JPS6016117B2 - 抵抗体付き回路基板とその製造法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は抵抗体付き回路基板とその製造法に関する。

従来、抵抗体を内蔵した回路基板は、一般に、電気絶縁
層、この層上に接合された抵抗体の層およびこの抵抗体
に接合された高導電体層からなる積層板の形態で提供さ
れる。また、目的とする抵抗回路パターンの作製に際し
ては、所定の回路パターンの形状にしたがって、絶縁領
域（絶縁層上の全層を除去）、抵抗領域（高導電体の層
のみ除去）、及び導体領域（各れの層も除去せず、通常
はこの高導電体上にさらに金などの貴金属の薄膜メッキ
を施す）が、サブトラクティブ法（マスクーェツチング
法）により形成されるか、あるいは該抵抗体部分などを
所定のパターン形状をしたスクリーン印刷版を介して印
刷する直接形成法などにより形成される。ところで、当
該技術分野における抵抗体材料は、炭素系、酸化金属物
系、金属系及びこれらの混合体などからなっている。

かかる材料から抵抗体の層を形成する方法としては、ペ
ースト状物たとえばカーボン粒子などを種々の樹脂成分
で混合したものを印刷する方法、各種の炭化水素系化合
物を種々の条件下で炭化し蒸着する方法、金属ないし二
元系以上の合金を蒸着、スパッタリングする方法などが
知られている。しかるに、ペースト状物の印刷の場合は
抵抗値自体のコントロールが困難であり、しかも回路板
全面にわたる抵抗値のバラッキが大きく特性も悪い。

また、蒸着及びスパッタリングによる方法でも抵抗値の
管理が難かしく、その上設備的に高価となる。そこで、
近年、抵抗体の層をメッキによって、安価にかつ大面積
にして効率よく安定的に製造する方法が着目されている
。

例えば持閥昭４８一７３７６２号公報にはニッケルーリ
ン合金からなる抵抗体を電気メッキで製造する方法が、
また特関階５０一７１５１３号公報には上記以外の各種
の二元系合金よりなる抵抗体の層を電気メッキで形成す
る方法がそれぞれ提案されている。しかしながら、上記
合金類は目的とする抵抗体材料としては特性上ならびに
作業性の点で多くの欠点があることが判明した。一般に
、かかる金属薄膜抵抗体からなる回路基板においては、
これらの膜厚を薄くすることによって目的に合った面積
抵抗値を有する抵抗体を得ることができる。

しかし、薄くするに従って金属皮膜自体のミクロ的な均
一性が得られ難く、おのずと腰厚に限度がある。たとえ
ば前述のニッケルーリン合金での工業的に使用し得る面
積抵抗値としてはせし、ぜし、１０００／口以下であり
、更に高い面積抵抗値を有するものは得られ難い。その
上、サブトラクティブ法による加工工程中でも重大な欠
陥がある。サブトラクテイブ法では、まず、回路基板の
鋼箔（高導電体）表面全面にフオトレジストを塗布する
。

ついで、目的とする抵抗部分及び導体部分にレジストが
残るようなフオトマスクを介して露光後、現像する。絶
縁領域を形成するために不必要な銅及び抵抗体の層をそ
れぞれの専用エッチング液にて順次エッチング除去する
。引き続き、今度は導体部分のみが残るフオトマスクを
介して露光後、現像する。これにより露出された銅箔を
エッチング除去（抵抗領域の形成）すれば目的とする回
路板（但し、導体領域にはしジストが残存している）を
得ることができる。上記工程においては、抵抗パターン
領域に相当する部分の銅箔をエッチング除去する際、こ
のエッチング液に対して抵抗体の材質が安定で、ほとん
どエッチングされないことが必須条件である。

しかるに、上記のニッケルーリン合金からなる抵抗体は
銅箔とのエッチング選択性が悪く、銅箔のエッチング時
に抵抗体も部分的にエッチングされてしまい抵抗値が大
幅に増加してしまうことが判明した。つまり、所期の設
定値がそのまま加工 ／後の抵抗値にならないと云う欠
点を有していた。また、上述の袴開昭５０一７１５１３
号公報に示される各種の二元系合金は、これらが単金属
のメッキ膜より一般に高い抵抗値が得られるものとして
提案されたものであるが、下記の理由により未だ工業的
に採用されるに至っていない。すなわち、前記薄膜化に
よる抵抗値の増大とエッチング選択性などの諸特性のバ
ランスをとりにくい問題があるほか、抵抗値のバラッキ
のない一定組成の合金メッキ膜をメッキ俗から安定に製
造することが非常に難しいという問題があるためである
。このような事情に鑑み、この出願人は、前記提案に係
る各合金とは異なる抵抗体材料としてすでにスズーニッ
ケル合金を案出した。

この合金によると、前記提案のものに比し薄膜化が可能
でこれによって約３００〜４０００／口の面積抵抗値を
得ることができ、またエッチング選択性がよくなり、さ
らに電気メッキで形成する場合の均一電着性にもすぐれ
たものとなることが見し、出された。この発明者らは、
上記スズーニッケル合金からなる抵抗体材料に関する引
き続く研究において、スズーニツケル合金中にさらにィ
オウを含有させたときには面積抵抗値が一段と大きな回
路基板が得られることを知り、この発明を完成するに至
ったものである。すなわち、この発明は、電気絶縁層の
少なくとも片面に抵抗体の層を介して高導電体を接合し
た構造の回路基板において、上記抵抗体がスズーニッケ
ルーィオウの三元合金からなることを特徴とする抵抗体
付き回路基板に係るものである。

この発明における上記の三元合金によれば、前記スズー
ニッケル合金の場合と同様の良好なエッチング選択性や
電気メッキ時のすぐれた均一電着性が得られるほか、面
積抵抗値のきわめて高い回路基板を容易にかつ安定性良
好に製造することができる。たとえば、前記スズーニッ
ケル合金の場合、面積抵抗値１０００／口程度のもので
はその膜厚を数１００△以下に、また約３００〜４００
０／口程度のものでは上記よりもさらに薄くしなければ
ならなかった。

これに対し、この発明の三元合金によると、合金中のィ
オウ原子の含有量を適宜設定するだけで、その膜厚をそ
れほど薄くしなくともたとえば２００〜３００Ａ以上数
千Ａの厚さでも５０００／□程度の面積抵抗値を得るこ
とが可能となる。一方、膜厚を薄くすれば、上記の面積
抵抗値はさらに一般と大きくなり、１ぴＱ′□程度まで
の面積抵抗値を容易かつ安定に得ることができる。また
、この発明の回路基板は、上記三元合金を抵抗体材料と
したことによって抵抗安定性に非常にすぐれたものとな
り、高温ないし高温下に放置したときの抵抗値の変化率
が４・さく、この点からも信頼性のきわめて高い回路基
板を提供できるとという利点がある。

この発明の三元合金からなる抵抗体がいかなる理由で上
述の如き効果を奏しうるのかは、現在のところ必ずしも
明らかではない。

推測では、上記合金の結晶粒子の微細化、非金属成分と
してのィオウ原子の混入による結晶構造の変化などに基
因するものと思われる。この発明において適用される高
導電体としては、銅箔が最も一般的であるが、その他ニ
ッケル箔、スズメッキ鋼箔及び亜鉛箔など従来公知の材
料を広く適用できる。

また、これら高導電体の製造法は特に限定されず、各種
方法でつくられるものがいずれも適用可能である。この
発明における前記三元合金からなる抵抗体の層は、上記
高導電体に対して一般に電気メッキ手法により形成され
るが、その合金組成としては、スズとニッケルとの合計
量中スズ３０〜８５重量％、好適には３５〜８の重量％
およびニッケル７０〜１５重量％、好適には６５〜２の
重量％を含有し、かっこの含有ニッケルに対しＥＳＣＡ
測定による相対強度比で５〜７０％、好適には１０〜６
０％の範囲のィオウを含むものであることが望ましい。

ニッケルおよびスズの含有量が上記範囲からずれると、
回路基板の面積抵抗値が充分に高くならず、回路特性上
好結果を得にくい。また、ィオウ濃度が低すぎると面積
抵抗値がそれ程高くならず、逆に多くなりすぎると回路
特性上、とくに長期的な耐湿特性の面で好結果が得られ
ない。なお、この明細書で記述するところのＥＳＣＡ測
定とは、ＥｌｅｃｔｒｏｎＳｐｅｃｔｒｏｓＣｏｐｙｆ
ｏｒＣｈｅｍｉｃａｌＡｎａｌ＄ｉｓ（化学分析のため
の電子分光）の頭文字を取った略称であって、実際にｄ
ｕＰｏｎｔ−島津製作所のＸ−線光電子分光装置ＥＳＣ
Ａ６５船を用いＸ線はＭｇＫＱ線にて、光電子スペクト
ルを測定して実測したものである。

また、この実測に際し、回路基板の高導電体をエッチン
グにより除去して抵抗体の層を露出させ、この露出面側
から上記光電子スペクトルを測定したものである。この
種のＥＳＣＡ測定はある特定金属に対する相対強度で以
つてその相対含有量を表わすのによく採用されているも
のである。電気メッキ手法による前記抵抗体の層の形成
は、スズ塩およびニッケル塩と共に、ピロリン酸カリウ
ム、含硫アミノ酸またはその塩および好ましくはＱ−ア
ミノ酸またはその塩を含有するメッキ液を使用し、この
メッキ液から電気メッキにより高導電体上に抵抗体の層
を電着析出させるものである。

上記のスズ塩としては、塩化第一スズ、ピロリン酸第一
スズ、硫酸第一スズなどを例示でき、おのおの単独又は
２種以上の混合系で使用できる。

使用量は金属換算で２〜５０夕／夕、好ましくは３〜４
０夕／そである。また、ニッケル塩としては、塩化ニッ
ケル、ピロリン酸ニッケル、スルフアミン酸ニッケルな
どを例示でき、おのおの単独又は２種以上の混合系で使
用できる。使用量は金属換算で１．５〜２５夕／そ、よ
り好ましくは３〜２０夕／そである。ピロリン酸カリウ
ムは、スズ及びニッケル塩をピロリン酸銭塩として溶解
させるためのものであり、その添加量としては上記スズ
とニッケル塩の総量添加量にかんがみ１００〜４００夕
／その範囲とするのが好ましい。含硫アミノ酸またはそ
の塩は、合金メッキ膜中にイオウ原子を含有させるため
のものであり、システイン、ホモシスティン、システイ
ン塩酸塩、チオール・ヒスチジン、グルタチオン、ホモ
システイン・チオラクタン塩酸塩、シスタチオニン、メ
チオニン、エチオニン、シスチン、ホモシスチン、シス
チン・ジスルホキシド、システィン酸などを例示でき、
おのおの単独又は２種以上の混合系で使用できる。

その使用量は０．０５夕／そ以上飽和濃度までとされ、
好ましくは０．１〜１５夕／そである。また、必要に応
じて添加されるＱーアミノ酸としては、グＩＪシン、ヒ
スチジン塩酸塩、フェニルアラニン、ロィシン、アスパ
ラギン酸、グルタミン酸などを例示できる。

その添加量は０〜５０夕／〆、好適には５〜３０夕／そ
の範囲で、おのおの単独又は２種以上の混合系で使用で
きる。なおメッキ効率、特性値向上等のために、メッキ
格の餌調整剤として塩酸、硫酸、スルフアミン酸、ピロ
リン酸、アンモニア水、水酸化カリウムなどを適量添加
することもできる。上記のメッキ液を用いた電気メッキ
に当っては、そのメッキ格温度は２０〜６０ｏｏの範囲
で、メッキ電流密度としては０．０１Ａ／ｄで以上で、
かつ５〜１０００クーロン／ｄあの総メッキ電気量の範
囲で〆、ッキを行なうことが好ましい。

とくに好適には、メッキ作業性、コスト的問題を考慮し
て、第７図に示たように、メッキ電流密度は０．０５〜
５．船／ｄわ、メッキ電気量は１０〜４００クーロン／
ｄめの範囲がよい。〆ッキ浴温度が適当でなくまた電流
密度が低すぎると、メッキ格の安定性が損なわれ、得ら
れる抵抗体の抵抗値のばらつきや各種特性値の低下の原
因となる。陽極として用いられる材質としては、カーボ
電極、白金被覆チタン電極、ステンレス電極の如き不溶
性電極や、ニッケル電極、ニッケルースズ合金電極など
の可溶性電極のいずれもが適用できる。このようにして
抵抗体の層を形成したのち、さらにこの層上に常法によ
り電気絶縁層を設けることにより、この発明の目的とす
る抵抗体付き回路基板が得られる。

上記電気絶縁層を形成するための材料としては、ェポキ
シ樹脂その他の熱硬化性樹脂が好適に用いられ、またこ
れらの樹脂をガラスク。スその他の繊維基村に含浸させ
てなるプリプレグが用いられる。これら材料を抵抗体の
層上に加熱圧着（硬化）させることによって電気特性、
耐熱性にすぐれた絶縁層となすことができる。このよう
に、この発明によれば、前記工業的有用な回路基板の製
造法として、金属換算で２〜５０夕／そのスズ塩と１．
５〜２５夕／そのニッケル塩と共に、１００〜４００タ
′そのピロリン酸カリウム、０．０５夕／そ以上飽和濃
度までの含硫アミノ酸またはその塩および０〜５０夕／
そのＱ−アミノ酸またはその塩を含有するメッキ液を使
用し、このメッキ液から電気メッキにより高導電体上に
抵抗体の層を形成することを特徴とする抵抗体付き回路
基板の製造法を提供できるものである。

第１図は、上述の如くして得られるこの発明の回路基板
から回路板を作製するための工程図を示したもので、こ
の作製工程は従来と特に変るところはない。

すなわち、まず■工程において、電気絶縁層３の片面に
抵抗体の層２を介して高導軍体１を接合した構造の回路
基板における上記高導電体１上にフオトレジスト４を形
成し、つぎに｛Ｂ｝工程でフオトマスクを介して露光し
、現像して所定のパターンを形成する。

しかるのち、‘Ｃ｝工程でレジスト除去部分にニッケル
メッキ５および金メッキ６を施して一対二個の電極７を
複数形成する。ついで■工程で電極７，７間のフオトレ
ジスト４が残留するようなフオトマスクを介して再び露
光し、現像する。引き続き、‘Ｅ｝工程において上記■
工程でのレジスト除去部分に露出する高導電体１および
抵抗体の層２をエッチング除去して電気絶縁層３を露出
する。さらに‘Ｆ’工程で電極７，７間のフオトレジス
ト４を取り除き、これによって露出する高導電体１を（
Ｇ）工程においてエッチング除去する。かくして電極７
，７間にまたがる抵抗体の層２を残して抵抗素子となし
、この上に（Ｈ）工程で保護皮膜８を形成して、回路板
を作成する。以上詳述したとおり、この発明の抵抗体付
き回路基板における大きな特色の一つは、１０００／口
以上１血○′０程度までの高い面積抵抗値を有する抵抗
体を任意の膜厚で自由に形成でき、しかも耐熱性、耐線
性などが良好で抵抗体の信頼性にすぐれる回路基板を提
供できることにある。特にこの世厭人が先に提案したス
ズーニッケル合金からなる抵抗体の層では得ることが困
難であった４０００／□以上、好適には５００〜３００
００／口の面積抵抗値を有するとともにその抵抗安定性
にすぐれる回路基板を品質安定に製造できるという利点
がある。以下に、この発明の実施例を記載してより具体
的に説明する。なお、この発明は以下の実施例にのみ限
定されるものではない。実施例 １ ３５ｒ厚の電解鋼箔を２０肌×２０伽の大きさに裁断し
た後、上記鋼箔（ロール状）製造時のドラム側の片面全
面にマスキング用接着保護シートを圧着し、これを洗浄
液（シップレー社製ニュートラ・クリーン６８の１容量
に対して水１容量の割合で希釈した水溶液）に、室温下
３分間浸潰した。

その後、流水にて水洗し、さらにこれを脱イオン水にて
水洗した。次に、過硫酸アンモニウム２００夕／夕およ
び濃硫酸１０の‘／そからなる水溶液（以下、単に過硫
酸アンモン処理液という）に２分間浸潰し、水洗後すみ
やかに電流密度：０．松／ｄの、温度；２５ｏｏの一定
条件、所定時間スズーニツケルーィオウ合金のメッキを
施して抵抗体の層を形成した。なお、メッキ格は下記の
浴組成を適用した。塩化第一スズ（ＳｎＣ１２・班２０
） ３０夕／ク塩化ニッケル（ＮｉＣ１２・母
ＬＯ） ３０夕／そピロリン酸カリウム（ＫＰ
２０７） ２００多′そグリシン（ＮＨ２１ＣＨ
２ＣＯＯＨ） ２０タ′Ｚシスティン塩酸塩（
ＨＳＣＨ２ＣＨ（ＮＨ２）ＣＯＯ日。ＨＣ１・日２〇）
１．５夕／そついで、銅箔
片面の前記保護シートを剥離した後、抵抗体の層上に、
ェポキシ樹脂含浸ガラス・クロス（通称プリプレグ）を
重ね合わせ、積層用プレス機により加熱辻Ｅ着すること
により、抵抗体付き回路基板を得た。上記の実施例１に
おいて、抵抗体形成のメッキ時間を１５栃吻こ設定した
回路基板を用いて、下記の方法により抵抗体を構成する
三元合金の組成を調べた。結果は第１表に示されるとお
りであった。＜合金組成の測定＞ 供試基板の銅箔全面を、ニュートラ・エッチＶ１（シッ
プレー社製の銅エッチング液；５０午０、ｐＨ＝７．６
〜７．８）によりエッチング除去した。

充分に水洗したのち、中央部２肌角を切断し、再度充分
に水洗したのち乾燥させ、ＥＳＣＡ測定用試料とし、合
金中に含まれるィオウ濃度を含有ニッケル原子に対する
相対強度で測定した。一方、上記試料の残部を再度充分
に水洗したのち、濃硝酸３０の【および脱イオン水７０
机‘よりなる溶解液を用いて完全に溶解させ、スズおよ
びニッケルの濃度を原子吸光光度法により測定した。第
１表 つぎに、上記の実施例１において、メッキ時間を３０〜
２５の砂間に設定して得た種々の基板を用いて下記の方
法で回路板を作製した。

この回路板（メッキ時間の設定によって所定の抵抗値と
されたもの）の耐熱性および耐縦性を調べた結果は、後
記の第２表に示されるとおりであった。なお、耐熱性は
１００℃に１０畑時間放置したときの抵抗変化率（％）
を示したものであり、また耐湿性とは４０℃、９０％Ｒ
Ｈ下に１０餌時間放置したときの抵抗変化率（％）を示
したものである。また、上記回路板の板面全体の平均抵
抗値および抵抗値の面分布（バラッキの範囲）と、メッ
キ時間との相関性を調べた結果は、第２図に示されると
おりであった。

＜抵抗体付き回路板の作製＞ 抵抗体付き回路基板を前述の洗浄液に３分間浸潰した後
、水洗し乾燥させた。

その後、ＡＺ−１１１（シップレー社製ポジ型フオトレ
ジスト）を引上げ速度５〜１０仇ノ分でディッピング・
コートし、８０ｑｏで２晩ふ間加熱乾燥することにより
、銅箔表面にフオトレジスト膜を形成した。つぎに、上
記フォトルジスト膜上に靴Ｗの超高圧水銀灯（オーク製
作所社製ＨＭＷ−Ｎ６−３、照射距離６＆均）にて積算
光量値で４５仇ｈｉ／の照射し、多数個の抵抗素子の各
電極部分にニッケル・メッキと金メッキとを施すための
所定のパターンを暁付けた。

その後、ＡＺ−３０３（シップレー社製のアルカリ現像
液）を用いて室温下３分間現像し、上記各電極部分のフ
オトレジスト膜を除去し、さらに流水および脱イオン水
で３０〜６町砂間洗浄した。その後、前記の過硫酸アン
モン処理液にて室温下３硯砂間処理した後、水洗した。
この除去部分に２Ａ／ｄ〆、５０３０、６分間の条件下
でニッケル・メッキを施し、さらにこのメッキ層上に０
．０５Ａ／ｄで、４０ｑｏ、２び分間の条件下で金メッ
キを施したのち、水洗し乾燥して一対二個の電極を複数
形成した。ついで、各抵抗素子部分のフオト・レジスト
膜が残留するようなフオト・マスクを介して、前記露光
器にて前記同様の条件下で露光し、さらに前記同様の現
像および水洗処理を行なって、各抵抗素子部分以外のフ
オト・レジスト膜を除去した。

しかるのち、ニュートラ・エッチＶ１（シツプレー社製
の銅エッチング液；５０ｑｏ、ｐＨ＝７．６〜７．８）
にて、上記除去部分に露出する電解鋼箔をエッチング除
去した。水洗後、濃硫酸３３５舷、濃硝酸１５の‘、濃
塩酸５０の上、過酸化水素水１０叫および脱ィオン水５
０心からなるエッチング液を用いて、銅箔除去部分に露
出する抵抗体の層をエッチング除去した。引き続き、各
抵抗素子部分に残留するフオトレジスト膜をアセトンに
て室温下、１０〜２の砂間で除去したのち、この除去部
分に露出する銅箔を前記同様のエッチング液（ニュート
ラ・エッチＶＩ）にてエッチング除去し、充分に水洗し
た後、乾燥した。

かくして一対二個の電極間を接続する各抵抗体の層を露
出させ、この露出抵抗体を抵抗素子として、この素子上
及びこの素子に近接する電極部分の一部にソルダーレジ
ストィンキをスクリーン印刷により塗布した。これを所
定の条件下加熱硬化させることにより、目的とする抵抗
体付き回路板を作成した。第２表 比較例 １ 抵抗体のメッキ液中にシスティン塩酸塩を添加せず、か
つメッキ条件を０．５Ａ／ｄ〆、２５００、４〜３現段
・間とした以外は、実施例１と全く同様にして抵抗体付
き回路基板をつくった。

この基板の抵抗体の合金組成（メッキ時間１５の砂間）
を前記の第１表に併記した。さらに、この基板より前記
実施例１と同様にして回路板をつくり、メッキ時間と得
られた各回路の抵抗値との関係を求めた。結果は第３図
に示されるとおりであり、抵抗値としてはせし、ぜし、
３００Ｑ′□が限度であることが判った。また、その特
性試験として実施例１の場合と同様の耐熱性および耐湿
性試験を行なった結果は、前記の第２表に併記されると
おりであった。実施例 ２ 抵抗体のメッキ液として、グリシンを添加せず、かつシ
スティン塩酸塩の代わりにシスチン２．０夕／そを添加
してなるものを用いた以外は、実施例１と全く同様にし
て抵抗体付き回路基板を作製した。

この基板の抵抗体の合金組成を実施例１と同様にして調
べた結果は、スズ７０．２重量％、ニッケル２９．８重
量％で、ィオゥ含有量はＥＳＣＡ測定でのニッケルに対
する相対強度で１９．２％であった。つぎに、上記基板
から実施例１と同様にして回路板を作製し、この回路板
の抵抗値とメッキ時間との関係を調べた結果は、第４図
に示されるとおりであった。

また、耐熱性および耐湿性を前記同様にして調べた結果
は、つぎの第３表に示されるとおりであった。第３表 実施例 ３〜６ 抵抗体合金メッキ用のメッキ液として、つぎの第４表に
示す如く、塩化第一スズを６〜４５夕／夕及び塩化ニッ
ケルを１５〜５４夕／その範囲でしかも両者の和が６０
タ′そとなるように調整したメッキ液を用い、かつシス
ティン塩酸塩の代わりにホモシスチン１．１夕／夕を添
加した以外は、実施例１と全く同様にして抵抗体付き回
路基板を作製した。

この基板の合金組成を前記同様にして調べた結果、およ
び上記基板から前記同様に回路板をつくり、その抵抗値
が約４５００′口のものについて特性試験を行なった結
果は、つぎの第４表に示される通りであった。第４表 比較例 ２ 抵抗体メッキ用のメッキ液として、塩化ニッケルを６夕
／夕、かつ塩化第一スズを５４タ′そ添加してなるもの
を用いた以外は、実施例４と全く同様にして抵抗体付き
回路基板を作製した。

この基板の合金組成を前記第４表に併記した。またこの
基板から前記同様にして回路板を得、メッキ時間（８〜
１０鼠砂）と得られた回路板の抵抗値との関係を求めた
。結果は第５図に示されるとおり、抵抗値が１０００′
口以下と非常に低かった。参考までに抵抗値が６００／
口のものにつき、その耐熱性および耐泡性を調べた結果
を前記第４表に併記した。比較例 ３抵抗体メッキ用の
メッキ液として、塩化第一スズを添加せず、かつ塩化ニ
ッケルを６０夕／Ｚ添加してなるものを用いた以外は、
実施例４と全く同様にして抵抗体のメッキを行なった。

しかし、０．５Ａ／ｄ〆では５分間メッキしてもほとん
どメッキされず、ヤケの原因と思われる黒っぽさがある
のみであった。参考のために長時間メッキにより得た抵
抗体の合金組成だけを前記第４表に併記した。実施例
７〜１０ 抵抗体合金メッキ用のメッキ液として、つぎの第５表に
示される組成のものを用いた以外は、実施例１と同様に
して抵抗体付き回路基板を得た。

この基板の合金組成を調べた結果、およびこの基板から
回路板を作製し、その抵抗値が約６０００／口のものに
ついて特性試験を行なった結果は、つぎの第５表に示さ
れるとおりであった。第５表実施例 １１〜１５ 抵抗体合金のメッキ液として、システイン塩酸塩の代わ
りにシスチン０．１〜１２夕／そ添加してなるものを用
い、かつメッキ時間を１００秒とした以外は、実施例１
と同様にして抵抗体付き回路基板を作製した。

この基板の合金組成を調べた結果、およびこの基板から
作製した回路板の耐熱性、耐湿性を調べた結果は、つぎ
の第６表に示されるとおりであった。また、第６図は上
記シスチンの添加量と面積抵抗値との関係を図示したも
のである。第６表実施例 １６〜１９ 抵抗体合金メッキ用のメッキ液として、システィン塩酸
塩の代わりに、つぎの第７表に示される各種の含硫アミ
ノ酸を用いた以外は、実施例１と同様にして抵抗体付き
回路基板を作製した。

このＸ基板の合金組成を調べた結果、およびこの基板か
ら回路板を作製し、その抵抗値が約５０００′口のもの
につき、耐熱性および耐湿性を調べた結果は、第７表に
併記される通りであった。第７表 実施例 ２０〜２４ メッキ条件を、つぎの第８表に示される如く「０．１〜
２．５Ａ′ｄ枕、３０〜６０００にした以外は、実施例
１３と全く同様にして抵抗体付き回路基板を作製した。

この基板の合金組成を調べた結果、およびこの基板から
回路板を作製し、その抵抗値が約８０００／口のものに
つき耐熱性および耐緑性を調べた結果は、第８表に示さ
れる通りであった。第８表

【図面の簡単な説明】

・ 第１図Ａ〜日はこの発明の抵抗体付き回路基板から
所定の回路板を形成するための工程図、第２図、第４図
および第６図はこの発明の抵抗体付き回路基板の性能を
示す特性図、第３図および第５図はこの発明とは異なる
抵抗体付き回路基板の性能を示す特性図、第７図はこの
発明の抵抗体付き回路基板における抵抗体の層を形成す
るための好適なメッキ条件の範囲を示す説明図である。 １・・・・・・高導電体、２・・・・・・抵抗体の層、
３・…・・電気絶縁層。第１図 第２図 第３図 第ム図 第５図 第６図 第７図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 電気絶縁層の少くとも片面に抵抗体の層を介して高
   導電体を接合した構造の回路基板において、上記抵抗体
   がスズ−ニツケル−イオウの三元合金からなることを特
   徴とする抵抗体付き回路基板。 ２ 三元合金がスズとニツケルとの合計量中スズ３０〜
   ８５重量％およびニツケル７０〜１５重量％を含有し、
   かつこの含有ニツケルに対しＥＳＣＡ測定による相対強
   度比で５〜７０％のイオウを含むものからなる特許請求
   の範囲第１項記載の抵抗体付き回路基板。 ３ 電気絶縁層の少くとも片面に抵抗体の層を介して高
   導電体を接合した構造の回路基板を製造するに当たり、
   金属換算で２〜５０ｇ／ｌのスズ塩と１．５〜２５ｇ／
   ｌのニツケル塩と共に、１００〜４００ｇ／ｌのピロリ
   ン酸カリウム、０．０５ｇ／ｌ以上飽和濃度までの含流
   アミノ酸またはその塩および０〜５０ｇ／ｌのα−アミ
   ノ酸またはその塩を含有するメツキ液を使用し、このメ
   ツキ液から電気メツキにより高導電体上に抵抗体の層を
   形成することを特徴とする抵抗体付き回路基板の製造法
   。