JPS59910B2 - 磁気バブルメモリパッケ−ジ - Google Patents
磁気バブルメモリパッケ−ジInfo
- Publication number
- JPS59910B2 JPS59910B2 JP52056297A JP5629777A JPS59910B2 JP S59910 B2 JPS59910 B2 JP S59910B2 JP 52056297 A JP52056297 A JP 52056297A JP 5629777 A JP5629777 A JP 5629777A JP S59910 B2 JPS59910 B2 JP S59910B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic bubble
- substrate
- chip
- adhesive
- memory package
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/073—Connecting or disconnecting of die-attach connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/5363—Shapes of wire connectors the connected ends being wedge-shaped
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/731—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
- H10W90/734—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/754—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、磁気バブルメモリパッケージの特に磁気バブ
ルチップをダイボンディング法によつて基板に固定する
ようにした磁気バブルメモリパッケージに関するもので
ある。
ルチップをダイボンディング法によつて基板に固定する
ようにした磁気バブルメモリパッケージに関するもので
ある。
磁気バブル装置を組立てる場合、部品相互間の確実な位
置付けあるいは配線の信頼性等のために基板と磁気バブ
ルチップとをダイボンディング法により接着してパッケ
ージング化することが行なわれる。
置付けあるいは配線の信頼性等のために基板と磁気バブ
ルチップとをダイボンディング法により接着してパッケ
ージング化することが行なわれる。
そして更には、磁気バブルチップおよび基板上の配線部
の空気中露呈による酸化、腐食、塵埃等の付着を防止す
るために磁気バブルチップのダイボンディングされた基
板全体を樹脂でコーティングすることが行なわれる。し
かし樹脂をコーティングする際、磁気バブルチップを基
板に接着している従来の接着剤は、後述するように磁気
バブルチップの磁気的特性を変化させてしまうとともに
、パッケージングの他の工程に悪影響を及ぼす。
の空気中露呈による酸化、腐食、塵埃等の付着を防止す
るために磁気バブルチップのダイボンディングされた基
板全体を樹脂でコーティングすることが行なわれる。し
かし樹脂をコーティングする際、磁気バブルチップを基
板に接着している従来の接着剤は、後述するように磁気
バブルチップの磁気的特性を変化させてしまうとともに
、パッケージングの他の工程に悪影響を及ぼす。
本願出願人は別の特許出願において、磁気バブルチップ
の磁気的特性を変化させることなく、またパッケージン
グの他の工程に悪影響を及ぼすことなく確実に磁気バブ
ルチップを基板に固定し得るようにするために接着剤と
して絶縁性且つ弾性を有するシリコン接着剤を使用する
ことを提案した。
の磁気的特性を変化させることなく、またパッケージン
グの他の工程に悪影響を及ぼすことなく確実に磁気バブ
ルチップを基板に固定し得るようにするために接着剤と
して絶縁性且つ弾性を有するシリコン接着剤を使用する
ことを提案した。
しかしながらこの方法では基板とバブルチップとの間に
付着するシリコン接着剤の量には限度があるために基板
とチップとの間には隙間が生じそのためシリコン樹脂で
外装コーティングした場合の内部に空洞となつて残存し
てしまう。
付着するシリコン接着剤の量には限度があるために基板
とチップとの間には隙間が生じそのためシリコン樹脂で
外装コーティングした場合の内部に空洞となつて残存し
てしまう。
その結果シリコンコーティング剤を熱処理する時点でこ
れが気泡となつて外面部に移動して破裂しボンディング
部等が露出してしまうことがあつた。本発明は斯かる気
泡の発生を防止した改良バブルメモリパッケージを提供
せんとするものである。
れが気泡となつて外面部に移動して破裂しボンディング
部等が露出してしまうことがあつた。本発明は斯かる気
泡の発生を防止した改良バブルメモリパッケージを提供
せんとするものである。
以下、図面に従つて説明する。第１図は本発明に係るバ
ブルメモリパッケージを示すもので図において、１は銅
、セラミックまたはガラスエポキシ樹脂を基体とする基
板、２は磁気バブルチップ、３は基板１上に印刷配線さ
れたＡｕパターン等の外部引出し線、４は磁気バブルチ
ップ２内に設けられた検出器等の出力端子と基板１上に
設けられる図示されざる増幅器等とを電気的に接続する
アルミニウムからなるリードワイヤー５は基板１と磁気
バブルチップ２相互間を接着しているＳＥ１７００等の
シリコン接着剤、６は基板１表面を外気から遮断するた
めのシリコン樹脂である。
ブルメモリパッケージを示すもので図において、１は銅
、セラミックまたはガラスエポキシ樹脂を基体とする基
板、２は磁気バブルチップ、３は基板１上に印刷配線さ
れたＡｕパターン等の外部引出し線、４は磁気バブルチ
ップ２内に設けられた検出器等の出力端子と基板１上に
設けられる図示されざる増幅器等とを電気的に接続する
アルミニウムからなるリードワイヤー５は基板１と磁気
バブルチップ２相互間を接着しているＳＥ１７００等の
シリコン接着剤、６は基板１表面を外気から遮断するた
めのシリコン樹脂である。
尚、図では磁気バブル装置として不可欠な周辺回路およ
び磁気バイアス回路、駆動コイル等の周辺構成は省略し
てある。従来のパツケージによれば、先ず基板１上にシ
リコン接着剤５を用いて磁気バブルチツプ２を所定位置
にダイボンデイングしたのち磁気バブルチツプ２の入出
力端子と外部引出し線３とをリードワイヤ４で接続し、
然る後に全体をシリコン樹脂で覆う。
び磁気バイアス回路、駆動コイル等の周辺構成は省略し
てある。従来のパツケージによれば、先ず基板１上にシ
リコン接着剤５を用いて磁気バブルチツプ２を所定位置
にダイボンデイングしたのち磁気バブルチツプ２の入出
力端子と外部引出し線３とをリードワイヤ４で接続し、
然る後に全体をシリコン樹脂で覆う。
シリコン樹脂によるコーテイングは、実験室的にはさし
たる必要性を感じさせないが、製品化に際して外部環境
による影響を防止し信頼性を高めるうえで必要不可欠の
ものである。その際前述の如くチツプ２と基板１と間に
は隙間（７で示す部分に相当する）が生じ熱処理時に気
泡となつて外表面近傍で破裂し例えばリードワイヤ５が
むきだしになり保護コーテイング６の働きを無意味にす
る。そこで本発明によればシリコン樹脂６をコーテイン
グする前に基板１とチツプ２との隙間部に低粘度で流動
性且つ乾燥性に富む例えばアロンアルフア等のシアン系
接着剤７を流し込む。
たる必要性を感じさせないが、製品化に際して外部環境
による影響を防止し信頼性を高めるうえで必要不可欠の
ものである。その際前述の如くチツプ２と基板１と間に
は隙間（７で示す部分に相当する）が生じ熱処理時に気
泡となつて外表面近傍で破裂し例えばリードワイヤ５が
むきだしになり保護コーテイング６の働きを無意味にす
る。そこで本発明によればシリコン樹脂６をコーテイン
グする前に基板１とチツプ２との隙間部に低粘度で流動
性且つ乾燥性に富む例えばアロンアルフア等のシアン系
接着剤７を流し込む。
実際的には例えばノズル等を利用して四方から接着剤７
を流し込み得る。接着剤７を充填した後に保護コーテイ
ング６を被覆することにより気泡の発生は完全に防止さ
れる。接着剤は一般にチツプに歪を与える必配はあるが
本発明の場合大半が弾性のあるシリコン接着剤でおおわ
れているので無視し得る。本発明によればシリコン外装
６をコーテイングした後に所定の熱処理を行つても気泡
の発生が起こらないので上述の如き欠点は完全に解消さ
れる。更に、脱泡工程も不要になるために作業時間及び
コストの低減が計れる。
を流し込み得る。接着剤７を充填した後に保護コーテイ
ング６を被覆することにより気泡の発生は完全に防止さ
れる。接着剤は一般にチツプに歪を与える必配はあるが
本発明の場合大半が弾性のあるシリコン接着剤でおおわ
れているので無視し得る。本発明によればシリコン外装
６をコーテイングした後に所定の熱処理を行つても気泡
の発生が起こらないので上述の如き欠点は完全に解消さ
れる。更に、脱泡工程も不要になるために作業時間及び
コストの低減が計れる。
第１図は本発明に係るバブルメモリパツケージの図解図
。 １・・・・・・基板、２・・・・・・バブルチツプ、４
・・・・・・りードワイヤ、５・・・・・・シリコン接
着剤、６・・・・・・シリコンコーテイング、７・・・
・・・シアン接着剤。
。 １・・・・・・基板、２・・・・・・バブルチツプ、４
・・・・・・りードワイヤ、５・・・・・・シリコン接
着剤、６・・・・・・シリコンコーテイング、７・・・
・・・シアン接着剤。
Claims (1)
- １ バブルチップを絶縁性且つ弾性を有するシリコン接
着剤により基板に固定すると共にバブルチップと基板と
の間を低粘度で流動性且つ速乾性の接着剤により充填し
、バブルチップ表面及び接着部をシリコン樹脂により外
装コーティングしてなる磁気バブルメモリパッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP52056297A JPS59910B2 (ja) | 1977-05-18 | 1977-05-18 | 磁気バブルメモリパッケ−ジ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP52056297A JPS59910B2 (ja) | 1977-05-18 | 1977-05-18 | 磁気バブルメモリパッケ−ジ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS53142138A JPS53142138A (en) | 1978-12-11 |
| JPS59910B2 true JPS59910B2 (ja) | 1984-01-09 |
Family
ID=13023171
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP52056297A Expired JPS59910B2 (ja) | 1977-05-18 | 1977-05-18 | 磁気バブルメモリパッケ−ジ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59910B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| USD1034274S1 (en) | 2021-04-15 | 2024-07-09 | Sanyou Co., Ltd. | Bangle for mobile device |
-
1977
- 1977-05-18 JP JP52056297A patent/JPS59910B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| USD1034274S1 (en) | 2021-04-15 | 2024-07-09 | Sanyou Co., Ltd. | Bangle for mobile device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS53142138A (en) | 1978-12-11 |
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