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JPS6019429B2 - Drain dryer - Google Patents
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JPS6019429B2 - Drain dryer - Google Patents

Drain dryer

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JPS6019429B2
JPS6019429B2 JP10363980A JP10363980A JPS6019429B2 JP S6019429 B2 JPS6019429 B2 JP S6019429B2 JP 10363980 A JP10363980 A JP 10363980A JP 10363980 A JP10363980 A JP 10363980A JP S6019429 B2 JPS6019429 B2 JP S6019429B2
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Japan
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rotor
drying
draining
silicon wafer
drying device
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征一郎 相合
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Description

【発明の詳細な説明】 この発明はシリコンウヱハ、液晶用ガラス、フオトマス
ク用ガラス、レンズその他の薄肉状の被処理体を水切乾
燥させる場合に使用する水切乾燥装置に関するものであ
る。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a draining and drying apparatus used for draining and drying thin-walled objects such as silicon wafers, liquid crystal glasses, photomask glasses, lenses, and other thin objects.

シリコンウェハ、液晶用ガラス、フオトマスク用ガラス
、レンズ等を水洗した後に水切乾燥する場合に使用する
水切乾燥装置として従来使用されているものは、第1図
及び第2図に示すように、隆体2内にテーブル状のロー
ター3を備え、ローター3に複数のキャリャーホルダー
4を固定している。
As shown in Figures 1 and 2, conventional drain dryers are used to drain and dry silicon wafers, liquid crystal glasses, photomask glasses, lenses, etc. after washing them with water. A table-like rotor 3 is provided inside the rotor 2, and a plurality of carrier holders 4 are fixed to the rotor 3.

水切乾燥すべきシリコンウェハ等はかご状のキャリャー
に収納された後、キャリャーに前記のキャリャーホルダ
−4にセットする。この状態で電源を○即こして、ロー
ター3を500〜150び.p.mで高速回転させると
、シリコンウェハ等に附着していた水滴等が遠心力によ
って飛ばされて、水切が行なわれる。また、キャリャー
ホルダ−4等の回転によって中心部に発生する負圧を利
用して吸引された乾燥用気体がシリコンウェハ等の表面
を乾燥させる。しかしながら、このように構成された従
来の水切装置では、ロータ−とともに高速回転するシリ
コンウェハ等の表面には気体との摩擦により摩擦帯電を
起し、静電気が発生する。
Silicon wafers and the like to be drained and dried are stored in a basket-shaped carrier, and then set in the carrier holder 4 described above. In this state, immediately turn off the power and rotate the rotor 3 for 500 to 150 rpm. p. When the device is rotated at a high speed of m, water droplets adhering to the silicon wafer etc. are blown away by centrifugal force and water is removed. In addition, the drying gas sucked in using the negative pressure generated in the center by the rotation of the carrier holder 4 dries the surface of the silicon wafer or the like. However, in the conventional draining device configured as described above, the surface of a silicon wafer or the like that rotates at high speed together with the rotor is frictionally charged due to friction with gas, and static electricity is generated.

この摩擦帯電には従来は特別の対策が探られておらず、
前記の摩擦帯電に起因して、シリコンゥェハ等に静電破
壊が生じたり、或いは塵挨が付着したりすることがあり
、製品の歩蟹りの低下や品質を劣化させている。この発
明は上記の如き事情に鑑みてなされたものであって、簡
単な構造で、すべてのシリコンウェハ等に均一に乾燥用
気体を当てることができ、したがって、均一な乾燥状態
を得ることができるとともに、シリコンゥェハ等の表面
に発生した静電気を確実に除去し得る水功乾燥装置を提
供することを目的とするものである。
Until now, no special measures have been taken to deal with this frictional electrification.
Due to the above-mentioned frictional electrification, silicon wafers and the like may be damaged by electrostatic discharge, or dust may be attached to the silicon wafers, resulting in poor product quality and poor product quality. This invention was made in view of the above-mentioned circumstances, and has a simple structure that allows drying gas to be applied uniformly to all silicon wafers, etc., thereby making it possible to obtain a uniform dry state. Another object of the present invention is to provide a water drying device that can reliably remove static electricity generated on the surface of a silicon wafer or the like.

この目的に対応して、この発明の水切乾燥装置は、ロー
ターに支持されている被水切乾燥体の除電をするように
電気式除電器を配設してなることを特徴としている。
Corresponding to this object, the draining/drying device of the present invention is characterized in that an electric static eliminator is disposed to eliminate static from the drained drying body supported by the rotor.

以下この発明の詳細を→実施例を示す図面について説明
する。
The details of this invention will be explained below with reference to the drawings showing embodiments.

第3図及び第4図において、1 1は水切乾燥装置であ
り、水切乾燥装置11は墓体12を備えている。
In FIGS. 3 and 4, reference numeral 11 denotes a draining and drying device, and the draining and drying device 11 is equipped with a grave body 12.

篤体12内にはテーブル状のローター13が位置してお
り、ローター13にキャリャー支持体14が取り付けら
れている。ウェハの水切乾燥に際しては、キャリャー支
持体14に多数のウェハ(図示せず)を収納したウェハ
ーキヤリヤーI5を固着支持させる。ローター13及び
キャリャー支持体14の外側には複数の反射防止用羽根
16が配設されている。篤体12の上端部には開閉可能
な蓋17が設けられ、蓋17にはローター13の回転中
心とほぼ同軸状に吸気孔18が形成され、この吸気孔1
8にはメッシュが張設されている。蓋17の裏面には吸
気孔18とほぼ同心状に整流装置19が取り付けられて
いる。整流装置19は同0状に位置する複数の整流板2
1a.21b・・・からなっている。整流板21a,2
1b・・・はそれぞれ円筒部22と、円筒部22の下端
に半径方向に延出するつば部23とから成る。整流板2
1a,21b・・・の円筒部22は隣り合う整流板の円
筒部と径を異にし、隣り合う整流板21a,21b・・
・は円筒部が一部分重なり合うように同0状に位置し、
隣り合う整流板間の間隙が通風路24を構成する。この
整流板21は、ロ−ター13の回転中心とほぼ同軸状に
位置し、かつ乾燥用気体が整流装置19の外側に均等に
吐出させるように、その寸度及び位置が決められている
。第3図、第5図及び第6図に示す如く、水切乾燥装置
11には除電装層25が取り付けられている。
A table-like rotor 13 is located within the body 12, and a carrier support 14 is attached to the rotor 13. When draining and drying the wafers, a wafer carrier I5 containing a large number of wafers (not shown) is fixedly supported on the carrier support 14. A plurality of anti-reflection vanes 16 are disposed outside the rotor 13 and carrier support 14. A lid 17 that can be opened and closed is provided at the upper end of the body 12, and an intake hole 18 is formed in the lid 17 substantially coaxially with the center of rotation of the rotor 13.
8 is covered with mesh. A rectifier 19 is attached to the back surface of the lid 17 so as to be substantially concentric with the intake hole 18 . The rectifying device 19 includes a plurality of rectifying plates 2 arranged in the same shape.
1a. It consists of 21b... Current plate 21a, 2
1b... each consists of a cylindrical portion 22 and a flange portion 23 extending in the radial direction from the lower end of the cylindrical portion 22. Current plate 2
The cylindrical parts 22 of 1a, 21b... have different diameters from the cylindrical parts of adjacent current plates, and the adjacent current plates 21a, 21b...
・ are located in the same 0 shape so that the cylindrical parts partially overlap,
A gap between adjacent current plates constitutes a ventilation passage 24. The rectifier plate 21 is located substantially coaxially with the center of rotation of the rotor 13, and its size and position are determined so that the drying gas is evenly discharged to the outside of the rectifier 19. As shown in FIGS. 3, 5, and 6, a static eliminator layer 25 is attached to the draining/drying device 11.

除電装暦25は高圧電極と接地電極を備え、高圧電極に
高電圧を印加することによってコ。ナ放電を起こし、正
または負のイオンを発生させるものである。この高圧電
極26は整流板21a,21b・・・のつば部23に取
り付けられる。すなわち、整流板21a,21b・・・
のつば部23は所定間隔を置いて位置する2枚の環板2
7a,27bから成り、その環板27a,27bの間に
保護絶縁物28が位置し、その保護絶縁物28内に放電
端が突出した状態で高圧電極26が放射状に埋め込まれ
て位置する。高圧電極26の基端部には高圧電線29が
接続する。また接地電極31は環板27a,27bの先
端の外側に酉己設されている。このように構成された水
切乾燥装置11においては、被処理体たるシリコンゥェ
ハ等をウェハーキャリャー15に収納した後、キャリャ
ー支持体14にセットし、しかる後、蓋17を閉めて、
電源をONにしてローター13を回転させる。ローター
13の回転により、シリコンウェハ等に付着している水
滴等は遠心力により、ローター13の外側に飛ばされて
水切が行なわれる。ローター13の外側に飛ばされた水
滴は反射防止用羽根16に案内され排気口32に送り出
されて篤体12の外に出るので、水滴がシリコンウェハ
に向って反射されることはない。ローター13の回転に
よって前記の水切りが行なわれると同時に、ローター1
3の回転中心側が負圧となり、清浄な空気或いはN2ガ
ス等の乾燥用気体が篤体12の外部から蓋17の吸気孔
18を通してローター13の回転中心側に流れ込み、キ
ャリャー支持体14に支持されて回転中のシリコンウェ
ハに当って、水切り後のシリコンウェハを乾燥させる。
The static eliminator 25 is equipped with a high voltage electrode and a ground electrode, and removes electricity by applying a high voltage to the high voltage electrode. It causes a discharge and generates positive or negative ions. This high voltage electrode 26 is attached to the flange portion 23 of the rectifier plates 21a, 21b, . . . . That is, the current plates 21a, 21b...
The collar part 23 is made up of two ring plates 2 located at a predetermined interval.
A protective insulator 28 is located between the ring plates 27a and 27b, and high voltage electrodes 26 are embedded radially within the protective insulator 28 with their discharge ends protruding. A high-voltage electric wire 29 is connected to the base end of the high-voltage electrode 26 . Further, the ground electrode 31 is provided on the outside of the tips of the ring plates 27a and 27b. In the drain drying device 11 configured as described above, a silicon wafer or the like to be processed is stored in the wafer carrier 15, and then set on the carrier support 14, and then the lid 17 is closed.
Turn on the power and rotate the rotor 13. As the rotor 13 rotates, water droplets adhering to the silicon wafer, etc., are blown to the outside of the rotor 13 by centrifugal force and drained. The water droplets blown to the outside of the rotor 13 are guided by the antireflection vanes 16 and sent out to the exhaust port 32 to exit the body 12, so that the water droplets are not reflected toward the silicon wafer. As the rotor 13 rotates, the water is drained as described above, and at the same time, the rotor 1
The rotation center side of the rotor 13 becomes negative pressure, and clean air or drying gas such as N2 gas flows from the outside of the body 12 through the intake hole 18 of the lid 17 to the rotation center side of the rotor 13 and is supported by the carrier support 14. It hits the rotating silicon wafer and dries the silicon wafer after draining water.

この場合に、0ーター13の回転中心側には整流装置1
9が位置しており、ここを流れる乾燥用気体を矢印33
a,33b,33cで示す如く、整流板21が分配し、
回転方向における乾燥用気体の流量、及び流速の分布を
均一にするから、すべてのシリコンウェハについて均一
な乾燥状態となる。一方、シリコンウェハは乾燥用気体
との接触によって、その表面が帯電するが、高圧電極2
6に高電圧を印加すると矢印34で示す如く接地電極3
1に向ってコロナ放電が生じ、これによって乾燥気体中
に正または負のイオンが発生する。
In this case, a rectifier 1 is placed on the rotation center side of the 0-tar 13.
9 is located, and the drying gas flowing here is indicated by arrow 33.
As shown by a, 33b, 33c, the current plate 21 distributes,
Since the distribution of the flow rate and flow velocity of the drying gas in the rotational direction is made uniform, all silicon wafers are dried in a uniform state. On the other hand, the surface of a silicon wafer becomes electrically charged when it comes into contact with the drying gas, but the high-voltage electrode 2
When a high voltage is applied to the ground electrode 3 as shown by the arrow 34,
1, a corona discharge occurs, which generates positive or negative ions in the dry gas.

このイオンは乾燥気体の気流に運搬されて、シリコンゥ
ェハに達し、シリコンウェハ上の反対極性の静電荷を中
和消滅させる。したがって、乾燥終了後にローターから
シリコンウェハを取り出す場合にも静電破壊を生ずるこ
とがなく、また塵挨等が付着するおそれもない。このよ
うに、この発明によれば、簡単な構造で、すべてのシリ
コンゥェハ等に乾燥用気体を均一に当てることができ、
したがって均一な乾燥状態を得ることができ、しかも静
電気の発生に起因する製品の歩蟹りの低下や品質の劣化
を防ぐことができる水切乾燥装置を得ることができる。
These ions are carried by the dry gas stream and reach the silicon wafer, where they neutralize and eliminate electrostatic charges of opposite polarity on the silicon wafer. Therefore, even when the silicon wafer is taken out from the rotor after drying, electrostatic damage will not occur, and there is no risk of dust or the like adhering to the silicon wafer. As described above, according to the present invention, drying gas can be uniformly applied to all silicon wafers etc. with a simple structure,
Therefore, it is possible to obtain a draining drying device that can obtain a uniform drying state and can also prevent a decrease in product quality and deterioration of product quality due to the generation of static electricity.

なお、以上の説明は主として、被処理体がシリコンウェ
ハであり、したがってこの発明をシリコンウェハの水切
乾燥装置に適用した例についてなされたが、この発明は
この他に、被処理体が、液晶用ガラス、フオトマスク用
ガラス、レンズその他の薄肉体である場合にも、そのま
ま適用することができる。
Note that the above description has mainly been made regarding an example in which the object to be processed is a silicon wafer and the present invention is applied to a silicon wafer draining/drying device. It can be applied as is to glass, photomask glass, lenses, and other thin bodies.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は従来の水切乾燥装置を示す縦断面説明図、第2
図は第1図におけるローロ部断面図、第3図はこの発明
の水功乾燥装置の−実施例を示す縦断面説明図、及び第
4図は第3図におけるW−N部断面図、第5図は整流板
を示す縦断面図及び第6図は第5図におけるの−の部断
面図である。 11・・・水切乾燥装置、12・・・錘体、13・・・
ローター、14・・・キャIJャー支持体、15・・・
ウェハーキャリャー、16・・・反射防止用羽根、17
・・・蓋、18・・・吸気孔、19・・・整流装置、2
1・・・整流板、25・・・除電装層、26・・・高圧
電極、31・・・接地電極。 第1図 第2図 第3図 第4図 第5図 第6図
Figure 1 is a vertical cross-sectional explanatory diagram showing a conventional draining and drying device;
The drawings are a cross-sectional view of the roller section in FIG. 1, FIG. 3 is a vertical cross-sectional explanatory view showing an embodiment of the water drying device of the present invention, and FIG. 4 is a cross-sectional view of the W-N section in FIG. FIG. 5 is a longitudinal cross-sectional view showing the current plate, and FIG. 6 is a cross-sectional view of the portion marked with - in FIG. 11... Draining and drying device, 12... Plumb body, 13...
Rotor, 14... Car IJ carrier support, 15...
Wafer carrier, 16... anti-reflection blade, 17
... Lid, 18 ... Intake hole, 19 ... Rectifier, 2
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Rectifier plate, 25... Static eliminator layer, 26... High voltage electrode, 31... Ground electrode. Figure 1 Figure 2 Figure 3 Figure 4 Figure 5 Figure 6

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 ローターに支持されている被水切乾燥体の除電をす
るように電気式除電器を配設してなることを特徴とする
水切乾燥装置。 2 電気式除電器の高圧電極を前記被水切乾燥体に達す
る乾燥用気流の前記通風路とほぼ同心状に配設してなる
ことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の水切乾燥
装置。
[Scope of Claims] 1. A draining and drying device characterized in that an electric static eliminator is disposed to eliminate static electricity from a drained and dried object supported by a rotor. 2. The draining and drying device according to claim 1, wherein a high voltage electrode of an electric static eliminator is disposed approximately concentrically with the ventilation path for drying airflow reaching the drained drying body. .
JP10363980A 1980-04-23 1980-07-30 Drain dryer Expired JPS6019429B2 (en)

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JP10363980A JPS6019429B2 (en) 1980-07-30 1980-07-30 Drain dryer
PCT/JP1981/000094 WO1984004583A1 (en) 1980-04-23 1981-04-21 Dryer
US06/339,521 US4445281A (en) 1980-04-23 1981-04-21 Dehydrating drier

Applications Claiming Priority (1)

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JP10363980A JPS6019429B2 (en) 1980-07-30 1980-07-30 Drain dryer

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JPS5728978A JPS5728978A (en) 1982-02-16
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Families Citing this family (4)

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JPS58203630A (en) * 1982-05-20 1983-11-28 Fujitsu Ltd Method for drying disk
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JPS60181026U (en) * 1984-05-14 1985-12-02 黒谷 巌 Semiconductor material draining and drying equipment
JPS617029U (en) * 1984-06-15 1986-01-16 黒谷 巌 Semiconductor material draining and drying equipment

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