JPS599041B2 - 薄膜ミラ− - Google Patents
薄膜ミラ−Info
- Publication number
- JPS599041B2 JPS599041B2 JP11995976A JP11995976A JPS599041B2 JP S599041 B2 JPS599041 B2 JP S599041B2 JP 11995976 A JP11995976 A JP 11995976A JP 11995976 A JP11995976 A JP 11995976A JP S599041 B2 JPS599041 B2 JP S599041B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- optical waveguide
- film mirror
- optical
- metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は薄膜ミラーに関する。
光ICの基本的な構成要素として重要なものは、平面的
な基板上で光を任意に導波する導波路である。
な基板上で光を任意に導波する導波路である。
このような導波路のうち、LiNb03単結晶等表面か
ら金属を拡散させた金属拡散形光導波路は、伝搬損が小
さいことで知られている。
ら金属を拡散させた金属拡散形光導波路は、伝搬損が小
さいことで知られている。
しかしながら、モノリシック化された光ICは同一基板
上に種々の光学素子を組込み、これらを光学的に接続さ
せることから、各導波路内を伝搬する光量を所定値に設
定する必要が生じてくる。
上に種々の光学素子を組込み、これらを光学的に接続さ
せることから、各導波路内を伝搬する光量を所定値に設
定する必要が生じてくる。
それ故、本発明の目的は、光IC基板面の導波路部に所
定の光量を伝搬させる薄膜ミラーを提供するものである
。このような目的を達成するために本発明はLiNb0
3あるいはLiTaO3等の強誘電体結晶にTiあるい
はNb等の金属を拡散して形成される光導波路が光進行
方向に対して所定の角度で屈曲され、この屈曲された部
分に金属濃度の異なる分岐路が設けられたもので、以下
実施例に基づいて本発明を説明する。
定の光量を伝搬させる薄膜ミラーを提供するものである
。このような目的を達成するために本発明はLiNb0
3あるいはLiTaO3等の強誘電体結晶にTiあるい
はNb等の金属を拡散して形成される光導波路が光進行
方向に対して所定の角度で屈曲され、この屈曲された部
分に金属濃度の異なる分岐路が設けられたもので、以下
実施例に基づいて本発明を説明する。
第1図は本発明に係る薄膜ミラーの要部斜視構成図であ
る。
る。
同図においてLiNb03あるいはLiTa03等の強
誘電体結晶1の上面にTiあるいはNb等の金属を選択
拡散することによつて形成される光導波路2が設けられ
、この光導波路2は、光が入射される方向に対して角度
αの屈曲部を有する光導波路3と、前記屈曲部に接続し
て設けられかつ前記光導波路3と異なる金属濃度を有す
る光導波路4とから構成されている。このように構成す
ることによつて屈折率がそれぞれ異なる光導波路3およ
び4の境界部に薄膜ミラー5が形成される。
誘電体結晶1の上面にTiあるいはNb等の金属を選択
拡散することによつて形成される光導波路2が設けられ
、この光導波路2は、光が入射される方向に対して角度
αの屈曲部を有する光導波路3と、前記屈曲部に接続し
て設けられかつ前記光導波路3と異なる金属濃度を有す
る光導波路4とから構成されている。このように構成す
ることによつて屈折率がそれぞれ異なる光導波路3およ
び4の境界部に薄膜ミラー5が形成される。
すなわち、光導波路3から入射される光は、その一部が
前記薄膜ミラー5で反射されそのまま光導波路3内を通
過し、また、他の一部は前記薄膜ミラー5を透過して光
導波路4内を通過する。したがつて、各光導波路3およ
び4の金属不純物濃度と、光導波路3の屈曲角αを任意
に設定することにより、また、このような薄膜ミラーを
所定の光導波路に複数個設けることによつて、各導波路
部に所定の光量を伝搬させることができる。例えば、L
iNb03の強誘電体結晶面にTiを蒸着して光導波路
3および4形成領域にそれぞれ膜厚470A、170λ
のTi膜を形成し、温度約970℃の熱処理を約7時間
行なつて拡散をした後に形成される光導波路3および4
に対して、光導波路3の屈曲角αの変化に伴い薄膜ミラ
ー5の反射率は第2図で示したグラフのようになる。
前記薄膜ミラー5で反射されそのまま光導波路3内を通
過し、また、他の一部は前記薄膜ミラー5を透過して光
導波路4内を通過する。したがつて、各光導波路3およ
び4の金属不純物濃度と、光導波路3の屈曲角αを任意
に設定することにより、また、このような薄膜ミラーを
所定の光導波路に複数個設けることによつて、各導波路
部に所定の光量を伝搬させることができる。例えば、L
iNb03の強誘電体結晶面にTiを蒸着して光導波路
3および4形成領域にそれぞれ膜厚470A、170λ
のTi膜を形成し、温度約970℃の熱処理を約7時間
行なつて拡散をした後に形成される光導波路3および4
に対して、光導波路3の屈曲角αの変化に伴い薄膜ミラ
ー5の反射率は第2図で示したグラフのようになる。
ここで使用した光は波長0.87μmのダイオードレー
ザで、反射率とは反射光強度1R、透過光強度1Tとし
たときにIR/IR+ITであられされる値である。本
実施例では、反射率を変化させるのに各光導波路3,4
の金属濃度あるいは光導波路3の屈曲角度αによつて決
定しているものであるが、電気光学効果、つまり薄膜ミ
ラー5部に電界を発生させることによつて変化させるこ
ともできる。
ザで、反射率とは反射光強度1R、透過光強度1Tとし
たときにIR/IR+ITであられされる値である。本
実施例では、反射率を変化させるのに各光導波路3,4
の金属濃度あるいは光導波路3の屈曲角度αによつて決
定しているものであるが、電気光学効果、つまり薄膜ミ
ラー5部に電界を発生させることによつて変化させるこ
ともできる。
すなわち、第3図に示すように薄膜ミラー5上に線状か
らなるAl電極6,7を蒸着等により2個平行に設け、
このAl電極6,L間に適当な電位差を加えるようにし
てもよい。以上、述べたように本発明に係る薄膜ミラー
によれば、光1Cの光導波路部の所望個所に形成でき、
これにより所定の光量を光導波路内に伝搬させることが
できる。
らなるAl電極6,7を蒸着等により2個平行に設け、
このAl電極6,L間に適当な電位差を加えるようにし
てもよい。以上、述べたように本発明に係る薄膜ミラー
によれば、光1Cの光導波路部の所望個所に形成でき、
これにより所定の光量を光導波路内に伝搬させることが
できる。
第1図は本発明に係る薄膜ミラーの一実施例を示す要部
斜視構成図、第2図は本発明に係る薄膜ミラーの角度変
化に対する反射率を示すグラフ、第3図は本発明に係る
薄膜ミラーの他の実施例を示す要部斜視構成図である。 1・・・・・・強誘電体結晶、2,3,4・・・・・・
光導波路、5・・・・・・薄膜ミラー、6,7・・・・
・・Al電極。
斜視構成図、第2図は本発明に係る薄膜ミラーの角度変
化に対する反射率を示すグラフ、第3図は本発明に係る
薄膜ミラーの他の実施例を示す要部斜視構成図である。 1・・・・・・強誘電体結晶、2,3,4・・・・・・
光導波路、5・・・・・・薄膜ミラー、6,7・・・・
・・Al電極。
Claims (1)
- 1 LiNbO_3あるいはLiTaO_3等の強誘電
体結晶にTiあるいはNb等の金属を拡散して形成され
る光導波路が光進行方向に対して所定の角度で屈曲され
、この屈曲された部分に金属濃度の異なる分岐路が設け
られたことを特徴とする薄膜ミラー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11995976A JPS599041B2 (ja) | 1976-10-05 | 1976-10-05 | 薄膜ミラ− |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11995976A JPS599041B2 (ja) | 1976-10-05 | 1976-10-05 | 薄膜ミラ− |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5345254A JPS5345254A (en) | 1978-04-22 |
| JPS599041B2 true JPS599041B2 (ja) | 1984-02-29 |
Family
ID=14774429
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11995976A Expired JPS599041B2 (ja) | 1976-10-05 | 1976-10-05 | 薄膜ミラ− |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS599041B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59216107A (ja) * | 1983-05-25 | 1984-12-06 | Fujitsu Ltd | 光分岐回路 |
| FI77131C (fi) * | 1987-01-22 | 1989-01-10 | Outokumpu Oy | Anordning foer aostadkommande av dubbelriktad kommunikation i underjordiska utrymmen. |
| JPH03209204A (ja) * | 1990-01-12 | 1991-09-12 | Alps Electric Co Ltd | 光導波路型光学素子およびこれを用いた光学式ピックアップ |
-
1976
- 1976-10-05 JP JP11995976A patent/JPS599041B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5345254A (en) | 1978-04-22 |
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