスクとせる、フオトレ
ジスタ膜１５に対する紫外線の露光、続く現像処理をな
し、依つて、第１０図に示す如く、エツチング保護用膜
４上に、光フアイバ配設用溝形成用パターン１９に対応
する孔でなる光フアイバ配設用溝形成用パターン２１を
有する光フアイバ配設用溝形成用エツチング用マスク２
２を形成する。

尚、この場合、マスク２２には、フオトマスク２０の面
方位位置合せ用正方形格子パターン１８に対応するパタ
ーン２３が形成されるものである。次に、この光フアイ
バ配設用溝形成用エツチング用マスク２２をマスクとせ
る、エツチング保護用膜４に対する、エツチング処理を
なし、続いて、光フアイバ配設用溝形成用エツチング用
マスク２２を、エツチング保護用膜４上より溶去するこ
とにより、第１１図に示す如く、エツチング保護用膜４
に、光フアイバ配設用溝形成用パターン２１に対応する
孔でなる光フアイバ配設用溝形成用パターン２４を形成
する。

次に、光フアイバ配設用溝形成用パターン２４の形成さ
れてなるエツチング保護用膜４をマスクとせる、シリコ
ン単結晶基板３に対する、例えばＫＯＨ溶液によるエツ
チャントを用いた、面方位選択エツチング処理をなすこ
とにより、第１２図に示す如く、シリコン単結晶基板３
の主面２側に、光フアイバ配設用溝形成用パターン２４
に対応するパターンを有する光フアイバ配設用溝２５を
形成する。

尚、この場合、シリコン単結晶基板３の主面２側には、
光フアイバ配設用溝形成用パターン２４に対応するパタ
ーン２６が形成されるものである。次に、斯く光フアイ
バ配設用溝２５の形成されてなるシリコン単結晶基板３
を、これよりその光フアイバ配設用溝２５の形成されて
なる領域を切出すべく、第１３図にて鎖線図示の切断線
２７に沿つて切断し、斯くて、第１４図に示す如く、目
的とせる、シリコン単結晶基板３の主面２側に光フアイ
バ配設用溝２５を形成してなる、光フアイバ接続用基板
を得る。

以上が、本発明による光フアイバ接続用基板の製法の一
例であるが、斯る製法によれば、光フアイバ配設用溝形
成用パターン２４の形成されてなるエツチング保護用膜
４をマスクとせる、シリコン単結晶基板３に対する、面
方位選択エツチング処理により、シリコン単結晶基板３
の主面２側に、光フアイバ配設用溝２５を形成する工程
において、そのエツチング保護用膜４が、窒化膜である
ので、そのエツチング保護用膜４が、シリコン単結晶基
板３に対する面方位選択エツチング処理時に用いるＫＯ
Ｈ溶液等のエツチヤントによつて、実質的に溶去しない
。

このため、シリコン単結晶基板３に対する面方位選択エ
ツチング処理時、エツチング保護用膜４に形成されてい
る光フアイバ配設用溝形成用パターン２４の幅が、冒頭
で上述した従来の製法の場合のように時間と共に幅広に
なることが実質的にない。従つて、本発明による製法に
よれば、第８図にて上述せる工程から、第１２図にて上
述せる工程までの一回の工程だけで、シリコン単結晶基
板に、所要の深さ（５０〜５００μｍ）の光フアイバ配
設用溝を形成しても、その光フアイバ配設用溝が、エツ
チング保護用膜４に形成されている光フアイバ配設用溝
形成用パターン２４の幅と実質的に等しい幅を有し、且
つ所期の深さを有するものとして形成されるものである
。

従つて、本発明による製法によれば、シリコン単結晶基
板３に、所要の深さ（５０〜５００μｍ）の光フアイバ
配設用溝２５を得るにつき、第８図にて上述せる工程か
ら、第１２図にて上述せる工程までのただ一回の工程で
済み、この為、目的とせる光フアイバ接続用基板を、多
くの時間を要することなしに得ることができると共に、
光フアイバ配設用溝を、高精度で得ることが出来るもの
である。

又、本発明の製法によれば、光フアイバ配設用溝形成用
フオトマスク２０を、その位置合せ用帯状パターン１７
と、シリコン単結晶基板３の位置合せ用平面１とによる
位置合せ、及び面方位位置合せ用正方形格子パターンと
、シリコン単結晶基板３の主面２側に予め形成された正
方形パターンを有する溝による面方位マーク１３とによ
る面方位位置合せをなして用いて、光フアイバ配設用溝
形成用パターン１９を有する光フアイバ配設用溝形成用
エツチング用マスク２２を得、これに基ずき、エツチン
グ保護用膜４に、光フアイバ配設用溝形成用パターン２
４を形成し、そして、その光フアイバ配設用溝形成用パ
ターン２４を有するエツチング保護用膜４を用いて、シ
リコン単結晶基板３に、光フアイバ配設用溝２５を形成
する様になされている。

ところで、シリコン単結晶基板に予め形成された面方位
マーク１３は、正方形パターンを有し、そして、その正
方形パターンの各辺は、シリコン単結晶基板３の面方位
と一致しているものである。

例えばシリコン単結晶基板３の主面が（１００）面であ
り、また、面方位マーク１３を形成するときの面方位選
択エツチング処理にＫＯＨ溶液によるエツチヤントを用
いた場合、シリコン単結晶基板３に形成された面方位マ
ーク１３を構成せる溝が、（１１１）面でなる内面を有
するものとして形成されているので、面方位マーク１３
の正方形パターンの各辺は、シリコン単結晶基板３の（
１００）面と、（１１１）面との交線と平行な直線上に
延長している態様で、シリコン単結晶基板３の面方位と
一致しているものである。このため、光フアイバ配設用
溝形成用フオトマスク２０を、その位置合せ用帯状パタ
ーン１７と、シリコン単結晶基板３の位置合せ用平面１
とによる位置合せ、及び面方位位置合せ用正方形格子パ
ターンと、シリコン単結晶基板３の主面２側に予め形成
された正方形パターンを有する溝による面方位マーク１
３とによる面方位位置合せをなして用いるとき、光フア
イバ配設用溝形成用フオトマスク２０の面方位位置合せ
用正方形格子パターンの水平（又は垂直）方向に延長し
ている直線と、シリコン単結晶基板３に形成されている
面方位マーク１３の正方形パターンの水平（又は垂直）
方向に延長している辺とが互に平行になる関係を保つて
、光フアイバ配設用溝形成用フオトマスク２０の位置合
せ用帯状パターン１７と、シリコン単結晶基板３の位置
合せ用平面１とによる位置合せをなせば、そのとき、シ
リコン単結晶基板３の位置合せ用平面１に、シリコン単
結晶基板１の面方位に対する角度誤差を伴なつているこ
とのために、光フアィバ配設用溝形成用フオトマスクの
位置合せ用帯状パターン１７と、シリコン単結晶基板３
の位置合せ用平面１との間に角度誤差が残つたとしても
、エツチング用膜に形成される光フアイバ配設用溝形成
用パターン２４は、シリコン単結晶基板３の面方位に対
して、角度誤差を伴なつていない、シリコン単結晶基板
３の面方位と一致しているものとして形成されるもので
ある。

従つて、本発明の製法によれば、たとえ、シリコン単結
晶基板３の位置合せ用平面１に、シリコン単結晶基板３
の面方位に対する角度誤差を伴なつていても、光フアイ
バ配設用溝を、高精度に、誤差なく、容易に、形成し得
る等の大なる特徴を有するものである。尚、上述におい
て、図では、シリコン単結晶基板３に、光フアイバ配設
用溝２５を、第１４図に示す如く、光フアイバ素線部（
その線径例えば１００ｔｔｍ程度）を配設する為の部３
１と、光フアィバ心線部（その線径例えば７００μｍ程
度）を配設する為の部３２とよりなるものとして得、又
、その光フアイバ配設用溝２５の光フアイバ配設用溝２
５と同時に、ガイドロツド（ロツド径例えば１０００１
ｔｍ）を配線する為のガイドロツド配線用溝２５′を形
成する場合につき示したものであるが、詳細説明は省略
するが、光フアイバ配設用溝２５を、第１５図に示す如
く、光フアイバ素線部を配設する為の部３１と、光フア
イバ心線部を配設する為の一対の部３２及び３２７とよ
りなるものとして、シリコン単結晶基板３に得る様にな
す場合にも、本発明を適用し得るものである。

又、上述においては、シリコン単結晶基板３より、１つ
の光フアイバ接続用基板を得る場合につき述べたが、複
数の光フアイバ接続用基板を、同時的に得る様になすこ
ともでき、その他、本発明の精神を脱することなしに、
種々の変型、変更をなし得るであろう。

【図面の簡単な説明】

第１図Ａ及びＢ〜第１３図Ａ及びＢは、本発明による光
フアイバ接続用基板の製法の一例を示す順次の工程にお
ける路線的平面図及びそのＢ−Ｂ線上の断面図である。第１４図は、第１図Ａ及びＢ〜第１３図Ａ及びＢに示す
順次の工程を経て得られた光フアイバ接続用基板の一例
を示す路線的斜視図である。第１５図は第１図Ａ及びＢ
〜第１３図Ａ及びＢに示す順次の工程に準じた工程を経
て得られる光フアイバ接続用基板の他の例を示す路線的
斜視図である。１・・・・・・位置合せ用平面、２・・
・・・・主面、３・・・・・・シリコン単結晶基板、４
・・・・・・エツチング保護用膜、５・・・１５・・・
・・・フオトレジスト膜、６，１６・・・・・・透光性
基板、７，１７・・・・・・位置合せ用帯状パターン、
８，１０，１２・・・・・・面方位マーク形成用円形パ
ターン、９・・・・・・面方位マーク形成用フオトマス
ク、１１・・・・・・面方位マーク形成用エツチング用
マスク、１３・・・・・・面方位マーク、１８・・・・
・・面方位位置合せ用正方形格子パターン、１９，２１
，２４・・・・・・光フアイバ配設用溝形成用パターン
、２０・・・・・・光フアイバ配設用溝形成用フオトマ
スク、２２・・・・・・光フアイバ配設用溝形成用エツ
チング用マスク、２５・・・・・・光フアイバ配設用溝
。

Claims

【特許請求の範囲】

１予め用意された、側面に位置合せ用平面を形成して
なるシリコン単結晶基板の主面上に、窒化膜でなるエッ
チング保護用膜を形成する工程と、上記エッチング保護
用膜上に、第１の位置合せ用帯状パターンと、第１の面
方位マーク形成用円形パターンとを有する面方位マーク
形成用フォトマスクを、その第１の位置合せ用帯状パタ
ーンと、上記シリコン単結晶基板の位置合せ用平面とに
よる位置合せをなして用いて、上記第１の面方位マーク
形成用円形パターンに対応する第２の面方位マーク形成
用円形パターンを有する、面方位マーク形成用エッチン
グ用マスクを形成する工程と、上記面方位マーク形成用
エッチング用マスクをマスクとせる、上記エッチング保
護用膜に対するエッチング処理により、当該エッチング
保護用膜に、上記第２の面方位マーク形成用円形パター
ンに対応する第３の面方位マーク形成用円形パターンを
形成する工程と、上記第３の面方位マーク形成用円形パ
ターンの形成されてなるエッチング保護用膜をマスクと
せる、上記シリコン単結晶基板に対する面方位選択エッ
チング処理により、当該シリコン単結晶基板の主面側に
、上記第３の面方位マーク形成用円形パターンに対応す
る正方形パターンを有する溝による面方位マークを形成
する工程と、上記エッチング保護用膜上に、第２の位置
合せ用帯状パターンと、面方位位置合せ用正方形格子パ
ターンと、第１の光ファイバ配設用溝形成パターンとを
有する光ファイバ配設用溝形成用フォトマスクを、その
第２の位置合せ用帯状パターンと、上記シリコン単結晶
基板の位置合せ用平面とによる位置合せ、及び上記面方
位位置合せ用正方形格子パターンと、上記シリコン単結
晶基板の主面側に形成された面方位マークとによる位置
合せをなして用いて、上記第１の光ファイバ配設用溝形
成用パターンに対応する第２の光ファイバ配設用溝形成
用パターンを有する、光ファイバ配設用溝形成用エッチ
ング用マスクを形成する工程と、該光ファイバ配設用溝
形成用エッチング用マスクをマスクとせる、上記エッチ
ング保護用膜に対するエッチング処理により、当該エッ
チング保護用膜に、上記第２の光ファイバ配設用溝形成
用パターンに対応せる第３の光ファイバ配設用溝形成用
パターンを形成する工程と、上記第３の光ファイバ配設
用溝形成用パターンの形成されてなるエッチング保護用
膜をマスクとせる、上記シリコン単結晶基板に対する面
方位選択エッチング処理により、当該シリコン単結晶基
板の主面側に、上記第３の光ファイバ配設用溝形成用パ
ターンに対応するパターンを有する光ファイバ配設用溝
を形成する工程とを含む事を特徴とする光ファイバ接続
用基板の製法。