Deprecated: The each() function is deprecated. This message will be suppressed on further calls in /home/zhenxiangba/zhenxiangba.com/public_html/phproxy-improved-master/index.php on line 456
JPS6025828B2 - magnetic bubble memory chip - Google Patents
[go: Go Back, main page]

JPS6025828B2 - magnetic bubble memory chip - Google Patents

magnetic bubble memory chip

Info

Publication number
JPS6025828B2
JPS6025828B2 JP53098763A JP9876378A JPS6025828B2 JP S6025828 B2 JPS6025828 B2 JP S6025828B2 JP 53098763 A JP53098763 A JP 53098763A JP 9876378 A JP9876378 A JP 9876378A JP S6025828 B2 JPS6025828 B2 JP S6025828B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
heat dissipation
dissipation layer
conductor pattern
layer
magnetic bubble
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP53098763A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPS5525863A (en
Inventor
明 平野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP53098763A priority Critical patent/JPS6025828B2/en
Publication of JPS5525863A publication Critical patent/JPS5525863A/en
Publication of JPS6025828B2 publication Critical patent/JPS6025828B2/en
Expired legal-status Critical Current

Links

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、磁気バブルメモリチップに関し、そのコンダ
クタパターンで発生するヱレクトロ・マィグレーション
現象を、局部発熱を放熱することによって防止すること
を目的とする。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a magnetic bubble memory chip, and an object of the present invention is to prevent the electromigration phenomenon occurring in the conductor pattern of a magnetic bubble memory chip by dissipating local heat generation.

磁気バブルメモリ装置においても、集積度が著しく向上
して来ており、それに伴なつて磁気バブルを転送するパ
ーマロィパターンと共に、制御電流を流すコンダクタパ
ターンも微細化している。
The degree of integration of magnetic bubble memory devices has also been significantly improved, and along with this, permalloy patterns for transferring magnetic bubbles and conductor patterns for flowing control currents have also become finer.

このためコンダクタパターンにおいては、コンダクタパ
ターンの断面積の4・ごし、箇所で、局部的に電流密度
が高くなって、ェレクトロ・マィグレーションと呼ばれ
る現象を引起こし、ついにはコンダクタパターンの断線
に至ることがある。即ちコンダクタパターンにおいて、
局部的に断面積の小さい箇所があると、その箇所の電流
密度が高くなってジュール熱を発し高温になるが、この
ような高温部において、長時間にわたり通電が行われる
と、導体材料の金属イオンが徐々に奪い去られ、別の箇
所に蓄積される。したがって、導体材料の原子が奪い去
られた箇所では、ェレクトロ・マィグレーション現象が
悪循環して、ますます導体材料の断面積が4・さくなり
、ついには断線することになる。逆に導体材料の原子が
蓄積された箇所では、配線の短絡を引起こすおそれがあ
る。ェレクトロ・マィグレーション現象の解決策はいく
つかの提案されているが、その殆どが材料面からの試み
である。
For this reason, in the conductor pattern, the current density locally becomes high at the cross-sectional area of the conductor pattern, causing a phenomenon called electromigration, which eventually leads to disconnection of the conductor pattern. It may come to that. In other words, in the conductor pattern,
If there is a localized area with a small cross-sectional area, the current density at that area becomes high, generating Joule heat and increasing the temperature. However, if electricity is applied for a long time in such a high-temperature area, the metal of the conductor material will Ions are gradually taken away and stored elsewhere. Therefore, at the location where the atoms of the conductive material have been taken away, the electromigration phenomenon continues in a vicious cycle, and the cross-sectional area of the conductive material becomes smaller by 4.0 mm, eventually leading to a wire breakage. Conversely, where atoms of the conductive material accumulate, there is a risk of short-circuiting the wiring. Several solutions to the electromigration phenomenon have been proposed, but most of them are attempts from the material standpoint.

ところで、ェレクトロ・マィグレーション現象によるコ
ンダクターの寿命、即ちMTF(meantimeto
fail山e)は、1/e−E/Ktに比例する。ここ
に、Eは活性化エネルギー、kはボルッマン定数、Tは
温度であ。このように高温になるほどェレクトロ・マィ
グレーションが激しくなり、コンダクターとしての寿命
を短めるため、本発明は、ェレクトロ・マィグレーショ
ン現象発生部における温度上昇を抑制することにより、
ェレクトロ・マィグレーション現象を防止し、コンダク
ターの長寿命化を実現しようとするものである。ェレク
トロ・マィグレーション現象発生部における発熱を抑制
するために本発明は、磁気バブルメモリチップに、熱伝
導にすぐれた材料でできた放熱層を頚層し、コンダクタ
パターンにおける局部的な発熱が、前記放熱層に伝わり
、放熱されるようにしている。
By the way, the life span of a conductor due to the electromigration phenomenon, that is, the MTF (mean time
The fail mountain e) is proportional to 1/e-E/Kt. Here, E is activation energy, k is Borckmann's constant, and T is temperature. In this way, the higher the temperature, the more intense the electromigration becomes, which shortens the life of the conductor. Therefore, the present invention suppresses the temperature rise in the part where the electromigration phenomenon occurs.
The aim is to prevent the electromigration phenomenon and extend the life of the conductor. In order to suppress heat generation in the area where the electro-migration phenomenon occurs, the present invention provides a magnetic bubble memory chip with a heat dissipation layer made of a material with excellent heat conduction as a neck layer, thereby suppressing the local heat generation in the conductor pattern. The heat is transmitted to the heat dissipation layer and is dissipated.

次に本発明の各実施例について詳述する。Next, each embodiment of the present invention will be described in detail.

第1図において、11が放熱層であり、該放熱層11は
、磁気バブルチップの裏面、即ち基板2脚の面に頚層し
てある。したがってこの場合のチップの層構成は、GG
G(ガドリニウム・ガリウム・ガーネット)基板2に形
成されたLPE磁性薄膜3上に、第一スベーサ層4、コ
ンダクタパターン5、第二スベーサ層・6、バブル転送
用のパーマロィパターン7、保護層8の順に積層され、
Qめ基板2の裏面に放熱層11が設けられている。放熱
層11は、熱伝導にすぐれた材料、例えばAI−Cu
Ag,Cu等を蒸着やスパッタリング等で被着させるか
、熱伝導性のよい材料の箔ないしは板を接着して構成す
る。この構成によれば、コンダクタパターン5と放熱層
11間に介在する第一スベーサ層4、バブル材料3およ
び基板2の厚さは極めて小さいため、コンダクタパター
ン5において局部的に発生した熱は、第一スべ−サ層4
、バブル材料3および基板2を介して放熱層11に有効
に伝わり、さらに放熱層11においてその全面に熱が拡
散する。このため、コンダクタパターンにおける局部的
な発熱が効果的に放熱されて、発熱部における温度上昇
が抑制される。これによって、ェレクトロ・マイグレー
ション現象が不活発となり、コンダクタパターンの寿命
が長くなる。なおこの実施例において、チップのプレー
ンへの搭載にあたっては、放熱層11側をブレーンにダ
イボンデイングしてもよく、あるいはチップを逆さにし
て保護膜8側をプレーン上にフェイスダウンボンデイン
グしてもよい。第2図は、放熱層12を、第一スべ−サ
層4とバブル材料3との間に設けた例であり、この場合
は、コソダクタパターン5と放熱層12間に介在してい
るのは、第一スベーサ層4だけであり、両者間の距離が
短かくなるので、放熱層への熱伝達は、第1図の場合よ
りも有効に行われる。
In FIG. 1, reference numeral 11 denotes a heat dissipation layer, and the heat dissipation layer 11 is a neck layer on the back surface of the magnetic bubble chip, that is, on the surfaces of the two legs of the substrate. Therefore, the layer structure of the chip in this case is GG
On the LPE magnetic thin film 3 formed on the G (gadolinium gallium garnet) substrate 2, there are formed a first sublayer 4, a conductor pattern 5, a second sublayer 6, a permalloy pattern 7 for bubble transfer, and a protective layer 8. are stacked in the order of
A heat dissipation layer 11 is provided on the back surface of the Q-type substrate 2. The heat dissipation layer 11 is made of a material with excellent thermal conductivity, such as AI-Cu.
It is constructed by depositing Ag, Cu, etc. by vapor deposition or sputtering, or by adhering a foil or plate of a material with good thermal conductivity. According to this configuration, since the thicknesses of the first spacer layer 4, bubble material 3, and substrate 2 interposed between the conductor pattern 5 and the heat dissipation layer 11 are extremely small, the heat locally generated in the conductor pattern 5 is One base layer 4
The heat is effectively transmitted to the heat dissipation layer 11 via the bubble material 3 and the substrate 2, and is further diffused over the entire surface of the heat dissipation layer 11. Therefore, localized heat generation in the conductor pattern is effectively radiated, and temperature rise in the heat generating portion is suppressed. This inactivates the electromigration phenomenon and extends the life of the conductor pattern. In this embodiment, when mounting the chip on the plane, the heat dissipation layer 11 side may be die-bonded to the plane, or the chip may be turned upside down and the protective film 8 side may be face-down bonded onto the plane. . FIG. 2 shows an example in which the heat dissipation layer 12 is provided between the first spacer layer 4 and the bubble material 3; Since only the first spacer layer 4 exists, and the distance between them is shortened, heat transfer to the heat dissipation layer is more effective than in the case of FIG.

第3図は、放熱層13を、コンダクタパターン5と同じ
層に設けた例である。
FIG. 3 shows an example in which the heat dissipation layer 13 is provided in the same layer as the conductor pattern 5.

即ち、チップにおけるコンダクタパターンの無い空き位
置を利用し、コンダクタパターンから離して、同じ面に
放熱層13を設けてある。チップ面積におけるコンダク
タパターンの占める割合は極めて小さいので、面積の充
分広い放熱層が得られる。また、マスク形状を変えるだ
けで、コンダクタパターン作成と同じ工程で放熱層も形
成できるので、製作工程が増えることは無い。第4図は
、第1図とは逆に、最上層即ち保護層8の上に、放熱層
14を穣層してある。
That is, the heat dissipation layer 13 is provided on the same surface, away from the conductor pattern, by utilizing an empty position in the chip where there is no conductor pattern. Since the ratio of the conductor pattern to the chip area is extremely small, a heat dissipation layer with a sufficiently large area can be obtained. Furthermore, the heat dissipation layer can be formed in the same process as the conductor pattern by simply changing the mask shape, so there is no increase in the number of manufacturing steps. In FIG. 4, contrary to FIG. 1, a heat dissipation layer 14 is provided on the uppermost layer, that is, on the protective layer 8.

つまり、熱伝導度にすぐれた材料を、保護層8上にスパ
ッタリングや蒸着で被着し、放熱層14にする。この場
合、放熱層14は、磁気バブル転送用のパーマロィパタ
ーン7に近いため、これに磁気的な影響を及ぼさないよ
うに、非磁性材を用いる。以上のように本発明によれば
、磁気バブルチップに直接放熱層を積層して設けること
により、コンダクタパターンにおける局部的な発熱が放
熱層に伝わり、放熱層で放散されるような構成を探って
いるため、コンダクタパターンに、局所的に断面積が小
さい個所が有っても、温度が上昇し高温になることはな
い。したがって、エレクトロ・マィグレーション作用の
活発化を防止でき、コンダクタパターンの断線に至らず
、磁気バブルチップの信頼性が確保される。また、コン
ダクタパターンにおける局所的な発熱は、本発明の放熱
層により、磁気バブルチップ内において抑制されるが、
チップをセラミックや金属のプレーンに搭載することに
よって、熱はプレーンに伝わり、さらに有効に放熱され
る。
That is, a material with excellent thermal conductivity is deposited on the protective layer 8 by sputtering or vapor deposition to form the heat dissipation layer 14. In this case, since the heat dissipation layer 14 is close to the permalloy pattern 7 for magnetic bubble transfer, a nonmagnetic material is used so as not to exert a magnetic influence on the permalloy pattern 7. As described above, according to the present invention, by laminating and providing a heat dissipation layer directly on a magnetic bubble chip, a structure is explored in which localized heat generation in the conductor pattern is transmitted to the heat dissipation layer and dissipated by the heat dissipation layer. Therefore, even if the conductor pattern has a locally small cross-sectional area, the temperature will not rise to a high temperature. Therefore, activation of the electromigration effect can be prevented, the conductor pattern will not be disconnected, and the reliability of the magnetic bubble chip can be ensured. Furthermore, local heat generation in the conductor pattern is suppressed within the magnetic bubble chip by the heat dissipation layer of the present invention;
By mounting the chip on a ceramic or metal plane, heat is transferred to the plane and dissipated more effectively.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

図面の第1図から第4図は、夫々本発明による磁気バブ
ルチップの異なった実施例を示す断面図である。 図において、11・・・14は放熱層、2は基板、3は
バブル材料、4,6はスべ−サ層、8は保護層、5はコ
ンダクタパターン、7はパーマロイパターンである。 第1図 簾2図 第3図 第4図
1 to 4 of the drawings are cross-sectional views showing different embodiments of the magnetic bubble chip according to the present invention, respectively. In the figure, 11...14 are heat dissipation layers, 2 is a substrate, 3 is a bubble material, 4 and 6 are spacer layers, 8 is a protective layer, 5 is a conductor pattern, and 7 is a permalloy pattern. Figure 1: Blinds Figure 2 Figure 3 Figure 4

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 磁気バブルメモリチツプに熱伝導度の良好な放熱層
を配置し、該放熱層によつて、コンダクタパクーンによ
る局部的な発熱が放熱され緩和されるように構成されて
いることを特徴とする磁気バブルメモリチツプ。
1. A magnetic device characterized in that a heat dissipation layer with good thermal conductivity is arranged on a magnetic bubble memory chip, and the heat dissipation layer is configured to dissipate and alleviate localized heat generated by a conductor. Bubble memory chip.
JP53098763A 1978-08-14 1978-08-14 magnetic bubble memory chip Expired JPS6025828B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP53098763A JPS6025828B2 (en) 1978-08-14 1978-08-14 magnetic bubble memory chip

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP53098763A JPS6025828B2 (en) 1978-08-14 1978-08-14 magnetic bubble memory chip

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5525863A JPS5525863A (en) 1980-02-23
JPS6025828B2 true JPS6025828B2 (en) 1985-06-20

Family

ID=14228437

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP53098763A Expired JPS6025828B2 (en) 1978-08-14 1978-08-14 magnetic bubble memory chip

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6025828B2 (en)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5597089A (en) * 1979-01-19 1980-07-23 Nec Corp Cylindrical magnetic domain memory element
JPS6057591A (en) * 1983-09-09 1985-04-03 Hitachi Ltd magnetic bubble memory element

Also Published As

Publication number Publication date
JPS5525863A (en) 1980-02-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI538591B (en) Method for manufacturing multilayer ceramic heat dissipation circuit substrate and its product
CN109087908A (en) Encapsulating structure, electronic equipment and packaging method
KR20000042664A (en) Multi chip package
JP5607092B2 (en) Package structure and manufacturing method thereof
JPS6337496B2 (en)
US11862529B2 (en) Chip and manufacturing method thereof, and electronic device
CN109309064A (en) Chip devices, circuit boards and digital currency mining machines
JP4823676B2 (en) Method for forming heat dissipation material on semiconductor device chip and structure for dissipating heat
TW200824073A (en) Heat-dissipation semiconductor package and fabrication method thereof
US20240404927A1 (en) Ceramic substrate for power module, method for manufacturing same, and power module having same
JPS6025828B2 (en) magnetic bubble memory chip
KR102524167B1 (en) Electronic chip device with improved thermal resistance and associated manufacturing process
US20250040026A1 (en) Manufacturing method of package carrier
JP3193142B2 (en) Board
CN110299330A (en) A kind of encapsulating structure and packaging method of wafer stage chip
JPH01295455A (en) Semiconductor laminated and integrated circuit element
JPH02106956A (en) Semiconductor device and manufacture thereof
JPH05218226A (en) Multilayer interconnection board
CN223829833U (en) Ceramic packaging substrate
JP7764433B2 (en) High heat dissipation hybrid substrate manufacturing method and semiconductor structure
JP2521624Y2 (en) Semiconductor device
TWI222195B (en) Method for fabricating heat sink of semiconductor packaging substrate
TWI625833B (en) Package structure
JP2656120B2 (en) Manufacturing method of package for integrated circuit
JPS5875860A (en) Liquid-cooled semiconductor device