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JPS6022368B2 - switch circuit - Google Patents
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JPS6022368B2 - switch circuit - Google Patents

switch circuit

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Publication number
JPS6022368B2
JPS6022368B2 JP59054214A JP5421484A JPS6022368B2 JP S6022368 B2 JPS6022368 B2 JP S6022368B2 JP 59054214 A JP59054214 A JP 59054214A JP 5421484 A JP5421484 A JP 5421484A JP S6022368 B2 JPS6022368 B2 JP S6022368B2
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JP
Japan
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circuit
output
clock pulses
terminal
clear
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JP59054214A
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▲あきら▼ 高梨
周一 鳥居
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Hitachi Ltd
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Hitachi Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、スイッチ回路に関し、特に MISFET(絶縁ゲート型電界効果トランジスタ)で
構成されたディジタル制御回路に用いられるオートクリ
ア回路に適用して有効なスイッチ回路の制御に関するも
のである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a switch circuit, and particularly to control of a switch circuit that is effective when applied to an auto-clear circuit used in a digital control circuit composed of MISFETs (insulated gate field effect transistors). It is.

以下、オートクリア回路に適用した場合を例にとり説明
する。本願において、FETの出力端子とは、ソースま
たはドレィンまたはその両方を示すものとする。ディジ
タル制御回路は、各種記憶回路を含む論理回路で構成さ
れ、その動作はクロックパルスに同期してなされる。電
源投入時においては、上記記憶回路の情報が、いずれに
安定するかは不定であるため、これを初期値に設定する
クリア動作が必要となる。オートクリア回路は、これを
電源投入時に自動的に行なおうとするものである。
Hereinafter, a case where the present invention is applied to an auto clear circuit will be explained as an example. In this application, the output terminal of an FET refers to the source or drain or both. The digital control circuit is composed of a logic circuit including various storage circuits, and its operation is performed in synchronization with clock pulses. When the power is turned on, it is uncertain in which state the information in the memory circuit will be stabilized, so a clearing operation is required to set it to an initial value. The auto clear circuit attempts to do this automatically when the power is turned on.

この発明は、MIS半導体集積回路に内蔵でき、かつ、
簡単な回路構成のスイッチ回路を提供しようとするもの
である。
The present invention can be incorporated into a MIS semiconductor integrated circuit, and
The present invention aims to provide a switch circuit with a simple circuit configuration.

本発明は発振回路からの出力より複数のクロックパルス
を分周回路により取り出し、それを2つのスイッチと1
つのコンデンサまたは、容量として作用するデバイスま
たは他のデバイスまたは配線からなるスイッチ回路の駆
動に使用するものである。
The present invention extracts a plurality of clock pulses from the output from an oscillation circuit using a frequency dividing circuit, and divides them between two switches and one clock pulse.
It is used to drive a switch circuit consisting of two capacitors, devices that act as capacitors, or other devices or wiring.

以下、実施例により、この発明を具体的に説明する。Hereinafter, the present invention will be specifically explained with reference to Examples.

第1図は、この発明者が考えたオートクリア回路の回路
図である。
FIG. 1 is a circuit diagram of an auto clear circuit devised by the inventor.

この回略は、C−肌S(相補型MIS)論理回路で構成
された電子式卓上計算機等のディジタル制御回路におけ
るオートクリア回路の一実施例を示すものである。
This circuit shows an example of an auto-clear circuit in a digital control circuit such as an electronic desktop calculator configured with a C-Skin S (complementary MIS) logic circuit.

この回路において、MISFETQ,,Q2は、n型基
板上に形成されたp型ウェル領域に構成されるnチャン
ネル型の伝送ゲート肌SFETである。
In this circuit, MISFETs Q, Q2 are n-channel type transmission gate skin SFETs configured in a p-type well region formed on an n-type substrate.

このMISFETQ,,Q2を直列接続して、それぞれ
の出力側に、容量C,,C2を設けるとともに、クロッ
クパルス?・,?2 で制御する。このクロックパルス
◇・,◇2は、第2図に示すように、互いに位相が異な
り、そのアクティブレベル(nチャンネル型MISFE
Tであるから、基準電位レベル)が重なり合うことがな
いよう形成された2相のクロツクパルスである。上記伝
送ゲートMISFETQ,の入力側には、電流制限用p
チャンネル型肌SFETQ3を設け、これを介して電源
電圧−Vssを印加するものとする。
The MISFETs Q, , Q2 are connected in series, and capacitors C, , C2 are provided on each output side, and a clock pulse?・,? Control with 2. These clock pulses ◇・, ◇2 have different phases from each other as shown in FIG.
Since it is T, it is a two-phase clock pulse formed so that the reference potential level) does not overlap. On the input side of the transmission gate MISFETQ, there is a current limiting p
It is assumed that a channel type skin SFET Q3 is provided, and a power supply voltage -Vss is applied through this.

そして、上記nチャンネル型肌SFETQ,,Q2が構
成されるp型ゥェル領域には、基準電位が印加されるn
型基板とを電気的に分離するためのバイアス電圧として
、上記電源電圧−Vssが印加されるものである。
A reference potential is applied to the p-type well region where the n-channel skin SFETs Q, , Q2 are configured.
The power supply voltage -Vss is applied as a bias voltage for electrically isolating the mold substrate from the mold substrate.

上記容量C,,C2は、所定の容量比をもって、C2>
C,に選ぶよう設定する。
The above capacitances C, , C2 have a predetermined capacitance ratio, C2>
Set to select C.

これは、後述する動作説明より理解されよう。この容量
C2の蓄積電圧を入力とするィンバ−タ回路INの出力
をオートクリア信号ぐ^cLとして用いる。
This will be understood from the explanation of the operation described below. The output of the inverter circuit IN which inputs the accumulated voltage of the capacitor C2 is used as the auto clear signal cL.

この回路により、オートクリア信号が形成できる理由は
、第2図に示す動作波形図を参照して、次に説明する。
The reason why an auto-clear signal can be generated by this circuit will be explained next with reference to the operating waveform diagram shown in FIG.

まず、電源投入により、電源電圧一Vssが、立ち下る
。このとき、発振回路が発振動作を開始して、所定のレ
ベルのクロツクパルス◇・,J2が形成されるまでの間
、伝送ゲート肌SFETQ,,Q2がnチャンネル型M
ISFETであることより、両者共オン状態となるため
、上記電源電圧−Vssの立ち下りにより、容量C,,
C2に充電がなされる。したがって、これを防止するた
めに、電流制限用MISFETQ3を設けるものである
。すなわち、このMISFETQは、電源電圧−Vss
が立ち下っても、そのゲート電圧がしきし、値電圧以上
に大きくならないとオンせず、この動作はそのゲート容
量と抵抗Rの時定数で制御できる。この抵抗Rは、また
MISFETQ3のゲート保護用としても作用する。こ
れは、モノリシック集積回路の外は端子に直嬢ゲートが
接続されるためである。したがって、クロツクパルスJ
,,め2により伝送ゲート肌SFETQ,,Q2が正常
のオン、オフ動作をするまでの間、上記MISFETQ
3により、容量C,,C2、特に出力側容量C2への充
電動作を阻止する。
First, when the power is turned on, the power supply voltage -Vss falls. At this time, until the oscillation circuit starts the oscillation operation and the clock pulse ◇・, J2 of a predetermined level is formed, the transmission gate skin SFETs Q,, Q2 are connected to the n-channel type M
Because they are ISFETs, both are in the on state, so the capacitance C,...
C2 is charged. Therefore, in order to prevent this, the current limiting MISFET Q3 is provided. That is, this MISFETQ is connected to the power supply voltage -Vss
Even if the voltage falls, the gate voltage will not turn on unless it becomes higher than the value voltage, and this operation can be controlled by the time constant of the gate capacitance and the resistor R. This resistor R also functions to protect the gate of MISFETQ3. This is because the direct gate is connected to the terminal outside the monolithic integrated circuit. Therefore, clock pulse J
,, Until the transmission gate skin SFETQ,, Q2 performs normal on/off operation by means 2, the above MISFETQ
3 prevents the charging operation to the capacitors C, , C2, especially the output side capacitor C2.

このため、インバータ回路INの出力は、電源電圧−V
ssの立ち下りとともに、立ち下るクリア信号◇^cL
を形成する。
Therefore, the output of the inverter circuit IN is the power supply voltage -V
Clear signal that falls with the fall of ss◇^cL
form.

これにより、所定の記憶回路は、その電源電圧が所定の
動作電圧に達するとこのクリア信号J^cLでクリア動
作をする。次に、クロツクパルス?,,02 により、
伝送ゲートMSFETQ,,Q2が交互にオンするため
、その度に、容量C,に蓄積された電荷の容量C2への
移送がなされ、徐々に容量C2の充電電圧レベルが大き
くなる。これを定量的に説明すると、次のようになる。
まず、説明を簡単にするため、MISFETQ,〜偽の
しきい値電圧による電圧ロスを省略して説明する。
As a result, a predetermined memory circuit performs a clearing operation using this clear signal J^cL when its power supply voltage reaches a predetermined operating voltage. Next, clock pulse? ,,02,
Since the transmission gates MSFETs Q, , Q2 are turned on alternately, each time the charge stored in the capacitor C is transferred to the capacitor C2, the charging voltage level of the capacitor C2 gradually increases. A quantitative explanation of this is as follows.
First, in order to simplify the explanation, the explanation will be made while omitting the voltage loss due to the false threshold voltage of MISFETQ.

肌SFETQ,のオンにより容量C,への電荷量q,は
、式‘1}で求められる。
The amount of charge q, which is applied to the capacitor C by turning on the skin SFET Q, is determined by Equation '1'.

q,=C,Vss ・・…・…‘
1’MISFETQ2のオンによる電荷移送による蓄積
レベルをVx,とすると次式■が求められる。
q,=C,Vss...'
If the accumulation level due to charge transfer due to turning on of 1' MISFET Q2 is Vx, then the following equation (2) can be obtained.

C,VSS=(C,十C2)VX, ………■
次のクロックパルスぐ,,め2による蓄積レベルをVx
2とすると、次式‘3}が求められる。C,(VS8−
VX,)+(C,十C2)VX,=(C,十C2)Vx
2 ………{31以下同機に、n番目の
クロックバルス01,02による蓄積レベルをVxnと
すると、次式【4)の関係式が得られる。C,(Vss
−Vxn−,)+(C,十C2)Vxn‐,ニ(CI十
C2)VXn ………【4,したがって
、Vxn>VL(VLはインバータ回路のロジックスレ
ツショルド電圧)のとき、インバータ回路INは、反転
してクリア動作を解除する。
C, VSS = (C, 10C2) VX, ......■
Set the accumulation level by the next clock pulse to Vx
2, the following equation '3} is obtained. C, (VS8-
VX, ) + (C, ten C2) VX, = (C, ten C2) Vx
2......{31 or less In the same aircraft, if the accumulation level due to the nth clock pulses 01 and 02 is Vxn, the following relational expression (4) is obtained. C, (Vss
−Vxn−, )+(C, 10C2)Vxn−, 2(CI0C2)VXn ………[4, Therefore, when Vxn>VL (VL is the logic threshold voltage of the inverter circuit), the inverter circuit IN is reversed to cancel the clear operation.

上記クロックパルスJ,,J2の周期を考慮して、容量
比(C,/C2)を適当に選ぶことにより、電源投入時
に所定の期間発生するクリア信号J^cLを得ることが
できる。
By appropriately selecting the capacitance ratio (C, /C2) in consideration of the cycles of the clock pulses J, , J2, it is possible to obtain the clear signal J^cL that is generated for a predetermined period when the power is turned on.

一般に、電子式卓上計算機等のディジタル制御回路には
、クロックパルスに従って動作シーケンスを進めるもの
であるから、特別なクロック発生回路を要せず、従って
、オートクリア回路としては、第1図に示すように、伝
送ゲートMISFETQ,〜Q3及び容量C,〜C2並
びにインバータ回路mで構成でき、極めて簡単な回路と
なる。
In general, digital control circuits such as electronic desk calculators do not require a special clock generation circuit because they advance the operation sequence according to clock pulses. In addition, it can be configured with transmission gates MISFETQ, .about.Q3, capacitors C, .about.C2, and inverter circuit m, resulting in an extremely simple circuit.

また、この回路においては、伝送ゲート MISFETQ,,Q2をp型ウェル領域内に形成され
たnチャンネル型MISFETを用いることにより、そ
のウェル領域と基板との間に介在するpn接合D.〜D
3を利用して、電源オフ時の上記容量C,,C2の放電
経路が構成でき、回路の簡素化に役立たせている。
In addition, in this circuit, by using n-channel type MISFETs formed in a p-type well region as the transmission gates MISFETs Q, , Q2, the pn junction D. ~D
3 can be used to construct a discharge path for the capacitors C, C2 when the power is turned off, which is useful for simplifying the circuit.

なお、電源投入とほぼ同時に、クロックパルスが発生す
る場合、及び、例えば負の電源電圧に対するpチャンネ
ルMISFETにより上記伝送ゲートMISFETQ,
,Q2を構成するときのように伝送ゲートMISFET
のアクティブレベルが電源電圧側レベルの場合には、上
記電流制限用MISFETQは不要となるが、その代り
に電源オフ時の放電用のダイオードを特別に作成する必
要がある。
Note that when a clock pulse is generated almost simultaneously with power-on, and for example, the transmission gate MISFETQ,
, Q2, the transmission gate MISFET
When the active level of is on the power supply voltage side level, the current limiting MISFETQ is not necessary, but instead it is necessary to specially create a diode for discharging when the power is turned off.

また、前記の例において、容量C2の電荷をクロツクパ
ルス少,で制御される伝送ゲートMISFETを設け、
3段にわたって電荷を移送させるもの等、3段以上によ
る回路としてもよい。
Further, in the above example, a transmission gate MISFET is provided in which the charge of the capacitor C2 is controlled by a small clock pulse,
A circuit with three or more stages may be used, such as one in which charges are transferred over three stages.

第3図は本発明の実施例のスイッチ回路の回路図である
。クロツクパルスを用いない電子式ディジタル時計のよ
うに一発振回路及び分周回路を有するものにおいては、
第3図に示すように、時間パルスを形成するための分周
回路のうち、所定の分周出力F4〜F6を入力とするゲ
ート回路G,,○2により、前記同様のクロックバルス
を形成すればよい。すなわち、分周出力F4Q〜F6Q
を入力とするNOR回路によるゲート回路○2と、分周
回路F4Q,F5Q,F6Qを入力とするNAND回路
によるゲート回路○,及びその反転出力を得るためのィ
ンバータ回路m,とにより、第4図に示すゲート出力G
,,○2を得ることができる。
FIG. 3 is a circuit diagram of a switch circuit according to an embodiment of the present invention. For electronic digital watches that do not use clock pulses and have a single oscillation circuit and a frequency dividing circuit,
As shown in FIG. 3, among the frequency dividing circuits for forming time pulses, a clock pulse similar to that described above is formed by gate circuits G, ○2 which receive predetermined frequency divided outputs F4 to F6 as inputs. Bye. In other words, the divided outputs F4Q to F6Q
The gate circuit ○2 is a NOR circuit whose input is a NOR circuit, the gate circuit ○ is a NAND circuit whose input is a frequency divider circuit F4Q, F5Q, F6Q, and an inverter circuit m for obtaining its inverted output. Gate output G shown in
,,○2 can be obtained.

また、この実施例においては、容量C2の蓄積レベルを
NOR回路G3,G4からなるラツチ回路に入力し、電
源投入時、第2図に示すような、ハイレベルぐ1”・・
…・…正論理)信号Cでもつて、ラッチ出力Qを“1”
にセットする。
In addition, in this embodiment, the storage level of the capacitor C2 is input to a latch circuit consisting of NOR circuits G3 and G4, and when the power is turned on, a high level of 1" as shown in FIG.
...Positive logic) Even with signal C, latch output Q is set to "1"
Set to .

そして、上記信号Cがローレベル(“0”)になった後
のキー入力信号で、ラッチ回路G3,G4を反転させる
ことにより、クリア動作の解除を行なおうとするもので
ある。時計の場合のクリア動作は、各種カウンタをリセ
ットし、特定の時間、例えばAMI幼時00分ないし、
0時0ひげとするようにするものである。
Then, by inverting the latch circuits G3 and G4 with the key input signal after the signal C becomes low level ("0"), the clearing operation is attempted to be canceled. In the case of a clock, the clear operation resets various counters and sets them to a specific time, such as AMI childhood 00 minutes or
This is to make it appear as a 0:0 whisker.

このクリア解除を行なう回路は、キースィッチ入力端子
MD,HMと基準電圧端子Vo。との間に設けられたプ
ルアップ抵抗を構成するpチャンネルMISFETQ,
Qと、これらのキー入力信号の波形整形のためのィンバ
ータ回路m2〜IN5と、これらの波形整形出力を入力
とするラツチ回路○5,G6と、これらのラツチ出力を
入力とするNOR回路G7と、その反転信号を形成する
ためのィンバータ回路とで構成される。上記ラッチ回路
G5,G6は、チャタリング防止、並びにスイッチの二
重押しを防止するためにある。上記し、ずれかのスイッ
チのオンにより入力されたローレベル(一Vssレベル
)の信号により、上記ラッチ回路○5,G6を介したN
OR回路G7の入力のいずれかが“1”となって、その
インバータ回路IN6を介した出力が“1”となり、ク
リア出力を保持しているラッチ回路G3,G4を反転さ
せて、クリア解除を行なう。
The circuit that performs this clearing is the key switch input terminals MD and HM and the reference voltage terminal Vo. p-channel MISFETQ, which constitutes a pull-up resistor provided between
Q, inverter circuits m2 to IN5 for shaping the waveforms of these key input signals, latch circuits ○5 and G6 that receive these waveform shaping outputs as inputs, and a NOR circuit G7 that receives these latch outputs as inputs. , and an inverter circuit for forming the inverted signal. The latch circuits G5 and G6 are provided to prevent chattering and double pressing of the switch. As mentioned above, when one of the switches is turned on, a low level (1 Vss level) signal is input to the N through the latch circuits ○5 and G6.
When one of the inputs of the OR circuit G7 becomes "1", the output via the inverter circuit IN6 becomes "1", inverting the latch circuits G3 and G4 that hold the clear output, and canceling the clearing. Let's do it.

なお、これらのキー入力回路は、このクリア動作解除用
のためだけにあるのではなく、むしろそれぞれのキース
ィッチに対応させたシステム制御のためにあり、それを
クリア解除回路に利用したものである。
Note that these key input circuits are not only for canceling the clear operation, but rather for system control corresponding to each key switch, and are used as the clear cancel circuit. .

この発明は、前記実施例に限定されず、C−肌S回路の
他、pチャンネルMISFET又はnチャンネルMIS
FETによる単一チャンネルMISFETで構成された
モノリシック集積回路に組み込むものとしてもよい。
The present invention is not limited to the above-mentioned embodiments, and in addition to the C-skin S circuit, p-channel MISFET or n-channel MIS
It may also be incorporated into a monolithic integrated circuit comprised of single channel MISFETs.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は、この発明者が考えたオートクリア回路の回路
図、第2図は、その動作波形図、第3図は、この発明の
実施例を示す回路図、第4図は、その一部の動作を示す
波形図である。 第1図 第2図 第3図 第4図
Figure 1 is a circuit diagram of an auto clear circuit devised by this inventor, Figure 2 is its operating waveform diagram, Figure 3 is a circuit diagram showing an embodiment of the invention, and Figure 4 is one of the circuit diagrams. FIG. Figure 1 Figure 2 Figure 3 Figure 4

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 (a) 発振回路の出力を受けて複数のクロツクパ
ルスを出力する分周回路と、(b) 上記のクロツクパ
ルスをそれぞれのゲート電極に受ける第1、第2のFE
Tと、(c) 上記第1、第2のFETの一方の出力端
子の共通接続点にその一方の端子が接続されその他方の
端子が電源端子に接続された第1の容量手段と、(d)
上記第1又は第2のFETの他方の出力端子にその一
方の端子が接続されその他方の端子が上記電源端子に接
続された第2の容量手段よりなり、上記第1、第2のF
ETは上記クロツクパルスにより交互に導通状態にされ
てなることを特徴とするスイツチ回路。
1 (a) A frequency dividing circuit that receives the output of the oscillation circuit and outputs a plurality of clock pulses, and (b) first and second FEs that receive the above clock pulses on their respective gate electrodes.
(c) a first capacitor means having one terminal connected to a common connection point of one output terminal of the first and second FETs and the other terminal connected to a power supply terminal; d)
a second capacitor means having one terminal connected to the other output terminal of the first or second FET and the other terminal connected to the power supply terminal;
ET is a switch circuit characterized in that it is alternately made conductive by the above-mentioned clock pulses.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04263997A (en) * 1991-02-18 1992-09-18 Masakazu Suzuki Diary

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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