JPS6025061B2 - 感光性シリコ−ン樹脂組成物 - Google Patents
感光性シリコ−ン樹脂組成物Info
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- JPS6025061B2 JPS6025061B2 JP19485181A JP19485181A JPS6025061B2 JP S6025061 B2 JPS6025061 B2 JP S6025061B2 JP 19485181 A JP19485181 A JP 19485181A JP 19485181 A JP19485181 A JP 19485181A JP S6025061 B2 JPS6025061 B2 JP S6025061B2
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Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は新規な感光性シリコーン樹脂組成物に関するも
のである。
のである。
感光性シリコーン樹脂の製造法としては
‘1} 水酸基を有するポリシロキサンに、メタクリル
基を有するアルコキシシランを反応させる方法(侍開昭
49−3920び号公報)、(2’ 水素を有するポリ
シロキサンにアリルメタクリレート等の化合物を付加反
応させる方法(特開昭52一3571y号公報)などの
他、ポリシロキサンに感光基を導入する種々の方法が知
られている。
基を有するアルコキシシランを反応させる方法(侍開昭
49−3920び号公報)、(2’ 水素を有するポリ
シロキサンにアリルメタクリレート等の化合物を付加反
応させる方法(特開昭52一3571y号公報)などの
他、ポリシロキサンに感光基を導入する種々の方法が知
られている。
しかし、これらのポリシロキサンに感光基を導入する方
法では、その製造法が非常に煩雑であり、これを用いて
得られた感光性樹脂組成物は、光反応後の耐熱性がわる
いという欠点を有していた。本発明者らは、これらの欠
点に鑑み、上記のような感光性樹脂を用いずに容易に製
造可能であり、光反応後の耐熱性の優れた感光性シリコ
−ン樹脂組成物を得る目的で検討を重ねた結果、本発明
の感光性シリコーン樹脂組成物に至った。
法では、その製造法が非常に煩雑であり、これを用いて
得られた感光性樹脂組成物は、光反応後の耐熱性がわる
いという欠点を有していた。本発明者らは、これらの欠
点に鑑み、上記のような感光性樹脂を用いずに容易に製
造可能であり、光反応後の耐熱性の優れた感光性シリコ
−ン樹脂組成物を得る目的で検討を重ねた結果、本発明
の感光性シリコーン樹脂組成物に至った。
本発明は、風 一般式
(ただし、R,、R2は、一価の炭化水素基または一価
の置換炭化水素基であり、これらは同一でも相違しても
よく、nは正の整数である)で示される末端ヒドロキシ
ポリラダーシロキサンならびに(B)芳香族アジド化合
物および/または芳香族スルホニルアジド化合物を含有
してなる感光性シリコーン樹脂組成物に関する。
の置換炭化水素基であり、これらは同一でも相違しても
よく、nは正の整数である)で示される末端ヒドロキシ
ポリラダーシロキサンならびに(B)芳香族アジド化合
物および/または芳香族スルホニルアジド化合物を含有
してなる感光性シリコーン樹脂組成物に関する。
本発明になる感光性シリコーン樹脂組成物は、ベースレ
ジンとなる上記の末端ヒドロキシポリラダーシロキサン
と感光性化合物である芳香族アジドイヒ合物および/ま
たは芳香族スルホニルアジド化合物を適当な溶剤の存在
下で混合することにより容易に得られる。また、本発明
の感光性シリコーン樹脂組成物は、ベースレジンとして
末端ヒドロキシポリラダーシロキサンを用いているため
、光反応後の耐熱性が非常に優れている。以下、本発明
を詳細に説明する。
ジンとなる上記の末端ヒドロキシポリラダーシロキサン
と感光性化合物である芳香族アジドイヒ合物および/ま
たは芳香族スルホニルアジド化合物を適当な溶剤の存在
下で混合することにより容易に得られる。また、本発明
の感光性シリコーン樹脂組成物は、ベースレジンとして
末端ヒドロキシポリラダーシロキサンを用いているため
、光反応後の耐熱性が非常に優れている。以下、本発明
を詳細に説明する。
本発明の感光性シリコーン樹脂組成物に用いられる末端
ヒドロキシポIJラダーシロキサンは特関昭53−磯0
9少号公報等に示され、既に知られた化合物である。
ヒドロキシポIJラダーシロキサンは特関昭53−磯0
9少号公報等に示され、既に知られた化合物である。
本発明における上記の末端ヒドロキシポリラダーシロキ
サンを示す上記の式において、R,およびR2は一価の
炭化水素基または一価の置換炭化水素基であり、これら
は同一であっても相違してもよく、例えばメチル基、エ
チル基、プロピル基等のアルキル基、フェニル基、置換
フェニル基等の芳香族炭化水素基、これらのハロゲン置
換体などがあるが、光反応後の耐熱性を高めるためには
芳香族炭化水素基が好ましい。上式においてnは正の整
数であるが通常50より大なる整数である。
サンを示す上記の式において、R,およびR2は一価の
炭化水素基または一価の置換炭化水素基であり、これら
は同一であっても相違してもよく、例えばメチル基、エ
チル基、プロピル基等のアルキル基、フェニル基、置換
フェニル基等の芳香族炭化水素基、これらのハロゲン置
換体などがあるが、光反応後の耐熱性を高めるためには
芳香族炭化水素基が好ましい。上式においてnは正の整
数であるが通常50より大なる整数である。
また、本発明の感光性シリコーン樹脂組成物に用いられ
る感光性化合物である芳香族アジド化合物および芳香族
スルホニルァジド化合物は光照射により活性種ナイトレ
ンを生成し、この活性種は二量化、二重結合への付加、
水素引き抜き反応などを起こすことが知られている。
る感光性化合物である芳香族アジド化合物および芳香族
スルホニルァジド化合物は光照射により活性種ナイトレ
ンを生成し、この活性種は二量化、二重結合への付加、
水素引き抜き反応などを起こすことが知られている。
従って末端ヒドロキシポリラダーシ。キサン中に添加さ
れたこれらの感光性化合物は上記反応を経由して、その
光照射部と未照射部に現像液に対する溶解性の差異をも
たらし、パターン形成が可能となる。本発明に用いられ
る芳香族アジド化合物としては例えば等のモノアジド化
合物、等のビスアジド化合物などがある。
れたこれらの感光性化合物は上記反応を経由して、その
光照射部と未照射部に現像液に対する溶解性の差異をも
たらし、パターン形成が可能となる。本発明に用いられ
る芳香族アジド化合物としては例えば等のモノアジド化
合物、等のビスアジド化合物などがある。
また、芳香族スルホニルアジド化合物としては、例えば
等のモノスルホニルアジド化合物 等のビススルホニルアジド化合物などがある。
等のモノスルホニルアジド化合物 等のビススルホニルアジド化合物などがある。
これらの感光性化合物は単独でまたは二種以上を併用し
て用いることができる。本発明の感光性シリコーン樹脂
組成物は通常末端ヒドロキシポリラダーシロキサンと感
光性化合物を適当な有機溶媒に溶解した状態で使用され
るが、この場合に用いる溶媒としては、末端ヒドロキシ
ポリラダーシロキサンと感光性化合物のいずれをも熔解
することが望ましく、例えば、ベンゼン、トルェン、キ
シレン等の芳香族炭化水素、アセトン、メチルエチルケ
トン等のケトン系溶媒などが用いられる。
て用いることができる。本発明の感光性シリコーン樹脂
組成物は通常末端ヒドロキシポリラダーシロキサンと感
光性化合物を適当な有機溶媒に溶解した状態で使用され
るが、この場合に用いる溶媒としては、末端ヒドロキシ
ポリラダーシロキサンと感光性化合物のいずれをも熔解
することが望ましく、例えば、ベンゼン、トルェン、キ
シレン等の芳香族炭化水素、アセトン、メチルエチルケ
トン等のケトン系溶媒などが用いられる。
これらは単独で用いても良いし混合して用いることも可
能である。また本発明の感光性シリコーン樹脂組成物に
は種々の増感剤を併用することが可能である。
能である。また本発明の感光性シリコーン樹脂組成物に
は種々の増感剤を併用することが可能である。
増感剤は感光性化合物の感光波長域をひろげたり、感光
性化合物へ光エネルギーを効率良く与えるなどして感光
感度の向上をはかるものであり、本発明においては、例
えばペンゾィン又はその誘導体、ペンゾィンメチルェー
テル等のペンゾインェーナル類、ベンジルとその誘導体
、アリールジアゾニウム塩、アントラキノンとその誘導
体、アセトフェノン又はその誘導体、ジフェニルスルフ
イド等のィオウ化合物、ベンゾフヱノン又はその譲導体
などが使用可能であり、これらは一種または二種以上の
混合物として用いられる。本発明における感光性シリコ
ーン樹脂組成物の組成としては、末端ヒドロキシポリラ
ダーシロキサン10町重量部に対して感光性化合物は、
好ましくは1〜5の重量部、より好ましくは5〜3の重
量部の範囲で用いられる。
性化合物へ光エネルギーを効率良く与えるなどして感光
感度の向上をはかるものであり、本発明においては、例
えばペンゾィン又はその誘導体、ペンゾィンメチルェー
テル等のペンゾインェーナル類、ベンジルとその誘導体
、アリールジアゾニウム塩、アントラキノンとその誘導
体、アセトフェノン又はその誘導体、ジフェニルスルフ
イド等のィオウ化合物、ベンゾフヱノン又はその譲導体
などが使用可能であり、これらは一種または二種以上の
混合物として用いられる。本発明における感光性シリコ
ーン樹脂組成物の組成としては、末端ヒドロキシポリラ
ダーシロキサン10町重量部に対して感光性化合物は、
好ましくは1〜5の重量部、より好ましくは5〜3の重
量部の範囲で用いられる。
感光性化合物が多すぎると保存中に感光性化合物が析出
したり、光反応後の耐熱性が低下し、感光性化合物が少
なすぎると光反応後、光照射部を未照射部との現像液に
対する溶解性の差が小さくなりパターン形成能が低下す
る額向がある。本発明になる感光性シリコーン樹脂組成
物は、上記した様な組成で前述の有機溶媒溶液にし、適
当な方法で基材に塗布した後、溶媒を乾燥し光照射を行
なう。
したり、光反応後の耐熱性が低下し、感光性化合物が少
なすぎると光反応後、光照射部を未照射部との現像液に
対する溶解性の差が小さくなりパターン形成能が低下す
る額向がある。本発明になる感光性シリコーン樹脂組成
物は、上記した様な組成で前述の有機溶媒溶液にし、適
当な方法で基材に塗布した後、溶媒を乾燥し光照射を行
なう。
その後、前述した有機溶媒、希アルカリ溶液等の適当な
現像液を用いてパターンを形成することができる。以下
、本発明の実施例を説明する。
現像液を用いてパターンを形成することができる。以下
、本発明の実施例を説明する。
実施例 1
メチルトリクロルシランを用いて侍関昭53−滋09叫
号公報の実施例1、3に準じて製造された末端ヒドロキ
シポリメチルラダーシロキサン(重量平均分子量2万)
10のこパラアジド安息香酸2一(ジメチルアミノ)エ
チル3夕を添加し、トルェン150夕に溶解して感光性
シリコーン樹脂組成物を作成した。
号公報の実施例1、3に準じて製造された末端ヒドロキ
シポリメチルラダーシロキサン(重量平均分子量2万)
10のこパラアジド安息香酸2一(ジメチルアミノ)エ
チル3夕を添加し、トルェン150夕に溶解して感光性
シリコーン樹脂組成物を作成した。
この組成物を5肌×5cmのガラス板に膜厚1仏のに塗
布し、塗布後80ooで20分間トルェンを乾燥し、石
英マスクを介してXe−Hg灯により5仇hW/めで光
照射を行なった。
布し、塗布後80ooで20分間トルェンを乾燥し、石
英マスクを介してXe−Hg灯により5仇hW/めで光
照射を行なった。
ついで希アルカリ溶液で2分間現像して良好なパターン
を得た。このパタ−ンは300つCで6粉劫0熱後も何
ら変化が認められなかった。本発明によれば、末端ヒド
ロキシポリラダーシロキサンと感光性化合物を混合する
だけで容易に感光性シリコーン樹脂組成物を製作するこ
とができる。
を得た。このパタ−ンは300つCで6粉劫0熱後も何
ら変化が認められなかった。本発明によれば、末端ヒド
ロキシポリラダーシロキサンと感光性化合物を混合する
だけで容易に感光性シリコーン樹脂組成物を製作するこ
とができる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 (A) 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (ただし、R_1、R_2は、一価の炭化水素基または
一価の置換炭化水素基であり、これらは同一でも相違し
てもよく、mは整数である)で示される末端ヒドロキシ
ポリラダーシロキサンならびに (B) 芳香族アジド化合物および/または芳香族スル
ホニルアジド化合物を有してなる感光性シリコーン樹脂
組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19485181A JPS6025061B2 (ja) | 1981-12-02 | 1981-12-02 | 感光性シリコ−ン樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19485181A JPS6025061B2 (ja) | 1981-12-02 | 1981-12-02 | 感光性シリコ−ン樹脂組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5896654A JPS5896654A (ja) | 1983-06-08 |
| JPS6025061B2 true JPS6025061B2 (ja) | 1985-06-15 |
Family
ID=16331331
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19485181A Expired JPS6025061B2 (ja) | 1981-12-02 | 1981-12-02 | 感光性シリコ−ン樹脂組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6025061B2 (ja) |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0656491B2 (ja) * | 1983-07-20 | 1994-07-27 | 日立化成工業株式会社 | 感光性シリコ−ン樹脂組成物 |
| JPS60117242A (ja) * | 1983-11-29 | 1985-06-24 | Fujitsu Ltd | 微細パタ−ン形成材料 |
| JPS61188539A (ja) * | 1985-02-18 | 1986-08-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | パタ−ン形成方法 |
| JPS60238827A (ja) * | 1984-05-14 | 1985-11-27 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 感光性樹脂組成物 |
| JPS60254036A (ja) * | 1984-05-30 | 1985-12-14 | Fujitsu Ltd | パタ−ン形成方法 |
| JPS61144639A (ja) * | 1984-12-19 | 1986-07-02 | Hitachi Ltd | 放射線感応性組成物及びそれを用いたパタ−ン形成法 |
| DE3678652D1 (de) * | 1985-03-07 | 1991-05-16 | Hughes Aircraft Co | Polysiloxanschutzlack fuer ionen- und elektronenstrahl-lithographie. |
| US4786569A (en) * | 1985-09-04 | 1988-11-22 | Ciba-Geigy Corporation | Adhesively bonded photostructurable polyimide film |
| JP4270708B2 (ja) | 1999-04-23 | 2009-06-03 | 富士通株式会社 | ケイ素含有ポリマ、その製造方法、それを用いたレジスト組成物、パターン形成方法および電子デバイスの製造方法 |
| US6731857B2 (en) | 2001-03-29 | 2004-05-04 | Shipley Company, L.L.C. | Photodefinable composition, method of manufacturing an optical waveguide with the photodefinable composition, and optical waveguide formed therefrom |
| US6842577B2 (en) | 2002-12-02 | 2005-01-11 | Shipley Company L.L.C. | Photoimageable waveguide composition and waveguide formed therefrom |
| TWI249045B (en) | 2002-12-02 | 2006-02-11 | Shipley Co Llc | Methods of forming waveguides and waveguides formed therefrom |
| JP5102428B2 (ja) | 2003-11-25 | 2012-12-19 | ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ,エル.エル.シー. | 導波路組成物およびこれから形成された導波路 |
| US7072564B2 (en) | 2003-11-25 | 2006-07-04 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Waveguide compositions and waveguides formed therefrom |
| EP1586603B1 (en) | 2004-04-14 | 2007-06-13 | Rohm and Haas Electronic Materials LLC | Waveguide compositions and waveguides formed therefrom |
-
1981
- 1981-12-02 JP JP19485181A patent/JPS6025061B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5896654A (ja) | 1983-06-08 |
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