JPS6023341B2 - Heat-resistant photoresist composition and method for producing the same - Google Patents
Heat-resistant photoresist composition and method for producing the sameInfo
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- JPS6023341B2 JPS6023341B2 JP15668777A JP15668777A JPS6023341B2 JP S6023341 B2 JPS6023341 B2 JP S6023341B2 JP 15668777 A JP15668777 A JP 15668777A JP 15668777 A JP15668777 A JP 15668777A JP S6023341 B2 JPS6023341 B2 JP S6023341B2
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、絶縁性および耐熱性に優れた新規なフオトレ
ジスト組成物に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a novel photoresist composition having excellent insulation properties and heat resistance.
今までに各種のフオトレジストが開発されているが、こ
れらの多くは感光性というだけであり、感光性と絶縁性
および耐熱性などの特性を合わせ持ったものはない。近
年、電子産業分野では、半導体回路、ハイブリッド回路
およびプリント回路などにおいては、高密度化の要請に
より、多層化の方向に進んでいる。Various photoresists have been developed so far, but most of them are only photosensitive, and there are no photoresists that combine properties such as photosensitivity, insulation, and heat resistance. In recent years, in the field of electronic industry, semiconductor circuits, hybrid circuits, printed circuits, and the like have been moving toward multilayering due to demands for higher density.
しかしながら、従釆のフオトレジストでは、絶縁性およ
び耐熱性などの特性が悪く、上記回路に残存させること
は不可能であり、絶縁性および耐熱性が優れた、上記回
絡に残存させることの可能なフオトレジストが望まれて
いる。本発明者らは、上記特性を持ったフオトレジスト
を開発すべ〈鋭意研究した結果、有機極性溶媒に可溶性
のポリアミドィミドに、アクリレート基を導入する事に
より、はじめて実用特性を有する耐熱性フオトレジスト
が得られる事を見い出し、本発明を完成するに到った。However, the conventional photoresist has poor properties such as insulation and heat resistance, and it is impossible to leave it in the above circuit. A photoresist is desired. The present inventors aimed to develop a photoresist with the above characteristics.As a result of intensive research, we were able to develop a heat-resistant photoresist with practical characteristics by introducing acrylate groups into polyamideimide soluble in organic polar solvents. The present inventors have discovered that the following can be obtained, and have completed the present invention.
即ち、本発明は、
{1} 一般式
又は、
又は、
〔ここでAJは
A正′は
(Rは水素、アルキル基、ハロゲンを示し、Xは〇,S
〇2,CH2,C〇,C〇〇,C(CH3)2,Sを示
し、これらは互いに同一であっても異なっていても良い
。That is, the present invention is based on the general formula {1} or,
〇2, CH2, C〇, C〇〇, C(CH3)2, and S, which may be the same or different.
)を示し、YIは
YはHまたはY,(ZはHまたはCH3)を示し、mは
0または正の整数、nは正の整数を示す。), YI is H or Y, (Z is H or CH3), m is 0 or a positive integer, and n is a positive integer.
〕で表わされるポリマーと、エチレン系不飽和二重結合
を有する化合物と、およびカルボニル化合物、過酸化物
、アゾ化合物、ィオウ化合物、ハロゲン化物の中から選
ばれた一驚以上の光重合開始剤とからなる事を特徴とす
る耐熱性フオトレジスト組成物、および【2)一般式
又は、
又は、
〔ここでAJは
AJ′は
(Rは水素、アルキル基、ハロゲンを示し、Xは。], a compound having an ethylenically unsaturated double bond, and an amazing photopolymerization initiator selected from carbonyl compounds, peroxides, azo compounds, sulfur compounds, and halides. A heat-resistant photoresist composition characterized by comprising the following formula:
,S〇2,CH2,C〇,C〇〇,C(CH3)2,S
を示し、これらは互いに同一であっても異なっていても
良い。)を示し、mは0または正の整数、nは正の整数
を示す。〕で表わされる有機極性溶媒に可溶のポリアミ
ドィミドと、(メタ)アクリル酸クロライド又はグリシ
ジル(メタ)アクリレートを、有機極性溶媒中で反応さ
せる事を特徴とする耐熱性フオトレジストの製造方法を
提供するものである。通常のポリアミドィミドは、有機
極性溶媒に対して不落である為に、アクリレート基の導
入およびコーティングが不可能であり、またポリアミド
ィミド合成の途中の段階の有機犠牲溶媒に可能なポリア
ミド酸は、アクリレート基の導入は一応可能であるが、
反応のコントロールがむづかしく、またポリアミド酸は
アミド結合に隣接してカルボキシル基や存在しているた
めに、加水分解を受け易く、溶液として長期間保存して
おくと、加水分解のために重合体の分子量が著しく低下
するという欠点を有しており、更にポリアミド酸をポリ
ァミドィミドに転化させるのに、コーティング後高温処
理が必要である。,S〇2,CH2,C〇,C〇〇,C(CH3)2,S
and these may be the same or different from each other. ), m is 0 or a positive integer, and n is a positive integer. ] A method for producing a heat-resistant photoresist, which comprises reacting a polyamideimide soluble in an organic polar solvent represented by the following formula with (meth)acrylic acid chloride or glycidyl (meth)acrylate in an organic polar solvent. This is what we provide. Ordinary polyamideimide is not susceptible to organic polar solvents, so it is impossible to introduce acrylate groups or coat it. Although it is possible to introduce an acrylate group,
It is difficult to control the reaction, and because polyamic acid has carboxyl groups adjacent to amide bonds, it is easily hydrolyzed, and if stored as a solution for a long time, it will become heavy due to hydrolysis. It has the disadvantage that the molecular weight of the coalesce is significantly reduced, and furthermore, a high temperature treatment is required after coating to convert the polyamic acid to polyamidimide.
このような欠点を除いた本発明では、有機極性溶媒に可
溶なポリアミドィミドを用いる事により容易にアクリレ
ート基を導入する事が出来、また得られたフオトレジス
トは安定で、かつコーティング可能で、溶剤を除去する
だけで熱安定性および電気的特性の良好なフオトレジス
ト膜を得る事が可能となる。本発明の、一般式
又は、
又は、
〔ここでA【は
AJ′は‐
(Rは水素、アルキル基、ハロゲンを示し、Xは〇,S
〇2,CH2,C〇.C〇〇,CくCH3)2,Sを示
し、これらは互いに同一であっても異なってし、ても良
い。In the present invention, which eliminates these drawbacks, acrylate groups can be easily introduced by using polyamideimide that is soluble in organic polar solvents, and the resulting photoresist is stable and coatable. , it becomes possible to obtain a photoresist film with good thermal stability and electrical properties simply by removing the solvent. The general formula of the present invention, or
〇2, CH2, C〇. C〇〇,CCH3)2,S are shown, and these may be the same or different from each other.
)を示し、Y.は
YはHまたはY,(ZはHまたはCH3)を示し、mは
0または正の整数、nは正の整数を示す。) and Y. Y represents H or Y, (Z represents H or CH3), m represents 0 or a positive integer, and n represents a positive integer.
〕で表わされるポリマーは、次の一般式又は、 又は、 〔ここでAJは AJ′は (Rは水素、アルキル基、ハロゲンを示し、Xは。] The polymer represented by the following general formula or, Or [Here A.J. AJ' is (R represents hydrogen, an alkyl group, or a halogen, and X represents.
,S〇2,CH2,C〇.C〇〇,C(CH3)2,S
を示し、これらは互いに同一であっても異なっていても
良い。)を示し、mは0または正の整数、nは正の整数
を示す。〕で表わされる有機極性溶媒に可溶性のポリア
ミドィミドと、(メタ)アクリル酸クロライド又はグリ
シジル(メタ)アクリレートなどを反応して得る事が出
来る。上記有機極性溶媒に可溶性のポリアミドィミドと
(メタ)アクリル酸クロライド又はグリシジル(メタ)
アクリレートとの反応は、(メタ)アクリル酸クロラィ
ド又はグリシジル(メタ)アクリレートをボリアミドイ
ミドの重合単位1モルに対して0.001〜10モル使
用される。, S〇2, CH2, C〇. C〇〇,C(CH3)2,S
and these may be the same or different from each other. ), m is 0 or a positive integer, and n is a positive integer. It can be obtained by reacting a polyamideimide soluble in an organic polar solvent represented by the following formula with (meth)acrylic acid chloride or glycidyl (meth)acrylate. Polyamideimide soluble in the above organic polar solvent and (meth)acrylic acid chloride or glycidyl (meth)
In the reaction with acrylate, 0.001 to 10 moles of (meth)acrylic acid chloride or glycidyl (meth)acrylate are used per mole of polymerized units of polyamideimide.
アクリレート基の導入率は、0.1〜100%すなわち
m/n=0〜1000が用いられ、特にm/n=0〜1
00が好ましい範囲である。The introduction rate of acrylate groups is 0.1 to 100%, that is, m/n = 0 to 1000, particularly m/n = 0 to 1.
00 is a preferred range.
またアクリレート基は末端に導入されても良い。反応は
、有機極性溶媒、例えば、N,N−ジメチルアセトアミ
ド、N,Nージメチルホルムアミド、Nーメチルピロリ
ドン、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルホスホアミ
ド中で行われ、ベンゼン、トルエン、キシレン、ジオキ
サン、クレゾール等の通常の溶媒を共存させても良く、
15000以下の温度で1〜24時間行われる。Furthermore, an acrylate group may be introduced at the end. The reaction is carried out in an organic polar solvent such as N,N-dimethylacetamide, N,N-dimethylformamide, N-methylpyrrolidone, dimethylsulfoxide, hexamethylphosphoamide, benzene, toluene, xylene, dioxane, cresol, etc. It is also possible to coexist with ordinary solvents such as
It is carried out for 1 to 24 hours at a temperature below 15,000 ℃.
また上記反応に、触媒として3級アミン或いは4級アン
モニウム塩などを用いても良い。アクリレート基を導入
したポリアミドィミド溶液は、そのままでもある特定の
用途に使用することが可能であるが、水、メタノール、
アセトン、トルェン、シクロヘキサン等のポリマーを溶
媒しない溶剤中に沈殿させて分離取得して、不純物を取
り除いた後、ジメチルアセトアミド等の極性溶媒中に再
び溶解して使用するのが好ましい。Further, in the above reaction, a tertiary amine or a quaternary ammonium salt may be used as a catalyst. A polyamideimide solution with acrylate groups introduced can be used as it is for certain specific purposes, but it can be used in water, methanol,
It is preferable to precipitate a polymer such as acetone, toluene, or cyclohexane in a solvent without a solvent, separate it, remove impurities, and then dissolve it again in a polar solvent such as dimethylacetamide for use.
上記の一般式又は、
又は、
〔ここでA【は
AJ′は
(Rは水素、アルキル基、ハロゲンを示し、Xは〇,S
〇2,CH2,C〇,C〇〇,C(CH3)2,Sを示
し、これらは互いに同一であっても異なってし「ても良
い。The above general formula or
〇2, CH2, C〇, C〇〇, C(CH3)2, and S, which may be the same or different.
)を示し、mは0または正の整数、nは正の整数を示す
。〕で表わされる有機極性溶媒に可溶性のポリアミドィ
ミドの製造法としては、一般式(ここでRは水素、アル
キル基、ハロゲンを示し、Xは○,S02,C仏,C○
,COO,C(CH3)2,Sを示し、これらは互いに
同一であっても異なっていても良い。), m is 0 or a positive integer, and n is a positive integer. ] As a method for producing polyamideimide soluble in organic polar solvents represented by the general formula (where R represents hydrogen, an alkyl group, or a halogen, and X represents ○, S02, C, C○
, COO, C(CH3)2,S, which may be the same or different.
)で表わされる芳香族ジァミンとトリメリト酸クロラィ
ドを反応させる方法、一般式
(ここでRは水素、アルキル基、ハロゲンを示し、Xは
○,S02,C仏,C0,COO,C(CH3)2,S
を示し、これらは互いに同一であっても異なっていても
良い。) A method of reacting aromatic diamine with trimellitic acid chloride represented by the general formula (where R represents hydrogen, alkyl group, or halogen, and ,S
and these may be the same or different from each other.
)で表わされるビスィミドカルボン酸と3,3ージィソ
シアナートジフェニルを反応させる方法、一般式 ○=
C=N−Ar〔又はAr′)−N=Cコ○〔ここでA【
はA止′は
(Rは水素、アルキル基、ハロゲンを示し、Xは〇,S
〇2,CH2,C〇,C〇〇,C(CH3)2,Sを示
し、これらは互いに同一であっても異なっていても良い
。) A method of reacting bisimidocarboxylic acid represented by 3,3-diisocyanatodiphenyl, general formula ○=
C=N-Ar [or Ar')-N=C ○ [Here A[
is A stop' is (R represents hydrogen, alkyl group, halogen, X is 〇, S
〇2, CH2, C〇, C〇〇, C(CH3)2, and S, which may be the same or different.
)を示す。〕で表わされるジィソシアナートと式のビス
ィミドカルボン酸を反応させる方法などがある。) is shown. ] There is a method of reacting a diisocyanate represented by the formula with a bisimide carboxylic acid of the formula.
本発明に使用されるエチレン系不飽和二重結合を有する
化合物としては、2ーェチルヘキシル(メタ)アクリレ
ート、メトキシポリエチレングリコール(メタ)アクリ
レート、ポリプロピレングリコールモノ(メタ)アクリ
レート、エチレングリコールジ(メタ)アクリレート、
プチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ポリプロ
ピレングリコールジ(メタ)アクリレート、トリメチロ
ールプロパントリ(メタ)アクリレート、テトラメチロ
ールメタンテトラ(メタ)アクリレート、(メタ)アク
リルアミド、N,N′ーメチレンビス(メタ)アクリル
アミド、ヘキサメチレンビス(メタ)アクリルアミドな
どがある。これらの化合物は上記ポリマーに対して、0
.1〜10の重量%特に0.5〜50重量%の範囲で好
ましく使用される。本発明に使用される光重合開始剤と
しては、アセトフエノン、ジアセチル、ベンゾフエノン
、ベンゾイン、ベンゾインイソフ。Examples of the compound having an ethylenically unsaturated double bond used in the present invention include 2-ethylhexyl (meth)acrylate, methoxypolyethylene glycol (meth)acrylate, polypropylene glycol mono(meth)acrylate, ethylene glycol di(meth)acrylate,
butylene glycol di(meth)acrylate, polypropylene glycol di(meth)acrylate, trimethylolpropane tri(meth)acrylate, tetramethylolmethanetetra(meth)acrylate, (meth)acrylamide, N,N'-methylenebis(meth)acrylamide, Examples include hexamethylene bis(meth)acrylamide. These compounds have 0
.. It is preferably used in a range of 1 to 10% by weight, particularly 0.5 to 50% by weight. Photopolymerization initiators used in the present invention include acetophenone, diacetyl, benzophenone, benzoin, and benzoin isof.
ロピルエーテル、クロロアントラキノン、ナフトキノン
などのカルボニル化合物、過酸化ペンゾイルなどの過酸
化物、アゾビスィソブチロニトリルなどのアゾ化合物、
テトラエチルチウラムジスルフイドなどのイオウ化合物
、四塩化炭素などのハロゲン化物などがあり、これらは
単独或いは混合して用いても良い。これらの光重合開始
剤の添加量は、上記ポリマ−に対して0.01〜2の重
量%特に0.1〜1の重量%が好ましい範囲である。本
組成物は実質的に溶解する前記反応溶媒などの適当な溶
媒を用い、溶液の粘度は所望の被膜の厚さに合わせて調
節することができ、この溶液は頃霧または浸糟法或いは
ローラーなどにより塗布される。Carbonyl compounds such as lopylether, chloroanthraquinone, naphthoquinone, peroxides such as penzoyl peroxide, azo compounds such as azobisisobutyronitrile,
Examples include sulfur compounds such as tetraethylthiuram disulfide, halides such as carbon tetrachloride, and these may be used alone or in combination. The amount of these photopolymerization initiators added is preferably in the range of 0.01 to 2% by weight, particularly 0.1 to 1% by weight, based on the polymer. The composition can be prepared using a suitable solvent such as the above-mentioned reaction solvent in which the composition is substantially soluble, and the viscosity of the solution can be adjusted to suit the desired coating thickness. It is applied by etc.
本発明の画像形成プロセスの1例を次に示す。An example of the image forming process of the present invention is shown below.
本発明にかかる組成物を基板上に塗布し、実質的に粘性
のない状態に乾燥して、アクリレート基の光重合を生じ
させる為に、例えば水銀ランプなどの紫外線で所定のパ
ターンに露光される。蕗光時間は適宜選定されるが、長
い露光時間は一般的に有害ではない。紫外線などによる
露光後、前記重合溶媒或いは前記重合溶媒と前記沈殿溶
媒との混合溶媒またはアルカリ水溶液などの適当な溶剤
を用いて非露光部を洗い出す。また場合によっては、洗
い出し後加熱処理を施しても良い。以下に本発明の態様
を一層明確にするために、実施例を挙げて説明するが、
本発明は実施例によりその範囲を制限されるものではな
い。The composition according to the invention is applied onto a substrate, dried to a substantially non-viscous state, and exposed in a predetermined pattern to ultraviolet light, e.g. from a mercury lamp, in order to cause photopolymerization of the acrylate groups. . The exposure time is chosen accordingly, but long exposure times are generally not harmful. After exposure to ultraviolet light or the like, the unexposed areas are washed out using a suitable solvent such as the polymerization solvent, a mixed solvent of the polymerization solvent and the precipitation solvent, or an aqueous alkaline solution. Further, depending on the case, heat treatment may be performed after washing. In order to further clarify the aspects of the present invention, examples will be given and explained below.
The scope of the present invention is not limited by the examples.
実施例 1
m−フエニレンジアミン2.5夕(0.023モル)と
ピリジン2の‘とをジメチルアセトアミド35の‘に乾
燥した窒素を通じながら溶解し、氷水で5℃に冷却して
、トリメリト酸無水物の4一酸クロラィド4.3夕(0
.020モル)を加えた。Example 1 2.5 mm (0.023 mol) of m-phenylenediamine and 2.5 mm of pyridine were dissolved in 35 mm of dimethylacetamide under dry nitrogen, cooled to 5° C. with ice water, and trimellitic acid was dissolved. Anhydrous 4-monoyl chloride 4.3 (0
.. 020 mol) was added.
ただちに発熱反応がおこり、溶液の温度は35℃まで上
昇した。室温でさらに1時間損拝を続けた後、無水酢酸
10の‘とビIJジン4の‘との混合物を加え、5ぴ○
で2時間燈拝した後、メタノール250私と水500の
‘との混合溶媒中に注ぎ、ポリァミドィミドを沈殿させ
、次いでメタノール洗浄した後乾燥した。このようにし
て得られた有機極性溶媒に可溶性のポリアミドィミド1
.5夕をジメチルアセトアミド20の‘に溶解し、次い
でグリシジルメタクリレート0.81夕を加えて、55
℃で5時間反応させた後、メタノール125の‘と水2
50の‘との混合溶媒中に注ぎ、アクリレート基を導入
したポリアミドィミドを沈殿させ、次いでメタノール洗
浄した後乾燥して、定量的に生成物を得た。得られた生
成物のァクリレート基の導入率は、5%であった。上記
アクリレート基の導入されたポリアミドイミド0.2夕
とテトラメチロールメタンテトラアクリレート0.01
夕およびペンゾインイソプロピルエーテル0.004夕
をジメチルアセトアミドに溶解して、ガラス基板に塗布
乾燥した後、水Wの水銀ランプを用いて、所定のパター
ンを5分間蕗光した。An exothermic reaction immediately occurred and the temperature of the solution rose to 35°C. After continuing to incubate for another hour at room temperature, a mixture of 10 parts of acetic anhydride and 4 parts of bijing was added, and 5 parts of
After heating for 2 hours, the mixture was poured into a mixed solvent of 250 parts methanol and 500 parts water to precipitate polyamidimide, which was then washed with methanol and dried. Polyamideimide 1 soluble in organic polar solvent thus obtained
.. 5% of dimethylacetamide was dissolved in 20% of dimethylacetamide, and then 0.81% of glycidyl methacrylate was added to give 55% of dimethylacetamide.
After reacting at ℃ for 5 hours, methanol 125' and water 2
The polyamideimide into which acrylate groups had been introduced was precipitated by pouring it into a mixed solvent with 50' and then washing with methanol and drying to obtain a quantitative product. The introduction rate of acrylate groups in the obtained product was 5%. 0.2 of the above polyamideimide into which acrylate groups have been introduced and 0.01 of tetramethylolmethanetetraacrylate
After dissolving 0.004 g of penzoin isopropyl ether in dimethylacetamide and applying the solution to a glass substrate and drying it, a predetermined pattern was illuminated for 5 minutes using a mercury lamp containing water.
次いでジメチルアセトアミドとメタノール(3:2容量
比)の混合溶媒を用いて非露光部を洗い出して、ネガ型
の凹凸パターンを得た。その後の熱天秤による耐熱テス
トでは、窒素気流下10℃/分の昇温速度で重量減少を
測定した所400℃まで顕著な重量減少は認められなか
った。実施例 2
実施例1で得た有機極性溶媒に可溶性のポリアミドイミ
ド1.5夕をジメチルアセトアミド20の【に溶解し、
次いでアクリル酸クロラィド0.52夕とピリジン1の
‘を加えて、55q0で9時間反応させた後、メタノー
ル125の‘と水250私との混合溶媒中に注ぎ、アク
リレート基を導入したポリアミドィミドを沈殿させ、次
いでメタノール洗浄した後乾燥して、定量的に生成物を
得た。Next, the non-exposed areas were washed out using a mixed solvent of dimethylacetamide and methanol (3:2 volume ratio) to obtain a negative uneven pattern. In a subsequent heat resistance test using a thermobalance, weight loss was measured at a heating rate of 10°C/min under a nitrogen stream, and no significant weight loss was observed up to 400°C. Example 2 1.5 parts of the organic polar solvent-soluble polyamideimide obtained in Example 1 was dissolved in 20 parts of dimethylacetamide,
Next, 0.52 parts of acrylic acid chloride and 1 part of pyridine were added and reacted at 55 parts for 9 hours, and then poured into a mixed solvent of 12 parts of methanol and 25 parts of water to form a polyamideimide with acrylate groups introduced. was precipitated, then washed with methanol and dried to obtain a quantitative product.
得られた生成物のアクリレート基の導入率は、10%で
あった。上記アクリレート基の導入されたポリアミドィ
ミド0.2夕とトリメチロールプロパントリアクリレー
ト0.01夕および1,4ーナフトキノン0.004夕
をジメチルアセトアミドに溶解して、ガラス基板に塗布
乾燥した後、水Wの水銀ランプを用いて、所定のパター
ンを5分間露光した。次いでジメチルアセトアミドとメ
タ/ール(3:2容量比)の混合溶媒を用いて、非琢光
部を洗い出して、ネガ型の凹凸パターンを得た。その後
の熱天秤による耐熱テストでは、窒素気流下10qo/
分の昇温速度で重量減少を測定した所、400℃まで顕
著な重量減少は認められなかった。尚、上記実施例以外
の有機極性溶媒に可溶性のポリアミドィミドを用いた場
合も同様であった。The introduction rate of acrylate groups in the obtained product was 10%. 0.2 parts of the polyamideimide into which acrylate groups have been introduced, 0.01 parts of trimethylolpropane triacrylate, and 0.004 parts of 1,4 naphthoquinone are dissolved in dimethylacetamide, coated on a glass substrate, dried, and then A predetermined pattern was exposed for 5 minutes using a W mercury lamp. Next, the non-phosphorescent areas were washed out using a mixed solvent of dimethylacetamide and methanol (3:2 volume ratio) to obtain a negative uneven pattern. In the subsequent heat resistance test using a thermobalance, 10 qo/
When the weight loss was measured at a temperature increase rate of 1.5 min, no significant weight loss was observed up to 400°C. Note that the same results were obtained when polyamideimide soluble in organic polar solvents other than those in the above examples were used.
Claims (1)
SO_2,CH_2,CO,COO,C(CH_3)_
2,Sを示し、これらは互いに同一であつても異なつて
いても良い。 )を示し、Y_1は ▲数式、化学式、表等があります▼ YはHまたはY_1(ZはHまたはCH_3)を示し、
mは0または正の整数、nは正の整数を示す。 〕で表わされるポリマーと、エチレン系不飽和二重結合
を有する化合物と、およびカルボニル化合物、過酸化物
、アゾ化合物、イオウ化合物、ハロゲン化物の中から選
ばれた一種以上の光重合開始剤とからなる事を特徴とす
る耐熱性フオトレジスト組成物。2 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 又は、 ▲数式、化学式、表等があります▼ 又は、 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔ここでArは、 ▲数式、化学式、表等があります▼ Ar′は、 ▲数式、化学式、表等があります▼ (Rは水素、アルキル基、ハロゲンを示し、X▲数式、
化学式、表等があります▼はO,SO_2,CH_2,
CO,COO,C(CH_3)_2,Sを示し、これら
は互いに同一であつても異なつていても良い。 )を示し、mは0または正の整数、nは正の整数を示す
。〕で表わされる有機極性溶媒に可溶のポリアミドイミ
ドと、(メタ)アクリル酸クロライド又はグリシジル(
メタ)アクリレートを、有機極性溶媒中で反応させる事
を特徴とする耐熱性フオトレジストの製造方法。2 一
般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 又は、 ▲数式、化学式、表等があります▼ 又は、 〔ここでArは、 ▲数式、化学式、表等があります▼ Ar′は、 ▲数式、化学式、表等があります▼ (Rは水素、アルキル基、ハロゲンを示し、XはO,
SO_2,CH_2,CO,COO,C(CH_3)_
2,Sを示し、これらは互いに同一であつても異なつて
いても良い。 )を示し、mは0または正の整数、nは正の整数を示す
。〕で表わされる有機極性溶媒に可溶のポリアミドイミ
ドと、(メタ)アクリル酸クロライド又はグリシジル(
メタ)アクリレートを、有機極性溶媒中で反応させる事
を特徴とする耐熱性フオトレジストの製造方法。[Claims] 1. General formula ▲ There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc. ▼ Or ▲ There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc. ▼ Or ▲ There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc. ▼ [Here, Ar is ▲ Mathematical formula , chemical formulas, tables, etc. ▼ Ar' has ▲ mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc. ▼ (R represents hydrogen, alkyl group, halogen, X represents O,
SO_2, CH_2, CO, COO, C(CH_3)_
2 and S, which may be the same or different. ), Y_1 is ▲ There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc. ▼ Y is H or Y_1 (Z is H or CH_3),
m represents 0 or a positive integer, and n represents a positive integer. ]; a compound having an ethylenically unsaturated double bond; and one or more photopolymerization initiators selected from carbonyl compounds, peroxides, azo compounds, sulfur compounds, and halides. A heat-resistant photoresist composition characterized by: 2 General formula ▲ There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc. ▼ Or ▲ There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc. ▼ Or ▲ There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc. ▼ [Here, Ar is ▲ Mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc. There is a
There are chemical formulas, tables, etc. ▼ is O, SO_2, CH_2,
CO, COO, C(CH_3)_2, and S are shown, and these may be the same or different from each other. ), m is 0 or a positive integer, and n is a positive integer. ] Polyamideimide soluble in an organic polar solvent represented by (meth)acrylic acid chloride or glycidyl (
A method for producing a heat-resistant photoresist, which comprises reacting meth)acrylate in an organic polar solvent. 2 General formula ▲ There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc. ▼ Or ▲ There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc. ▼ Or [Here, Ar is ▲ There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc. ▼ Ar' is ▲ Mathematical formula, There are chemical formulas, tables, etc.▼ (R represents hydrogen, alkyl group, halogen, X represents O,
SO_2, CH_2, CO, COO, C(CH_3)_
2 and S, which may be the same or different. ), m is 0 or a positive integer, and n is a positive integer. ] Polyamideimide soluble in an organic polar solvent represented by (meth)acrylic acid chloride or glycidyl (
A method for producing a heat-resistant photoresist, which comprises reacting meth)acrylate in an organic polar solvent.
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15668777A JPS6023341B2 (en) | 1977-12-27 | 1977-12-27 | Heat-resistant photoresist composition and method for producing the same |
| GB7844576A GB2008784B (en) | 1977-11-17 | 1978-11-15 | Heat resistant photoresist composition and process for preparing the same |
| US05/961,462 US4208477A (en) | 1977-12-26 | 1978-11-16 | Heat resistant photoresist composition and process for preparing the same |
| FR7832525A FR2409535A1 (en) | 1977-11-17 | 1978-11-17 | HEAT-RESISTANT "PHOTORESIST" COMPOSITION AND METHOD FOR PREPARING THE SAME |
| DE19782849981 DE2849981A1 (en) | 1977-11-17 | 1978-11-17 | HEAT-RESISTANT PHOTORESIS MATERIAL AND METHOD FOR MANUFACTURING IT |
| US06/104,050 US4316974A (en) | 1977-12-26 | 1979-12-17 | Polymers for use in heat resistant photoresist composition and process for preparing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15668777A JPS6023341B2 (en) | 1977-12-27 | 1977-12-27 | Heat-resistant photoresist composition and method for producing the same |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5489623A JPS5489623A (en) | 1979-07-16 |
| JPS6023341B2 true JPS6023341B2 (en) | 1985-06-07 |
Family
ID=15633123
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15668777A Expired JPS6023341B2 (en) | 1977-11-17 | 1977-12-27 | Heat-resistant photoresist composition and method for producing the same |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6023341B2 (en) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS572316A (en) * | 1980-06-05 | 1982-01-07 | Toshiba Chem Corp | Thermosetting resin composition |
| JPS572317A (en) * | 1980-06-07 | 1982-01-07 | Toshiba Chem Corp | Thermosetting resin composition |
| JPS5920304A (en) * | 1982-07-27 | 1984-02-02 | Nippon Oil & Fats Co Ltd | Photopolymerization initiator composition |
| JP2516897B2 (en) * | 1983-10-21 | 1996-07-24 | 信越化学工業株式会社 | Photosensitive composition |
| JPH0646302B2 (en) * | 1987-06-22 | 1994-06-15 | 株式会社日立製作所 | Heat-resistant photosensitive polymer composition |
| JP3338890B2 (en) * | 1998-05-20 | 2002-10-28 | 富士通株式会社 | Photosensitive heat-resistant resin composition, method for forming pattern of heat-resistant insulating film using the composition, and patterned heat-resistant insulating film obtained by the method |
| JP2006342335A (en) * | 2005-05-11 | 2006-12-21 | Hitachi Chem Co Ltd | Polyamide-imide and resin composition |
-
1977
- 1977-12-27 JP JP15668777A patent/JPS6023341B2/en not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5489623A (en) | 1979-07-16 |
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