JPS598066B2 - 半導体装置用スタツドベ−スの製造方法 - Google Patents
半導体装置用スタツドベ−スの製造方法Info
- Publication number
- JPS598066B2 JPS598066B2 JP11412778A JP11412778A JPS598066B2 JP S598066 B2 JPS598066 B2 JP S598066B2 JP 11412778 A JP11412778 A JP 11412778A JP 11412778 A JP11412778 A JP 11412778A JP S598066 B2 JPS598066 B2 JP S598066B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- stud
- metal layer
- bulge
- base
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 22
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 17
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 13
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 claims description 9
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 230000032683 aging Effects 0.000 claims description 3
- 238000005219 brazing Methods 0.000 claims description 3
- XTYUEDCPRIMJNG-UHFFFAOYSA-N copper zirconium Chemical compound [Cu].[Zr] XTYUEDCPRIMJNG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000008188 pellet Substances 0.000 claims description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Forging (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置用スタッドベースの製造方法の改良
に関するものである。
に関するものである。
一般に半導体装置用ベースは導電性のよい下部金属層と
溶接性のよい上部金属層とから成る複合金属の加工材料
を用意し、この加工材料を押出成型により半導体ペレッ
トをマウントすべき膨出部を上面に形成すると同時にベ
ースを取付板に取付けるため後にねじが形成されるべき
スタッドとを形成することにより製造されていた。
溶接性のよい上部金属層とから成る複合金属の加工材料
を用意し、この加工材料を押出成型により半導体ペレッ
トをマウントすべき膨出部を上面に形成すると同時にベ
ースを取付板に取付けるため後にねじが形成されるべき
スタッドとを形成することにより製造されていた。
膨出部は下部金属層が露呈するように上面が切取られた
後モリブデン板がろう付けされ、半導体ペレットはこの
モリブデン板の上にマウントされる。しかし、この従来
技術の欠点は、モリブデン板のろう付けの際に押出成型
により加工硬化されているスタッドがろうの加熱によつ
てなまされるのでスタッドが脆弱化しねじの締付トルク
が小さく、スタッドを無理に締付けると破損する虞れが
あつたことである。本発明の目的は、スタッドの締付ト
ルクを大きくすることができる半導体装置用スタッドベ
ースの製造方法を提供することにある。
後モリブデン板がろう付けされ、半導体ペレットはこの
モリブデン板の上にマウントされる。しかし、この従来
技術の欠点は、モリブデン板のろう付けの際に押出成型
により加工硬化されているスタッドがろうの加熱によつ
てなまされるのでスタッドが脆弱化しねじの締付トルク
が小さく、スタッドを無理に締付けると破損する虞れが
あつたことである。本発明の目的は、スタッドの締付ト
ルクを大きくすることができる半導体装置用スタッドベ
ースの製造方法を提供することにある。
本発明の実施例を図面を参照して詳細に説明すると、第
１図乃至第５図は本発明の製造方法を工程順に示す。
１図乃至第５図は本発明の製造方法を工程順に示す。
先ず、第１図に示すように、銅、ジルコニウム銅の如き
導電性のよい厚肉の下部金属層１２とニッケル、キユプ
ロニツケルの如き溶接性のよい薄肉の上部金属層１４と
から成る複合金属の加工材料１０を用意する。この加工
材料は複合金属板を円板状に打抜いて形成される。複合
金属板は下部金属層１２に上部金属層１４を銀ろう付け
したものが、これらの金属層１２、１４をクラッド結合
したクラッド板のいずれでもよい。次にこの加工材料は
、第２図に示すように、上面に膨出部１６を形成するよ
うに後方押出成型機により押出成型される。尚、この際
材料の外周は多角形に成型され、また膨出部のまわりの
上面にはシェルをプロジェクション溶接するのに用いら
・れる環状突起ＩＴが形成される。その後この加工材料
は第３図に示すように、膨出部１６の上面に下部金属層
１２が露呈するように、第２図の点線ａで示す位置で膨
出部を水平に切取る。次いで、この下部金属層１２が露
呈した膨出部１６の上面にモリブデン板１８を銀ろう付
けし（第４図）、エージング処理する。
導電性のよい厚肉の下部金属層１２とニッケル、キユプ
ロニツケルの如き溶接性のよい薄肉の上部金属層１４と
から成る複合金属の加工材料１０を用意する。この加工
材料は複合金属板を円板状に打抜いて形成される。複合
金属板は下部金属層１２に上部金属層１４を銀ろう付け
したものが、これらの金属層１２、１４をクラッド結合
したクラッド板のいずれでもよい。次にこの加工材料は
、第２図に示すように、上面に膨出部１６を形成するよ
うに後方押出成型機により押出成型される。尚、この際
材料の外周は多角形に成型され、また膨出部のまわりの
上面にはシェルをプロジェクション溶接するのに用いら
・れる環状突起ＩＴが形成される。その後この加工材料
は第３図に示すように、膨出部１６の上面に下部金属層
１２が露呈するように、第２図の点線ａで示す位置で膨
出部を水平に切取る。次いで、この下部金属層１２が露
呈した膨出部１６の上面にモリブデン板１８を銀ろう付
けし（第４図）、エージング処理する。
このエージング処理は下部金属層がジルコニウム銅で上
部金属層がキユプロニツケルである場合４００℃〜５０
０℃で１時間以上行われる。最後に、この加工材料は第
５図に示すように、その下面にスタツド２０を形成する
ために後方押出により成型される。
部金属層がキユプロニツケルである場合４００℃〜５０
０℃で１時間以上行われる。最後に、この加工材料は第
５図に示すように、その下面にスタツド２０を形成する
ために後方押出により成型される。
後方押出成型機２２の一例が第６図に示してある。この
成型機は、膨出部１６が挿入される孔２４ａを有する下
型２４とスタツド２０を押出すべき型孔２６ａを有する
上型１２６とから成つており、下型２４は図示しない基
台上に設けられたホルダー２８に保持され、上型２６は
図示しないプレスラムに取付けられている。尚、上型２
６の上方にはホルダー２８に囲まれて加工材料１０が入
る角形孔２８ａを有する。この成型機２２内に材料を図
示のように挿入し、ラムを衝撃的に下降すると、スタツ
ド２０は上型２６の型孔２６ａ内に材料の一部が流入し
て形成される（第６図点線参照）。モリブデン板１８は
下型の孔２４ａ内に下向きに挿入されているのでこの乏
スタツド押出時の衝撃で破壊を受けることがない。この
スタツド２０は後にねじ転造によりねじが刻設される。
このスタツド２０はその成型時に加工硬化されるのでモ
リブデン板１８のろう付け時になまされても再び硬化状
態となる。従つて、このスタツド２０のねじ締付トルク
は著しく大きくなる。実験によると、従来技術のスタツ
ドベースではスタツドの許容締付トルクは４０ｋ９と小
さかつたが、本発明によるスタツドベースでは８０ｋｇ
と大きくすることができた。
成型機は、膨出部１６が挿入される孔２４ａを有する下
型２４とスタツド２０を押出すべき型孔２６ａを有する
上型１２６とから成つており、下型２４は図示しない基
台上に設けられたホルダー２８に保持され、上型２６は
図示しないプレスラムに取付けられている。尚、上型２
６の上方にはホルダー２８に囲まれて加工材料１０が入
る角形孔２８ａを有する。この成型機２２内に材料を図
示のように挿入し、ラムを衝撃的に下降すると、スタツ
ド２０は上型２６の型孔２６ａ内に材料の一部が流入し
て形成される（第６図点線参照）。モリブデン板１８は
下型の孔２４ａ内に下向きに挿入されているのでこの乏
スタツド押出時の衝撃で破壊を受けることがない。この
スタツド２０は後にねじ転造によりねじが刻設される。
このスタツド２０はその成型時に加工硬化されるのでモ
リブデン板１８のろう付け時になまされても再び硬化状
態となる。従つて、このスタツド２０のねじ締付トルク
は著しく大きくなる。実験によると、従来技術のスタツ
ドベースではスタツドの許容締付トルクは４０ｋ９と小
さかつたが、本発明によるスタツドベースでは８０ｋｇ
と大きくすることができた。
これは、従来技術ではスタツド形成後にモリブデン板の
ろう付けをしているため加工硬化されたスタツド材料が
モリブデン板のろう付け時の熱でなまされるが、本発明
ではモリブデン板のろう付け後にスタツドを成型してい
るのでスタツド材料はその成型時に加工硬化されたまま
であるためである。本発明によれば、上記のように、ス
タツドの許容締付トルクが著しく大きくなるので特に大
容量半導体装置用ベースとして好適であり、またこのス
タツドは後方押出により形成するのでモリブデン板には
成型時の衝撃が加わることがなく、破損を生ずることが
ない。
ろう付けをしているため加工硬化されたスタツド材料が
モリブデン板のろう付け時の熱でなまされるが、本発明
ではモリブデン板のろう付け後にスタツドを成型してい
るのでスタツド材料はその成型時に加工硬化されたまま
であるためである。本発明によれば、上記のように、ス
タツドの許容締付トルクが著しく大きくなるので特に大
容量半導体装置用ベースとして好適であり、またこのス
タツドは後方押出により形成するのでモリブデン板には
成型時の衝撃が加わることがなく、破損を生ずることが
ない。
第１図乃至第５図は本発明のスタツドベースの製造方法
を工程順に示す材料の垂直断面図、第６図はスタツドを
後方押出するための後方押出成型機の一部の垂直断面図
である。 １０・・・・・・加工材料、１２・・・・・・下部金属
層、１４・・・・・・上部金属層、１６・・・・・・膨
出部、１８・・・・・・モリブデン板、２０・・・・・
・スタツド、２２・・・・・・後方押出成型機。
を工程順に示す材料の垂直断面図、第６図はスタツドを
後方押出するための後方押出成型機の一部の垂直断面図
である。 １０・・・・・・加工材料、１２・・・・・・下部金属
層、１４・・・・・・上部金属層、１６・・・・・・膨
出部、１８・・・・・・モリブデン板、２０・・・・・
・スタツド、２２・・・・・・後方押出成型機。
Claims (1)
- １ 銅、ジルコニウム銅の如き導電性のよい下部金属層
とニッケル、キユプロニツケルの如き溶接性のよい上部
金属層とから成る複合金属の加工材料を用意し、前記加
工材料を押出成型してベース本体を形成し、前記ベース
本体は上面に半導体ペレットをマウントすべきモリブデ
ン板がろう付けされた膨出部を有し、下面にベースを取
付板に取付けるべきねじスタッドを有する半導体装置用
スタッドベースの製造方法において、前記加工材料の上
面に前記膨出部を後方押出成型により形成する工程と、
前記膨出部の上面に前記下部金属層が露呈するように前
記膨出部の上面を切取る工程と、前記膨出部の下部金属
層の露呈面に前記モリブデン板をろう付けしエージング
する工程と、次いで前記加工材料の下面に前記ねじスタ
ッドを後方押出成型により形成する工程とを備えたこと
を特徴とする半導体装置用スタッドベースの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11412778A JPS598066B2 (ja) | 1978-09-19 | 1978-09-19 | 半導体装置用スタツドベ−スの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11412778A JPS598066B2 (ja) | 1978-09-19 | 1978-09-19 | 半導体装置用スタツドベ−スの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5541720A JPS5541720A (en) | 1980-03-24 |
| JPS598066B2 true JPS598066B2 (ja) | 1984-02-22 |
Family
ID=14629805
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11412778A Expired JPS598066B2 (ja) | 1978-09-19 | 1978-09-19 | 半導体装置用スタツドベ−スの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS598066B2 (ja) |
-
1978
- 1978-09-19 JP JP11412778A patent/JPS598066B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5541720A (en) | 1980-03-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE4321053C2 (de) | Druckkontaktierte Halbleitervorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer druckkontaktierten Halbleitervorrichtung | |
| US3803892A (en) | Method of producing spark plug center electrode | |
| GB1571173A (en) | Stamped lead frame for semiconductor packages | |
| US3197843A (en) | Method of forming a mount for semiconductors | |
| ATE43458T1 (de) | Verfahren zum herstellen eines vollstaendig an die stabilisierende huelle geloeteten supraleiters und nach diesem verfahren hergestellte leiter. | |
| JPS598066B2 (ja) | 半導体装置用スタツドベ−スの製造方法 | |
| US3893325A (en) | Process for manufacturing a base for a semiconductor device | |
| US4192063A (en) | Method for manufacturing a base of a semi-conductor device | |
| JPH0145228B2 (ja) | ||
| GB1377653A (en) | Method for producing the base of a semi-conductor device | |
| JPS5812735B2 (ja) | 固体整流器等のマウントの成形方法 | |
| JP2798478B2 (ja) | 接続導体及びその製造方法 | |
| JPH0526744Y2 (ja) | ||
| US4124935A (en) | Method for manufacturing a base of a pressure mount type semiconductor device | |
| JP3317029B2 (ja) | ケースの加工方法 | |
| JPH0311719A (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JPS609661B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS604378Y2 (ja) | 端子 | |
| JPS62119946A (ja) | ヒ−トシンクの製造方法 | |
| JPS60189956A (ja) | 半導体装置用リ−ドフレ−ムの製造方法 | |
| JPH04333267A (ja) | 表面実装半導体装置の製造方法 | |
| JPH07297336A (ja) | リードフレームの製造方法 | |
| DE2156412C3 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Trägers für ein Halbleiterbauelement | |
| JP3196857B2 (ja) | プラグチップの加工方法 | |
| JP2538394B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 |