JPS6011548B2 - 半導体変換器 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は半導体変換装置に係り、特に、多数個並列接続
される整流素子の電流不平衡を減少させる半導体変換器
に関する。

第１図は従来より用いられている多数個の整流素子を並
列接続した整流回路の一例を示す結線図である。

整流回路の整流素子１，２，３，４、アノードリアクト
ル５，６，７，８より構成される。

整流素子（ダイオード）１〜４は各素子毎にアノードリ
アクトルがアノード側に挿入され、交流側導体９より直
流回路導体１０‘こ電流が流れるように構成される。整
流素子をキュービクルに配置する場合、整流素子１，３
、ア／一ドリアクトル５・７の各々が後面に配置され、
整流素子２，４、アノードリアクトル６，８が前面に配
置される。アノードリアクトル５，７あるいは６，８は
同一方向巻きものが使用され、アノードリァクトル６と
６（又は７と８）は交流側導体９を中心にして対象位置
に配置される。アノードＩＪアクトル５と６の磁束は上
述の配置から知れるように、互いに反対方向となる。

このため、交流導体９に流れる電流による磁束はＩＪア
クトル５又は６の磁束に対しては、一方は増加し、他方
は減少する。この影響により、リアクトルのインダクタ
ンスにアンバランスが生じ、電流不平衡の原因となって
いた。本発明の目的は、整流素子を並列接続した回路に
流れる電流の不平衡な減少しうる半導体変換器を提供す
るにある。

本発明は、整流素子が多数個並列接続される半導体変換
器の並列素子間の電流は交流側導体に流れる電流の磁束
によりアノードリアクトルのィンダクタンスが見掛上増
減されて不平衡を生ずることに着目し、この不平衡を改
善するために、リァクトルの正転および反転巻のものを
対向配置し、交流側導体電流による磁束がＩＪァクトル
に及ぼす効果を同一にしたものである。

第２図は本発明の実施例を示す回路図である。

第２図において、アノードリアクトル６による磁束の向
き図示１４はアノードリアクトル５と同じ正転巻の方向
である。磁束方向１１はアノードリアクトル５の反転巻
としたアノ−ドリアクトル６の磁束の向きである。磁束
方向１２アノードリアクトル５の、又、磁束方向１３は
交流側導体９の電流による磁束の向きである。第２図よ
り判明するように、アノードリアクトル６を反軌巻とし
たときの磁束の方向１１と交流側導体９による磁束方向
１３の関係は、磁束方向１２と１３の関係と同一となり
、アノードリアクトル以外の回路定数が等しければ整流
素子１と２とに流れる電流に不平衡は生じない。また、
この配置によれば対向したアノードリアクトルのインダ
クタンスは相互誘導により大きくできるため、アノード
リアクトルの自己ィンダクタンス低減することができる
。なお、第２図において、アノードリアクトル５と６は
互いに相互ィンダクタンス分を有し、一方は増加、他方
は減少するィンダクタンスとなるときには、場所によっ
て相違する磁束方向１３の影響度合により正転及び反転
巻アノードリアクトルの増加又は減少分を補正したもの
を使用することができる。以上より明らかなように本発
明によれば、不平衡に起因する磁束の影響をアノードリ
アクトルの反転巻により相殺できるので、多数個の整流
素子が並列酸銃される変換器の電流不平衡を減少する効
果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は従釆の半導体変換器の結線図、第２図は本発明
の実施例を示す結線図である。 １，２，３，４・・・・・・整流素子、５，６，７，８
…・・・アノードリアクトル、９・…・・交流側導体、
１０・・・・・・直流回路導体。 弟’図 第２図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 半導体整流素子とアノードリアクトルとが直列に接
   続されている複数の並列回路を備え、交流母線を中心に
   前記並列回路のアノードリアクトルを分割配置した半導
   体変換器において、前記交流母線を中心に対向するアノ
   ードリアクトルの巻き方向は互に反対方向となし上記交
   流母線の磁束の影響が上記分割した双方のアノードリア
   クトルで等しくなるようにされたことを特徴とする半導
   体変換器。