JPS598901B2 - 磁気バブル拡大転送パタ−ン - Google Patents
磁気バブル拡大転送パタ−ンInfo
- Publication number
- JPS598901B2 JPS598901B2 JP2904577A JP2904577A JPS598901B2 JP S598901 B2 JPS598901 B2 JP S598901B2 JP 2904577 A JP2904577 A JP 2904577A JP 2904577 A JP2904577 A JP 2904577A JP S598901 B2 JPS598901 B2 JP S598901B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- magnetic
- magnetic bubble
- transfer pattern
- magnetic field
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、円筒状磁気などと称される磁気バブルを検出
器パターンの前段において拡大転送するための改良され
た磁気バブル拡大転送パターンに関する。
器パターンの前段において拡大転送するための改良され
た磁気バブル拡大転送パターンに関する。
一軸磁気異方性を有するガーネットまたはオルソフェラ
イト等の磁性薄板面に垂直に適当な大きさのバイアス磁
界を印加すると磁気バブルが発生する。
イト等の磁性薄板面に垂直に適当な大きさのバイアス磁
界を印加すると磁気バブルが発生する。
この磁気バブルを利用して情報の蓄積、論理演算等を行
う磁気バブル利用装置は、不揮発性であること、非機械
的であること、記憶密度力此較的高いこと、大容量化が
可能であること、比較的高速であること等の理由からそ
の実用化が急速に進められている。このような磁気バブ
ル利用装置においては、磁気バブルの発生、転送、分割
、拡大、検出、消去等の各種機能が必要とされる。本発
明は、これらの機能部のうち特に磁気バブルを磁気バブ
ル検出器の前段において拡大するための磁気バブルに拡
大転送パターンにかかるものである。磁気バブルを駆動
するには、回転磁界と磁気バブルチップ面に形成された
パーマロイ等の軟磁性パターンを利用する方法が一般的
である。
う磁気バブル利用装置は、不揮発性であること、非機械
的であること、記憶密度力此較的高いこと、大容量化が
可能であること、比較的高速であること等の理由からそ
の実用化が急速に進められている。このような磁気バブ
ル利用装置においては、磁気バブルの発生、転送、分割
、拡大、検出、消去等の各種機能が必要とされる。本発
明は、これらの機能部のうち特に磁気バブルを磁気バブ
ル検出器の前段において拡大するための磁気バブルに拡
大転送パターンにかかるものである。磁気バブルを駆動
するには、回転磁界と磁気バブルチップ面に形成された
パーマロイ等の軟磁性パターンを利用する方法が一般的
である。
これは・磁気バブルが存在可能な結晶に、その面上に蒸
着やスパッタリング等の方法で例えばTパーパーマロイ
パターン、シエブロンパーマロイパターンを形成し、外
部より結晶面内方向に回転磁界を印加する方法である。
回転磁界は直交して配置されたxコイル、Yコイルの夫
々に位相が90度異なる正弦波電流、三角波電流、台形
波電流等を流すことによつて得られる。この回転磁界の
回転に従つて磁気バブルは上記パーマロイパターンに沿
つて伝般レ回転磁界が静止すれば磁気バブルもそれに対
応した場所に静止する。上述のように磁気バブル転送パ
ターンとしてTバーパターンあるぃはシェプロンパター
ン等が一般によく用いられるが、これらのパターンを結
晶上に形成する際それらのパターン相互の間隙(以下パ
ターンギャップと称する)は磁気バブル径の約l/3と
小さく、パターン作成上の制約が大き〜 ・o例えば磁
気バブル径を3〔μm〕とするとパターンギャップは約
l〔μm〕に設定せねばならず、この値は現在のフォト
リソグラフィ技術の限界に近い。
着やスパッタリング等の方法で例えばTパーパーマロイ
パターン、シエブロンパーマロイパターンを形成し、外
部より結晶面内方向に回転磁界を印加する方法である。
回転磁界は直交して配置されたxコイル、Yコイルの夫
々に位相が90度異なる正弦波電流、三角波電流、台形
波電流等を流すことによつて得られる。この回転磁界の
回転に従つて磁気バブルは上記パーマロイパターンに沿
つて伝般レ回転磁界が静止すれば磁気バブルもそれに対
応した場所に静止する。上述のように磁気バブル転送パ
ターンとしてTバーパターンあるぃはシェプロンパター
ン等が一般によく用いられるが、これらのパターンを結
晶上に形成する際それらのパターン相互の間隙(以下パ
ターンギャップと称する)は磁気バブル径の約l/3と
小さく、パターン作成上の制約が大き〜 ・o例えば磁
気バブル径を3〔μm〕とするとパターンギャップは約
l〔μm〕に設定せねばならず、この値は現在のフォト
リソグラフィ技術の限界に近い。
従つて本発明の目的は、パターンギヤツプを大きくとれ
る従つてパターン形成の容易な磁気バブル拡大転送パタ
ーンを得ることにある。また本発明の他の目的匡最小駆
動磁界が低く且つ動作マージンの十分広い磁気バブル拡
大転送パターンを実現することにある。本発明の目的は
、従来より知られているシエプロンパターンの端部}よ
び中間部に突起を付加してなる変形シエブロンパターン
を磁気バブル転送方向に対して垂直に複数段重積してな
る磁気バブル拡大転送パターンとすることによつて達成
することが出来る。
る従つてパターン形成の容易な磁気バブル拡大転送パタ
ーンを得ることにある。また本発明の他の目的匡最小駆
動磁界が低く且つ動作マージンの十分広い磁気バブル拡
大転送パターンを実現することにある。本発明の目的は
、従来より知られているシエプロンパターンの端部}よ
び中間部に突起を付加してなる変形シエブロンパターン
を磁気バブル転送方向に対して垂直に複数段重積してな
る磁気バブル拡大転送パターンとすることによつて達成
することが出来る。
以下、本発明を図面を用いて詳述する。
第1図は、本発明にかかる拡大転送パターンを示レ図中
Pは、磁気バブル結晶上に蒸着等により形成されたパー
マロイ等の軟磁性体からなる変形シエプロンパターンで
ある。
Pは、磁気バブル結晶上に蒸着等により形成されたパー
マロイ等の軟磁性体からなる変形シエプロンパターンで
ある。
本発明の拡大転送パターンは、図に示すように変形シエ
プロンパターンPを、磁気バブル転送方向に対して垂直
に複数段積重ねて構成さ瓢例えば磁気バブル検出パター
ンの前段に配置される。
プロンパターンPを、磁気バブル転送方向に対して垂直
に複数段積重ねて構成さ瓢例えば磁気バブル検出パター
ンの前段に配置される。
尚、図に示された数字を瓜磁気バブル径に対するパター
ン寸法比を表わしている。第2図ぱ、本発明と従来の拡
大転送パターンの動作マージンを比較するための動作マ
ージン特性曲線図である。
ン寸法比を表わしている。第2図ぱ、本発明と従来の拡
大転送パターンの動作マージンを比較するための動作マ
ージン特性曲線図である。
図に3いて、横軸は駆動磁界を、縦軸はバイアス磁界を
示し、図中の曲線は磁気バブルを結晶として(YEuY
bCa)3(FeGe)5012を用い直径3〔μ〕の
磁気バルブを測定駆動周波数300〔KHZ〕で動作さ
せたときの各パターンに}ける動作マージン特性をプロ
ツトしたものである。
示し、図中の曲線は磁気バブルを結晶として(YEuY
bCa)3(FeGe)5012を用い直径3〔μ〕の
磁気バルブを測定駆動周波数300〔KHZ〕で動作さ
せたときの各パターンに}ける動作マージン特性をプロ
ツトしたものである。
図の曲線aは、磁気バブル径の1/3のパターンギヤッ
プすなわちl〔μ〕のパターンギヤツプを有する従来の
シエプロンパターンからなる拡大転送パターンの動作マ
ージン特性曲線である。同曲線b&ム磁気パプル径の2
/3のパターンギヤツプすなわち2〔μ〕のパターンギ
ヤツプを有する従来のシエプロンパターンからなる拡大
転送パターンの動作マージン特性曲線である。曲線A9
bを比較してわかるように従来のシエプロンパターンで
は、パターンギヤツプを倍にするとその動作マージンは
曲線bで示すように著しく減少する。ところが本発明に
かかる第1図に示す拡大転送パターンを1、パターンギ
ヤツプを従来のシエプロンパターンの倍に設定しても動
作マージンは曲線cで示すように減少せず、むしろ増大
してぃることがわかる。更に本発明の拡大転送パターン
の特徴は図からも観察出来るように低駆動磁界のもとに
νいても十分な動作マージンを有していることである。
最小駆動磁界が低いということは、電力消費の削減・発
熱量の減少、駆動回路の設計が容易等の種々の実用上の
効果が期特出来る。このように低駆動磁界のもとに}い
て良好な本発明の拡大転送パターンは、低駆動磁界のも
とで磁気バブルの保持力が弱まる。
プすなわちl〔μ〕のパターンギヤツプを有する従来の
シエプロンパターンからなる拡大転送パターンの動作マ
ージン特性曲線である。同曲線b&ム磁気パプル径の2
/3のパターンギヤツプすなわち2〔μ〕のパターンギ
ヤツプを有する従来のシエプロンパターンからなる拡大
転送パターンの動作マージン特性曲線である。曲線A9
bを比較してわかるように従来のシエプロンパターンで
は、パターンギヤツプを倍にするとその動作マージンは
曲線bで示すように著しく減少する。ところが本発明に
かかる第1図に示す拡大転送パターンを1、パターンギ
ヤツプを従来のシエプロンパターンの倍に設定しても動
作マージンは曲線cで示すように減少せず、むしろ増大
してぃることがわかる。更に本発明の拡大転送パターン
の特徴は図からも観察出来るように低駆動磁界のもとに
νいても十分な動作マージンを有していることである。
最小駆動磁界が低いということは、電力消費の削減・発
熱量の減少、駆動回路の設計が容易等の種々の実用上の
効果が期特出来る。このように低駆動磁界のもとに}い
て良好な本発明の拡大転送パターンは、低駆動磁界のも
とで磁気バブルの保持力が弱まる。
例えばパターン中央部及び端部相互間の吸引磁力を第1
図に示すように突起の付加により増大させた結果として
良好な特性が得られたものと考えられる。第3図A,b
は従来のシエプロンパターンと本発明の変形シエプロン
パターンからなる各拡大転送パターンに}ける磁気バプ
ルの伸縮に関するポテンシャルウエルを比較説明するた
めの図である。
図に示すように突起の付加により増大させた結果として
良好な特性が得られたものと考えられる。第3図A,b
は従来のシエプロンパターンと本発明の変形シエプロン
パターンからなる各拡大転送パターンに}ける磁気バプ
ルの伸縮に関するポテンシャルウエルを比較説明するた
めの図である。
図に}いて、各図の横軸は駆動磁界位相を、縦軸はバイ
アス磁界を示す。また各図中アは磁気バルブが収縮して
しまう領域を、同イは磁気バルプが収縮、伸長せずに安
定に保持される領域を、同ウは磁気バルブが伸長してし
まう領域を示している。パーマロイパターン下に}いて
転送される磁気バプルは、シエプロンパターンの中央部
及び端部すなわち駆動磁界位相角が00180部にある
とき縮みやすく、伸びにく〜・。特に従来のシエプロン
パターンでは図aで示すようにこの傾向が著しく、従つ
て磁気バブルが安定に転送される領域イは非常に狭い。
これに対して同図bで示す本発明による変形シエプロン
パターンは、全ての駆動磁界位相角に訃いて磁気バブル
が縮みにくくなつている。従つて本発明の変形シエプロ
ンパターンは、磁気バプルが駆動磁界一周期中で大きく
伸び縮みしながら転送される傾向にある従来のシエプロ
ンパターンに対してスムーズに伸長された磁気バプルの
転送を行うことができる。以上説明したように本発明に
よれば、パタ」ンギヤツプの大きくとれる、従つてパタ
ーン形成の容易な磁気バプル拡大転送パターンを得るこ
とができる。
アス磁界を示す。また各図中アは磁気バルブが収縮して
しまう領域を、同イは磁気バルプが収縮、伸長せずに安
定に保持される領域を、同ウは磁気バルブが伸長してし
まう領域を示している。パーマロイパターン下に}いて
転送される磁気バプルは、シエプロンパターンの中央部
及び端部すなわち駆動磁界位相角が00180部にある
とき縮みやすく、伸びにく〜・。特に従来のシエプロン
パターンでは図aで示すようにこの傾向が著しく、従つ
て磁気バブルが安定に転送される領域イは非常に狭い。
これに対して同図bで示す本発明による変形シエプロン
パターンは、全ての駆動磁界位相角に訃いて磁気バブル
が縮みにくくなつている。従つて本発明の変形シエプロ
ンパターンは、磁気バプルが駆動磁界一周期中で大きく
伸び縮みしながら転送される傾向にある従来のシエプロ
ンパターンに対してスムーズに伸長された磁気バプルの
転送を行うことができる。以上説明したように本発明に
よれば、パタ」ンギヤツプの大きくとれる、従つてパタ
ーン形成の容易な磁気バプル拡大転送パターンを得るこ
とができる。
また最小駆動磁界が低く且つ動作マージンの十分広い磁
気パブル拡大転送パターンを実現することができる。
気パブル拡大転送パターンを実現することができる。
第1図は、本発明の拡大転送パターンの形状を示す。
Claims (1)
- 1 シエブロンパターンの端部および中間部に突起を付
加してなる変形シエブロンパターンを磁気バブル転送方
向に対して垂直に複数段重積し、該重積した方向に磁気
バブルを伸長してなる磁気バブル拡大転送パターン。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2904577A JPS598901B2 (ja) | 1977-03-16 | 1977-03-16 | 磁気バブル拡大転送パタ−ン |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2904577A JPS598901B2 (ja) | 1977-03-16 | 1977-03-16 | 磁気バブル拡大転送パタ−ン |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS53114622A JPS53114622A (en) | 1978-10-06 |
| JPS598901B2 true JPS598901B2 (ja) | 1984-02-28 |
Family
ID=12265412
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2904577A Expired JPS598901B2 (ja) | 1977-03-16 | 1977-03-16 | 磁気バブル拡大転送パタ−ン |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS598901B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56140578A (en) * | 1980-03-31 | 1981-11-02 | Nec Corp | Magnetic bubble element |
| JPS56163578A (en) * | 1980-05-21 | 1981-12-16 | Hitachi Ltd | Transfer line of magnetic bubble |
| JPS5769581A (en) * | 1980-10-20 | 1982-04-28 | Hitachi Ltd | Magnetic bubble transfer circuit |
| JPS5885988A (ja) * | 1981-11-16 | 1983-05-23 | Hitachi Ltd | 磁気バブル転送回路 |
-
1977
- 1977-03-16 JP JP2904577A patent/JPS598901B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS53114622A (en) | 1978-10-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3893456B2 (ja) | 磁性メモリ及び磁性メモリアレイ | |
| JPS598901B2 (ja) | 磁気バブル拡大転送パタ−ン | |
| US7554835B2 (en) | Memory access | |
| US3744042A (en) | Memory protect for magnetic bubble memory | |
| KR100912436B1 (ko) | 데이터 저장장치 | |
| JP4463564B2 (ja) | データ記憶装置 | |
| CA1046635A (en) | Disk generator | |
| JP2006504210A5 (ja) | ||
| US4249249A (en) | Ion-implanted bubble memory | |
| JPS6059669B2 (ja) | 高密度バブルメモリ素子 | |
| JPS6122394B2 (ja) | ||
| JPS627638B2 (ja) | ||
| JPS5947385B2 (ja) | 磁気バブル装置用転送パタ−ン | |
| JPS6059667B2 (ja) | 磁気バブル装置 | |
| US3924249A (en) | Complementary corner structures for magnetic domain propagation | |
| JPS6113314B2 (ja) | ||
| JPS5843833B2 (ja) | 磁気バブル記憶装置 | |
| JPS598906B2 (ja) | 磁気バブル記憶装置 | |
| JPS5916189A (ja) | 磁気バブルメモリ素子 | |
| JPS592988B2 (ja) | 回転磁界制御形バブルメモリ素子 | |
| GB2436490A (en) | Multiple layer magnetic logic memory device | |
| JPH03173992A (ja) | ブロッホラインメモリ素子及びその製造方法 | |
| JPS59142794A (ja) | 非注入モチ−フを持つ磁気バブルメモリ及び該メモリを制御する方法 | |
| JPS608551B2 (ja) | 円筒磁区素子 | |
| GB2430318A (en) | Multiple layer magnetic logic memory device |