JPS6014497B2 - 磁器コンデンサ - Google Patents
磁器コンデンサInfo
- Publication number
- JPS6014497B2 JPS6014497B2 JP49121820A JP12182074A JPS6014497B2 JP S6014497 B2 JPS6014497 B2 JP S6014497B2 JP 49121820 A JP49121820 A JP 49121820A JP 12182074 A JP12182074 A JP 12182074A JP S6014497 B2 JPS6014497 B2 JP S6014497B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- capacitor
- resin
- film
- thickness
- epoxy resin
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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- Ceramic Capacitors (AREA)
- Details Of Resistors (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は六フツ化ィオウ（ＳＦ６）ガス中においても安
定に長時間使用することのできる磁器コンデソサに関す
る。
定に長時間使用することのできる磁器コンデソサに関す
る。
近年、大電力用の遮断器としてＳＦ６ガスを消弧媒体と
した遮断器が用いられているが、このような遮断器に、
二つの遮断部分が直列に接続されている場合、その各に
加わる亀氏を均等にするためにコンデンサが用いられて
いる。
した遮断器が用いられているが、このような遮断器に、
二つの遮断部分が直列に接続されている場合、その各に
加わる亀氏を均等にするためにコンデンサが用いられて
いる。
このコンデンサとしては、従来、プラスチックコンデン
サあるいは油浸紙コンデンサが用いられ、これらのコン
デンサは遮断器の外部に取り付けられている。上記のよ
うな遮断器は、これを小型化することが望まれるのであ
るが、そのためにはコンデンサを小型化し、かつそのコ
ンデンサを遮断器の中へ配置することによってその目的
は達成しうる。コンデンサを小型化するためには、上記
のような、プラスチックあるいは紙のコンデンサに比し
て、比護電率の高い、チタン酸バリウム（母Ｔｊ０３）
あるいはチタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉ０３）のよ
うな誘電体を用いた、いわゆる磁器コンデンサを用いれ
ばよいのであるが、このような磁器コンデンサは、ＳＦ
６ガス中において侵食され、極めて短時間でその絶縁抵
抗が低下するという欠点がある。これを詳しく説明する
と、ＳＦ６ガスそのものは非腐食性であるが、ＳＦ８ガ
スは篤弧によってＳＦ４，ＳＯＦ４，ＳＯＦ２などのガ
スを生成し、これらのガスはさらに水分の存在下でＳＱ
Ｆ２，ＨＦなどを生成し、これらのガスによって磁器コ
ンデンサが侵食を受け、極めて短時間で、絶縁抵抗が低
下し、使用に耐えなくなる。本発明はこの欠点を排除す
るためになされたものであって、本発明者らは、特定の
有機高分子化合物の被膜を、磁器コンデンサの表面に形
成せしめることによって上記の目的を達成しうろことを
発見した。本発明はこの発見に基づくものであるが、以
下これをさらに詳細に説明する。上記磁気コンデンサの
構造の１例を第１図および第２図に示す。
サあるいは油浸紙コンデンサが用いられ、これらのコン
デンサは遮断器の外部に取り付けられている。上記のよ
うな遮断器は、これを小型化することが望まれるのであ
るが、そのためにはコンデンサを小型化し、かつそのコ
ンデンサを遮断器の中へ配置することによってその目的
は達成しうる。コンデンサを小型化するためには、上記
のような、プラスチックあるいは紙のコンデンサに比し
て、比護電率の高い、チタン酸バリウム（母Ｔｊ０３）
あるいはチタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉ０３）のよ
うな誘電体を用いた、いわゆる磁器コンデンサを用いれ
ばよいのであるが、このような磁器コンデンサは、ＳＦ
６ガス中において侵食され、極めて短時間でその絶縁抵
抗が低下するという欠点がある。これを詳しく説明する
と、ＳＦ６ガスそのものは非腐食性であるが、ＳＦ８ガ
スは篤弧によってＳＦ４，ＳＯＦ４，ＳＯＦ２などのガ
スを生成し、これらのガスはさらに水分の存在下でＳＱ
Ｆ２，ＨＦなどを生成し、これらのガスによって磁器コ
ンデンサが侵食を受け、極めて短時間で、絶縁抵抗が低
下し、使用に耐えなくなる。本発明はこの欠点を排除す
るためになされたものであって、本発明者らは、特定の
有機高分子化合物の被膜を、磁器コンデンサの表面に形
成せしめることによって上記の目的を達成しうろことを
発見した。本発明はこの発見に基づくものであるが、以
下これをさらに詳細に説明する。上記磁気コンデンサの
構造の１例を第１図および第２図に示す。
第１図はその平面図であり、第２図は第１図のコンデン
サの磁器誘電体とその表面樹脂被膜および一方の金属様
子をＡ−Ａ′線に沿って裁断した断面図である。１は磁
器誘電体、２は電極、３は金属端子、４は電極２と金属
端子３とを接続する半田層であり、５はコンデンサの表
面に形成された、有機高分子化合物（樹脂）の被膜であ
る。
サの磁器誘電体とその表面樹脂被膜および一方の金属様
子をＡ−Ａ′線に沿って裁断した断面図である。１は磁
器誘電体、２は電極、３は金属端子、４は電極２と金属
端子３とを接続する半田層であり、５はコンデンサの表
面に形成された、有機高分子化合物（樹脂）の被膜であ
る。
本発明は、上記のように、磁器コンデンサの表面に、有
機高分子化合物の、厚さ０．０１〜１側の被膜を形成せ
しめたものであり、本発明に用いられる有機高分子化合
物とは、環状脂肪族系ェポキシ樹脂、ビスフェノール系
ェポキシ樹脂、ポリプタジェン樹脂およびフッ素樹脂で
あり、その具体例を下記に示す。環状脂肪族系ェポキシ
樹脂としては、例えば３，４−エポキシ−６−メチルシ
クロヘキシルメチル−４−エポキシ−６−メチルシクロ
ヘキサンカーポキシレート、３，４ーエポキシシクロヘ
キルメチルー（３，４ーエポキシ）シクロヘキサンカー
ボキシレート、４一（１，２ーエポキシエチル）−１，
２ーェポキシシクロヘキサンなどを挙げることができ、
市販品としては「 スイス国シバ社製のＣＹ−１７９（
商品名）はその１例である。
機高分子化合物の、厚さ０．０１〜１側の被膜を形成せ
しめたものであり、本発明に用いられる有機高分子化合
物とは、環状脂肪族系ェポキシ樹脂、ビスフェノール系
ェポキシ樹脂、ポリプタジェン樹脂およびフッ素樹脂で
あり、その具体例を下記に示す。環状脂肪族系ェポキシ
樹脂としては、例えば３，４−エポキシ−６−メチルシ
クロヘキシルメチル−４−エポキシ−６−メチルシクロ
ヘキサンカーポキシレート、３，４ーエポキシシクロヘ
キルメチルー（３，４ーエポキシ）シクロヘキサンカー
ボキシレート、４一（１，２ーエポキシエチル）−１，
２ーェポキシシクロヘキサンなどを挙げることができ、
市販品としては「 スイス国シバ社製のＣＹ−１７９（
商品名）はその１例である。
ビスフェノール系ェポキシ樹脂としては、２，２−ビス
〔ｐ−（２，３ーヱポキシプロポキシ）フェニル〕ープ
ロパンを挙げることができ、上記シバ社製のァラルダィ
ト（商品名）シェル石油会社の船．１００１（商品名）
などはビスフェノール系ェポキシ樹脂である。ポリブタ
ジェン樹脂としては陰イオン重合によって得たポｌｉブ
タジェンが用いられ、市販品として日本合成ゴム社製の
ＪＳＲ−ＡＢＳ−５３（商品名〉を挙げることができる
。
〔ｐ−（２，３ーヱポキシプロポキシ）フェニル〕ープ
ロパンを挙げることができ、上記シバ社製のァラルダィ
ト（商品名）シェル石油会社の船．１００１（商品名）
などはビスフェノール系ェポキシ樹脂である。ポリブタ
ジェン樹脂としては陰イオン重合によって得たポｌｉブ
タジェンが用いられ、市販品として日本合成ゴム社製の
ＪＳＲ−ＡＢＳ−５３（商品名〉を挙げることができる
。
フッ素樹脂としては、ポリトリフルオルェチレン、ポリ
テトラフルオルエチレン、ポリへキサフルオルプロピレ
ン、テトラフルオルエチレンーヘキサフルオルプロピレ
ン コポリマー、トリフルオルクロルエチレンービニリ
デンフルオライドコポリマ−、ヘキサフルオルプロピレ
ンーピニリデンフルオラィド コポリマ−などを挙げる
ことができる。
テトラフルオルエチレン、ポリへキサフルオルプロピレ
ン、テトラフルオルエチレンーヘキサフルオルプロピレ
ン コポリマー、トリフルオルクロルエチレンービニリ
デンフルオライドコポリマ−、ヘキサフルオルプロピレ
ンーピニリデンフルオラィド コポリマ−などを挙げる
ことができる。
本発明においては、磁器誘電体として、比誘電率１，０
００〜１０，０００を有するＢａＴｉ０３一ＳｒＴｉ０
３−，Ｂｉ２０３・３ｒｉ０２および母Ｔｉ０３一Ｂｉ
２（ＳＮ０２）３を用いた。
００〜１０，０００を有するＢａＴｉ０３一ＳｒＴｉ０
３−，Ｂｉ２０３・３ｒｉ０２および母Ｔｉ０３一Ｂｉ
２（ＳＮ０２）３を用いた。
下記に具体例を示す。
例１
磁器コンデンサとして、材質はＢａＴｉ０３−ＳｒＴｉ
０３−Ｂｉ２０３・３ｒｉ０２（比誘電率１５２０）で
あり、第１図に示した形状を有する、直径４弧、厚さ２
伽のものを用いた。
０３−Ｂｉ２０３・３ｒｉ０２（比誘電率１５２０）で
あり、第１図に示した形状を有する、直径４弧、厚さ２
伽のものを用いた。
被膜形成用の樹脂としては前述したビスフェノール系ェ
ポキシ樹脂のうち、２，２−ピス〔ｐ−（２，３ーエポ
キシプロポキシ）フェニル〕ープロパン（シェル石油会
社の船．１００１）を用い、樹脂３の重量部に対して、
溶剤としてエチル メチルケトン１０の重量部を加え、
固形分約３０％を含有する被膜形成液を調製した。この
液の中へ上記磁器コンデンサを浸燈した後、これを引き
上げてコンデンサの表面に液体被膜を形成せしめ、１０
０℃の空気中において２０分間加熱し、溶剤を蒸発せし
めるとともに、ェポキシ樹脂の被膜をコンデンサの表面
に形成せしめた。被膜の厚さは約０．２職であった。こ
のようにしてェポキシ樹脂の被膜を形成せしめた磁器コ
ンデンサを、ＳＦ６ガスを含有する遮断器に用い、絶縁
抵抗の低下を調べたが、交流（ＡＣ）１皿Ｖのもとで１
００餌時間の使用後においても、１びＭＱ以上の抵抗を
示し、その低下は見られなかった。さらにェポキシ樹脂
として前記環状脂肪族系ェポキシ樹脂のうちの一つ、３
，４ーェポキシー６ーメチルシクロヘキシルメチル−４
−エポキシー６ーメチルシクロヘキサンカーボキシレー
トを選び、この中へ前記と同じ磁器コンデンサを浸潰し
た後、引き上げて、１６０℃において３時間加熱し、コ
ンデンサの表面に上記樹脂の被膜を形成せしめた。被膜
の厚さは０．２肌であった。さらにまた樹脂としてポリ
ブタジェン樹脂の一つ、陰イオンによって得たポリブタ
ジェン（日本合成ゴム社製ＪＳＲ−Ａ既‐５３）を用い
、ポリブタジヱン１０の重量部に対してスチレンモノマ
ー８重量部を混合し、この中へ前記と同じ磁器コンデン
サを浸潰した後、引き上げて、１５０℃に１時間加熱し
、コンデンサの表面にポリブタジェン樹脂の被膜を形成
せしめた。
ポキシ樹脂のうち、２，２−ピス〔ｐ−（２，３ーエポ
キシプロポキシ）フェニル〕ープロパン（シェル石油会
社の船．１００１）を用い、樹脂３の重量部に対して、
溶剤としてエチル メチルケトン１０の重量部を加え、
固形分約３０％を含有する被膜形成液を調製した。この
液の中へ上記磁器コンデンサを浸燈した後、これを引き
上げてコンデンサの表面に液体被膜を形成せしめ、１０
０℃の空気中において２０分間加熱し、溶剤を蒸発せし
めるとともに、ェポキシ樹脂の被膜をコンデンサの表面
に形成せしめた。被膜の厚さは約０．２職であった。こ
のようにしてェポキシ樹脂の被膜を形成せしめた磁器コ
ンデンサを、ＳＦ６ガスを含有する遮断器に用い、絶縁
抵抗の低下を調べたが、交流（ＡＣ）１皿Ｖのもとで１
００餌時間の使用後においても、１びＭＱ以上の抵抗を
示し、その低下は見られなかった。さらにェポキシ樹脂
として前記環状脂肪族系ェポキシ樹脂のうちの一つ、３
，４ーェポキシー６ーメチルシクロヘキシルメチル−４
−エポキシー６ーメチルシクロヘキサンカーボキシレー
トを選び、この中へ前記と同じ磁器コンデンサを浸潰し
た後、引き上げて、１６０℃において３時間加熱し、コ
ンデンサの表面に上記樹脂の被膜を形成せしめた。被膜
の厚さは０．２肌であった。さらにまた樹脂としてポリ
ブタジェン樹脂の一つ、陰イオンによって得たポリブタ
ジェン（日本合成ゴム社製ＪＳＲ−Ａ既‐５３）を用い
、ポリブタジヱン１０の重量部に対してスチレンモノマ
ー８重量部を混合し、この中へ前記と同じ磁器コンデン
サを浸潰した後、引き上げて、１５０℃に１時間加熱し
、コンデンサの表面にポリブタジェン樹脂の被膜を形成
せしめた。
環状脂肪族系ェポキシ樹脂およびポリブタジェン樹脂を
用いて被膜を形成せしめた場合にも前記ビスフェ／ール
系ェポキシ樹脂の場合と同様の試験を行なった結果、ほ
とんど同じ結果が得られた。
用いて被膜を形成せしめた場合にも前記ビスフェ／ール
系ェポキシ樹脂の場合と同様の試験を行なった結果、ほ
とんど同じ結果が得られた。
例２
磁器コンデンサとして、材質は母Ｔｉ０３−Ｂｉ２（Ｓ
の２）３（比誘電率２４５０）であり、第１図に示した
形状を有する、直径４伽、厚さ２弧のものを用いた。
の２）３（比誘電率２４５０）であり、第１図に示した
形状を有する、直径４伽、厚さ２弧のものを用いた。
被膜形成用の樹脂としては、前記フッ素樹のうちポリテ
トラフルオルェチレンの微粉末を用い、この微粉末をコ
ンデンサの表面に彼着せしめた後、４００ｑｏに５分間
加熱して、フッ素樹脂の被膜をコンデンサの表面に形成
せしめた。被膜の厚さは約１脚であった。上記のように
してフッ素樹脂の被膜を形成せしめた磁器コンデンサを
、例１の場合と同じように、ＳＦ６ガスを含有する遮断
器に用い、交流１０ＫＶのもとで２００日間の耐用試験
をしたが、絶縁抵抗の低下は見られず、１びＭＯ以上の
抵抗を示した。
トラフルオルェチレンの微粉末を用い、この微粉末をコ
ンデンサの表面に彼着せしめた後、４００ｑｏに５分間
加熱して、フッ素樹脂の被膜をコンデンサの表面に形成
せしめた。被膜の厚さは約１脚であった。上記のように
してフッ素樹脂の被膜を形成せしめた磁器コンデンサを
、例１の場合と同じように、ＳＦ６ガスを含有する遮断
器に用い、交流１０ＫＶのもとで２００日間の耐用試験
をしたが、絶縁抵抗の低下は見られず、１びＭＯ以上の
抵抗を示した。
なお、ポリテトラフルオルェチレンの代りに、ポリへキ
サフルオルェチレンを用いても同様の結果が得られた。
サフルオルェチレンを用いても同様の結果が得られた。
上記のような樹脂の被膜は、その厚さが３一あれば、Ｓ
Ｆ６ガスによる浸食を防止しうろことが判つたが、薄い
被膜は機械的な衝撃を考えれば好ましくなく、また１肌
以上の厚い被膜は、温度の変化によって亀裂を生じたり
、剥離を起こすので好ましくない。被膜の厚さは０．０
１柳ないし１肋が好適である。以上述べたように、環状
脂肪族系ェポキシ樹脂、ビスフェノール系ェポキシ樹脂
、ポリブタジェン樹脂、フッ素樹脂のいずれかの厚さ０
．０１〜１肋の被膜を、その表面に形成せしめた磁器コ
ンデンサは、ＳＦ６ガスを含有する遮断器に半永久的に
安定に用いることができる。
Ｆ６ガスによる浸食を防止しうろことが判つたが、薄い
被膜は機械的な衝撃を考えれば好ましくなく、また１肌
以上の厚い被膜は、温度の変化によって亀裂を生じたり
、剥離を起こすので好ましくない。被膜の厚さは０．０
１柳ないし１肋が好適である。以上述べたように、環状
脂肪族系ェポキシ樹脂、ビスフェノール系ェポキシ樹脂
、ポリブタジェン樹脂、フッ素樹脂のいずれかの厚さ０
．０１〜１肋の被膜を、その表面に形成せしめた磁器コ
ンデンサは、ＳＦ６ガスを含有する遮断器に半永久的に
安定に用いることができる。
第１図および第２図は、本発明に用いた磁器コンデンサ
の形状と、その表面に樹脂の被膜を形成した状態を示す
、それぞれ平面図および一部断面図である。 １・・・・・・磁器誘電体、２・・・・・・電極、３・
・・・・・金属端子、４・・・・・・半田層、５・・・
・・・樹脂の被膜。 第１図第２図
の形状と、その表面に樹脂の被膜を形成した状態を示す
、それぞれ平面図および一部断面図である。 １・・・・・・磁器誘電体、２・・・・・・電極、３・
・・・・・金属端子、４・・・・・・半田層、５・・・
・・・樹脂の被膜。 第１図第２図
Claims (1)
- １ 磁器コンデンサの表面に、環状脂肪族系エポキシ樹
脂、ビスフエノール系エポキシ樹脂、ポリブタジエン樹
脂、フツ素樹脂のうちの少くとも一つの樹脂の、厚さ０
．０１ないし１ｍｍの被膜を形成せしめたことを特徴と
する磁器コンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP49121820A JPS6014497B2 (ja) | 1974-10-22 | 1974-10-22 | 磁器コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP49121820A JPS6014497B2 (ja) | 1974-10-22 | 1974-10-22 | 磁器コンデンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5148158A JPS5148158A (ja) | 1976-04-24 |
| JPS6014497B2 true JPS6014497B2 (ja) | 1985-04-13 |
Family
ID=14820729
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP49121820A Expired JPS6014497B2 (ja) | 1974-10-22 | 1974-10-22 | 磁器コンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6014497B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0473962U (ja) * | 1990-11-05 | 1992-06-29 |
-
1974
- 1974-10-22 JP JP49121820A patent/JPS6014497B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0473962U (ja) * | 1990-11-05 | 1992-06-29 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5148158A (ja) | 1976-04-24 |
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