JPS6024925B2 - 光学的フイルタ - Google Patents
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- JPS6024925B2 JPS6024925B2 JP53152772A JP15277278A JPS6024925B2 JP S6024925 B2 JPS6024925 B2 JP S6024925B2 JP 53152772 A JP53152772 A JP 53152772A JP 15277278 A JP15277278 A JP 15277278A JP S6024925 B2 JPS6024925 B2 JP S6024925B2
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 139
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 135
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims description 32
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 17
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 10
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 4
- WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 3-(oxolan-2-yl)propanoic acid Chemical compound OC(=O)CCC1CCCO1 WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 description 12
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 3
- RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N copper;5,10,15,20-tetraphenylporphyrin-22,24-diide Chemical compound [Cu+2].C1=CC(C(=C2C=CC([N-]2)=C(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(N=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=C3[N-]2)C=2C=CC=CC=2)=NC1=C3C1=CC=CC=C1 RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000003491 array Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 239000013598 vector Substances 0.000 description 2
- 241001164593 Merica Species 0.000 description 1
- 241000270708 Testudinidae Species 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002547 anomalous effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 235000021419 vinegar Nutrition 0.000 description 1
- 239000000052 vinegar Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/03—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect
- G02F1/0305—Constructional arrangements
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-
- G—PHYSICS
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/23—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour for the control of the colour
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
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- G02F3/00—Optical logic elements; Optical bistable devices
- G02F3/02—Optical bistable devices
- G02F3/022—Optical bistable devices based on electro-, magneto- or acousto-optical elements
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Description
【発明の詳細な説明】
この発明は光学的フィル夕、特に電気光学効果を利用し
、透過特性を電子技術的に広い範囲に亘つてプログラム
制御できる光学的フィル夕に関する。
、透過特性を電子技術的に広い範囲に亘つてプログラム
制御できる光学的フィル夕に関する。
この種の光学的フィル夕は米国の光学学会誌(Jo川雌
loftheOptical Societyof A
merica)の第53蓋、第6号(1965年6月)
、621〜625ページに“複屈折チェーンフィル夕”
という題名でイワンソルク(lvanSolc)氏によ
り発表されている。
loftheOptical Societyof A
merica)の第53蓋、第6号(1965年6月)
、621〜625ページに“複屈折チェーンフィル夕”
という題名でイワンソルク(lvanSolc)氏によ
り発表されている。
このフィル夕では、光ビームの進行方向に複数個の複屈
折板が配置され、その両側には透過光の偏り方向が互に
直角な偏光子が設けられている。この場合上記複数個の
屈折板の光軸が、入力側偏光子、すなわち光を初めに投
射される偏光子の偏り方向すなわち偏光方向に対し、一
方向および反対方向に比較的小さな同じ角度だけずれた
方向まで交互に回転するように形成されている。入射光
のうち狭い波長帯すなわちバンド中に属する部分がフィ
ル夕を通して導かれ、透過光に対し各複屈折板は半波長
板又は半波長の奇数倍の波長板の作用をなす。上記ソル
ク氏によって開示されてたフィル夕では、上記波長帯に
属する波長は複屈折板の厚さと、該複屈折板を形成する
材料の複屈折特性によって定まるので、該波長は特定の
値に制限される。また電子技術的に特性を調節すること
ができる光学的フィル夕は米国特許3679288によ
って開示され、また196g王6月、上記米国の光学学
会誌の第59萱、第6号、744〜747ページに、“
音響光学技術により調節可能なフィル夕”という題名で
発表され、更に1969年11月15日、“応用光学レ
ター”(AppliedPh侭icsLetteR)誌
の第15巻、第1び号、325〜326ページに“電子
技術的調節可能な音響光学フィル夕”という題名で、ま
た197位王9月1日に上記“応用光学レター”誌の第
17巻、第5号、223〜225ページに、“CaMo
04を用いた電子技術的に調節可能な光学的フィル夕”
という題名で発表されている。
折板が配置され、その両側には透過光の偏り方向が互に
直角な偏光子が設けられている。この場合上記複数個の
屈折板の光軸が、入力側偏光子、すなわち光を初めに投
射される偏光子の偏り方向すなわち偏光方向に対し、一
方向および反対方向に比較的小さな同じ角度だけずれた
方向まで交互に回転するように形成されている。入射光
のうち狭い波長帯すなわちバンド中に属する部分がフィ
ル夕を通して導かれ、透過光に対し各複屈折板は半波長
板又は半波長の奇数倍の波長板の作用をなす。上記ソル
ク氏によって開示されてたフィル夕では、上記波長帯に
属する波長は複屈折板の厚さと、該複屈折板を形成する
材料の複屈折特性によって定まるので、該波長は特定の
値に制限される。また電子技術的に特性を調節すること
ができる光学的フィル夕は米国特許3679288によ
って開示され、また196g王6月、上記米国の光学学
会誌の第59萱、第6号、744〜747ページに、“
音響光学技術により調節可能なフィル夕”という題名で
発表され、更に1969年11月15日、“応用光学レ
ター”(AppliedPh侭icsLetteR)誌
の第15巻、第1び号、325〜326ページに“電子
技術的調節可能な音響光学フィル夕”という題名で、ま
た197位王9月1日に上記“応用光学レター”誌の第
17巻、第5号、223〜225ページに、“CaMo
04を用いた電子技術的に調節可能な光学的フィル夕”
という題名で発表されている。
このような形式のフィル夕では、一方向に偏った偏光は
、偏り方向が互に直角をなすように配置された1対の偏
光子の間に設けられ、結晶内で発生された音波と同一直
線上に設けられた複屈折結晶を透過することにより回折
され、互に直角方向に向いた偏光波を生ずる。上記回折
は光周波数の狭いバンド中に対して発生し、このとき入
射光線と音波のモメンタムベクトルの合計は射出される
光波のモメンタムベクトルと同じ値を有している。音響
周波数を変更すれば、最も有効に上記直角方向の偏光波
を生ずるように回折される光周波数が変化し、従ってフ
ィル夕を透過する波長帯すなわちパスバンドが変化する
。上記の音響光学フィル夕は進行する音波を必要とする
が、この音波は結晶を通って1回伝播すると消失するの
で、必要に応じて連続的に新しい音波を発生させねばな
らず、このためにこの種のフィル夕では大量のェネルギ
消費が避けられない。
、偏り方向が互に直角をなすように配置された1対の偏
光子の間に設けられ、結晶内で発生された音波と同一直
線上に設けられた複屈折結晶を透過することにより回折
され、互に直角方向に向いた偏光波を生ずる。上記回折
は光周波数の狭いバンド中に対して発生し、このとき入
射光線と音波のモメンタムベクトルの合計は射出される
光波のモメンタムベクトルと同じ値を有している。音響
周波数を変更すれば、最も有効に上記直角方向の偏光波
を生ずるように回折される光周波数が変化し、従ってフ
ィル夕を透過する波長帯すなわちパスバンドが変化する
。上記の音響光学フィル夕は進行する音波を必要とする
が、この音波は結晶を通って1回伝播すると消失するの
で、必要に応じて連続的に新しい音波を発生させねばな
らず、このためにこの種のフィル夕では大量のェネルギ
消費が避けられない。
またこの種のフィル夕では更に、電気信号を音波に変換
する電気・音響トランスジューサが必要である。しかし
該トランスジュ−サは周波数応答性に制限があるので、
光学的の調節範囲に対するバンド中の制限を生ずるとと
もに、上記トランスジューサが基本周波数のハーモニッ
クスで駆動される場合、フーリエ級数の高周波に相当す
る部分に於て極めて大きい音響吸収作用を生ずることと
なる。上記フィル夕の他のフィル夕の例は多層干渉フィ
ル夕(multilayer inteherence
filter)である。
する電気・音響トランスジューサが必要である。しかし
該トランスジュ−サは周波数応答性に制限があるので、
光学的の調節範囲に対するバンド中の制限を生ずるとと
もに、上記トランスジューサが基本周波数のハーモニッ
クスで駆動される場合、フーリエ級数の高周波に相当す
る部分に於て極めて大きい音響吸収作用を生ずることと
なる。上記フィル夕の他のフィル夕の例は多層干渉フィ
ル夕(multilayer inteherence
filter)である。
このフィル夕は高低両屈折率を有する材料の層を交互に
重ねたものである。このようなフィル夕を横切って雷場
が加えられると、電気光学効果によって、上記材料の層
に屈折率の変化を生じ、その結果談フィル夕を通る光波
の光路が変り、よってフィル夕の透過周波数帯城すなわ
ちパスバソドが変化する。この形式の光学的フィル夕は
、光学的シャツタ素子として米国特許2960914お
よび3164665に、ともに“電気光学的光シャツ夕
”という名称で開示されている。しかし上記多層干渉式
の光学的フィル夕に通常使用する程度の電圧をかけた場
合に得られる屈折率の変化、従ってパスバンドの偏位は
4・さなもので、上記特許に開示された光シャツ夕の用
途は狭いものであった。又更に、上述のフィル夕では、
多くのパスバンドや単一のパスバンドを可変バンド中に
なるように電気的にプログラム制御することは困難であ
るという不便さもあった。電気光学効果は、時間的に変
化する変調電圧を電気光学効果を有する結晶に印加して
その屈折率を変化させ、よって光変調を発生させるのに
も使用される。
重ねたものである。このようなフィル夕を横切って雷場
が加えられると、電気光学効果によって、上記材料の層
に屈折率の変化を生じ、その結果談フィル夕を通る光波
の光路が変り、よってフィル夕の透過周波数帯城すなわ
ちパスバソドが変化する。この形式の光学的フィル夕は
、光学的シャツタ素子として米国特許2960914お
よび3164665に、ともに“電気光学的光シャツ夕
”という名称で開示されている。しかし上記多層干渉式
の光学的フィル夕に通常使用する程度の電圧をかけた場
合に得られる屈折率の変化、従ってパスバンドの偏位は
4・さなもので、上記特許に開示された光シャツ夕の用
途は狭いものであった。又更に、上述のフィル夕では、
多くのパスバンドや単一のパスバンドを可変バンド中に
なるように電気的にプログラム制御することは困難であ
るという不便さもあった。電気光学効果は、時間的に変
化する変調電圧を電気光学効果を有する結晶に印加して
その屈折率を変化させ、よって光変調を発生させるのに
も使用される。
この種の装置は、“光変調装置”という名称で、米国特
許4054362に開示されている。この特許は装置を
制御されたフィル夕として使用する場合を示しているが
、このようなフィル夕を電子技術的に調節することは不
可能である。すなわち該フィル夕の透過又は遮断波長は
電気信号を供給することによって変化することはできな
い。この発明の目的は、広いパスバンドにわたって電子
的に調節可能であり、音響光学的調節を行なう光学的フ
ィル夕に比べて、パワー消費が少し、電子光学的に調節
可能な光学フィル夕を提供することにある。またこの発
明の目的は透過特性を著しく広い範囲に電子技術的に変
化させるようにプログラム制御可能であり、かつ多方面
に使用できる、電子技術的に調節可能な光学的フィル夕
を提供することにある。
許4054362に開示されている。この特許は装置を
制御されたフィル夕として使用する場合を示しているが
、このようなフィル夕を電子技術的に調節することは不
可能である。すなわち該フィル夕の透過又は遮断波長は
電気信号を供給することによって変化することはできな
い。この発明の目的は、広いパスバンドにわたって電子
的に調節可能であり、音響光学的調節を行なう光学的フ
ィル夕に比べて、パワー消費が少し、電子光学的に調節
可能な光学フィル夕を提供することにある。またこの発
明の目的は透過特性を著しく広い範囲に電子技術的に変
化させるようにプログラム制御可能であり、かつ多方面
に使用できる、電子技術的に調節可能な光学的フィル夕
を提供することにある。
上記目的を達成させるために、この発明の光学的フィル
夕には、所定の方向に延びる光路に沿って相互間に間隔
をおいて偏り方向が所定の角度をなして配置され、炉波
される光線を受ける第1の偏光子と、炉波された光線を
送出する第2の偏光子と;上記両偏光子の間に、上記光
路に沿って、光軸を該光路とほぼ直角に向けて配置され
、印加される直流電場に対応して該光軸を、上記光路と
ほぼ直角な平面内で電気光学的に回転させる複屈折性の
結晶質部材と:複数個の波長を含む入射光線を上記光路
に沿って第1の偏光子を介して上記結晶質部材に導く手
段と:上記結晶質部材の上記光路に沿って順次定められ
た複数個の領域に、第1の偏光子から送られた偏光を受
ける1端からの距離の関数として定められた直流電場を
印加する手段、が設けられる。
夕には、所定の方向に延びる光路に沿って相互間に間隔
をおいて偏り方向が所定の角度をなして配置され、炉波
される光線を受ける第1の偏光子と、炉波された光線を
送出する第2の偏光子と;上記両偏光子の間に、上記光
路に沿って、光軸を該光路とほぼ直角に向けて配置され
、印加される直流電場に対応して該光軸を、上記光路と
ほぼ直角な平面内で電気光学的に回転させる複屈折性の
結晶質部材と:複数個の波長を含む入射光線を上記光路
に沿って第1の偏光子を介して上記結晶質部材に導く手
段と:上記結晶質部材の上記光路に沿って順次定められ
た複数個の領域に、第1の偏光子から送られた偏光を受
ける1端からの距離の関数として定められた直流電場を
印加する手段、が設けられる。
上記構成を有する光学的フィル夕に於て、上記距離に対
応して直流電場を定める上記関数を目的に適合するよう
に選定して印加することにより、上記領域の光鼠を第1
の偏光子の偏り方向とほぼ平行な方向から、上記光路と
ほぼ直角な平面内で、上記直流電場によって定まる方向
と角度に従って電気光学的に回転させ、上記のように光
軸を回転させることにより、第1の偏光子を介して送ら
れた光線の偏り方向を、該光線が上記領域を通過するご
とに、電気光学的に回転されている上記光軸に対して対
称な偏り方向に移動させ、上記のように偏り方向を光軸
に対して移動させることにより、第1偏光子を介して上
記結晶質部村に送られた光線の偏り方向を、該方向の両
側に振動的に回転させて、結晶質部材の他端から上記第
2の偏光子に向って送出し、第1の偏光子に対する入射
光線に含まれる多数の波長を有する光線のうち、少くと
も1部は第2の偏光子を通過させ、その他の波長の光線
のうち少くとも1個は第2の偏光子を通過することを阻
止することができる。
応して直流電場を定める上記関数を目的に適合するよう
に選定して印加することにより、上記領域の光鼠を第1
の偏光子の偏り方向とほぼ平行な方向から、上記光路と
ほぼ直角な平面内で、上記直流電場によって定まる方向
と角度に従って電気光学的に回転させ、上記のように光
軸を回転させることにより、第1の偏光子を介して送ら
れた光線の偏り方向を、該光線が上記領域を通過するご
とに、電気光学的に回転されている上記光軸に対して対
称な偏り方向に移動させ、上記のように偏り方向を光軸
に対して移動させることにより、第1偏光子を介して上
記結晶質部村に送られた光線の偏り方向を、該方向の両
側に振動的に回転させて、結晶質部材の他端から上記第
2の偏光子に向って送出し、第1の偏光子に対する入射
光線に含まれる多数の波長を有する光線のうち、少くと
も1部は第2の偏光子を通過させ、その他の波長の光線
のうち少くとも1個は第2の偏光子を通過することを阻
止することができる。
次にこの発明の実施例について説明する。
第1図において、ビーム状の入射光すなわち光ビーム1
0はこの発明の電気光学的に調節可能な光学的フィル夕
に供給される。該入射光10は適切な光源12によって
発生される。光源12はしーザのように狭いバンド中を
有するコヒーレントな光源、又はグロー放電灯、白熱電
灯等のような広バ「ンド中を有するインコヒーレントな
光源などでよい。光源12から送出された光は可視光線
でも、紫外線や赤外線でもよく、また上記光線が混じた
ものでもよい。光源12が多方向に光を放射するもので
あるときは、所望によりコリメ−ト用の反射装置やレン
ズが用いられ、フィル夕に入射される光がより多く集中
されるようにする。この発明のフィル夕では入射光10
は第1の偏光子すなわち入射偏光子14を適して供給さ
れる。
0はこの発明の電気光学的に調節可能な光学的フィル夕
に供給される。該入射光10は適切な光源12によって
発生される。光源12はしーザのように狭いバンド中を
有するコヒーレントな光源、又はグロー放電灯、白熱電
灯等のような広バ「ンド中を有するインコヒーレントな
光源などでよい。光源12から送出された光は可視光線
でも、紫外線や赤外線でもよく、また上記光線が混じた
ものでもよい。光源12が多方向に光を放射するもので
あるときは、所望によりコリメ−ト用の反射装置やレン
ズが用いられ、フィル夕に入射される光がより多く集中
されるようにする。この発明のフィル夕では入射光10
は第1の偏光子すなわち入射偏光子14を適して供給さ
れる。
入射偏光子14は入射光10を所定の方向に直線偏光さ
せ、後に詳記する電気光学的結晶装置16および第2の
偏光子すなわち検光子18に導かれる。検光子18は入
射偏光子14によって定められた偏り方向と所定の角度
をなす方向に偏った光を透過させる。上述の作用を記載
するのに必要な座標系(X,Y,Z)は第1図に示すご
とくであって、入射光10‘ま×方向に伝播し、入射偏
光子14は入射光10をY方向に漏らせ、検光子18は
Z方向に偏った光を透過させる。このようにして射出光
2川ま所望の光となる。第1図に示すように、入射偏光
子14と検光子18は、それぞれ偏り方向が直角を向く
ように配置された場合には、この発明の光学的フィル外
ま談フィル夕を通過した射出光20が入射光10の波長
領域から選択された1個の波長又は上記波長領域から選
ばれたある範囲の波長を有する光からなるように働くバ
ンドパスフィルタとして働く。
せ、後に詳記する電気光学的結晶装置16および第2の
偏光子すなわち検光子18に導かれる。検光子18は入
射偏光子14によって定められた偏り方向と所定の角度
をなす方向に偏った光を透過させる。上述の作用を記載
するのに必要な座標系(X,Y,Z)は第1図に示すご
とくであって、入射光10‘ま×方向に伝播し、入射偏
光子14は入射光10をY方向に漏らせ、検光子18は
Z方向に偏った光を透過させる。このようにして射出光
2川ま所望の光となる。第1図に示すように、入射偏光
子14と検光子18は、それぞれ偏り方向が直角を向く
ように配置された場合には、この発明の光学的フィル外
ま談フィル夕を通過した射出光20が入射光10の波長
領域から選択された1個の波長又は上記波長領域から選
ばれたある範囲の波長を有する光からなるように働くバ
ンドパスフィルタとして働く。
また入射偏光子14および検光子18の偏り方向が平行
になるように配置された場合には、ストップバンドフィ
ル夕が形成される。このストップバンドフィル夕から送
出される射出光2川ま、入射光10の中から、選択され
た波長の光を除く残りの光を含む。電気光学的結晶装置
15は複屈折性の結晶質部材と複数個の電極を備えてい
る。
になるように配置された場合には、ストップバンドフィ
ル夕が形成される。このストップバンドフィル夕から送
出される射出光2川ま、入射光10の中から、選択され
た波長の光を除く残りの光を含む。電気光学的結晶装置
15は複屈折性の結晶質部材と複数個の電極を備えてい
る。
これ等電極には、結晶質部材を通して伝播する光の光路
に沿って、場所によって変化する直流電場を発生するた
めに、プログラム制御可能な電圧が印加される。この場
合、上記電場の場所による変化は、どのような波長の光
をフィル夕を介して透過させるか、また阻止するかに基
づいて定められる。上記複屈折性結晶部材は複数個1組
の結晶から形成されてもよし、また多くの電極から印加
される電圧に応じて作用する一連の電気光学的作用領域
を有する単結晶であってもよい。結晶の種々のタイプや
材質については後に詳記する。第1図の実施例に於ては
、複屈折性の結晶質部材は互に対向する広い、YZ面に
平行な平面を有し、X方向に順次配置された一連の複屈
折性の結晶板22から成り、結晶板22の光髄はすべて
入射偏光子14を透過した光の偏り方向と平行に向けら
れている。結晶板22を横切る雷場を形成するために入
射光10に属するすべての波長の光に対して透明な電極
24が、各結晶板22の対向する上記広い表面に取着け
られる。
に沿って、場所によって変化する直流電場を発生するた
めに、プログラム制御可能な電圧が印加される。この場
合、上記電場の場所による変化は、どのような波長の光
をフィル夕を介して透過させるか、また阻止するかに基
づいて定められる。上記複屈折性結晶部材は複数個1組
の結晶から形成されてもよし、また多くの電極から印加
される電圧に応じて作用する一連の電気光学的作用領域
を有する単結晶であってもよい。結晶の種々のタイプや
材質については後に詳記する。第1図の実施例に於ては
、複屈折性の結晶質部材は互に対向する広い、YZ面に
平行な平面を有し、X方向に順次配置された一連の複屈
折性の結晶板22から成り、結晶板22の光髄はすべて
入射偏光子14を透過した光の偏り方向と平行に向けら
れている。結晶板22を横切る雷場を形成するために入
射光10に属するすべての波長の光に対して透明な電極
24が、各結晶板22の対向する上記広い表面に取着け
られる。
電極24の製作に適する材料の例は、白色光又は赤外線
を使用する場合には、インジウム・錫酸化物(ITO)
であるが、その他の材料も使用される。上記一蓮の結晶
板22は、隣接するもの同志間に施された透明なェポキ
シ層26によって結合され、1個の積層体に形成される
。この場合の使用に適するェポキシ層は、使用される光
が白色光や赤外線の場合には、ミシガン州のマイクロメ
ジャメント社製のMボンド610である。電気光学的結
晶装置16の長さ方向の場所によって定められる種々の
直流制御電場を印加するために、第1、第2、第3・・
・第N番目の結晶板22に形成された電極24の間に直
流電源V,,V2・・・VNが接続される。電気光学的
に調節可能なこの発明の光学フィル夕(第1図)の作用
を記す前に、この種フィル夕に関する基礎的説明を第2
,3,4図を用いて行なう。
を使用する場合には、インジウム・錫酸化物(ITO)
であるが、その他の材料も使用される。上記一蓮の結晶
板22は、隣接するもの同志間に施された透明なェポキ
シ層26によって結合され、1個の積層体に形成される
。この場合の使用に適するェポキシ層は、使用される光
が白色光や赤外線の場合には、ミシガン州のマイクロメ
ジャメント社製のMボンド610である。電気光学的結
晶装置16の長さ方向の場所によって定められる種々の
直流制御電場を印加するために、第1、第2、第3・・
・第N番目の結晶板22に形成された電極24の間に直
流電源V,,V2・・・VNが接続される。電気光学的
に調節可能なこの発明の光学フィル夕(第1図)の作用
を記す前に、この種フィル夕に関する基礎的説明を第2
,3,4図を用いて行なう。
第2図には1個の複屈折性結晶34を示.す。該結晶に
設けられた電極30,32の間には正又は負の電圧Vが
印加される。図のX,Y,Zは、結晶34の説明を行な
うための座標軸である。結晶34は光軸36をY軸に平
行に、電極30,32をYZ面に平行に向けて置かれて
いる。電極30,32間にたとえば十Vの電圧を供給す
ると、光軸36はX軸のまわりを角度+Qだけ回転して
、36′に示す新位置に達する。電極30,32間に−
Vの電圧を印加すると、光軸36は角度−Qだけ回転し
36″で示した位置に来る。印加電圧Vと回転角Qは次
の関係にある。V=26t△ntanQ
.・・・・・0}n費n旨rij上式の比および
neは、それぞれ結晶34によつて発生した常光線およ
び異状光源の屈折率、△n は結晶の静的複屈折度(s
taticbirefringence)すなわち△n
=〜−ne、nはnoとneとの平均値、tはX軸方向
の結晶34の厚さ、rijは電気光学係数である。
設けられた電極30,32の間には正又は負の電圧Vが
印加される。図のX,Y,Zは、結晶34の説明を行な
うための座標軸である。結晶34は光軸36をY軸に平
行に、電極30,32をYZ面に平行に向けて置かれて
いる。電極30,32間にたとえば十Vの電圧を供給す
ると、光軸36はX軸のまわりを角度+Qだけ回転して
、36′に示す新位置に達する。電極30,32間に−
Vの電圧を印加すると、光軸36は角度−Qだけ回転し
36″で示した位置に来る。印加電圧Vと回転角Qは次
の関係にある。V=26t△ntanQ
.・・・・・0}n費n旨rij上式の比および
neは、それぞれ結晶34によつて発生した常光線およ
び異状光源の屈折率、△n は結晶の静的複屈折度(s
taticbirefringence)すなわち△n
=〜−ne、nはnoとneとの平均値、tはX軸方向
の結晶34の厚さ、rijは電気光学係数である。
上記角度Qは通常極めて小さいので、tanQニQであ
り、この関係を考慮すれば、‘1}式から上記角度Qが
ほぼ印加電圧Vに比例することがわかる。第3図には、
一連の複屈折性結晶板34a,34b,34c,34d
および34eが、偏り方向を交叉して配置した第1、第
2の偏光子、すなわち入射偏光子および検光子40およ
び42の間に、X軸方向に次々に配置された状況を示す
。
り、この関係を考慮すれば、‘1}式から上記角度Qが
ほぼ印加電圧Vに比例することがわかる。第3図には、
一連の複屈折性結晶板34a,34b,34c,34d
および34eが、偏り方向を交叉して配置した第1、第
2の偏光子、すなわち入射偏光子および検光子40およ
び42の間に、X軸方向に次々に配置された状況を示す
。
上記の偏光子40,42は第1図に示した偏光子14お
よび18と同様のものである。結晶板34a〜34eそ
れぞれの光軸36a,36b,36c,36dおよび3
6eはすべてY軸方向、すなわち第1の偏光子40の偏
り方向に向けられている。次に結晶板34a〜34eに
、これ等を横切る方向すなわちX軸方向に所定の電圧が
それぞれ印加され、各結晶板の光軸36a〜36eが順
次にY軸に対して角度+Q,一Qづつ回転しそれぞれ3
6′および36″の位置を占めたものとし、入射偏光子
40を透過しY軸方向に偏った光がX軸方向に投射され
るものとする。結晶板34a〜36eはすべて同じt、
同じ△nを有し、各結晶板が半波長板として作用する光
の波長入oは次式によって定められる。
よび18と同様のものである。結晶板34a〜34eそ
れぞれの光軸36a,36b,36c,36dおよび3
6eはすべてY軸方向、すなわち第1の偏光子40の偏
り方向に向けられている。次に結晶板34a〜34eに
、これ等を横切る方向すなわちX軸方向に所定の電圧が
それぞれ印加され、各結晶板の光軸36a〜36eが順
次にY軸に対して角度+Q,一Qづつ回転しそれぞれ3
6′および36″の位置を占めたものとし、入射偏光子
40を透過しY軸方向に偏った光がX軸方向に投射され
るものとする。結晶板34a〜36eはすべて同じt、
同じ△nを有し、各結晶板が半波長板として作用する光
の波長入oは次式によって定められる。
学(1十洲)=t△n .・・.・・【2)ここに
Mは○又は正の整数である。
Mは○又は正の整数である。
周知のように、半波長板への入射光が該半波長板の光軸
に対してある角度偏った偏光であると、半波長板からの
射出光の偏り方向は、上記光磯に対して入射光の偏り方
向と対称となる。式{2)を満足する波長を有する偏光
が第3図の一連の結晶板すなわちアレーを通る光線の偏
り状況が、第4、第4a、第4bおよび第4c図に図式
的に画かれている。
に対してある角度偏った偏光であると、半波長板からの
射出光の偏り方向は、上記光磯に対して入射光の偏り方
向と対称となる。式{2)を満足する波長を有する偏光
が第3図の一連の結晶板すなわちアレーを通る光線の偏
り状況が、第4、第4a、第4bおよび第4c図に図式
的に画かれている。
第4〜第4c図の矢印44,44a,44b,44cは
上記アレーを通る光の偏り方向を表わす。第4図は入射
偏光子40を透遇した光44がY軸方向に偏っているこ
とを示す。既に説明したように、第1の結晶板34aに
制御電圧がかけられ、光軸36aは36a′の位置まで
回転されている(第1図)。従って第3図、第4a図に
見るように、光44は偏り方向が上記36′位置から角
度−Qだけずれた状態で結晶板34aに入り、該結晶板
から射出されるときは光軸36′から角度十Qだけ回転
した偏き方向を持つものとなっている。第4a図からよ
く判るように、第1の結晶板34aを透過した光はY軸
から角度+2Qだけ偏った偏光44aとなる。次の結晶
板34bの光軸は36″で示された位置、すなわちY軸
に対して角度−Qだけ回転した方向を向く。
上記アレーを通る光の偏り方向を表わす。第4図は入射
偏光子40を透遇した光44がY軸方向に偏っているこ
とを示す。既に説明したように、第1の結晶板34aに
制御電圧がかけられ、光軸36aは36a′の位置まで
回転されている(第1図)。従って第3図、第4a図に
見るように、光44は偏り方向が上記36′位置から角
度−Qだけずれた状態で結晶板34aに入り、該結晶板
から射出されるときは光軸36′から角度十Qだけ回転
した偏き方向を持つものとなっている。第4a図からよ
く判るように、第1の結晶板34aを透過した光はY軸
から角度+2Qだけ偏った偏光44aとなる。次の結晶
板34bの光軸は36″で示された位置、すなわちY軸
に対して角度−Qだけ回転した方向を向く。
従って光44aは、第3図、第4b図に示すように位置
36″に移った光軸に対して角度+3Qずれた方向に偏
って結晶板34bに入射され、該結晶板34bを出ると
きには、光軸36″に対して角度−3Qだけ回転した偏
光44bとなる。同様にして次に配置された結晶体34
cは第3図、第4図に示すように光軸がY軸から角度+
Qだけ回転した36′位置にあり、光44bは光軸36
′に対して角度−5Qだけずれた方向に偏って結晶板3
4cに入射され、該結晶板34cを出るときは、第4c
図に矢印44cで示したように、光軸36′に対して角
度十5Qだけ回転した方向に偏っている。上記説明から
判るように、偏光44が結晶板34a〜34eを順次透
過するとき、透過光の偏り方向はY軸の両側に往復して
回転し、上記回転ごとに偏り角度は2はづつ増加する。
36″に移った光軸に対して角度+3Qずれた方向に偏
って結晶板34bに入射され、該結晶板34bを出ると
きには、光軸36″に対して角度−3Qだけ回転した偏
光44bとなる。同様にして次に配置された結晶体34
cは第3図、第4図に示すように光軸がY軸から角度+
Qだけ回転した36′位置にあり、光44bは光軸36
′に対して角度−5Qだけずれた方向に偏って結晶板3
4cに入射され、該結晶板34cを出るときは、第4c
図に矢印44cで示したように、光軸36′に対して角
度十5Qだけ回転した方向に偏っている。上記説明から
判るように、偏光44が結晶板34a〜34eを順次透
過するとき、透過光の偏り方向はY軸の両側に往復して
回転し、上記回転ごとに偏り角度は2はづつ増加する。
若しアレーに含まれる結晶板の数を、最後の結晶板を出
る光がZ軸方向に平行に偏光しているように選定すれば
、検光子42に入射されるすべて光は該検光子42を透
過する。上述のように偏光44が各結晶板を通過するご
とに、通過光の偏り方向が角度2Qづつ大きくなるので
、使用する結晶板の数Nはこの場合次の式{3}を満足
するように選ばれる。N:念 .・・.・
・【31この場合Nの数が上記の式{3’を僅かに満足
しない場合にも、最後に配置された結晶板からZ軸に平
行な多くの光の成分が送出されて検光子42に送られ、
検光子42を透過する。
る光がZ軸方向に平行に偏光しているように選定すれば
、検光子42に入射されるすべて光は該検光子42を透
過する。上述のように偏光44が各結晶板を通過するご
とに、通過光の偏り方向が角度2Qづつ大きくなるので
、使用する結晶板の数Nはこの場合次の式{3}を満足
するように選ばれる。N:念 .・・.・
・【31この場合Nの数が上記の式{3’を僅かに満足
しない場合にも、最後に配置された結晶板からZ軸に平
行な多くの光の成分が送出されて検光子42に送られ、
検光子42を透過する。
勿論このフィル夕を通過する光の割合の最大値は、上記
式t3}が満足された場合ほぼ100%に近い。また第
3図の結晶板34a〜34eからなるアレーを通る光が
式■を満足せぬような波長を有する場合には、結晶板3
4a〜34eはもはや半波長板として作用することなく
、最後に配置された検光子42から検光子42を透過す
るような光を射出することはない。
式t3}が満足された場合ほぼ100%に近い。また第
3図の結晶板34a〜34eからなるアレーを通る光が
式■を満足せぬような波長を有する場合には、結晶板3
4a〜34eはもはや半波長板として作用することなく
、最後に配置された検光子42から検光子42を透過す
るような光を射出することはない。
たとえば第3図の結晶板アレ−を透過する光の波長が2
^。であるときは、各結晶板34a〜34eは4/1波
長板として作用する。この波長の光の偏りは全アレーを
通じてほぼY軸に平行であり、副次的に小さな円偏光成
分を伴うだけである。上述の光学的フィル夕のパスバン
ド‘ま次式で定まる波長入に対して入=A△n
”””(4)で与えられる。
^。であるときは、各結晶板34a〜34eは4/1波
長板として作用する。この波長の光の偏りは全アレーを
通じてほぼY軸に平行であり、副次的に小さな円偏光成
分を伴うだけである。上述の光学的フィル夕のパスバン
ド‘ま次式で定まる波長入に対して入=A△n
”””(4)で与えられる。
ここに△nは前述した静的複屈折の値、AはX軸方向に
配置された複数個の結晶質部材による光鞠回転のX軸方
向の第1の空間周期である。この発明の光学的フィル夕
では、上記結晶板の×軸方向の配置の第2の空間周期A
fは、フィル夕を透過させる最小の波長が入minのと
き、式{4)に対して入肌を用いることにより求められ
る。
配置された複数個の結晶質部材による光鞠回転のX軸方
向の第1の空間周期である。この発明の光学的フィル夕
では、上記結晶板の×軸方向の配置の第2の空間周期A
fは、フィル夕を透過させる最小の波長が入minのと
き、式{4)に対して入肌を用いることにより求められ
る。
光軸の一方および反対方向すなわち正負の回転はともに
上記周期Afの間に行なわれるので、この周期に該当す
るX軸方向の距離の中には引続く2枚の結晶板が存在す
ることになる。従って結晶板の数Nおよびこの光学的フ
ィル夕の長さL(第1図の装置16の長さ)は次式から
求められる。NAf=2L
……{51上記Nの数は、フィル夕に所望のパスバ
ンド中を与え得るように次式によって算出される。△入
−KA ……【6)入。NA
ナここに入oはフィル夕の透過波長、△入は上記入oに
対するパスバンド中、Kは上記△入を定めるレベルによ
って決まる比例定数であり、たとえば最大値から$比下
ったレベルで△入を定めるときはK=1.6とする。
上記周期Afの間に行なわれるので、この周期に該当す
るX軸方向の距離の中には引続く2枚の結晶板が存在す
ることになる。従って結晶板の数Nおよびこの光学的フ
ィル夕の長さL(第1図の装置16の長さ)は次式から
求められる。NAf=2L
……{51上記Nの数は、フィル夕に所望のパスバ
ンド中を与え得るように次式によって算出される。△入
−KA ……【6)入。NA
ナここに入oはフィル夕の透過波長、△入は上記入oに
対するパスバンド中、Kは上記△入を定めるレベルによ
って決まる比例定数であり、たとえば最大値から$比下
ったレベルで△入を定めるときはK=1.6とする。
この発明のフィル夕を設計する場合、最小の透過波長入
minに対し式{4ーから空間周期ハrが計算された後
、結晶板又は電気光学的作用領域(単結晶を用し、る場
合)微服所望の篭と、式微)ら求められる入oに対応す
る第1の空間周期Aoを用いて式側から、またQの値は
式{3’から求められ、各結晶板の光軸を所望の角度Q
だけ回転させるために電極に印加する制御電圧Vは式‘
1}から計算される。
minに対し式{4ーから空間周期ハrが計算された後
、結晶板又は電気光学的作用領域(単結晶を用し、る場
合)微服所望の篭と、式微)ら求められる入oに対応す
る第1の空間周期Aoを用いて式側から、またQの値は
式{3’から求められ、各結晶板の光軸を所望の角度Q
だけ回転させるために電極に印加する制御電圧Vは式‘
1}から計算される。
次に第1図の光学フィル夕の作用を、第5a,5bおよ
び5c図について説明する。
び5c図について説明する。
フィル夕が透過させる光の最小波長入minとする場合
には、電極に印加される制御電圧は、光軸を回転する第
1の空間周期Aが第2の空間周期Arに一致するように
選ばれる。このような選定は、第1図に示された奇数番
目の電源V,,V3,V5等に同じ値の電圧+V^(こ
の電圧は所望のQの値に対して式mによって定められる
)が供給され、偶数番目の電源V2,V4,V6等に電
圧−V^が印加されることによる。このような電圧印加
法は第5a図に明示されている。第5a図の横軸は×軸
方向延びる距離軸であり、縦軸は印加電圧軸である。図
のV,,V2・・・V,4はX軸方向に等間隔に並んだ
結晶板のX軸方向の位置と、該結晶板に給電する電源V
,,V2・・・V,4の給電電圧を示す。奇数番目の電
源からは電圧+V^が、偶数番目の電源からは電圧−V
^が印加されている。ハrは第2の空間周期を示す。次
に第5a図のように構成した電極板と電源を用いて、フ
ィル夕を通過する光の波長を3入minにする場合には
、結晶板に印加する制御電圧は、第1の空間周期ハが3
Afとなるように選ばれる。
には、電極に印加される制御電圧は、光軸を回転する第
1の空間周期Aが第2の空間周期Arに一致するように
選ばれる。このような選定は、第1図に示された奇数番
目の電源V,,V3,V5等に同じ値の電圧+V^(こ
の電圧は所望のQの値に対して式mによって定められる
)が供給され、偶数番目の電源V2,V4,V6等に電
圧−V^が印加されることによる。このような電圧印加
法は第5a図に明示されている。第5a図の横軸は×軸
方向延びる距離軸であり、縦軸は印加電圧軸である。図
のV,,V2・・・V,4はX軸方向に等間隔に並んだ
結晶板のX軸方向の位置と、該結晶板に給電する電源V
,,V2・・・V,4の給電電圧を示す。奇数番目の電
源からは電圧+V^が、偶数番目の電源からは電圧−V
^が印加されている。ハrは第2の空間周期を示す。次
に第5a図のように構成した電極板と電源を用いて、フ
ィル夕を通過する光の波長を3入minにする場合には
、結晶板に印加する制御電圧は、第1の空間周期ハが3
Afとなるように選ばれる。
各電源V,,V2・・・V.4から供給される電圧分布
48が第5b図に示されている。第5b図に示すように
、正電圧は初めの3個の結晶板V,,V2,V3に印加
され、負電圧は次の3個の結晶板V4,V5,V6に印
加され、以下同様に正負の電圧が順次印加される。多く
の結晶板に加えられた電圧は第5a図に示すように同じ
大きさを有するものでもよいが、この場合には第5b図
に示すように×軸に対してほぼ正弦波分布をなすのが好
ましい。このように正弦波分布を用いることにより、フ
ィル夕を透過する光に高調波が発生するという不都合を
防止することができる。第5b図の例では、大きさ最大
の制御電圧は、周期3Afの正弦波48の頂上および谷
底に印加され、その間の結晶板に印加される電圧は、該
結晶板の位置に対応する正弦波に相当する電圧である。
この場合波長3入minの波形分布によって結晶板に電
圧を印加する場合は^minの波長を有する波形分布の
電圧を印加する場合に比べて同じX方向距離に対して光
軸の左右に回転する回数が1′3となる。従って第3図
に画かれているQの値は3倍となることが要求され、従
って第5b図の例では電源V2,V5,V8,V,.等
には十3V〜 −3VAの電圧が印加され、電源V,,
V3,V4,V6等の中間位置には十3/2V^,一3
/2V^が印加される。また他の例として第1図のフィ
ル夕が波長1.75入肌の光を透過させるための制御電
圧分布が第5c図に示されている。この場合には、電源
V,,V2,V3・・・VNから供給される電圧が制御
電圧分布波形曲線50‘こ示されている。この場合第1
の空間周期A:1.75Afである。またFig弧に説
明した場合と同様の考えから、上記曲線50の頂上と谷
底の位置に相当する結晶板に供給される電圧の大きさは
1.75V^に選ばれる。以上の説明から、種々の透過
又は遮断特性を有するフィル夕を形成するために、種々
の制御電圧分布を選べることがわかる。
48が第5b図に示されている。第5b図に示すように
、正電圧は初めの3個の結晶板V,,V2,V3に印加
され、負電圧は次の3個の結晶板V4,V5,V6に印
加され、以下同様に正負の電圧が順次印加される。多く
の結晶板に加えられた電圧は第5a図に示すように同じ
大きさを有するものでもよいが、この場合には第5b図
に示すように×軸に対してほぼ正弦波分布をなすのが好
ましい。このように正弦波分布を用いることにより、フ
ィル夕を透過する光に高調波が発生するという不都合を
防止することができる。第5b図の例では、大きさ最大
の制御電圧は、周期3Afの正弦波48の頂上および谷
底に印加され、その間の結晶板に印加される電圧は、該
結晶板の位置に対応する正弦波に相当する電圧である。
この場合波長3入minの波形分布によって結晶板に電
圧を印加する場合は^minの波長を有する波形分布の
電圧を印加する場合に比べて同じX方向距離に対して光
軸の左右に回転する回数が1′3となる。従って第3図
に画かれているQの値は3倍となることが要求され、従
って第5b図の例では電源V2,V5,V8,V,.等
には十3V〜 −3VAの電圧が印加され、電源V,,
V3,V4,V6等の中間位置には十3/2V^,一3
/2V^が印加される。また他の例として第1図のフィ
ル夕が波長1.75入肌の光を透過させるための制御電
圧分布が第5c図に示されている。この場合には、電源
V,,V2,V3・・・VNから供給される電圧が制御
電圧分布波形曲線50‘こ示されている。この場合第1
の空間周期A:1.75Afである。またFig弧に説
明した場合と同様の考えから、上記曲線50の頂上と谷
底の位置に相当する結晶板に供給される電圧の大きさは
1.75V^に選ばれる。以上の説明から、種々の透過
又は遮断特性を有するフィル夕を形成するために、種々
の制御電圧分布を選べることがわかる。
複雑な透過特性のフィルタを得るために、とられた制御
電圧分布の一例が第6a図の曲線52に示されている。
第6a図のAはX軸に沿った第1の空間周期を示す。た
とえば波長4入minおよび5入minを中心とする2
個の透過特性を有するフィル夕を形成する場合には、5
2のような制御電圧分布波形曲線がそれぞれ4入min
および5入minに相当する制御電圧波形曲線の代数和
として求められ、この波形に基づいて定められた制御電
圧が各結晶板に与えられる。該制御電圧は上記曲線で示
された電圧分布波形をX軸のA〆/2ごとに分割し、区
間A〆/2の中央点の電圧値をとり、この電圧値をその
区間に印加する電圧値とする。この方法は波形全般に及
ぼされる。このようにして実際の制御電圧分布波形曲線
54(第6b図)が求められる。上述の光学的フィル夕
を複数個の結晶を組合せたものでなく、1個の複屈折性
単結晶を用いて製作することができる。第7図には、こ
の発明の実施例として、交互に高抵抗部と低抵抗部を有
する単結晶を用いた光学的フィル夕が示されている。こ
の実施例に使用されている部材は、第1図の実施例に使
用されている都材と同じか又は同等のものであり、この
ような部材は第1図に示した番号に100を加えた番号
で示されている。第7図では、長い単結晶116が入射
光110の光路に沿って配置されている。
電圧分布の一例が第6a図の曲線52に示されている。
第6a図のAはX軸に沿った第1の空間周期を示す。た
とえば波長4入minおよび5入minを中心とする2
個の透過特性を有するフィル夕を形成する場合には、5
2のような制御電圧分布波形曲線がそれぞれ4入min
および5入minに相当する制御電圧波形曲線の代数和
として求められ、この波形に基づいて定められた制御電
圧が各結晶板に与えられる。該制御電圧は上記曲線で示
された電圧分布波形をX軸のA〆/2ごとに分割し、区
間A〆/2の中央点の電圧値をとり、この電圧値をその
区間に印加する電圧値とする。この方法は波形全般に及
ぼされる。このようにして実際の制御電圧分布波形曲線
54(第6b図)が求められる。上述の光学的フィル夕
を複数個の結晶を組合せたものでなく、1個の複屈折性
単結晶を用いて製作することができる。第7図には、こ
の発明の実施例として、交互に高抵抗部と低抵抗部を有
する単結晶を用いた光学的フィル夕が示されている。こ
の実施例に使用されている部材は、第1図の実施例に使
用されている都材と同じか又は同等のものであり、この
ような部材は第1図に示した番号に100を加えた番号
で示されている。第7図では、長い単結晶116が入射
光110の光路に沿って配置されている。
結晶116は、たとえば液相ェピタキシャル生長法によ
って形成される。図の124および122はフィル夕の
長さ方向に交互に配置された低抵抗領域および高抵抗領
域である。この単結晶116の一例はチオ没食子酸銀(
AgoaS2)であり、低抵抗領域はビスマス又は銀等
適宜の材料をドープすることによって形成され、高抵抗
領域はドープされずに残存した領域である。上記両領域
の比抵抗値は、低抵抗領域124ではほぼ100オーム
・センチ程度であり、高抵抗領域122ではほぼ10′
′オーム・センチ程度である。この場合電源V,,V2
,V3・・・VNから単結晶116に印加される電圧は
高抵抗領域122を挟む1対の低抵抗領域124に印加
され、該高抵抗領域122の光軸を、第1〜6図に於て
考察したように回転させる。第8図には他の実施例が示
されている。
って形成される。図の124および122はフィル夕の
長さ方向に交互に配置された低抵抗領域および高抵抗領
域である。この単結晶116の一例はチオ没食子酸銀(
AgoaS2)であり、低抵抗領域はビスマス又は銀等
適宜の材料をドープすることによって形成され、高抵抗
領域はドープされずに残存した領域である。上記両領域
の比抵抗値は、低抵抗領域124ではほぼ100オーム
・センチ程度であり、高抵抗領域122ではほぼ10′
′オーム・センチ程度である。この場合電源V,,V2
,V3・・・VNから単結晶116に印加される電圧は
高抵抗領域122を挟む1対の低抵抗領域124に印加
され、該高抵抗領域122の光軸を、第1〜6図に於て
考察したように回転させる。第8図には他の実施例が示
されている。
この実施例にも、1個の複屈折性を有する単結晶が用い
られる。図示された諸部材は、第1図の場合と同じか又
は同等のものであり、これらの部材には第1図の番号に
200を加えた番号で示されている。第8図の実施例で
は、複数個のZ軸方向に平行な電極ストリップ224が
、結晶216のXZ平面に平行な広い上表面225に、
×軸方向に間隔をおきZ軸に平行に設けられている。結
晶216を形成する材料の1例はチオ没食子酸銀であり
、電極ストリップ224の例はアルミニウム又は金であ
る。制御電圧は電源V,,V2・・・VNから供給され
、引続く1対の電極ストリップ224の間に印加される
。従ってX軸に沿って配置された結晶216の複数個の
中間領域のそれぞれに於て、光軸の所望の回転が達成さ
れる。更に結晶216を有効に利用するために、上記電
極ストリップ224と同じ電極ストリップ(図示せず)
から成る第2のアレーが、結晶216の上表面225と
対向する下表面上に設られている。両表面に設けられた
電極ストリップ224には、同じ大きさと犠牲の制御電
圧が上表面と同じ分布状態で印加される。上述の実施例
では、光軸を回転させる霧場は、光の進行方向すなわち
X軸方向に印加される。しかし第9図に示した実施例で
は、上記の場合とは違い、X軸と角度をなす方向に亀場
が印加される。第9図に示した部材のうち第1図と同じ
又は対応する都材は、第1図の部村の番号に300を加
えて示されている。この場合には第1図の場合とクラス
の相違する結晶が用いられる。第9図の実施例に用いら
れる結晶の代表的な例はタンタル酸リチウム(LITa
03)および硫化カドミウム(CdS)である。これ等
の結晶を使用する場合には、光軸は第9図の座標系のZ
軸に平行に、したがって入力偏光子314の偏り方向に
直角に配置されている。第9図の実施例に於ても、結晶
316のXZ平面と平行な表面に、それぞれ間隔をおい
て対向して配置された電極ストリップ324aおよび3
24bからなる第1および第2の電極ストリップアレー
が設けられている。上記電極ストリップ324aと32
4bはY軸方向に整列しており、電源V,,V2,V3
・・・VNから供給される制御電圧は、対向する1対の
電極ストリップ324aおよび324b間に印加される
。したがって、一連の電極ストリップ324a,324
bの間に有り、X軸方向に続いて配置された結晶316
の電気光学的作用領域内では光軸の所望の回転が行なわ
れる。第9図に実施例によって形成され、電気光学的に
働くこの発明の光学フィル夕の具体例について説明する
が、この記述に制限されることなく、その他の諸部材の
形状や材料、諸パラメータの値等の使用もこの発明の特
徴事項から逸脱しない限り使用することができる。
られる。図示された諸部材は、第1図の場合と同じか又
は同等のものであり、これらの部材には第1図の番号に
200を加えた番号で示されている。第8図の実施例で
は、複数個のZ軸方向に平行な電極ストリップ224が
、結晶216のXZ平面に平行な広い上表面225に、
×軸方向に間隔をおきZ軸に平行に設けられている。結
晶216を形成する材料の1例はチオ没食子酸銀であり
、電極ストリップ224の例はアルミニウム又は金であ
る。制御電圧は電源V,,V2・・・VNから供給され
、引続く1対の電極ストリップ224の間に印加される
。従ってX軸に沿って配置された結晶216の複数個の
中間領域のそれぞれに於て、光軸の所望の回転が達成さ
れる。更に結晶216を有効に利用するために、上記電
極ストリップ224と同じ電極ストリップ(図示せず)
から成る第2のアレーが、結晶216の上表面225と
対向する下表面上に設られている。両表面に設けられた
電極ストリップ224には、同じ大きさと犠牲の制御電
圧が上表面と同じ分布状態で印加される。上述の実施例
では、光軸を回転させる霧場は、光の進行方向すなわち
X軸方向に印加される。しかし第9図に示した実施例で
は、上記の場合とは違い、X軸と角度をなす方向に亀場
が印加される。第9図に示した部材のうち第1図と同じ
又は対応する都材は、第1図の部村の番号に300を加
えて示されている。この場合には第1図の場合とクラス
の相違する結晶が用いられる。第9図の実施例に用いら
れる結晶の代表的な例はタンタル酸リチウム(LITa
03)および硫化カドミウム(CdS)である。これ等
の結晶を使用する場合には、光軸は第9図の座標系のZ
軸に平行に、したがって入力偏光子314の偏り方向に
直角に配置されている。第9図の実施例に於ても、結晶
316のXZ平面と平行な表面に、それぞれ間隔をおい
て対向して配置された電極ストリップ324aおよび3
24bからなる第1および第2の電極ストリップアレー
が設けられている。上記電極ストリップ324aと32
4bはY軸方向に整列しており、電源V,,V2,V3
・・・VNから供給される制御電圧は、対向する1対の
電極ストリップ324aおよび324b間に印加される
。したがって、一連の電極ストリップ324a,324
bの間に有り、X軸方向に続いて配置された結晶316
の電気光学的作用領域内では光軸の所望の回転が行なわ
れる。第9図に実施例によって形成され、電気光学的に
働くこの発明の光学フィル夕の具体例について説明する
が、この記述に制限されることなく、その他の諸部材の
形状や材料、諸パラメータの値等の使用もこの発明の特
徴事項から逸脱しない限り使用することができる。
第9図の結晶316はよく磨かれたタンタル酸リチウム
(LITa03)結晶の矩形Yカット板であり、×,Y
,Z軸方向の長さは18肌、0.14側および11側で
ある。また電極ストリップ324a,324bは長さ5
柵、中25#m、スベーシングは30仏のに形成されて
いる。電源V,,V2,V3・・・VNから供給される
制御電圧は、X軸に沿って順次極性を変えて印加される
ほぼ同じ大きさの電圧48ボルトである。入射光310
1こはタングステンフィラメントから放射される白色光
が用いられ、射出光320は狭いバンド中を有する青色
光である。該青色光は中心周波数入。が0.457rm
であり、最大値より$比低い所でのバンド中は0.72
Aになっている。その他、フィルタ設計に必要なパラメ
ータは次の第1表に示されている。第1表 N=100 Lニ5,5帆 A〆=110仏の △n=0.00415 Q=0.00785ラジアン 前述のように、この発明のフィル夕に用いる後屈折性の
結晶質部材では、所定の方向に印加された電圧に応じて
、光路に直角な面内での光軸の回転が行なわれる。
(LITa03)結晶の矩形Yカット板であり、×,Y
,Z軸方向の長さは18肌、0.14側および11側で
ある。また電極ストリップ324a,324bは長さ5
柵、中25#m、スベーシングは30仏のに形成されて
いる。電源V,,V2,V3・・・VNから供給される
制御電圧は、X軸に沿って順次極性を変えて印加される
ほぼ同じ大きさの電圧48ボルトである。入射光310
1こはタングステンフィラメントから放射される白色光
が用いられ、射出光320は狭いバンド中を有する青色
光である。該青色光は中心周波数入。が0.457rm
であり、最大値より$比低い所でのバンド中は0.72
Aになっている。その他、フィルタ設計に必要なパラメ
ータは次の第1表に示されている。第1表 N=100 Lニ5,5帆 A〆=110仏の △n=0.00415 Q=0.00785ラジアン 前述のように、この発明のフィル夕に用いる後屈折性の
結晶質部材では、所定の方向に印加された電圧に応じて
、光路に直角な面内での光軸の回転が行なわれる。
このような光軸の回転は、電気光学効果を用いて、屈折
率楕円体によって表現された材料の光学的特性を変化さ
せることにより達成される。上記の屈折率楕円体は、結
晶の誘電率主軸(principa! dielecr
ic axea)と、対応する主軸に沿って偏よった光
の屈折率との関係を表示する。上記屈折率楕円体および
その応用に関しては、1971年に発行された図書“光
工学入門(lntroductjontoOptica
l Electronics)’’ のセクション9.
1の223〜230ページに記載ごている。上記参考図
書に説明されているように、j方向に露場EjがEO力
ロされると、屈折率楕円体を表現する式のi方向の係数
1/n2の変化であるA(1/n2)iが上記Ejと電
気光学係数rijに応じて決定される。上記rijに記
されたiは1〜6、jは1〜3から選ばれた正の整数で
あり、上述の関数は次式により表現される。屈折率楕円
体のi=1,2,3に対応する3個の係数は、X,Yお
よびZ軸方向の屈折率の大きさの変化に応じて変化し、
またi=4,5,6に対応する上記3個の係数は、Y−
Z平面、×−Z表面およびX−Y平面内での光軸の回転
に応じて変化する。
率楕円体によって表現された材料の光学的特性を変化さ
せることにより達成される。上記の屈折率楕円体は、結
晶の誘電率主軸(principa! dielecr
ic axea)と、対応する主軸に沿って偏よった光
の屈折率との関係を表示する。上記屈折率楕円体および
その応用に関しては、1971年に発行された図書“光
工学入門(lntroductjontoOptica
l Electronics)’’ のセクション9.
1の223〜230ページに記載ごている。上記参考図
書に説明されているように、j方向に露場EjがEO力
ロされると、屈折率楕円体を表現する式のi方向の係数
1/n2の変化であるA(1/n2)iが上記Ejと電
気光学係数rijに応じて決定される。上記rijに記
されたiは1〜6、jは1〜3から選ばれた正の整数で
あり、上述の関数は次式により表現される。屈折率楕円
体のi=1,2,3に対応する3個の係数は、X,Yお
よびZ軸方向の屈折率の大きさの変化に応じて変化し、
またi=4,5,6に対応する上記3個の係数は、Y−
Z平面、×−Z表面およびX−Y平面内での光軸の回転
に応じて変化する。
上述の現象のうちこの発明に用いられるのはi=4,5
,6に対応する方の現象である。したがって、この発明
のフィル夕に用いる複屈折性の結晶質部材は、電気光学
係数r小 r42,r43’ r51’r52’r則
r61’r62およびr63の群の中から選ばれた0で
ない少くとも1個の係数を有するものでなくてはならな
い。第1図の実施例の基づく1具体例では、霞場はX軸
と平行に印加され、光軸の回転はYZ平面内で行なわれ
、電気光学係数としてr4,が用いられる。
,6に対応する方の現象である。したがって、この発明
のフィル夕に用いる複屈折性の結晶質部材は、電気光学
係数r小 r42,r43’ r51’r52’r則
r61’r62およびr63の群の中から選ばれた0で
ない少くとも1個の係数を有するものでなくてはならな
い。第1図の実施例の基づく1具体例では、霞場はX軸
と平行に印加され、光軸の回転はYZ平面内で行なわれ
、電気光学係数としてr4,が用いられる。
このように結晶板22に用いる材料は、0でない電気光
学係数r4.を持つことを要する。また第9図の実施例
に基づく1具体例では、電場はY鞠に平行に印加され、
YZ平面内に光軸の回転が生ずる。この場合は電気光学
係数r42が用いられ、この係数r42が0でない材料
でなくてはならない。更に一般的に論ずれば、光路方向
に雷場が印加された場合(すなわち縦方向モードの作動
)では、電気光学係数r4,,r52およびr母の中の
少くとも1個が0でないとの条件が必要である。
学係数r4.を持つことを要する。また第9図の実施例
に基づく1具体例では、電場はY鞠に平行に印加され、
YZ平面内に光軸の回転が生ずる。この場合は電気光学
係数r42が用いられ、この係数r42が0でない材料
でなくてはならない。更に一般的に論ずれば、光路方向
に雷場が印加された場合(すなわち縦方向モードの作動
)では、電気光学係数r4,,r52およびr母の中の
少くとも1個が0でないとの条件が必要である。
多くの結晶系とクラス(点グループ)の完全なりストア
ップおよび縦方向モードフィル夕に使用される電気光学
係数riJが次表川こ記されている。この表及びその他
の表に於ては、通常用いられる結晶学上の術語は、ドー
バー出版社から1977年に発行された“結晶および光
(Cr$talsandLi鮒t)”の第5章、53〜
61ページに記載されたものである。第○表(縦方向) 結晶系 クラス(点群) rii(ii)等軸晶系
存し六方晶系 6 41(=−52) 622 41(=−52) 三方晶系 3 41(=−52) 32 41(=一52) 正方晶系 4 41(=−52) 4 41(=+52) 422 41(=−52) 42の 41(ニ十52) 斜方晶系 222 41,52,63単斜晶系
2 41,52,63 三斜晶系 1 41,52,63 電場が光路に直角方向に印加される場合(すなわち横方
向モードの作動)には、電気光学係数r子・,r43,
r51, r53,r6,およびr62の内の少くと
も1個は0でないことが必要である。
ップおよび縦方向モードフィル夕に使用される電気光学
係数riJが次表川こ記されている。この表及びその他
の表に於ては、通常用いられる結晶学上の術語は、ドー
バー出版社から1977年に発行された“結晶および光
(Cr$talsandLi鮒t)”の第5章、53〜
61ページに記載されたものである。第○表(縦方向) 結晶系 クラス(点群) rii(ii)等軸晶系
存し六方晶系 6 41(=−52) 622 41(=−52) 三方晶系 3 41(=−52) 32 41(=一52) 正方晶系 4 41(=−52) 4 41(=+52) 422 41(=−52) 42の 41(ニ十52) 斜方晶系 222 41,52,63単斜晶系
2 41,52,63 三斜晶系 1 41,52,63 電場が光路に直角方向に印加される場合(すなわち横方
向モードの作動)には、電気光学係数r子・,r43,
r51, r53,r6,およびr62の内の少くと
も1個は0でないことが必要である。
この発明の横方向モード作動に対する、多くの結晶系と
クラス(点グループ)の完全なりストアップと電気光学
係数rijは次に示す表mに示されている。第nl表(
横方向) 結晶系 く点る泉今.)riiくii) 等鞠晶系 存 し 六方晶系 6 42(=+51) 6帆 42(ニ十51) 三方晶系 3 42(二十51) 3の 42(ェ十51) 正方晶系 4 42(〒十51) 4 42(=一51) 4肌 42(ニ十51) 斜方晶系 のの2 42,51 単斜晶系 2 43,61 の 42,51,53,62 三斜晶系 1 42,43,51,53,61,6
2上記すべての実施例に於て考察したように、光の伝播
方向および印加される制御電場の方向は共に、結晶主軸
の方向に向けられている。
クラス(点グループ)の完全なりストアップと電気光学
係数rijは次に示す表mに示されている。第nl表(
横方向) 結晶系 く点る泉今.)riiくii) 等鞠晶系 存 し 六方晶系 6 42(=+51) 6帆 42(ニ十51) 三方晶系 3 42(二十51) 3の 42(ェ十51) 正方晶系 4 42(〒十51) 4 42(=一51) 4肌 42(ニ十51) 斜方晶系 のの2 42,51 単斜晶系 2 43,61 の 42,51,53,62 三斜晶系 1 42,43,51,53,61,6
2上記すべての実施例に於て考察したように、光の伝播
方向および印加される制御電場の方向は共に、結晶主軸
の方向に向けられている。
しかしこの発明の光学的フィル夕では、光の伝播方向と
、印加される制御電圧がどの結晶主軸にも平行でないよ
うに結晶を形成することができる。
、印加される制御電圧がどの結晶主軸にも平行でないよ
うに結晶を形成することができる。
特定の例について記せば、結晶が光軸から8だけ回転し
た位置でカットされた場合には、新しい電気光学係数r
′4,が縦方向電場を用いる場合に対して形成される。
た位置でカットされた場合には、新しい電気光学係数r
′4,が縦方向電場を用いる場合に対して形成される。
r′4,の値は次式から計算される。r′4,=r4,
cos28−r5がi〆8十(r42−r5,)×CO
S0・Sin8 “””t8)このよう
にして特に所望された結晶に対しr4,=r52=0,
r2及び/又はr5,羊0である場合には、使用する結
晶が横方向モードの結晶であったとしても、この結晶は
回転の後に、縦方向モードのフィル夕として使用するこ
とができる。
cos28−r5がi〆8十(r42−r5,)×CO
S0・Sin8 “””t8)このよう
にして特に所望された結晶に対しr4,=r52=0,
r2及び/又はr5,羊0である場合には、使用する結
晶が横方向モードの結晶であったとしても、この結晶は
回転の後に、縦方向モードのフィル夕として使用するこ
とができる。
更に回転が、結晶軸であるX軸又はY軸又は双方の軸の
まわりに行なわれると、新しい電気光学係数が形成され
る。上記新しい電気光学係数は幾何学的角度の関数によ
って重み付けされたオリジナルな主軸に関する電気光学
係数の組合せによって形成される。このような新しい係
数は、オリジナル係数が適当でない場合にもこの発明の
フィル夕にとって適当であるように形成され得る。上記
事実のために、大きな値の電気光学係数を有する結晶を
選択する場合に、この選択の自由度を広くすることがで
かさる。次に示す表W、表Vは結晶系と、クラス(点グ
ループ)と、新しい電気光学係数でijを表示したもの
である。
まわりに行なわれると、新しい電気光学係数が形成され
る。上記新しい電気光学係数は幾何学的角度の関数によ
って重み付けされたオリジナルな主軸に関する電気光学
係数の組合せによって形成される。このような新しい係
数は、オリジナル係数が適当でない場合にもこの発明の
フィル夕にとって適当であるように形成され得る。上記
事実のために、大きな値の電気光学係数を有する結晶を
選択する場合に、この選択の自由度を広くすることがで
かさる。次に示す表W、表Vは結晶系と、クラス(点グ
ループ)と、新しい電気光学係数でijを表示したもの
である。
上記r′ijは3個の結晶主軸に対して回転した方向で
の結晶カットにより、縦方向モードフィル夕および横方
向フィル外こ対して求められる。表W、表V‘こ於て、
星印1個は記載された作動モードに対し新しく許された
結晶のクラスを示し、星印2個は両作用モードもこ対し
てこの発明のようにしなくては許されない新しい結晶の
クラスを意味する。第W表 第V表 (横方向…回転すみ) 結晶系 クラス rii(ii) (点グループ) 等紬晶系 なし 六方晶系 6 43,53,61,62622☆
43,53,61,62三方晶系 3 43,5
3,61,6232☆ 43,53,61,62正方
晶系 4 43,53,61,624 42,4
3,51,53,61,62 422☆43,53,61,62 42の☆ 42,43,51,53, 61,62 斜方晶系222☆ 42,43,51,53,61,6
2単斜晶系 2 42,43,51,53,61,
62三斜晶系 1 42,43,51,53’61
,62上記実施例の説明から、この発明によれば、非常
に適用範囲の広い電子技術的に調節可能な光学フィル夕
を得ることができることがわかる。
の結晶カットにより、縦方向モードフィル夕および横方
向フィル外こ対して求められる。表W、表V‘こ於て、
星印1個は記載された作動モードに対し新しく許された
結晶のクラスを示し、星印2個は両作用モードもこ対し
てこの発明のようにしなくては許されない新しい結晶の
クラスを意味する。第W表 第V表 (横方向…回転すみ) 結晶系 クラス rii(ii) (点グループ) 等紬晶系 なし 六方晶系 6 43,53,61,62622☆
43,53,61,62三方晶系 3 43,5
3,61,6232☆ 43,53,61,62正方
晶系 4 43,53,61,624 42,4
3,51,53,61,62 422☆43,53,61,62 42の☆ 42,43,51,53, 61,62 斜方晶系222☆ 42,43,51,53,61,6
2単斜晶系 2 42,43,51,53,61,
62三斜晶系 1 42,43,51,53’61
,62上記実施例の説明から、この発明によれば、非常
に適用範囲の広い電子技術的に調節可能な光学フィル夕
を得ることができることがわかる。
またこの発明によれば、多くの要求性能を有するフィル
夕の設計に際し、自由度が大きくなるとともに、フィル
夕を電子技術的にプログラム制御し、非常に広い範囲の
透過特性を得ることができるし、また音響光学的フィル
夕に比べて消費パワーを小さくすることができる。事実
この発明の光学的フィル夕に必要なパワー消費は、制御
電場形成の際に生ずる、小さな漏洩電流によるものだけ
である。
夕の設計に際し、自由度が大きくなるとともに、フィル
夕を電子技術的にプログラム制御し、非常に広い範囲の
透過特性を得ることができるし、また音響光学的フィル
夕に比べて消費パワーを小さくすることができる。事実
この発明の光学的フィル夕に必要なパワー消費は、制御
電場形成の際に生ずる、小さな漏洩電流によるものだけ
である。
第1図はこの発明の光学的フィル夕の斜視図、第2図は
第1図のフィル夕に使用される結晶に電圧を印加する状
態と該電圧の印加によって生ずる効果を説明する斜視図
、第3図は順次配置された結晶板に電圧を印加されたと
きに生ずる各結晶板の光軸の回転を説明する斜視図、第
4図、第4a図、第4b図および第4c図は第3図の結
晶板を使用した場合に生ずる入射光の偏光方向の回転状
況を説明する図、第5a図、第5b図、第5c図、第6
a図および第6b図は第1図のフィル夕に印加する電圧
のパターンの例を示す図、第7図および第8図はこの発
明の光学的フィル夕の他の実施例をそれぞれ示す斜視図
、第9図はこの発明の光学的フィル夕の他の実施例で、
結晶に印加する電圧供給方式が相違するものを示す側面
図である。 12…光源、14・・・入射偏光子,第1の偏光子、1
6・・・電気光学的結晶装置、18・・・検光子,第2
の偏光子、22・・・結晶板、24・・・電極、26・
・・ェポキシ層、30,32…電極、34・・・結晶、
34a〜34e・・・複屈折性結晶板,結晶板、36・
・・光軸、36′,36″・・・光軸位置、40・・・
入射偏光子,第1の偏光子、42・・・検光子,第2の
偏光子、44・・・偏光、44a〜44c・・・偏光、
48・・・正弦波、50,52,54・・・制御電圧分
布波形曲線、114・・・入射偏光子,第1の偏光子、
116・・・電気光学的結晶装置,結晶、118・・・
検光子,第2の偏光子、122・・・高抵抗領域、12
4・・・低抵抗領域、214・・・入射偏光子,第1の
偏光子、216・・・電気光学的結晶装置,結晶、2!
8・・・検光子,第2の偏光子、224・・・電極,低
抵抗領域、225・・・上表面、314・・・入射偏光
子,第1の偏光子、316・・・電気光学的結晶装置,
結晶、318・・・検光子,第2の偏光子、324a,
324b・・・電極ストリップ、V,,V2・・・VN
・・・光源。 〇山 N ○ U の 〇 山 FIg4 FIg4o FIg4b Fig4c FI95o FIg5b FI95c Fig,60. Fig6b Fig7. Fig8. FIg.9.
第1図のフィル夕に使用される結晶に電圧を印加する状
態と該電圧の印加によって生ずる効果を説明する斜視図
、第3図は順次配置された結晶板に電圧を印加されたと
きに生ずる各結晶板の光軸の回転を説明する斜視図、第
4図、第4a図、第4b図および第4c図は第3図の結
晶板を使用した場合に生ずる入射光の偏光方向の回転状
況を説明する図、第5a図、第5b図、第5c図、第6
a図および第6b図は第1図のフィル夕に印加する電圧
のパターンの例を示す図、第7図および第8図はこの発
明の光学的フィル夕の他の実施例をそれぞれ示す斜視図
、第9図はこの発明の光学的フィル夕の他の実施例で、
結晶に印加する電圧供給方式が相違するものを示す側面
図である。 12…光源、14・・・入射偏光子,第1の偏光子、1
6・・・電気光学的結晶装置、18・・・検光子,第2
の偏光子、22・・・結晶板、24・・・電極、26・
・・ェポキシ層、30,32…電極、34・・・結晶、
34a〜34e・・・複屈折性結晶板,結晶板、36・
・・光軸、36′,36″・・・光軸位置、40・・・
入射偏光子,第1の偏光子、42・・・検光子,第2の
偏光子、44・・・偏光、44a〜44c・・・偏光、
48・・・正弦波、50,52,54・・・制御電圧分
布波形曲線、114・・・入射偏光子,第1の偏光子、
116・・・電気光学的結晶装置,結晶、118・・・
検光子,第2の偏光子、122・・・高抵抗領域、12
4・・・低抵抗領域、214・・・入射偏光子,第1の
偏光子、216・・・電気光学的結晶装置,結晶、2!
8・・・検光子,第2の偏光子、224・・・電極,低
抵抗領域、225・・・上表面、314・・・入射偏光
子,第1の偏光子、316・・・電気光学的結晶装置,
結晶、318・・・検光子,第2の偏光子、324a,
324b・・・電極ストリップ、V,,V2・・・VN
・・・光源。 〇山 N ○ U の 〇 山 FIg4 FIg4o FIg4b Fig4c FI95o FIg5b FI95c Fig,60. Fig6b Fig7. Fig8. FIg.9.
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 所定の方向に延びる光路に沿つて相互間に間隔をお
いて偏り方向が角度をなして配置され、濾波される光線
を受ける第1の偏光子と、濾波された光線を送出する第
2の偏光子と; 上記両偏光子の間に、上記光路に沿つ
て、光軸を該光路とほぼ直角に向けて配置され、印加さ
れる直流電場に対応して該光軸を上記光路と直角な平面
内で電気光学的に回転させる複屈折性の結晶質部材と;
複数個の波長を含む入射光線を上記光路に沿つて上記
第1の偏光子を介して上記結晶質部材に導く手段、 を
有する光学的フイルタに於て、 上記結晶質部材の上記光路に沿つて順次定められた複
数個の領域に、第1の偏光子から送られた偏光を受ける
1端からの距離の関数として定められた直流電場を形成
し、 上記領域の光軸を第1の偏光子の偏り方向とほぼ
平行な方向から、上記光路とほぼ直角な平面内で、上記
直流電場によつて定まる方向と角度に従つて電気光学的
に回転させ、 第1の偏光子を介して送られた光線の偏
り方向を、該光線が上記領域を通過するごとに、電気光
学的に回転された光軸に対して対称な偏り方向に移動さ
せることによつて、 第1偏光子を介して上記結晶質部
材に送られた光線の偏り方向を該方向の両側に振動的に
回転させて、結晶質部材の他端から第2の偏光子に向か
つて送出し、 第1の偏光子に対する入射光線に含まれ
る多数の波長を有する光線のうち、少なくとも1部は第
2の偏光子を通過させ、その他の波長の光線のうち少く
とも1部は第2の偏光子の通過を阻止すること、 を特
徴とする光学的フイルタ。 2 上記第2の手段が、上記光路方向に上記フイルタ内
を伝播する光の波長の関数として決定される所望の透過
特性に応じて変化する複数個の直流制御電圧を発生し、
上記光路方向の引続く対応領域に所定の直流電場を印加
するようにプログラム制御できる電源手段を具備する特
許請求の範囲第1項に記載の光学的フイルタ。 3 上記複屈折性の結晶質部材が、その光軸を上記第1
の偏光子の偏り方向と平行に向けて配置されたものであ
る特許請求の範囲第1項ないし第2項のいずれかに記載
の光学的フイルタ。 4 上記複屈折性の結晶質部材が、その光軸を上記第1
の偏光子の偏り方向と直角に向けて配置されたものであ
る特許請求の範囲第1項ないし第2項のいずれかに記載
の光学的フイルタ。 5 上記結晶質部材が、上記光路とほぼ平行に電場を印
加されたとき、光軸を上記光路とほぼ直角な面内で回転
させる電気光学的特性を有する複屈折性の結晶質部材で
あり、上記直流電場が上記光路とほぼ平行に形成されて
いることを特徴とする特許請求の範囲第1項又は第2項
に記載の光学的フイルタ。 6 上記複屈折性の結晶質部材が上記光路に沿つて次々
に配置された一連の複屈折性結晶板を含み、該結晶板が
それぞれ上記光路とほぼ直角に向けられた、互に対向す
る1対の広い表面を有し;上記第2の手段が上記表面に
取付けられた透明な電気導体からなる層板と、1対の上
記層板の間に上記制御電圧を印加する手段を有する特許
請求の範囲第5項に記載の光学的フイルタ。 7 上記複屈折性の結晶質部材が、上記光路に沿つて延
出する複屈折性結晶で、その長さ方向に配置されたそれ
ぞれ複数個の低抵抗領域と高抵抗領域から成り、上記低
抵抗領域と高抵抗領域が交互に配置されたものを備え、
また上記第2の手段が隣接配置された上記低抵抗領域の
間に制御電圧を印加する手段を有する特許請求の範囲第
5項に記載の光学的フイルタ。 8 上記複屈折性の結晶質部材が上記光路に沿つて延び
る複屈折性結晶を有し;上記第2の手段が、上記結晶の
長さ方向に離隔した領域で、該結晶質部材の広い一方の
表面に上記光路とほぼ直角に設けられた複数個の電極ス
トリツプと、上記電極ストリツプの引続く1対の間にそ
れぞれ制御電圧を印加する手段を有する特許請求の範囲
第5項に記載の光学的フイルタ。 9 上記複屈折性の結晶質部材が、上記光路方向に延出
する複屈折性結晶を有し;上記第2の手段が、該結晶の
長さ方向に離隔した領域で該結晶の対向する広い表面に
設けられたそれぞれ複数個の第1および第2の電極スト
リツプ列を有し、上記各電極ストリツプが、上記光路と
ほぼ直角に配置され、上記第1の電極ストリツプ列の各
電極ストリツプと、上記第2の電極ストリツプ列の各電
極ストリツプが、1個づつ互に整列するように形成され
ているものと、上記第1および第2の電極ストリツプか
らなる各1対の電極ストリツプの間に制御電圧を印加す
る手段を有する特許請求の範囲第5項に記載の光学的フ
イルタ。 10 上記結晶質部材が上記光路とほぼ直角な電場を印
加されたとき、光軸を上記光路とほぼ直角な面内で回転
させる電気光学的特性を有する複屈折性の結晶質部材で
あり、上記直流電場が上記光路とほぼ直角方向に上記結
晶質部材に形成される特許請求の範囲第1項又は第2項
に記載の光学的フイルタ。 11 上記複屈折性の結晶質部材が上記光路方向に延出
する複屈折性結晶を有し;上記第2の手段が上記結晶の
長さ方向に離隔する領域で、該結晶の互に対向する広い
表面にそれぞれ設けられた第1および第2の電極ストリ
ツプの列で、上記各電極ストリツプが上記光路にほぼ直
角に配置され、上記第1の電極ストリツプの列に含まれ
る電極ストリツプと、上記第2の電極ストリツプの列に
含まれる電極ストリツプが1個ずつ互に整列するように
形成されたものと、上記第1および第2の電極ストリツ
プからなり、上記のように整列された各1対の電極スト
リツプの間に制御電圧を印加する手段を有する特許請求
の範囲第10項に記載の光学的フイルタ。 12 上記結晶質部材がタンタル酸リチウムから成る特
許請求の範囲第10項に記載の光学的フイルタ。 13 上記結晶質部材が硫化カドミウムから成る特許請
求の範囲第10項に記載の光学的フイルタ。 14 上記結晶質部材がチオ没食子酸銀から成る特許請
求の範囲第10項に記載の光学的フイルタ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US05/864,356 US4197008A (en) | 1977-12-27 | 1977-12-27 | Electro-optic tunable optical filter |
| US864356 | 1977-12-27 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5492766A JPS5492766A (en) | 1979-07-23 |
| JPS6024925B2 true JPS6024925B2 (ja) | 1985-06-15 |
Family
ID=25343095
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP53152772A Expired JPS6024925B2 (ja) | 1977-12-27 | 1978-12-12 | 光学的フイルタ |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4197008A (ja) |
| JP (1) | JPS6024925B2 (ja) |
| DE (1) | DE2855008C3 (ja) |
| FR (1) | FR2413675A1 (ja) |
| GB (1) | GB2011641B (ja) |
| NL (1) | NL7812565A (ja) |
Families Citing this family (48)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4387343A (en) * | 1978-06-22 | 1983-06-07 | Nippon Electric Co., Ltd. | Electrooptic light modulator including weighted interdigital electrodes |
| US4291950A (en) * | 1980-04-08 | 1981-09-29 | Hughes Aircraft Company | Electro-optic devices using Stark-induced birefringence and dichroism |
| JPS57161829A (en) * | 1981-03-31 | 1982-10-05 | Yokogawa Hokushin Electric Corp | Optical controller |
| JPS57161828A (en) * | 1981-03-31 | 1982-10-05 | Yokogawa Hokushin Electric Corp | Spectorscope |
| JPS57198434A (en) * | 1981-06-01 | 1982-12-06 | Yokogawa Hokushin Electric Corp | Optical filter |
| JPS5897022A (ja) * | 1981-12-04 | 1983-06-09 | Yokogawa Hokushin Electric Corp | カラ−光変調装置 |
| US4494827A (en) * | 1982-10-20 | 1985-01-22 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Imaging apparatus for transverse electrode electro-optic tunable filter |
| US4514056A (en) * | 1982-11-05 | 1985-04-30 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Acoustically tuned optical filter system |
| US4548479A (en) * | 1983-04-01 | 1985-10-22 | Rockwell International Corporation | Isophase birefringent filters |
| US4639093A (en) * | 1984-03-02 | 1987-01-27 | United Technologies Corporation | Switchable bandwidth filter |
| US4822149A (en) * | 1984-03-02 | 1989-04-18 | United Technologies Corporation | Prismatic ferroelectric beam steerer |
| US4576441A (en) * | 1984-03-02 | 1986-03-18 | United Technologies Corporation | Variable fresnel lens device |
| US4534822A (en) * | 1984-04-30 | 1985-08-13 | Hughes Aircraft Company | Method of synthesizing thin, single crystal layers of silver thiogallate (AgGaS2) |
| US4540461A (en) * | 1984-04-30 | 1985-09-10 | Hughes Aircraft Company | Silver thiogallate single crystal layers epitaxially grown from potassium chloride-silver thiogallate solution |
| IL74938A (en) | 1984-05-01 | 1988-12-30 | Hughes Aircraft Co | Doped and undoped single crystal multilayered structures |
| US4606605A (en) * | 1984-06-29 | 1986-08-19 | At&T Bell Laboratories | Optical fiber having in-line polarization filter |
| US4674841A (en) * | 1985-03-08 | 1987-06-23 | Tektronix, Inc. | Color filter switchable among three state via a variable retarder |
| US4706094A (en) * | 1985-05-03 | 1987-11-10 | United Technologies Corporation | Electro-optic beam scanner |
| US4636799A (en) * | 1985-05-03 | 1987-01-13 | United Technologies Corporation | Poled domain beam scanner |
| US4820038A (en) * | 1986-08-14 | 1989-04-11 | Coopervision, Inc. | Hydrogel contact lens |
| US4848877A (en) * | 1987-09-29 | 1989-07-18 | Cambridge Research And Instrumentation, Inc. | Liquid crystal devices and systems using such devices |
| US5710655A (en) * | 1993-07-21 | 1998-01-20 | Apeldyn Corporation | Cavity thickness compensated etalon filter |
| GB2286056A (en) * | 1994-01-21 | 1995-08-02 | Sharp Kk | Electrically controllable wavelength filter |
| US5739908A (en) * | 1995-05-01 | 1998-04-14 | The Regents Of The University Of Colorado | Liquid crystal optical frequency shifter |
| JP3660402B2 (ja) * | 1995-08-23 | 2005-06-15 | 富士通株式会社 | 光フィルタ |
| JP3770945B2 (ja) * | 1995-10-31 | 2006-04-26 | 富士通株式会社 | 入射角が可変な光学膜を有する光デバイス |
| JP3883601B2 (ja) * | 1996-03-27 | 2007-02-21 | 富士通株式会社 | 光イコライザ |
| US5889900A (en) * | 1997-05-16 | 1999-03-30 | Ramar Corporation | Integrated optic tunable filters and their methods of fabrication and use |
| US5892612A (en) * | 1997-08-07 | 1999-04-06 | Cambridge Research & Instrumentation Inc. | Tunable optical filter with white state |
| JP3779054B2 (ja) * | 1998-01-23 | 2006-05-24 | 富士通株式会社 | 可変光学フィルタ |
| JP3638777B2 (ja) | 1998-02-04 | 2005-04-13 | 富士通株式会社 | 利得等化のための方法並びに該方法の実施に使用する装置及びシステム |
| WO2000074384A1 (en) * | 1999-05-27 | 2000-12-07 | Cambridge Research & Instrumentation Inc. | Imaging system using color sensors and tunable filters |
| US6721466B2 (en) * | 1999-12-23 | 2004-04-13 | Henry F. Taylor | Guided wave electrooptic and acoustooptic tunable filter apparatus and method |
| US6724950B2 (en) | 2000-03-31 | 2004-04-20 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Electro-optically tunable filter with mesh structure to filter optical signal |
| WO2002103402A2 (en) * | 2001-06-18 | 2002-12-27 | Orchid Lightwave Communications, Inc. | Electro-optic waveguide modulator method and apparatus |
| US6888661B1 (en) | 2002-06-13 | 2005-05-03 | Cheetah Omni, Llc | Square filter function tunable optical devices |
| US7362489B2 (en) * | 2005-02-02 | 2008-04-22 | Chemimage Corporation | Multi-conjugate liquid crystal tunable filter |
| CN100442104C (zh) * | 2005-03-23 | 2008-12-10 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 电光双折射晶体的傅立叶合成器及其制备方法 |
| US20060262396A1 (en) * | 2005-05-19 | 2006-11-23 | Smith Irl W | Optical diplexer with liquid crystal tunable waveplate |
| US7336323B2 (en) * | 2005-09-27 | 2008-02-26 | Chemimage Corporation | Liquid crystal filter with tunable rejection band |
| US7859753B2 (en) * | 2005-12-21 | 2010-12-28 | Chem Image Corporation | Optical birefringence filters with interleaved absorptive and zero degree reflective polarizers |
| WO2007082202A2 (en) * | 2006-01-09 | 2007-07-19 | Chemimage Corporation | Birefringent spectral filter with wide field of view and associated communications method and apparatus |
| US7417796B2 (en) * | 2006-09-29 | 2008-08-26 | Chemimage Corporation | Wavelength discrimination filter for infrared wavelengths |
| US8400574B2 (en) | 2010-04-16 | 2013-03-19 | Chemimage Corporation | Short wave infrared multi-conjugate liquid crystal tunable filter |
| US8736777B2 (en) | 2011-01-19 | 2014-05-27 | Chemimage Technologies Llc | VIS-SNIR multi-conjugate liquid crystal tunable filter |
| US9256013B2 (en) | 2011-04-14 | 2016-02-09 | Chemimage Technologies Llc | Short-wavelength infrared (SWIR) multi-conjugate liquid crystal tunable filter |
| US10761391B2 (en) | 2017-05-23 | 2020-09-01 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Optical attenuator |
| EP3839612A1 (en) * | 2019-12-20 | 2021-06-23 | Essilor International | Ophthalmic device having adjustable filtering properties |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2834254A (en) * | 1953-10-22 | 1958-05-13 | Du Mont Allen B Lab Inc | Electronic color filter |
| US3938878A (en) * | 1970-01-09 | 1976-02-17 | U.S. Philips Corporation | Light modulator |
| GB1291692A (en) * | 1970-01-09 | 1972-10-04 | Mullard Ltd | Light modulator |
| US3915553A (en) * | 1973-12-20 | 1975-10-28 | Xerox Corp | Electrooptic color filter system |
-
1977
- 1977-12-27 US US05/864,356 patent/US4197008A/en not_active Expired - Lifetime
-
1978
- 1978-12-12 JP JP53152772A patent/JPS6024925B2/ja not_active Expired
- 1978-12-20 DE DE2855008A patent/DE2855008C3/de not_active Expired
- 1978-12-21 GB GB7849416A patent/GB2011641B/en not_active Expired
- 1978-12-26 FR FR7836368A patent/FR2413675A1/fr active Granted
- 1978-12-27 NL NL7812565A patent/NL7812565A/xx not_active Application Discontinuation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5492766A (en) | 1979-07-23 |
| US4197008A (en) | 1980-04-08 |
| DE2855008A1 (de) | 1979-06-28 |
| GB2011641B (en) | 1982-06-16 |
| DE2855008B2 (de) | 1980-09-18 |
| GB2011641A (en) | 1979-07-11 |
| NL7812565A (nl) | 1979-06-29 |
| FR2413675A1 (fr) | 1979-07-27 |
| DE2855008C3 (de) | 1981-08-13 |
| FR2413675B1 (ja) | 1984-01-13 |
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