JPS602658B2 - Contaminant-free photoconductive insulation - Google Patents
Contaminant-free photoconductive insulationInfo
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- JPS602658B2 JPS602658B2 JP52079561A JP7956177A JPS602658B2 JP S602658 B2 JPS602658 B2 JP S602658B2 JP 52079561 A JP52079561 A JP 52079561A JP 7956177 A JP7956177 A JP 7956177A JP S602658 B2 JPS602658 B2 JP S602658B2
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Description
【発明の詳細な説明】
〔本発明の技術分野〕
本発明は一般的にCdX−n(CdC03)型の改良さ
れた光導電体に関し(Xは硫黄またはセレン、0<nミ
4)、その光導電体においては光導電材料は極めて安定
であり、それは絶縁性のバィンダに埋設されたときに電
子写真用プレートとして特に有益である。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of the Invention] The present invention relates generally to improved photoconductors of the CdX-n (CdC03) type (where X is sulfur or selenium, 0<nmi4); In photoconductors, photoconductive materials are extremely stable, which makes them particularly useful as electrophotographic plates when embedded in an insulating binder.
従来、幾つかの電子写真用部材が化学式 CdX−n(CdC03) であらわされる物質より作られて来た。 Previously, some electrophotographic components had chemical formulas. CdX-n (CdC03) It has been made from the substance represented by .
ここでXは硫黄またはセレン、0<nミ4である。その
ような光導電材料とその製造方法は197ぴ王2月10
日発行の米国特許第3,494,78y号と1971年
6月29日発行の米国特許第3,589 928号に開
示されている。米国特許第3,494,78叫号‘こお
ける問題点は、その例1によるとCdC03と硫黄の熱
反応によって材料がつくられ、反応生成物は炭酸カドミ
ウムをほとんど含まずに88%(重量比)は硫黄カドミ
ウムであり残りは酸化カドミウムと恐らくは炭酸カドミ
ウムであるところにある。この場合の硫化カドミウムは
主としておよそ400オングストロ−ムの結晶子の大き
さを有するアルファまたは六方晶系の結晶構造であると
判明している。この物質は電子写真に使用される光導電
材料としては適していない。前記の第2の米国特許第3
,589 928号は湿式沈殿によってCdS−n(C
dC03)をつくるための幾つかの方法を開示している
。Here, X is sulfur or selenium, 0<nmi4. Such photoconductive materials and their manufacturing methods are published in 197 P.O.
US Pat. No. 3,494,78y, issued June 29, 1971, and US Pat. No. 3,589,928, issued June 29, 1971. The problem with U.S. Pat. ) is cadmium sulfur and the rest are cadmium oxide and possibly cadmium carbonate. The cadmium sulfide in this case has been found to be primarily alpha or hexagonal in crystal structure with a crystallite size of approximately 400 Angstroms. This material is not suitable as a photoconductive material for use in electrophotography. Said second U.S. Patent No. 3
, 589 928, CdS-n (C
discloses several methods for making dC03).
しかしながら、この特許に従って製造された光導電層は
電気特性に不安定さがあると判明している。それは、こ
の特許の方法に従って製造された‘まかりの新しい光導
電体は比較的高い電荷保持能力を有するが1日あるいは
それ以上の間それが大気にさらされると電荷保持能力は
かなり劣下してしまうということである。そのような劣
化によってそのような電子写真用プレートの利用は著し
く制限される。この特許に開示された方法の全部におい
て、暇隣工程によっては揮発されない沈殿物中に望まし
くないイオン汚染物が含まれる。これらのイオン性の、
即ち塩を形成する汚染物が周囲の大気に数日間さらした
場合に観測される電気特性の不安定の原因であると考え
られている。〔本発明の概要〕
本発明の主要な目的は、化学式
C帆‐n(CdC03)
であらわされる改良された光導電材料を提供するところ
にある。However, photoconductive layers prepared according to this patent have been found to have unstable electrical properties. It is clear that the new photoconductor produced according to the method of this patent has a relatively high charge retention capacity, but the charge retention capacity deteriorates considerably when it is exposed to the atmosphere for a day or more. It means putting it away. Such deterioration severely limits the utility of such electrophotographic plates. All of the methods disclosed in this patent contain undesirable ionic contaminants in the precipitate that are not volatilized by the subsequent steps. These ionic,
That is, salt-forming contaminants are believed to be responsible for the instability of electrical properties observed when exposed to the surrounding atmosphere for several days. SUMMARY OF THE INVENTION A primary object of the present invention is to provide an improved photoconductive material having the chemical formula C0-n (CdC03).
ここでXは硫黄あるいはセレンあるいはそれらの混合物
であり、nは0<nミ4の値を有している。本発明の一
つの特徴において、CdX−n(CdC03)光導電材
料は、望ましくない外来のイオンをすべて排除しCdX
物質の活性化のために随意に加えられるドーパントのよ
うな望ましいものだけを含む方法によって製造される。Here, X is sulfur or selenium or a mixture thereof, and n has a value of 0<nmin4. In one aspect of the invention, the CdX-n (CdC03) photoconductive material excludes all unwanted extraneous ions and the CdX-n (CdC03) photoconductive material
It is manufactured by a method that includes only the desired dopants, such as optionally added dopants for activation of the material.
本発明の他の特徴において、光導電材料は共同活性剤と
して随意に加えられる小量の例えば塩素を除いてはナト
リウム、塩素、硫酸塩、臭素、カルシウム及び硝酸塩よ
り成る群の汚染物を含まない。In another feature of the invention, the photoconductive material is free of contaminants of the group consisting of sodium, chlorine, sulfates, bromine, calcium and nitrates, except for small amounts of e.g. chlorine optionally added as co-activators. .
本発明の更に他の特徴において、光導軍材料は塩化銅、
塩化銀、硫酸鋼、硫酸銀、硝酸鋼「硝酸銀、銅アンモニ
ア錯体、銀アンモニア鍔体、アンモニアに溶解された炭
酸鋼及びアンモニアに溶解された炭酸銀より成る群から
選択されたドーパントで活性化される。In still other features of the invention, the light guide material comprises copper chloride;
Silver chloride, sulfated steel, silver sulfate, nitrate steel activated with a dopant selected from the group consisting of silver nitrate, copper ammonia complex, silver ammonia collar, steel carbonate dissolved in ammonia and silver carbonate dissolved in ammonia. Ru.
本発明の更に他の特徴において、光導電絶縁材は、純粋
な炭酸カドミウム粒子を水に分散し、硫化物またはセレ
ン化物を分散した炭酸カドミウム粒子と反応させて炭酸
カドミウムの一部を硫化カドミウムまたはセレン化カド
ミウムに転化させ、反応生成物を水から分離し、反応生
成物をニ擁して残った水ともしイオン汚染物が存在して
いるならばそのイオン汚染物とを揮発させることによっ
て製造されるものであり、その反応生成物はイオン汚染
物、即ち塩類を含まずに蝦暁温度においては容易に揮発
されない活性剤ドーパントのみを含んでいる。In still other features of the invention, the photoconductive insulating material is prepared by dispersing pure cadmium carbonate particles in water and reacting sulfide or selenide with the dispersed cadmium carbonate particles to convert a portion of the cadmium carbonate into cadmium sulfide or cadmium carbonate. It is produced by converting cadmium selenide to cadmium selenide, separating the reaction product from water, and volatilizing the reaction product and the remaining water and ionic contaminants, if present. The reaction product is free of ionic contaminants, ie, salts, and contains only the activator dopant, which is not readily volatilized at shrimp temperatures.
本発明の更に他の特徴において、水に分散された純粋な
炭酸カドミウム粒子は硫化水素またはセレン化水素また
はそれらの混合物を水に通すことによって硫化物または
セレン化物と反応させられる。In yet another feature of the invention, pure cadmium carbonate particles dispersed in water are reacted with sulfide or selenide by passing hydrogen sulfide or hydrogen selenide or a mixture thereof through the water.
本発明の更に他の特徴において、硫化物またはセレン化
物の分散された炭酸カドミウムとの反応はアンモニアを
水に加えることによって促進させられる。In yet another feature of the invention, the reaction of the sulfide or selenide with the dispersed cadmium carbonate is accelerated by adding ammonia to the water.
本発明の他の特徴と利点は、添付図面に関連して述べら
れた以下の詳細な説明を熟読することによって明らかと
なるであろう。Other features and advantages of the invention will become apparent upon reading the following detailed description taken in conjunction with the accompanying drawings.
改良された安定なCdX−n(CdC03)材料(Xは
硫黄かセレンあるいはそれらの混合物、nは0<nミ4
)が望ましくない外来のイオン全部を排除しC瓜物質を
活性化するために随意に加えられるドーパントのような
望ましいものだけを含むようにする方法によって製造さ
れる。Improved stable CdX-n (CdC03) material (X is sulfur or selenium or a mixture thereof, n is 0<nmi4
) is manufactured by a method that excludes all undesired extraneous ions and contains only those desired, such as optionally added dopants to activate the Cucumber material.
改良された光導電材料は次の方法のうちの1つあるいは
それ以上に従って製造される。例1
開始材料として試薬純度の炭酸カドミウム(これは例え
ば米国ニュージャージー州モーリスタウン(Morri
stown)、アライド・ケミカル・スベシアリテイ・
ケミカルズ・デイビジヨン(AlliedChemic
al.SpecialtyChemicalsDMsi
on)より得られる)が使用される。Improved photoconductive materials are manufactured according to one or more of the following methods. Example 1 Cadmium carbonate of reagent purity as starting material (this can be used, for example, in Morristown, New Jersey, USA).
stown), Allied Chemical Substances
Allied Chemical
al. Specialty ChemicalsDMsi
on) is used.
1.13リットルの容積のセラミック製粉砕つばの中に
次の混合物が入れられる。The following mixture is placed in a ceramic grinding collar with a volume of 1.13 liters.
CdC03、試薬純度 120夕5の9
CuCl2・が20/机を含む水溶液
96叫5の9AgC。CdC03, reagent purity 120 min 5/9
Aqueous solution containing CuCl2.20/desc.
9AgC of 96 shouts 5.
3十18の9NH3/叫
を含む水溶液 96凧‘脱イオン
水 480の‘混合はボールミル
によっておよそ18時間行われ、次に磁気かくはん榛の
準備された1リットルのビーカーに移され、次に磁気か
くはん器の上に置かれる。The aqueous solution containing 318 9NH3 / 96' deionized water and 480' was mixed by a ball mill for approximately 18 hours, then transferred to a 1 liter beaker prepared with a magnetic stirrer; placed on the vessel.
この時点で60夕の30%NH3溶液が加えられる。次
に3.5時間の間1分間に47±5の上の割合で硫化水
素が半融ガラス・バブラー(bubbler)を通して
かくはんされた懸濁液に送り込まれる。At this point 60 minutes of 30% NH3 solution is added. Hydrogen sulfide is then pumped into the stirred suspension through a molten glass bubbler at a rate of above 47±5 per minute for 3.5 hours.
この工程の間、炭酸カドミウムの一部は硫化カドミウム
に転化されるが、外来イオンの吸収は行われない。その
転化の終了時点で懸濁液は、例えば米国のインターナシ
ョナル・イクウイツプメント・Co(InterMti
oMIEquipmentCo.)のモデルCHのよう
なバスケット形遠心機によってろ過され、その結果生じ
たケーキ(固形分)はその遠心機の中でおよそ18分間
脱イオン水で洗浄される。During this step, some of the cadmium carbonate is converted to cadmium sulfide, but no absorption of foreign ions takes place. At the end of its conversion, the suspension is manufactured by, for example, International Equipment Co., USA (InterMti
oMIEquipmentCo. ), and the resulting cake (solids) is washed with deionized water in the centrifuge for approximately 18 minutes.
遠心機は脱イオン水の大部分がケーキから除去されるま
で回転される。ケーキは次にオーブンで乾燥され、粉々
にされ、台所で使用されるろ過器でふるいにかけられる
。その結果得られる粉は窒素を流入させながら200℃
のオーブンで24ないし4報時間蝦焼される。CdS−
CdC03のモル比は大体1:1である。このようにし
て製造された材料を使用する光導電層は次のように製造
される。次の混合物は0.24リットルの容積のセラミ
ック製の粉砕つばの中に入れられる。CdS−CdC0
3 14タアクリロイドAT
一50(50%) 20夕(熱硬化性のアクリル樹
脂)SC−100 18夕(
高沸点の芳香族炭化水素溶媒)これら混合物はおよそ1
軸時間粉砕され、次にワイヤを巻いた綾(MayerR
od)を使用して導電層(アルミニウム、アルミニウム
で処理されたポリエステル、あるいは酸化錫で被覆され
たガラス)に塗られる。The centrifuge is rotated until most of the deionized water is removed from the cake. The cake is then dried in an oven, ground into pieces and sifted through a filter used in the kitchen. The resulting powder is heated to 200°C with nitrogen flow.
Shrimp is grilled in an oven for 24 to 4 hours. CdS-
The molar ratio of CdC03 is approximately 1:1. A photoconductive layer using the material thus produced is produced as follows. The next mixture is placed in a ceramic grinding collar with a volume of 0.24 liters. CdS-CdC0
3 14 taacryloid AT
150 (50%) 20 Yen (thermosetting acrylic resin) SC-100 18 Yen (
(High-boiling aromatic hydrocarbon solvent) These mixtures are approximately 1
Axial time milled and then wire wound Aya (MayerR
od) is used to coat the conductive layer (aluminum, aluminized polyester, or tin oxide coated glass).
次にその導電層に塗られた材料は丈夫な光導霞体をつく
るため7ぴ0で乾燥され更に150qCで1時間乾燥さ
せられる。このように乾燥させられた被覆物の厚さは典
型的には25rであるが、15から65ムの範囲であっ
てもよい。顔料に対するバインダ溶媒の重量比は所定の
使用例に必要な特性に従って典型的には0.8:1から
2:1まで変えることができる。4・さし、比は高い光
導電スピードを与え、一方大きな比はなめらかでがん丈
な層を提供する。The material applied to the conductive layer is then dried at 70° C. and 1 hour at 150 qC to create a durable photoconductor. The thickness of the coating thus dried is typically 25 mm, but may range from 15 to 65 mm. The weight ratio of binder solvent to pigment can typically vary from 0.8:1 to 2:1 depending on the properties required for a given application. A 4-length ratio gives high photoconductive speed, while a large ratio provides a smooth and long layer.
例2
これは銀を含むドーパント溶液がはふくかれる点を除い
て例1と同一である。Example 2 This is the same as Example 1 except that the silver-containing dopant solution is omitted.
例 34
これは以下のようにドーパント溶液の量が少ないという
点を除いて例1及び例2と同一である。Example 34 This is the same as Example 1 and Example 2 except that the amount of dopant solution is less as follows.
CdC03、試薬純度 120夕5の9
CuC12・汎20/の‘を含む水溶液
24の【脱イオン水
280泌例5一8試薬純度のCdC03を使用するかわ
りに、硝酸カドミウムまたは酢酸カドミウムの溶液を使
用して反応を開始し、次に(N比)2C03を用いての
め殿によってCdC03を得ることができる。CdC03, reagent purity 120 min 5/9
Aqueous solution containing CuC12/pan20/'
24 [deionized water]
280 Secretion Example 5 - Instead of using CdC03 of 8 reagent purity, start the reaction using a solution of cadmium nitrate or cadmium acetate and then obtain CdC03 by dilution using (N ratio) 2C03. I can do it.
そのような沈殿物に吸収される塩(ェン)は硝酸アンモ
ニウムあるいは酢酸アンモニウムであり、これらのいず
れもCdC03をおよそ200なし・し250℃で暇凝
することによって揮発させられる。このようにして純度
が高められたCdCQは次に例1一4の場合と同じよう
に処理される。例 9一16
これは日2Sのかわりにセレン化水素がCdC03の懸
濁液に送り込まれ、硫化カドミウムのかわりにセレン化
カドミウムが生成されるという点を除いて例1一8と同
一である。The salts absorbed in such precipitates are ammonium nitrate or ammonium acetate, both of which can be volatilized by condensing CdC03 at approximately 200° C. to 250° C. The CdCQ thus purified is then processed as in Examples 1-4. Example 9-16 This is the same as Example 1-8 except that hydrogen selenide is pumped into the suspension of CdC03 instead of 2S and cadmium selenide is produced instead of cadmium sulfide.
例 17一32
これは例1一16において硫化物イオンまたはセレン化
物イオンとCdC03の間の反応を促進するためにのみ
加えられたところのNH3溶液が加えられないという点
を除いて例1一16と同一である。Examples 17-32 This is similar to Examples 1-16 except that no NH3 solution is added, which in Examples 1-16 was added only to promote the reaction between sulfide or selenide ions and CdC03. is the same as
例17一32は低い光導電率を生ずるが情電流が小さく
なるため、これらの特性を有する光導電体はある種の応
用には価値があるものである。例 33−40
これは日2Sのかわりに硫化アンモニウムあるいはセレ
ン化アンモニウムが懸濁液に加えられる点を除いた例1
−8と同一である。Examples 17-32 produce lower photoconductivity but less photocurrent, making photoconductors with these properties valuable for certain applications. Example 33-40 This is Example 1 except that ammonium sulfide or ammonium selenide is added to the suspension instead of 2S.
-8.
例 41−80
この方法はCuC12とAgC03のかわりに、、塩化
銀、硫酸鋼、硫酸銀、硝酸鋼、硝酸銀、銅アンモニア銭
体、銀アンモニア鍔体及びアンモニアに溶解された炭酸
銅から成る群から選択された活性剤が加えられるという
点を除いて例1一40と同一である。Example 41-80 This method uses a group consisting of silver chloride, steel sulfate, silver sulfate, steel nitrate, silver nitrate, copper ammonia body, silver ammonia body, and copper carbonate dissolved in ammonia, instead of CuC12 and AgC03. Same as Example 1-40 except that selected activators are added.
光導電体の試験はコロナ予帯電を行ない、次に光の照射
(1フットキャンドル、3秒間)の間表面電位降下を測
定することによって達成される。Testing of the photoconductor is accomplished by corona precharging and then measuring the surface potential drop during light irradiation (1 footcandle, 3 seconds).
第1図を説明するに、曲線Aは上記の例1に従って製造
された改良された光導電層の性能を示すものである。こ
の性能は毎日再現可能であり、しかも数カ月間の放置の
後も変化しない。第2図の曲線B−1は米国特許第3,
球9 928号の例肌に従って製造されたところのドー
ピングを施していない光導電体を表わしている。この曲
線より、上記の米国特許に基づく光導電体は第1図の本
発明に基づく改良された材料よりはるかにスピードが遅
いことが理解できる。曲線B一2はドーパントが本明細
書の例1に記載された量だけ添加されたという点を除い
ては米国特許第3,589,928号の例肌に従って製
造された材料の初期性能を表わすものである。この曲線
B−2は曲線Aの改良された材料と同程度のスピードで
ある。しかしながら、6日間放置しておくと性能は曲線
B−2から曲線B−3に劣化してしまった。また電荷保
持能力はその初期の値のおよそ60%まで低下してしま
った。その材料を30ないし60分間150午○で再加
熱することによって性能を回復することができるが、そ
の後はまた電荷保持能力が受け入れがたい値にまで低下
してしまう。量の小さいドーパントを行なった例3一4
の材料は第1図の曲線Aよりも幾分スピードがゆるやか
であるが、その性能はやはり時間に対して一定である。Referring to FIG. 1, curve A illustrates the performance of an improved photoconductive layer prepared according to Example 1 above. This performance is reproducible every day and remains unchanged even after several months of storage. Curve B-1 in FIG.
9 represents an undoped photoconductor manufactured according to the example of Ball No. 9 928. It can be seen from this curve that the photoconductor based on the above-mentioned US patent is much slower than the improved material according to the invention of FIG. Curve B-2 represents the initial performance of a material made according to the example of U.S. Pat. No. 3,589,928, except that the dopants were added in the amounts described in Example 1 herein. It is something. This curve B-2 is as fast as the improved material of curve A. However, when left for 6 days, the performance deteriorated from curve B-2 to curve B-3. Moreover, the charge retention ability has decreased to approximately 60% of its initial value. Performance can be restored by reheating the material for 30 to 60 minutes at 150 pm, but then the charge retention capacity is again reduced to an unacceptable value. Examples 3-4 where a small amount of dopant was used
The material has a somewhat slower speed than curve A in FIG. 1, but its performance is still constant over time.
例1一80に従って製造された本発明の光導電材料は、
300ないし400オングストロームの範囲内にある結
晶子の大きさを有する炭酸カドミウム成分と、50オン
グストローム以下の結晶子の大きさを有し主として立方
晶系あるには8結晶構造であるC似成分とを有している
。The photoconductive material of the invention prepared according to Example 1-80 is:
A cadmium carbonate component having a crystallite size in the range of 300 to 400 angstroms, and a C-like component having a crystallite size of 50 angstroms or less and having a predominantly cubic or even 8-crystal structure. have.
その材料はドーパントを除くイオン汚染物を含まない。
更に詳しく説明すると、ナトリウム、塩化物、硫酸塩、
臭化物トカリウム及び硝酸塩である望ましくない汚染物
を含まない。ここで含まないという意味は重量比が0.
5%以下であることであり、0.1%以下ならば更に望
ましい。もし純粋な開始物質が使用されるならば、すべ
ての汚染物の量は重要でなくなる。前記の汚染物及び他
のイオン汚染物が空気中から水を吸収するため光導電体
の性能が時間と共に劣化する。即ちスピードと帯電容量
が悪影響を受ける、と考えられる。すべてのナトリウム
塩とカリウム塩、それにN比S04、NH4CIは特に
望ましくない。開始物質としてCdC03が使用される
場合には、ナトリウム、塩化物、硫酸塩、臭化物、カリ
ウム及び硝酸塩のようなイオン汚染物は重量比で0.1
%以下であるべきであり、0.05%以下であればなお
望ましい。The material is free of ionic contaminants except dopants.
To explain in more detail, sodium, chloride, sulfate,
Free of undesirable contaminants: topotassium bromide and nitrates. Here, "not included" means that the weight ratio is 0.
The content should be 5% or less, and more preferably 0.1% or less. If pure starting material is used, the amount of any contaminants becomes insignificant. These and other ionic contaminants absorb water from the air, causing photoconductor performance to deteriorate over time. In other words, it is thought that speed and charging capacity are adversely affected. All sodium and potassium salts and N ratios S04, NH4CI are particularly undesirable. When CdC03 is used as the starting material, ionic contaminants such as sodium, chloride, sulfate, bromide, potassium and nitrate are present at a weight ratio of 0.1
% or less, preferably 0.05% or less.
光導電材料を転化し遠心分離する例で説明した方法は活
性剤(塩化鋼または塩化銀)を除いて、それ以上の汚染
を避けるようにされている。活性剤に関しては、塩化物
の悪影響が最小となるように化学量論的に塩化物は活性
剤の金属元素以上になるべきではない。150℃ないし
250qoの温度範囲内で行われるのが望ましい蝦暁工
程は、洗浄によっては完全に除去されない可能性のある
、例えば炭酸アンモニウムのような揮発性の残留イオン
不純物を更に除去するのに効果がある。The method described in the example of converting and centrifuging the photoconductive material is such that the activator (chlorinated steel or silver chloride) is removed to avoid further contamination. With respect to the activator, the stoichiometry of chloride should not be greater than the metal element of the activator so that the adverse effects of chloride are minimized. The shrimp step, which is preferably carried out within a temperature range of 150°C to 250qo, is effective in further removing volatile residual ionic impurities, such as ammonium carbonate, which may not be completely removed by cleaning. There is.
しかしながら暇競が空気中で行われる場合はある種の硫
酸塩が形成されることが確認された。典型的な硫酸塩の
量は空気中で200qCの照焼の2岬時間後重量比で1
%、25000の暇燐の2蝿時間後で2%である。硫酸
塩の存在は蝦焼の温度が比較的低いことを考えると驚く
べきことである。通常CdSは30030以下ではあま
り空気による酸化を受けない。本発明の光導電体内の微
細な結晶子のCdSは驚異的に遠い酸化速度の因をなす
ものであろう。空気中で200℃で蝦焼したときでさえ
前記の物質から製造した光導電体は米国特許第3,58
9,928号の方法に従って製造したものよりはるかに
すぐれている長期の安定性を示したが、なお時間と共に
特性が変化することが認められる。However, it has been confirmed that certain sulfates are formed when the competition is carried out in air. A typical amount of sulfate is 1 by weight after 2 hours of teriyakiing at 200 qC in air.
%, 2% after 2 hours of 25000 phosphorus. The presence of sulfates is surprising considering the relatively low temperatures of shrimp roasting. Normally, CdS does not undergo much oxidation by air below 30030. The fine crystallite CdS within the photoconductor of the present invention may be responsible for the surprisingly slow oxidation rate. Photoconductors made from said materials even when fired at 200° C. in air are disclosed in U.S. Pat. No. 3,58
Although it showed much better long-term stability than that made according to the method of No. 9,928, it is still observed that the properties change over time.
不活性雰囲気中で蝦競を行なうことにより硫酸塩の形成
を避けることができ、そしてほとんどイオン汚染物のな
い光導電性粉末が得られる。By carrying out the molding in an inert atmosphere, sulfate formation can be avoided and a photoconductive powder almost free of ionic contaminants is obtained.
光導電体の特性にわずかな変化さえ許されないときに1
は、そのような保護雰囲気中での暇暁が好ましい。不活
性雰囲気とは光導電粉末を酸化を還元もしないガスを意
味する。この定義に含まれるのは窒素及びすべての希ガ
ス(つまり、周期表の0族の元素)であるが、これらの
みに限定されない。第3図を説明するに、この図には本
発明の光導電材料を利用している電子写真部材を用いる
電子写真の方法が示されている。第3図aにおいて電子
写真用のプレート11の電荷保持表面が、購い所で例え
ば−4.雛Vで動作するコロナ放電によっ・て例えば一
1250Vの表面電位を有するように予帯電される。プ
レート(光導電層)11は大体25ミクロンの厚さを有
し、しかも例えばアルミニウム、アルミニウムで処理さ
れたポリエステルあるいは酸化錫で被覆されたガラスの
ように比較的堅Iい、あるいは非常に柔軟性のある導電
層12に載遣されている。次に第3図bに示されている
ように、光導電層1 1は例えば光を透明画13を通し
て光導電層に向けて照射することによって生ずる光子像
に露出される。その間背後の導電層12は接地される。
露出はまた不透明な原図を光導電層に対して光学的に投
影することによっても達成される。露出によって光が照
射された部分の表面電荷は消散し、プレート11の電荷
保持表面の光が照射されなかった部分に応じた電荷像が
形成される。次に第3図cに示されているように記録媒
体、例えば譲露体の被覆された導電性の用紙、の電荷保
持層14がプレート11の電荷像保持表面と軽く接触す
るようにされる。電荷像をプレート11から記録媒体の
電荷保持層14に転写するために記録媒体の導電性の裏
張り15とプレート11の導電層12の間に転写電位が
印加される。次に第3図dに示されているように、記録
媒体の電荷像保持表面を現像するために電荷隊にそれと
反対符号の電荷を帯びさせた電子写真用のトナーがふり
かけられる。トナーは乾燥したものでもまた絶縁性の液
体展色剤に散布されたものでもよい。上記のように電荷
を誘導体被覆用紙に転写するかわりに、この技術分野で
良く知られている方法で光導電層上の電荷像を現像し、
通常の用紙に転写することもできる。この明細書に開示
された光導電体の利点の幾つかは以下のとおりである。1 when even the slightest change in the properties of the photoconductor is not allowed.
It is preferable to spend time in such a protective atmosphere. By inert atmosphere is meant a gas that neither oxidizes nor reduces the photoconductive powder. Included in this definition are, but are not limited to, nitrogen and all noble gases (ie, elements in group 0 of the periodic table). Referring to FIG. 3, a method of electrophotography using an electrophotographic member utilizing the photoconductive material of the present invention is illustrated. In FIG. 3a, the charge retentive surface of the electrophotographic plate 11 is, for example, -4. The chick is precharged by a corona discharge operating at V to have a surface potential of, for example, -1250V. The plate (photoconductive layer) 11 has a thickness of approximately 25 microns and is either relatively rigid, such as aluminum, aluminum treated polyester or tin oxide coated glass, or very flexible. It is placed on a certain conductive layer 12. As shown in FIG. 3b, the photoconductive layer 11 is then exposed to a photon image produced, for example, by directing light through the transparency 13 toward the photoconductive layer. Meanwhile, the conductive layer 12 behind is grounded.
Exposure is also accomplished by optically projecting an opaque original onto the photoconductive layer. Upon exposure, the surface charges on the portions irradiated with light are dissipated, and a charge image corresponding to the portions of the charge-retaining surface of the plate 11 that are not irradiated with light is formed. The charge retentive layer 14 of the recording medium, e.g. a conductive paper coated with a transfer material, is then brought into light contact with the charge image retentive surface of the plate 11, as shown in FIG. 3c. . A transfer potential is applied between the conductive backing 15 of the recording medium and the conductive layer 12 of the plate 11 to transfer the charge image from the plate 11 to the charge retention layer 14 of the recording medium. Next, as shown in FIG. 3d, an electrophotographic toner in which the charge particles are charged with an opposite sign is sprinkled to develop the charge image-bearing surface of the recording medium. The toner may be dry or dispersed in an insulating liquid vehicle. Instead of transferring the charge to dielectric-coated paper as described above, the charge image on the photoconductive layer is developed by methods well known in the art;
It can also be transferred to regular paper. Some of the advantages of the photoconductor disclosed herein are as follows.
物理的に非常に丈夫であり、しかも摩耗あるいは物理的
な取扱いに対して大きな抵抗力がある。It is physically very strong and highly resistant to abrasion or physical handling.
アルミニウム処理されコピー機械のベルトとして使用さ
れるプラスチック・フィルム・ベースに押し付けられる
ほど柔軟性がある。液体トナー中でキャリアとして使用
される石油溶媒に対して抵抗力があり、それ故着色され
た像の転写において石油溶媒を利用することができる。It is aluminized and is flexible enough to be pressed onto a plastic film base used as a copy machine belt. It is resistant to petroleum solvents used as carriers in liquid toners and therefore can be utilized in the transfer of colored images.
藤温においても使用可能な特性を有している。It has characteristics that can be used even in Fujion.
着色された像の転写の後によごれを更に十分にとるため
に行われる物理的な研摩に耐え得る。正負のいずれのコ
ロナを用いても帯電することができる。また、化学式
CdX−n(CdC03)
(Xは硫黄またはセレン、nは0<nミ4の値)がこの
明細書において用いられているが、×はまた硫黄とセレ
ンの混合物でもよく、この混合物はCdS及びCdSe
の別々の相はもちろんスルフオセレニドを含むと本発明
においては定義されるものである。It can withstand physical abrasion performed to further remove dirt after transfer of the colored image. Charging can be achieved using either positive or negative corona. Also, although the chemical formula CdX-n(CdC03) (X is sulfur or selenium, n is a value of 0<nmin4) is used in this specification, x may also be a mixture of sulfur and selenium, and this mixture are CdS and CdSe
The separate phase is of course defined in the present invention as containing sulfoselenide.
第1図は本発明の特徴を具備するところの電子写真用の
都材の帯電と放電を描いているもので帯電後の時間(秒
)に対して表面電位(ボルト)をプロットした図、第2
図は従来の3つの異なった光導電材料の帯電と放電の曲
線を描いている第1図と同様の図、第3図は本発明に基
づく光導電材料を使用している電子写真方法を描いてい
る概略工程系統図である。
11・…・・プレート(光導霧層)、12・・・…導亀
層、13・・・・・・透明画、14・・・・・・電荷保
持層、15…・・・導電性愛張り。
FIG.・
FIG
FIG.30
FIG.3b
FIG.3c
FIG.SdFigure 1 depicts the charging and discharging of a material for electrophotography, which is a feature of the present invention, and is a diagram in which the surface potential (volts) is plotted against the time (seconds) after charging. 2
Figures are similar to Figure 1 depicting the charging and discharging curves of three different conventional photoconductive materials; Figure 3 depicts an electrophotographic method using photoconductive materials according to the present invention; This is a schematic process flow diagram. 11... Plate (light guide fog layer), 12... Guide turtle layer, 13... Transparent image, 14... Charge retention layer, 15... Conductive adhesive layer. . FIG.・FIG FIG. 30 FIG. 3b FIG. 3c FIG. Sd
Claims (1)
せた、マルチコピー写真複写装置のための時間安定な光
導電材料であつて、 前記光導電材料が、化学式CdX
−n (CdCO_3)で表示され、活性剤であるドーパント
を除きイオン汚染物を実質的に含まない材料であり、
Xが硫黄またはセレンまたはそれらの混合物であり、
nが0<n≦4の値を有し、 前記CdX粒子が、主と
して直径が50オングストローム以下でありしかも主と
して立方晶系またはβ結晶構造である結晶子を構成成分
として有するところの材料。 2 特許請求の範囲第1項に記載された光導電材料であ
つて、 前記イオン汚染物がナトリウム、塩素、硫酸塩
、臭素、カリウム及び硝酸塩より成る群に属するところ
の材料。 3 特許請求の範囲第1項に記載された光導電材料であ
つて、 前記ドーパントが塩化銅、塩化銀、硫酸銅、硫
酸銀、硝酸銅、硝酸銀、銅アンモニア錯体、銀アンモニ
ア錯体、アンモニアに溶解された炭酸銅、及びアンモニ
アに溶解された炭酸銀より成る群に属するところの材料
。 4 特許請求の範囲第1項に記載された光導電材料であ
つて、 前記化学式がCdX−n(CdCO_3)であ
り、nが0<n≦4であるところの材料。 5 特許請求の範囲第1項に記載された光導電材料であ
つて、 活性剤であるドーパントを除く前記イオン汚染
物が前記光導電材料の重量の0.02%以下であるとこ
ろの材料。 6 特許請求の範囲第1項に記載された光導電材料であ
つて、 活性剤であるドーパントを除く前記イオン汚染
物が前記光導電材料の重量の0.1%以下であるるとこ
ろの材料。 7 改良された解像度を有し、吸湿性を実質的に減少さ
せた、マルチコピー写真複写装置のための時間安定な光
導電材料を作る方法であつて、a 炭酸カドミウム粒子
を水に分散させる工程と、b 硫化物またはセレン化物
またはそれらの混合物を、分散された炭酸カドミウム粒
子と反応させてこの炭酸カドミウムの一部を硫化カドミ
ウムまたはセレン化カドミウムに転化する工程と、c
前記水から反応生成物を分離する工程と、d 前記反応
生成物を不活性雰囲気中で■焼して残留水とイオン汚染
物を揮発させる工程と、e 活性剤であるドーパントを
除き■焼温度では容易に揮発されない汚染イオンである
塩類を前記反応生成物に含ませないで維持する工程と、
から成り、 前記光導電材料が、化学式CdX−n (CdCO_3)で表示され、活性剤であるドーパント
を除きイオン汚染物をを実質的に含まない材料であり、
Xが硫黄またはセレンまたはそれらの混合物であり、
nが0<n≦4の値を有し、 前記CdX粒子が、主
として直径が50オングストローム以下でありしかも主
として立方晶系またはβ結晶構造である結晶子を構成成
分として有するところの方法。 8 特許請求の範囲第7項に記載された方法であつて、
前記反応生成物が含まない前記イオン汚染物はナトリ
ウム、塩素、硫酸塩、臭素、カリウム及び硝酸塩より成
る群に属するところの方法。9 特許請求の範囲第7項
に記載された方法であつて、 前記反応生成物を塩化銅
、塩化銀、硫酸銅、硫酸銀、硝酸銅、硝酸銀、銅アンモ
ニア錯体、銀アンモニア錯体、アンモニアに溶解された
炭酸銅及びアンモニアに溶解された炭酸銀より成る群か
ら選択された活性剤であるドーパントで活性化する工程
を含むところの方法。 10 特許請求の範囲第7項に記載された方法であつて
、 水に分散された前記炭酸カドミウム粒子が直径が3
00ないし400オングストロームの範囲内にある炭酸
カドミウム結晶子を構成成分として有するところの方法
。 11 特許請求の範囲第7項に記載された方法であつて
、 活性剤であるドーパントを除く前記イオン汚染物が
前記光導電材料の重量の0.02%以下であるところの
方法。 12 特許請求の範囲第7項に記載された方法であつて
、 活性剤であるドーパントを除く前記イオン汚染物が
前記光導電材料の重量の0.1%以下であるところの方
法。 13 特許請求の範囲第7項に記載された方法であつて
、 硫化物またはセレン化物を、分散された炭酸カドミ
ウムと反応させる前記工程が、硫化水素またはセレン化
水素またはそれらの混合物を前記水に送り込む工程を有
するところの方法。 14 特許請求の範囲第7項に記載された方法であつて
、 前記水にアンモニアを添加して硫化物またはセレン
化物との炭酸カドミウムの反応を促進させる工程を含む
ところの方法。 15 特許請求の範囲第7項に記載された方法であつて
、 硫化物またはセレン化物を、分散された炭酸カドミ
ウムと反応させる前記工程が、硫化アンモニウムまたは
セレン化アンモニウムまたはそれらの混合物を前記水に
添加する工程を含むところの方法。 16 特許請求の範囲第7項に記載された方法であつて
、 前記■焼温度が150°ないし250℃の範囲内に
あるところの方法。 17 特許請求の範囲第7項に記載された方法であつて
、 結果として生成した光導電材料を電気絶縁性のバイ
ンダに埋めて光導電性の電子写真部材を形成する工程を
含むところの方法。 18 特許請求の範囲第7項に記載された方法であつて
、 結果として生成した光導電材料を伝導性基板上の絶
縁性バインダに埋めて光導電性の電子写真部材を形成す
る工程を含むところの方法。 19 電気絶縁性のバインダと、該バインダ内に分散さ
れる光導電材料の微細粒子とから成る光導電絶縁材であ
つて、 前記光導電材料が、改良された解像度を有し、
吸湿性を実質的に減少させた、マルチコピー写真複写装
置のための時間安定な材料で、化学式CdX−n(Cd
CO_3)で表示され、活性剤であるドーパントを除き
イオン汚染物を実質的に含まない材料であり、 Xが硫
黄またはセレンまたはそれらの混合物であり、 nが0
<n≦4の値を有し、 前記CdX粒子が、主として直
径が50オングストローム以下でありしかも主として立
方晶系またはβ結晶構造である結晶子を構成成分として
有するところの光導電絶縁材。 20 特許請求の範囲第19項に記載された光導電絶縁
体であつて、 前記イオン汚染物がナトリウム、塩素、
硫酸塩、臭素、カリウム及び硝酸塩より成る群に属する
ところの光導電絶縁材。 21 特許請求の範囲第19項に記載された光導電絶縁
体であつて、 前記ドーパントが塩化銅、塩化銀、硫酸
銅、硫酸銀、硝酸銅、硝酸銀、銅アンモニア錯体、銀ア
ンモニア錯体、アンモニアに溶解された炭酸銅、及びア
ンモニアに溶解された炭酸銀より成る群に属するところ
の光導電絶縁材。 22 特許請求の範囲第19項に記載された光導電絶縁
体であつて、 前記化学式がCdS−n(CdCO_3
)であり、0<n≦4であるところの光導電絶縁材。 23 特許請求の範囲第19項に記載された光導電絶縁
体であつて、 活性剤であるドーパントを除く前記イオ
ン汚染物が前記バインダを除く光導電絶縁材料の重量の
0.02%以下であるところの光導電絶縁材。 24 特許請求の範囲第19項に記載された光導電絶縁
材であつて、 活性剤であるドーパントを除く前記イオ
ン汚染物が前記バインダを除く光導電絶縁材料の重量の
0.1%以下であるところの光導電絶縁材。 25 特許請求の範囲第19項に記載された光導電絶縁
材であつて、 前記光導電材料を伝導性基板上の絶縁性
バインダに埋めることによつて形成されるところの光導
電絶縁材。Claims: 1. A time-stable photoconductive material for multicopy photocopying equipment having improved resolution and substantially reduced hygroscopicity, wherein said photoconductive material has the chemical formula CdX
-n (CdCO_3), is a material that is substantially free of ionic contaminants except for the dopant, which is an activator.
X is sulfur or selenium or a mixture thereof;
n has a value of 0<n≦4, and the CdX particles mainly have crystallites having a diameter of 50 angstroms or less and having a mainly cubic or β crystal structure as a constituent component. 2. A photoconductive material as claimed in claim 1, wherein the ionic contaminants belong to the group consisting of sodium, chlorine, sulfate, bromine, potassium and nitrate. 3. The photoconductive material according to claim 1, wherein the dopant is dissolved in copper chloride, silver chloride, copper sulfate, silver sulfate, copper nitrate, silver nitrate, copper ammonia complex, silver ammonia complex, or ammonia. Materials belonging to the group consisting of copper carbonate dissolved in ammonia and silver carbonate dissolved in ammonia. 4. The photoconductive material according to claim 1, wherein the chemical formula is CdX-n (CdCO_3), and n satisfies 0<n≦4. 5. The photoconductive material according to claim 1, wherein the ionic contaminants, excluding the activator dopant, are 0.02% or less of the weight of the photoconductive material. 6. The photoconductive material according to claim 1, wherein the ionic contaminants, excluding dopants that are activators, are 0.1% or less of the weight of the photoconductive material. 7. A method of making a time-stable photoconductive material for multicopy photocopying equipment with improved resolution and substantially reduced hygroscopicity, comprising: a. dispersing cadmium carbonate particles in water; b reacting sulfide or selenide or a mixture thereof with dispersed cadmium carbonate particles to convert a portion of the cadmium carbonate to cadmium sulfide or cadmium selenide; c
separating the reaction product from the water; d burning the reaction product in an inert atmosphere to volatilize residual water and ionic contaminants; and e removing the dopant as an activator and increasing the firing temperature. a step of keeping salts, which are contaminant ions that are not easily volatilized, from being included in the reaction product;
the photoconductive material is a material represented by the chemical formula CdX-n (CdCO_3) and is substantially free of ionic contaminants except for dopants as activators;
X is sulfur or selenium or a mixture thereof;
n has a value of 0<n≦4, and the CdX particles mainly have crystallites having a diameter of 50 angstroms or less and having a mainly cubic or β crystal structure as a constituent component. 8. The method described in claim 7,
A method in which the ionic contaminants free of reaction products belong to the group consisting of sodium, chlorine, sulfate, bromine, potassium and nitrate. 9. The method described in claim 7, wherein the reaction product is dissolved in copper chloride, silver chloride, copper sulfate, silver sulfate, copper nitrate, silver nitrate, copper ammonia complex, silver ammonia complex, or ammonia. activating with a dopant which is an activator selected from the group consisting of silver carbonate dissolved in ammonia and copper carbonate dissolved in ammonia. 10 The method according to claim 7, wherein the cadmium carbonate particles dispersed in water have a diameter of 3.
A method comprising as a constituent cadmium carbonate crystallites within the range of 00 to 400 angstroms. 11. The method of claim 7, wherein the ionic contaminants, excluding the activator dopant, are 0.02% or less of the weight of the photoconductive material. 12. The method of claim 7, wherein the ionic contaminants, excluding activator dopants, are less than 0.1% of the weight of the photoconductive material. 13. The method according to claim 7, wherein the step of reacting sulfide or selenide with dispersed cadmium carbonate comprises adding hydrogen sulfide or hydrogen selenide or a mixture thereof to the water. A method that includes a feeding step. 14. The method according to claim 7, comprising the step of adding ammonia to the water to promote the reaction of cadmium carbonate with sulfide or selenide. 15. The method of claim 7, wherein the step of reacting sulfide or selenide with dispersed cadmium carbonate comprises adding ammonium sulfide or ammonium selenide or a mixture thereof to the water. A method including the step of adding. 16. The method according to claim 7, wherein the baking temperature is within the range of 150°C to 250°C. 17. The method of claim 7, comprising: embedding the resulting photoconductive material in an electrically insulating binder to form a photoconductive electrophotographic member. 18. A method as claimed in claim 7, including the step of embedding the resulting photoconductive material in an insulating binder on a conductive substrate to form a photoconductive electrophotographic member. the method of. 19. A photoconductive insulating material comprising an electrically insulating binder and fine particles of a photoconductive material dispersed within the binder, the photoconductive material having improved resolution;
A time-stable material for multicopy photocopying equipment with substantially reduced hygroscopicity and having the chemical formula CdX-n (Cd
CO_3) is a material substantially free of ionic contaminants except for the activator dopant, where X is sulfur or selenium or a mixture thereof, and n is 0.
A photoconductive insulating material having a value of <n≦4, wherein the CdX particles mainly have crystallites having a diameter of 50 angstroms or less and having a mainly cubic or β-crystalline structure as a constituent component. 20. The photoconductive insulator according to claim 19, wherein the ionic contaminant is sodium, chlorine,
Photoconductive insulating materials belonging to the group consisting of sulfates, bromine, potassium and nitrates. 21. The photoconductive insulator according to claim 19, wherein the dopant is copper chloride, silver chloride, copper sulfate, silver sulfate, copper nitrate, silver nitrate, copper ammonia complex, silver ammonia complex, or ammonia. A photoconductive insulating material belonging to the group consisting of dissolved copper carbonate and silver carbonate dissolved in ammonia. 22. The photoconductive insulator according to claim 19, wherein the chemical formula is CdS-n (CdCO_3
), and 0<n≦4. 23. The photoconductive insulator according to claim 19, wherein the ionic contaminants excluding dopants that are activators are 0.02% or less of the weight of the photoconductive insulating material excluding the binder. However, photoconductive insulating material. 24. The photoconductive insulating material according to claim 19, wherein the ionic contaminants excluding the activator dopant are 0.1% or less of the weight of the photoconductive insulating material excluding the binder. However, photoconductive insulating material. 25. A photoconductive insulating material according to claim 19, wherein the photoconductive insulating material is formed by embedding the photoconductive material in an insulating binder on a conductive substrate.
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