JPS6015161B2 - バイアス回路 - Google Patents
バイアス回路Info
- Publication number
- JPS6015161B2 JPS6015161B2 JP51089416A JP8941676A JPS6015161B2 JP S6015161 B2 JPS6015161 B2 JP S6015161B2 JP 51089416 A JP51089416 A JP 51089416A JP 8941676 A JP8941676 A JP 8941676A JP S6015161 B2 JPS6015161 B2 JP S6015161B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- resistor
- terminal
- circuit
- emitter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/30—Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage or other physical parameters
- H03F1/302—Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage or other physical parameters in bipolar transistor amplifiers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、温度補償されたバイアス回路に関するもので
ある。
ある。
従来から温度補償されたバイアス回路としては、第１図
に示すような回路が知られている。
に示すような回路が知られている。
図において、Ｒ，は一端を直流電圧源Ｖ＾に接続されか
つ他端を抵抗Ｒ２の一端に接続された抵抗で、前記抵抗
Ｒ２の他端はェミッタ接地されたトランジスタＴ，のコ
レクタ端子に接続されている。Ｔ２はベース端子を前記
抵抗Ｒ，とＲ２との接続点に接続されかつコレクタ端子
を前記直流電圧源Ｖ＾に接続されたトランジスタであり
、そのェミツタ端子は抵抗Ｒ３を介して接地されると共
に、基準バイアス電圧Ｖｏとして取り出される。次に動
作を説明する。
つ他端を抵抗Ｒ２の一端に接続された抵抗で、前記抵抗
Ｒ２の他端はェミッタ接地されたトランジスタＴ，のコ
レクタ端子に接続されている。Ｔ２はベース端子を前記
抵抗Ｒ，とＲ２との接続点に接続されかつコレクタ端子
を前記直流電圧源Ｖ＾に接続されたトランジスタであり
、そのェミツタ端子は抵抗Ｒ３を介して接地されると共
に、基準バイアス電圧Ｖｏとして取り出される。次に動
作を説明する。
トランジスタＴ２のェミッタ端子と抵抗沢３との接続点
より取り出される基準バイアス電圧Ｖｏは、トランジス
タＴ，，Ｔ２のベースェミツタ間電圧を同一のＶ８８と
するとＶ。＝くＶ＾−ＶＢ８）‐；章宅十ＶＢＥ−Ｖ８
８Ｒ２＝（Ｖ＾−ＶＢ８）・耳≠耳 で求まる。
より取り出される基準バイアス電圧Ｖｏは、トランジス
タＴ，，Ｔ２のベースェミツタ間電圧を同一のＶ８８と
するとＶ。＝くＶ＾−ＶＢ８）‐；章宅十ＶＢＥ−Ｖ８
８Ｒ２＝（Ｖ＾−ＶＢ８）・耳≠耳 で求まる。
上式におけるＶＢＥは温度変化により変動するためＶｏ
は安定せずバイアス回路としては好ましくない。すなわ
ち、Ｖ。を一定ならしめるため温度補償用として前記ト
ランジスタＴ２と同特性を有するトランジスタＴ，を抵
抗Ｒ２を介して前記トランジスタＴ２のベース端子に付
加する事により基準バイアス電圧Ｖｏの安定化を図らん
としたものであるが、ＶＢＢ成分は依然として残るため
、基準バイアスＶｏは温度変化に対しては依然として不
安定であるという欠点を有していた。本発明は、上記の
問題員点を解消すべく成されたものであり、以下、本発
明の一実施例を第２図に基づいて説明する。図において
、１は増幅回路で、トランジスタＴ３と、該トランジス
タＴ３のェミツタ端子に一端を接続されかつ他端を接地
された第１の抵抗Ｒ４と、前記トランジスタＬのコレク
タ端子に一端を接続これかつ他端を直流電圧源Ｖ＾に接
続された第２の抵抗Ｒ５とから構成されている。２は２
段のェミッタホロワ回路部であり、前記トランジスタＴ
３のコレクタ端子と抵抗Ｒ５との接続点ｂにベース端子
が接続されかつコレクタ端子が直流電圧源Ｖ＾に接続さ
れたトランジスタＬと、該トランジスタＴ４のェミッタ
端子に一端が接続されかつ池端が接地された抵抗Ｒ６と
、前記トランジスタＴ４のヱミッタ端子と抵抗Ｒ６との
接続点にベース端子が接続されかつコレクタ端子が直流
電圧源Ｖ＾に接続されたトランジスタＴ５と、該トラン
ジスタＴ５のェミッタ端子に一端が接続されかつ池端が
接地された抵抗Ｒ７とから構成されている。
は安定せずバイアス回路としては好ましくない。すなわ
ち、Ｖ。を一定ならしめるため温度補償用として前記ト
ランジスタＴ２と同特性を有するトランジスタＴ，を抵
抗Ｒ２を介して前記トランジスタＴ２のベース端子に付
加する事により基準バイアス電圧Ｖｏの安定化を図らん
としたものであるが、ＶＢＢ成分は依然として残るため
、基準バイアスＶｏは温度変化に対しては依然として不
安定であるという欠点を有していた。本発明は、上記の
問題員点を解消すべく成されたものであり、以下、本発
明の一実施例を第２図に基づいて説明する。図において
、１は増幅回路で、トランジスタＴ３と、該トランジス
タＴ３のェミツタ端子に一端を接続されかつ他端を接地
された第１の抵抗Ｒ４と、前記トランジスタＬのコレク
タ端子に一端を接続これかつ他端を直流電圧源Ｖ＾に接
続された第２の抵抗Ｒ５とから構成されている。２は２
段のェミッタホロワ回路部であり、前記トランジスタＴ
３のコレクタ端子と抵抗Ｒ５との接続点ｂにベース端子
が接続されかつコレクタ端子が直流電圧源Ｖ＾に接続さ
れたトランジスタＬと、該トランジスタＴ４のェミッタ
端子に一端が接続されかつ池端が接地された抵抗Ｒ６と
、前記トランジスタＴ４のヱミッタ端子と抵抗Ｒ６との
接続点にベース端子が接続されかつコレクタ端子が直流
電圧源Ｖ＾に接続されたトランジスタＴ５と、該トラン
ジスタＴ５のェミッタ端子に一端が接続されかつ池端が
接地された抵抗Ｒ７とから構成されている。
前記トランジスタ公のェミツタ端子と抵抗戊？との接続
点ｃからの出力は基準バイアス電圧Ｖｏとして取り出さ
れると共に、前記増幅回路１のトランジスタＴ３のベー
ス端子に導かれている。なお前記トランジスタＴ３のェ
ミッタ端子と抵抗Ｒ４との接続点をａとする。次いで本
実施例の動作原理について説明する。
点ｃからの出力は基準バイアス電圧Ｖｏとして取り出さ
れると共に、前記増幅回路１のトランジスタＴ３のベー
ス端子に導かれている。なお前記トランジスタＴ３のェ
ミッタ端子と抵抗Ｒ４との接続点をａとする。次いで本
実施例の動作原理について説明する。
接続点ａ〜ｃに得られれるバイアスは、接続点ａがＶａ
、接続点ｂがＶｂ、接続点ｃがＶｃである。トランジス
タＴ３のベース端子には基準バイアス電圧Ｖｏが印加さ
れるので、該トランジスタＴ３のェミツタ端子のバイア
スＶａはＶａ＝Ｖ。−ＶＢ８３ ……
■となり、トランジスタＴ３のェミッタ端子に流れる電
流ＩＥはｒＥ＝も土率 …■Ｒ４ となる。
、接続点ｂがＶｂ、接続点ｃがＶｃである。トランジス
タＴ３のベース端子には基準バイアス電圧Ｖｏが印加さ
れるので、該トランジスタＴ３のェミツタ端子のバイア
スＶａはＶａ＝Ｖ。−ＶＢ８３ ……
■となり、トランジスタＴ３のェミッタ端子に流れる電
流ＩＥはｒＥ＝も土率 …■Ｒ４ となる。
ところで、直流増幅率が十分大きければ、該トランジス
タＴ３のェミツタ電流ＩＥとコレクタ電流ｌｃとはほぼ
等しいと考えられるので、トランジスタｔのコレクタ端
子のバイアス電圧ＶｂはＶｂ＝Ｖ＾−ｌｃ・Ｒ５ 二Ｖ＾−ＩＥ・Ｒ５ ……■となる。
タＴ３のェミツタ電流ＩＥとコレクタ電流ｌｃとはほぼ
等しいと考えられるので、トランジスタｔのコレクタ端
子のバイアス電圧ＶｂはＶｂ＝Ｖ＾−ｌｃ・Ｒ５ 二Ｖ＾−ＩＥ・Ｒ５ ……■となる。
■式と■式よりＶｂ＝Ｖ＾−（Ｖ。
‐ＶＢＥ）・Ｒ５ ……■Ｒ４また、基準バイ
アスＶｏは、ェミッタホロワが２段であるのでＶ。
アスＶｏは、ェミッタホロワが２段であるのでＶ。
＝Ｖｂ−２ＶＢ８ ……■■式■式
よりＶ。
よりＶ。
ｉＶ＾−（Ｖ。−Ｖ８８）・蔓−２ＶＢＥ従って（．十
葦）Ｖ。
葦）Ｖ。
＝Ｖ＾＋串Ｖ８８−兆 ‐‐‐‐‐‐■となる。■劫か
て葦＝２とす側こよって、ＶＢ８の成分を完全に除去す
る事が可能である。
て葦＝２とす側こよって、ＶＢ８の成分を完全に除去す
る事が可能である。
なお、本実施例においてェミッタホロワ回路が２段の場
合について説明したが、２段に限定されるわけではなく
、ェミッタホロヮ回路の接続段数と音の比（増幅率）と
を等しくとれ‘ま、常に温度補償されたバイアス回路を
得る事ができる。以上より明らかな如く、本発明によれ
ば、増幅回路に接続されたヱミッタホロワ回路の接続段
数と、前記増幅回路のトランジスタの第２の抵抗と第１
の抵抗との比の値とを等しくとる事によって、温度変化
に対して出力である基準バイアスが全く変動しないバイ
アス回路を得る事ができる。またェミッタホロワ回路の
接続段数を適当に設定することにより、それに応じた基
準バイアス値を選択できる。
合について説明したが、２段に限定されるわけではなく
、ェミッタホロヮ回路の接続段数と音の比（増幅率）と
を等しくとれ‘ま、常に温度補償されたバイアス回路を
得る事ができる。以上より明らかな如く、本発明によれ
ば、増幅回路に接続されたヱミッタホロワ回路の接続段
数と、前記増幅回路のトランジスタの第２の抵抗と第１
の抵抗との比の値とを等しくとる事によって、温度変化
に対して出力である基準バイアスが全く変動しないバイ
アス回路を得る事ができる。またェミッタホロワ回路の
接続段数を適当に設定することにより、それに応じた基
準バイアス値を選択できる。
第１図は従来のバイアス回路の一例を示す回路図、第２
図は本発明の一実施例におけるバイアス回路の回路図で
ある。 １……増幅回路、２……ェミッタホロワ回路部、Ｒ４・
・・・・・第１の抵抗、Ｒ５・・・第２の抵抗、Ｔ３・
・・・・・トランジスタ。 第１図 第２図
図は本発明の一実施例におけるバイアス回路の回路図で
ある。 １……増幅回路、２……ェミッタホロワ回路部、Ｒ４・
・・・・・第１の抵抗、Ｒ５・・・第２の抵抗、Ｔ３・
・・・・・トランジスタ。 第１図 第２図
Claims (1)
- １ エミツタ端子が第１の抵抗を介して接地されかつコ
レクタ端子が第２の抵抗を介して直流電圧源に接続され
たトランジスタを有する増幅回路と、前記トランジスタ
のコレクタ端子に接続された１段以上のエミツタホロア
回路とを備え、最終段のエミツタホロア回路のエミツタ
端子を前記増幅回路中のトランジスタのベース端子に接
続しかつこの接続点から出力を取出すと共に、前記第２
の抵抗の抵抗値と第１の抵抗値との比を前記エミツタホ
ロア回路の接続段数に等しくしたバイアス回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51089416A JPS6015161B2 (ja) | 1976-07-26 | 1976-07-26 | バイアス回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51089416A JPS6015161B2 (ja) | 1976-07-26 | 1976-07-26 | バイアス回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5314541A JPS5314541A (en) | 1978-02-09 |
| JPS6015161B2 true JPS6015161B2 (ja) | 1985-04-18 |
Family
ID=13970038
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP51089416A Expired JPS6015161B2 (ja) | 1976-07-26 | 1976-07-26 | バイアス回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6015161B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6184908A (ja) * | 1984-10-02 | 1986-04-30 | Rohm Co Ltd | 高周波回路におけるバイアス回路 |
-
1976
- 1976-07-26 JP JP51089416A patent/JPS6015161B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5314541A (en) | 1978-02-09 |
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