JPS60131998A - メツキの前処理液 - Google Patents
メツキの前処理液Info
- Publication number
- JPS60131998A JPS60131998A JP23950783A JP23950783A JPS60131998A JP S60131998 A JPS60131998 A JP S60131998A JP 23950783 A JP23950783 A JP 23950783A JP 23950783 A JP23950783 A JP 23950783A JP S60131998 A JPS60131998 A JP S60131998A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plating
- wiring
- soln
- sulfuric acid
- hydrofluoric acid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
- H05K1/092—Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/24—Reinforcing of the conductive pattern
Landscapes
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はＡｌ２Ｏ３含有量７０チ以上のセラミックにＷ
またはＷ−Ｍｏ系或いはＭｏ等の全組化配線をもつ部品
を混合液中に浸漬して処理するメッキの前処理液に係り
、更に詳しくは金属化配線面へのメッキ被膜層の密着性
向上を計ったメッキの前処理液に関するものである。
またはＷ−Ｍｏ系或いはＭｏ等の全組化配線をもつ部品
を混合液中に浸漬して処理するメッキの前処理液に係り
、更に詳しくは金属化配線面へのメッキ被膜層の密着性
向上を計ったメッキの前処理液に関するものである。
従来、メタライズ配線を形成したセラミックは、メッキ
する前工程で純水と混合したＮａＯＨまたは純水と硫酸
或いは純水とフッ酸等のように、純水に対して単一アル
カリや単一酸を混合した液に浸漬して処理を行っていた
。
する前工程で純水と混合したＮａＯＨまたは純水と硫酸
或いは純水とフッ酸等のように、純水に対して単一アル
カリや単一酸を混合した液に浸漬して処理を行っていた
。
これらの液での処理品をＮｉまたはＡｕメッキ等を施し
て、７００〜８５０℃中にてシンタリングを行うとメッ
キ表面にフクレがしばしば多発した。これはＷまたはＷ
−Ｍｏ系或いはＭｏ等のメタライズ面とメッキとの密着
性が悪いために内部ガスが加熱により膨張したものと判
断された。
て、７００〜８５０℃中にてシンタリングを行うとメッ
キ表面にフクレがしばしば多発した。これはＷまたはＷ
−Ｍｏ系或いはＭｏ等のメタライズ面とメッキとの密着
性が悪いために内部ガスが加熱により膨張したものと判
断された。
本発明者は、セラミックやメタライズの各添加物等の調
査およびメッキ前の処理液について種々テストの結果、
この原因が明らかにされて本発明を完成したものである
。
査およびメッキ前の処理液について種々テストの結果、
この原因が明らかにされて本発明を完成したものである
。
本発明はＡｌ２Ｏ３含有量７０％以子のグリーンシート
にＷまたはＷ−Ｍｏ系或いはＭｏの金属ペーストにて配
線を印刷して焼結したもの或いはＡｌ２Ｏ３含有量７０
％以上の焼結基板に上記金属ペーストにて配線を印刷し
焼き付けたものを、純水に対して容量比で硫酸２０〜５
０％とフッ酸１〜５チ？混合液中にて処理することを特
徴とするメッキの前処理液を提供するものである。
にＷまたはＷ−Ｍｏ系或いはＭｏの金属ペーストにて配
線を印刷して焼結したもの或いはＡｌ２Ｏ３含有量７０
％以上の焼結基板に上記金属ペーストにて配線を印刷し
焼き付けたものを、純水に対して容量比で硫酸２０〜５
０％とフッ酸１〜５チ？混合液中にて処理することを特
徴とするメッキの前処理液を提供するものである。
以下、本発明につき説明する。
前述でのメタライズ面とメッキとの密着性の悪さからく
る加熱後のフクレの原因がメッキの前処理液から起因し
ていることが下記の調査結果より明らかになった。
る加熱後のフクレの原因がメッキの前処理液から起因し
ていることが下記の調査結果より明らかになった。
Ａｌ２Ｏ３含有量７０チ以上のグリーンシートにＷ粉末
を調製したペーストにて配線を印刷して焼結した基板を
脱脂して、下記したメッキの前処理液中に浸漬後、水洗
し、しかる後に脱水後Ｎ１メッキを施し、７５０℃の還
元雰囲気中でシンタリングした。その試料を拡大鏡にて
調べてフクレの発生個数と、またセラミックの破断面を
Ｓ。
を調製したペーストにて配線を印刷して焼結した基板を
脱脂して、下記したメッキの前処理液中に浸漬後、水洗
し、しかる後に脱水後Ｎ１メッキを施し、７５０℃の還
元雰囲気中でシンタリングした。その試料を拡大鏡にて
調べてフクレの発生個数と、またセラミックの破断面を
Ｓ。
Ｅ、Ｍの電子顕微鏡で観察して下記した。
試料は各々３０個ずつ調査した。
上表から明らかなように試料悉１〜Ａ４の純水に対して
の単一アルカリや単−酸の混合液はフクレの発生または
セラミックへの侵蝕が有り使用小米ない。
の単一アルカリや単−酸の混合液はフクレの発生または
セラミックへの侵蝕が有り使用小米ない。
それに対して試料Ａ５〜Ａ９の純水に対しての容量比で
硫酸２０〜５０チとフッ酸１〜５％との複合酸の混合液
は、フクレの発生が皆無でありかつセラミックへの侵蝕
が殆んど見られず良好な結果を得ることが出来た。
硫酸２０〜５０チとフッ酸１〜５％との複合酸の混合液
は、フクレの発生が皆無でありかつセラミックへの侵蝕
が殆んど見られず良好な結果を得ることが出来た。
また試料属１０〜ＡＩ２の純水に対しての容量比で硫酸
６０％以上および１５係以下とフッ酸６チ以上および０
５％以下との複合酸の混合液は、フクレの発生が見うけ
られ、またセラミックへの侵蝕も僅かに発生した。
６０％以上および１５係以下とフッ酸６チ以上および０
５％以下との複合酸の混合液は、フクレの発生が見うけ
られ、またセラミックへの侵蝕も僅かに発生した。
以上の調査より明らかな如く、本発明の純水に対しての
容量比で硫酸２０〜５０チとフッ酸１〜５％の混合液と
限定したのは、かかる理由によるものである。またＡｌ
２Ｏ３含有量７０チ以上としたのは、以下ではセラミッ
ク中のマトリックスであるガラス成分が増加して侵蝕さ
れやすくなるためである。
容量比で硫酸２０〜５０チとフッ酸１〜５％の混合液と
限定したのは、かかる理由によるものである。またＡｌ
２Ｏ３含有量７０チ以上としたのは、以下ではセラミッ
ク中のマトリックスであるガラス成分が増加して侵蝕さ
れやすくなるためである。
この調査結果より硫酸とフッ酸とを混合して使用するこ
とにより、フッ酸自体のセラミック中のガラス成分への
侵蝕作用が、硫酸を添加することによって抑制されその
結果が発揮されていると判断される。また硫酸とフッ酸
がＷやＷ−Ｎｏ或いはＭｏのメタライズ酸化物の除去に
非常に効果があったと考えられる。
とにより、フッ酸自体のセラミック中のガラス成分への
侵蝕作用が、硫酸を添加することによって抑制されその
結果が発揮されていると判断される。また硫酸とフッ酸
がＷやＷ−Ｎｏ或いはＭｏのメタライズ酸化物の除去に
非常に効果があったと考えられる。
本発明の採用によりメタライズ面へのＮｉやＡｕメッキ
被膜層の密着性を向上して不良発生を皆無とし、併せて
耐熱特性に優れ耐久性ある品質安定を得ることが出来た
。
被膜層の密着性を向上して不良発生を皆無とし、併せて
耐熱特性に優れ耐久性ある品質安定を得ることが出来た
。
以下、実施例につき具体的に述べる。
実施例
Ａｌ２Ｏ３９２％の含有グリーンシート上にＷ粉末を調
製したペーストにて配線を印刷して、樹脂抜き後水素と
窒素との混合雰囲気中で１５５０℃にて焼結した配腺基
板を製作した。これらの基板を脱脂して水洗後、前記第
１表に示した試料屋５〜Ａ９の純水に対して容量比で硫
酸５０％とフッ酸５チ、硫酸５０チとフッ酸１％、硫酸
２０チとフッ酸１％、硫酸３０％とフッ酸２％、硫酸４
０％とフッ酸３％とを各々混合して処理液を作り、その
各々の液中に各２０００個を室温中で２ｍ１ｎ浸漬して
後、水洗した。
製したペーストにて配線を印刷して、樹脂抜き後水素と
窒素との混合雰囲気中で１５５０℃にて焼結した配腺基
板を製作した。これらの基板を脱脂して水洗後、前記第
１表に示した試料屋５〜Ａ９の純水に対して容量比で硫
酸５０％とフッ酸５チ、硫酸５０チとフッ酸１％、硫酸
２０チとフッ酸１％、硫酸３０％とフッ酸２％、硫酸４
０％とフッ酸３％とを各々混合して処理液を作り、その
各々の液中に各２０００個を室温中で２ｍ１ｎ浸漬して
後、水洗した。
この各々２０００個の試料を電解Ｎｉメッキ、無ｊｆｌ
Ｚ ｆ’Ｊ”Ｆ Ｎｉメッキと電ＷｆＡｕメッキ、無電
解Ａｕメッキにて各５００個をメッキした。この時のメ
ッキ厚さけち解Ｎｉメッキは４μｍ１無電解Ｎｉメツキ
は４ ｐｍ 、 電ＪＱ’ｉ： Ａｕメッキは２ｔｔｍ
、無電角％ＡｕＡｕメッキμｍを被膜した。
Ｚ ｆ’Ｊ”Ｆ Ｎｉメッキと電ＷｆＡｕメッキ、無電
解Ａｕメッキにて各５００個をメッキした。この時のメ
ッキ厚さけち解Ｎｉメッキは４μｍ１無電解Ｎｉメツキ
は４ ｐｍ 、 電ＪＱ’ｉ： Ａｕメッキは２ｔｔｍ
、無電角％ＡｕＡｕメッキμｍを被膜した。
これらの試料でＮｉメッキしたものは８５０℃、Ａｕメ
ッキも８５０℃の水素と窒素との混合雰囲気中にてシン
ターした。
ッキも８５０℃の水素と窒素との混合雰囲気中にてシン
ターした。
以上での２０種類の各５００個をフクレ調査したところ
不良は皆無であり、ＩＣ素子を組付けたアッセンブリ品
の実機使用テストの耐久性も良好である通知を得た。
不良は皆無であり、ＩＣ素子を組付けたアッセンブリ品
の実機使用テストの耐久性も良好である通知を得た。
本発明はＡｌ２Ｏ３含有量７０％以上のセラミックに上
記メタライズ面をもち、メッキを被膜する製品には総て
適用出来るものである。
記メタライズ面をもち、メッキを被膜する製品には総て
適用出来るものである。
Claims (1)
- Ａｌ２Ｏ３含有量７０チ以上のグリーンシートにＷまた
はＷ−Ｍｏ系或いはＭｏの金属ペーストにて配線を印刷
して焼結したもの或いはＡｌ２Ｏ３含有量７０％以上の
焼結基板に上記金属ペーストにて配線を印刷し焼き付け
たものを、純水に対して容量比で硫酸２０〜５０％とフ
ッ酸１〜５チの混合液中にて処理することを特徴とする
メッキの前処理液。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23950783A JPS60131998A (ja) | 1983-12-19 | 1983-12-19 | メツキの前処理液 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23950783A JPS60131998A (ja) | 1983-12-19 | 1983-12-19 | メツキの前処理液 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60131998A true JPS60131998A (ja) | 1985-07-13 |
Family
ID=17045813
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23950783A Pending JPS60131998A (ja) | 1983-12-19 | 1983-12-19 | メツキの前処理液 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60131998A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2803756A1 (en) * | 2013-05-13 | 2014-11-19 | Atotech Deutschland GmbH | Method for depositing thick copper layers onto sintered materials |
| US10622580B2 (en) | 2004-09-17 | 2020-04-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |
-
1983
- 1983-12-19 JP JP23950783A patent/JPS60131998A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10622580B2 (en) | 2004-09-17 | 2020-04-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |
| US10971697B2 (en) | 2004-09-17 | 2021-04-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |
| US11417856B2 (en) | 2004-09-17 | 2022-08-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |
| US11711936B2 (en) | 2004-09-17 | 2023-07-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |
| EP2803756A1 (en) * | 2013-05-13 | 2014-11-19 | Atotech Deutschland GmbH | Method for depositing thick copper layers onto sintered materials |
| WO2014184102A3 (en) * | 2013-05-13 | 2015-01-08 | Atotech Deutschland Gmbh | Method for depositing thick copper layers onto sintered materials |
| CN105189827A (zh) * | 2013-05-13 | 2015-12-23 | 埃托特克德国有限公司 | 沉积厚铜层至烧结材料上的方法 |
| JP2016518530A (ja) * | 2013-05-13 | 2016-06-23 | アトテツク・ドイチユラント・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツングＡｔｏｔｅｃｈ Ｄｅｕｔｓｃｈｌａｎｄ ＧｍｂＨ | 焼結材料上への厚い銅層の堆積方法 |
| CN105189827B (zh) * | 2013-05-13 | 2017-09-12 | 埃托特克德国有限公司 | 沉积厚铜层至烧结材料上的方法 |
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