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JPS6027592B2 - Heat mode recording method - Google Patents
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JPS6027592B2 - Heat mode recording method - Google Patents

Heat mode recording method

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Publication number
JPS6027592B2
JPS6027592B2 JP52128429A JP12842977A JPS6027592B2 JP S6027592 B2 JPS6027592 B2 JP S6027592B2 JP 52128429 A JP52128429 A JP 52128429A JP 12842977 A JP12842977 A JP 12842977A JP S6027592 B2 JPS6027592 B2 JP S6027592B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
recording
heat mode
information recording
chalcogen
Prior art date
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Expired
Application number
JP52128429A
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Japanese (ja)
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JPS5461943A (en
Inventor
博 花田
隆男 辻
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Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Publication date
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、ヒートモードの記録媒体および記録方法に関
する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a heat mode recording medium and a recording method.

従来から高周波信号等例えばビデオ信号を記録媒体上に
記録する際、光学的に高密度の記録を行なう種々の方法
が知られている。
2. Description of the Related Art Conventionally, various methods have been known for optically performing high-density recording when recording high-frequency signals, such as video signals, on a recording medium.

例えば支持体上に記録層を設け、該記録層にエネルギー
ビーム(レーザービーム、電子ビーム等)を照射し、そ
れにより発生する熱で凹部を形成し(これをヒートモー
ド記録という)これをそのまま記録盤として用いる方法
がある。
For example, a recording layer is provided on a support, the recording layer is irradiated with an energy beam (laser beam, electron beam, etc.), and the heat generated thereby forms recesses (this is called heat mode recording), and this is recorded as is. There is a way to use it as a board.

この方法は、記録速度も大であり、現像処理等が不要で
あるが、ビームにより形成される凹部(記録ビット)の
周辺部が不規則に盛り上がったり、あるいは凹部を形成
するべく蒸発あるいは融解除去された記録層の一部が飛
散して記録層表面に付着するという現象を伴っていた。
従って再生方法の種類にかかわらず得られた信号自体の
SN比が良くないこと、又再生方法として電気容量式、
圧電式等を用いた場合、再生素子に極めて大きな機械力
が働き、再生素子の寿命を著しく低下させるなどの欠点
を有していた。本発明は上記の欠点をすべて解決するこ
とを目的とし、ヒートモードエッチング記録とも言うべ
き新規で且つ優れたヒートモード記録媒体及び記録方法
を与えるものである。
This method has a high recording speed and does not require development processing, but the periphery of the recess (recorded bit) formed by the beam may bulge irregularly or be removed by evaporation or melting to form the recess. This was accompanied by a phenomenon in which a portion of the recorded layer was scattered and attached to the surface of the recording layer.
Therefore, regardless of the type of reproduction method, the signal to noise ratio of the obtained signal itself is not good.
When a piezoelectric type or the like is used, an extremely large mechanical force acts on the reproducing element, which has the drawback of significantly shortening the life of the reproducing element. The present invention aims to solve all of the above-mentioned drawbacks, and provides a new and excellent heat mode recording medium and recording method, which can also be called heat mode etching recording.

上記の目的を達成する本発明とは、ヒートモードの情報
記録方法において、ヒートモード層およびエッチングさ
れる情報記録層を有する記録媒体上に、エネルギービー
ムを選択的に照射しエネルギービームにより発生する熱
でヒートモード層を選択除去する工程、ヒートモード層
をエッチングマスクとして情報記録層の露出部をエッチ
ング除去する工程および残留するヒートモード層を除去
する工程を有することを特徴とする記録方法である。又
その方法に好適な記録媒体として、エネルギービームに
よって発生する熱で選択除去され、且つ層全体が除去可
能なヒートモード層と、選択的に溶解除去可能な情報記
録層とを有する記録媒体を与えるものであり、更に又上
記の方法で得られた記録盤をマス夕として多数の複刻盤
を作成する記録方法を与えるものである。以下本発明の
記録媒体及び記録方法を詳細に説明する。
The present invention that achieves the above object is a heat mode information recording method in which an energy beam is selectively irradiated onto a recording medium having a heat mode layer and an information recording layer to be etched, and heat generated by the energy beam is generated. This recording method is characterized by comprising the steps of selectively removing the heat mode layer, etching away the exposed portion of the information recording layer using the heat mode layer as an etching mask, and removing the remaining heat mode layer. Further, as a recording medium suitable for the method, there is provided a recording medium having a heat mode layer which can be selectively removed by heat generated by an energy beam and whose entire layer can be removed, and an information recording layer which can be selectively removed by dissolution. Furthermore, the present invention provides a recording method for producing a large number of duplicate discs using the recording disc obtained by the above method as a master. The recording medium and recording method of the present invention will be explained in detail below.

本発明において、記録媒体の基本構成は、ヒートモード
層、情報記録層および基板から成っている。但し、ヒー
トモード層とは、ビームにより蒸発あるいは融解等の熱
的作用により除去される層であり、情報記録層とは、ヒ
ートモード層をマスクとして選択的にエッチングされ、
最終的な情報記録が行なわれる層を表わす。基板として
は、ガラス、セラミック、有機高分子、金属板が挙げら
れ、又その性状としてはシート状、フィルム状あるいは
硬質板状のものが用途に応じて選択される。
In the present invention, the basic structure of the recording medium consists of a heat mode layer, an information recording layer, and a substrate. However, the heat mode layer is a layer that is removed by thermal action such as evaporation or melting by a beam, and the information recording layer is a layer that is selectively etched using the heat mode layer as a mask.
Represents the layer where final information recording is performed. Examples of the substrate include glass, ceramics, organic polymers, and metal plates, and the shape of the substrate is selected from sheet, film, or hard plate depending on the purpose.

またヒートモード層及び選択エッチングされる情報記録
層としては、カルコゲン又はカルコゲナィド、金属、有
機高分子、ガラス等のうちから、任意に組み合わせて用
いられる。本発明に用いるカルコゲン又はカルコゲナィ
ドとは、化学量論的な割合のものに限らず任意の比率で
ィオゥ族元素(S,Se,Te)を少なくとも一種主成
分として含む物質である。
Further, as the heat mode layer and the information recording layer to be selectively etched, any combination of chalcogen or chalcogenide, metal, organic polymer, glass, etc. can be used. The chalcogen or chalcogenide used in the present invention is a substance containing at least one of the iodine group elements (S, Se, Te) as a main component, not only in stoichiometric proportions but also in any proportion.

本発明において有効な代表例は、S,Se,Teなどの
単体、或いはCe−S系、Gら−Se系、Ct−Te系
、As−S系、As−Se系、As−Te系、S−Se
系、Se−Te系、Te−S系、Sb−S系、Sb−S
e系、Sb−Te系、Bi−S系、Bi−Se系、Bi
−Te系等の二元カルコゲン、或いはAs−S−Te系
、As−Se−Te系、Sb−As−S系等の三元カル
コゲンである。具体的にいくつかのものを挙げると、W
S,Cも2S3,CモS2,As2も,Sbぶ3,Bi
交3,Bjぶe3,Bi2Te3等である。更に又、前
記カルコゲン又はカルコゲナィド物質の各種の混合系、
或いはTそ(タリウム)、ハロゲン、Cu.Ag,Cd
,Pb等、又はNa,K等のアルカリ金属、Ca,Sr
等のアルカリ士類金属、Si,Q等周期律表第Wb族元
素、E山Sm等のランタン系希士類、U等のアクチニド
系希±頚等を単独で或いは各種組合せて添加せしめたカ
ルコゲン又はカルコゲナイドも用いられる。
Typical examples that are effective in the present invention include simple substances such as S, Se, and Te, Ce-S system, G-Se system, Ct-Te system, As-S system, As-Se system, As-Te system, S-Se
system, Se-Te system, Te-S system, Sb-S system, Sb-S
e series, Sb-Te series, Bi-S series, Bi-Se series, Bi
-Te-based binary chalcogens, or As-S-Te-based, As-Se-Te-based, Sb-As-S-based ternary chalcogens. To name a few specific things, W.
S, C is also 2S3, Cmo S2, As2 is also Sbbu3, Bi
These are intersection 3, Bjbue3, Bi2Te3, etc. Furthermore, various mixed systems of the chalcogen or chalcogenide substances,
Or Tso (thallium), halogen, Cu. Ag, Cd
, Pb, etc., or alkali metals such as Na, K, Ca, Sr
Chalcogen containing alkali metals such as Si, Q, Wb group elements of the periodic table, lanthanum rare metals such as E-san Sm, actinide rare metals such as U, etc., singly or in various combinations. Alternatively, chalcogenide may also be used.

なおこれらの物質の多くは、アルカリ性の溶液には溶け
るが、酸に対しては強い耐性を示す。本発明に用いる金
属としては、Cr,Nj,Fe,C〇,Cu,Ag,A
u,Zn,A〆,Cd,M〇,Rh,Pd,Pt,lr
,Bi,Sn,Pb,ln等の金属およびこれらの金属
を含む合金である。又、半導体であるQ,Si等も用い
られる。有機高分子物質としては、例えばポリメタクリ
ル酸メチル、ボリィソブチルメタクリレート、ポリエチ
レン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル
、スチレンアクリロニトリル共重合体、塩化ビニル−塩
化ビニリデン英重合体、ポリビニルブチラール、酢酸セ
ルロース、ポIJカーポネート等の通常の有機高分子が
使用される。
Note that many of these substances are soluble in alkaline solutions, but exhibit strong resistance to acids. Metals used in the present invention include Cr, Nj, Fe, C〇, Cu, Ag, A
u, Zn, A〆, Cd, M〇, Rh, Pd, Pt, lr
, Bi, Sn, Pb, and ln, and alloys containing these metals. Further, semiconductors such as Q and Si are also used. Examples of organic polymer substances include polymethyl methacrylate, polyisobutyl methacrylate, polyethylene, polypropylene, polystyrene, polyvinyl chloride, styrene acrylonitrile copolymer, vinyl chloride-vinylidene chloride polymer, polyvinyl butyral, cellulose acetate, Common organic polymers such as POIJ carbonate are used.

又、本発明において用いられるエッチング液は、ヒート
モード層および情報記録層として用いた物質の性質に応
じて適宜選択される。具体的にいくつかのものを示すな
らば、酸、あるいは酸化性溶液として代表的には、硝酸
、硫酸(希硫酸、熱濃硫酸等も含む)、クロム酸混液(
K2Cr207−舷S04)、王水、硝酸アンモニウム
溶液、硝酸第2鉄溶液等、アルカリ性溶液として、Li
,NbおよびK等のアルカリ金属、或いはBa,Ca等
のアルカリ士類の水酸化物の水溶液若しくはアルコール
溶液等、および通常の有機溶剤である。エッチングの方
法としては、上記の如くの液を格としてエッチングする
方法が最も一般的であるが、上記の液を噴霧する方法等
の各種湿式処理が用いられる。
Further, the etching solution used in the present invention is appropriately selected depending on the properties of the materials used for the heat mode layer and the information recording layer. To give some specific examples, typical acids or oxidizing solutions include nitric acid, sulfuric acid (including dilute sulfuric acid, hot concentrated sulfuric acid, etc.), and chromic acid mixture (
K2Cr207-S04), aqua regia, ammonium nitrate solution, ferric nitrate solution, etc.
, aqueous or alcoholic solutions of hydroxides of alkali metals such as , Nb and K, or alkali metals such as Ba and Ca, and ordinary organic solvents. The most common etching method is to use the liquid as described above, but various wet treatments such as spraying the liquid may also be used.

以下図面に従って本発明の構成、あるいは記録方法を述
べる。
The configuration or recording method of the present invention will be described below with reference to the drawings.

第1図は、本発明の基本的構成を示す。FIG. 1 shows the basic configuration of the present invention.

即ち適当な基板1上に、エッチングされる情報記録層2
を、積層する物質によって、蒸着、スパッタリング、或
いは特に有機高分子層の場合には塗布、紫外線、電子ビ
ーム重合法等を用いるなどして公知の方法により形成し
、更にその上にヒートモ−ド層3を同様の方法で形成す
る。第2図a,bおよびcは、ヒートモード層として前
記の一連の物質から選択されたカルコゲン又はカルコゲ
ナィド層を、情報記録層として金属層を用いた例を示す
That is, on a suitable substrate 1, an information recording layer 2 is etched.
Depending on the material to be laminated, it is formed by a known method such as vapor deposition, sputtering, or especially in the case of an organic polymer layer, coating, ultraviolet rays, electron beam polymerization, etc., and then a heat mode layer is formed on it. 3 is formed in a similar manner. Figures 2a, b and c show examples in which a chalcogen or chalcogenide layer selected from the above-mentioned series of materials is used as the heat mode layer and a metal layer is used as the information recording layer.

但しこれらの図において、1,2および3の番号は第1
図と同様に、それぞれ基板、情報記録層およびヒートモ
ード層を示す。第2図aにおいて示す如く、情報に応じ
たエネルギービーム6を照射しその熱により上部のカル
コゲン又はカルコゲナィド層3の一部に凹部(記録ビッ
ト)を形成する。
However, in these figures, numbers 1, 2, and 3 refer to the first
Similarly to the figure, a substrate, an information recording layer, and a heat mode layer are shown, respectively. As shown in FIG. 2a, an energy beam 6 corresponding to information is irradiated, and the heat forms a recess (recording bit) in a part of the upper chalcogen or chalcogenide layer 3.

このときヒートモード層上に、カルコゲン又はカルコゲ
ナィドの飛散物4あるいは除去される部分の周辺の盛り
上がり部5を生じ、このままでは良好な記録盤にはなり
得ない。次いで第2図bの如くカルコゲン層3を溶解せ
ず、且つ金属層2のみを溶解するエッチング液(例えば
通常の酸、あるいは酸化性溶液が用いられる)によって
、ビーム照射部の金属層を選択エッチングする。この時
残ったカルコゲン又はカルコゲナィド層3は、エッチン
グマスクとして作用し、金属層に凹部7(記録ビット)
を形成する。そして第2図cに示す如く、残ったカルコ
ゲン層3、飛散物4および盛り上がり部5等をアルカリ
性エッチング液によってすべて溶解除去すると、従釆の
方法では得られない表面状態の良好な記録が行なえる。
凹部7の側壁が、極めて理想的にエッチングされ、解像
度の点において優れた記録媒体を与える。一般には、ヒ
ートモード層あるいは情報記録層の厚さは、ビームのエ
ネルギーの大きさ、ビームの直径、層を形成する物質の
反射流、熱伝導率、比熱等に依存するので一義的に定め
ることは困難ではあるが、ヒートモード層に対してはエ
ネルギービームによって除去されやすいこと、エネルギ
ービームに対応した部分以外の融解、蒸発等の熱的変化
が起こらないこと、或いは情報記録層および基板がビー
ムにより著しい変化を受けないこと等を考慮すると、お
おむね0.03〜0.5仏の範囲、特に好ましくは0.
05〜0.3山の範囲とするのが良い。
At this time, scatterings 4 of chalcogen or chalcogenide or raised portions 5 around the removed portions are generated on the heat mode layer, and a good recording disc cannot be obtained as it is. Next, as shown in FIG. 2b, the metal layer in the beam irradiated area is selectively etched using an etching solution that does not dissolve the chalcogen layer 3 but only the metal layer 2 (for example, a normal acid or an oxidizing solution is used). do. The chalcogen or chalcogenide layer 3 remaining at this time acts as an etching mask and forms the recesses 7 (recording bits) in the metal layer.
form. Then, as shown in FIG. 2c, by dissolving and removing all the remaining chalcogen layer 3, scattered particles 4, raised portions 5, etc. with an alkaline etching solution, it is possible to record a good surface condition that cannot be obtained with the conventional method. .
The side walls of the recesses 7 are etched very ideally, giving a recording medium excellent in terms of resolution. In general, the thickness of the heat mode layer or information recording layer must be determined uniquely because it depends on the magnitude of the beam energy, the diameter of the beam, the reflected flow of the material forming the layer, thermal conductivity, specific heat, etc. Although it is difficult to do so, the heat mode layer is easily removed by the energy beam, no thermal changes such as melting or evaporation occur in areas other than those corresponding to the energy beam, or the information recording layer and substrate are not exposed to the energy beam. Taking into account that there is no significant change due to the change in temperature, the range is approximately 0.03 to 0.5 degrees, particularly preferably 0.00 degrees.
It is preferable to set it in the range of 0.05 to 0.3.

一方情報記録層の厚みは、ビームによって層のすべてが
除去されないこと或いはエッチング性を良くすること、
再性時のS/N比を大きくとること等の条件から0.1
〜1ムの範囲、特に好ましくは0.2〜0.4の範囲で
あるが、ヒートモード層に比べ厚みに対し厳密な条件が
与えられることはない。たとえば厚い場合には層の途中
までエッチングを行なえば良いのである。なお、エッチ
ングによる情報記録が終わった後、残ったヒートモード
層のすべてを除去する方法として、上記の例ではエッチ
ング液で溶解除去する方法を述べたが、別な方法として
、記録部分に変化を起こさない様に蒸発あるいは溶融除
去する方法等によってもよい。
On the other hand, the thickness of the information recording layer is determined so that not all of the layer is removed by the beam or to improve etching performance.
0.1 due to conditions such as ensuring a large S/N ratio during regeneration.
The thickness is in the range of ~1 μm, particularly preferably in the range of 0.2 to 0.4 μm, but as compared to the heat mode layer, strict conditions are not imposed on the thickness. For example, if the layer is thick, etching may be performed halfway through the layer. In addition, after the information recording by etching is completed, as a method to remove all of the remaining heat mode layer, the above example describes a method of dissolving and removing it with an etching solution, but as another method, it is possible to remove the remaining heat mode layer by dissolving it with an etching solution. A method such as evaporation or melting removal may be used to prevent this from occurring.

更にこの変化例として、情報記録層と基板との機能を兼
ねた充分研摩された金属坂上に、カルコゲン又はカルコ
ゲナイド層をヒートモード層として形成してもよい。
Furthermore, as a variation of this, a chalcogen or chalcogenide layer may be formed as a heat mode layer on a sufficiently polished metal slope that serves both as an information recording layer and a substrate.

この場合にはヒートモード記録の後、金属板をある一定
の深さまでエッチングすれば上記と同様に記録が行なわ
れる。次に、ヒートモード層が金属層で、情報記録層が
有機高分子層である記録媒体の例を述べる。
In this case, after heat mode recording, if the metal plate is etched to a certain depth, recording will be performed in the same manner as described above. Next, an example of a recording medium in which the heat mode layer is a metal layer and the information recording layer is an organic polymer layer will be described.

基板上に前述の高分子から選択された耐酸性の有機高分
子を薄膜状に形成し、更にその上に金属層を上記の例と
同様に形成する。まずエネルギービームにより金属層の
一部を蒸発あるいは融解除去し、次いで残った金属層を
マスクとして有機溶剤によって有機高分子層を選択エッ
チングする。次いで酸あるいは酸化性溶液によって残っ
た金属層、飛散物及び盛り上がり部をすべて溶解除去す
ると上記の例と同様に優れた記録盤となる。なお、ヒー
トモード層を有機高分子層とし、情報記録層を金属層と
した例について簡単に説明すると、ヒートモード層をビ
ームで除去し、次いで酸あるいは酸化性溶液により金属
層を選択エッチングし、次いで有機溶剤により残った有
機高分子層をすべて除去する。ただし、ここで用いられ
た有機高分子層は耐酸性のもので構成されている。なお
この例においても情報記録層と基板との機館を兼ねた金
属板を用いてよい。更に別の1例として、ヒートモード
層をカルコゲン又はカルコゲナィド層9とし、情報記録
層および基板を兼ねた通常のガラス板8を用いた例を第
3図aに示す。
An acid-resistant organic polymer selected from the above-mentioned polymers is formed in the form of a thin film on a substrate, and a metal layer is further formed thereon in the same manner as in the above example. First, a part of the metal layer is evaporated or melted away using an energy beam, and then the organic polymer layer is selectively etched using an organic solvent using the remaining metal layer as a mask. Then, by dissolving and removing all remaining metal layers, scattered objects, and raised portions using acid or an oxidizing solution, an excellent recording disc similar to the above example is obtained. To briefly explain an example in which the heat mode layer is an organic polymer layer and the information recording layer is a metal layer, the heat mode layer is removed with a beam, and then the metal layer is selectively etched with an acid or an oxidizing solution. Next, all remaining organic polymer layers are removed using an organic solvent. However, the organic polymer layer used here is made of acid-resistant material. Note that in this example as well, a metal plate that also serves as a housing for the information recording layer and the substrate may be used. As another example, FIG. 3a shows an example in which a chalcogen or chalcogenide layer 9 is used as the heat mode layer, and an ordinary glass plate 8 is used which also serves as an information recording layer and a substrate.

この時ビーム6の照射により、第2図aと同様に飛散物
10あるいは周辺の盛り上がり部11を生じる。次に第
3図bの如く、カルコゲン又はカルコゲナイド層9をマ
スクとして、フッ化水素酸によってガラス板8の一部を
選択エッチングし凹部(記録ビット)12を形成する。
その後残留したカルコゲン又はカルコゲナィド層9、飛
散物10および盛り上がり部11等をアルカリエッチン
グすれば、第3図cの様に記録が行なわれる。この例は
層構成も極めて単純であり、解像度が良好で且つ処理の
工程も簡略化されたすぐれた記録方法である。なおヒー
トモード層をカルコゲン又はカルコゲナィド層とし、情
報記録層を有機高分子層とした記録方法については、上
記の例と同様であるので省略する。
At this time, due to the irradiation of the beam 6, scattered objects 10 or peripheral raised portions 11 are generated as in FIG. 2a. Next, as shown in FIG. 3B, using the chalcogen or chalcogenide layer 9 as a mask, a portion of the glass plate 8 is selectively etched with hydrofluoric acid to form recesses (recording bits) 12.
Thereafter, by alkali etching the remaining chalcogen or chalcogenide layer 9, scattered objects 10, raised portions 11, etc., recording is performed as shown in FIG. 3c. This example has an extremely simple layer structure, provides good resolution, and is an excellent recording method with simplified processing steps. Note that the recording method in which the heat mode layer is a chalcogen or chalcogenide layer and the information recording layer is an organic polymer layer is the same as the above example, and therefore will not be described here.

本発明の記録方法及び記録媒体は、種々の情報記録媒体
として優れており、例えば、マイクロ画像、超マイクロ
画像、COM、マイクロフアクシミル、ビデオ信号記録
等に中広く応用される。
The recording method and recording medium of the present invention are excellent as various information recording media, and are widely applied to, for example, micro images, super micro images, COM, micro facsimile, video signal recording, etc.

中でもビデオ信号記録用のシートあるいはディスクに対
しての応用は非常に好ましい。即ち、本発明をビデオ信
号用の記録媒体に用いた場合には、リアルタイムで、高
解像の記録が可能であり且つ構成が単純で処理も簡便で
ある。又、情報が記録された状態として記録盤表面が極
めて平滑で、記録ビットの形状も良好となる為、再生信
号のSN比が向上し、又再生素子を痛めることがないの
で寿命も必然的に長くなるという利点を有している。更
に又、本発明の記録媒体は記録後に多数の穣刻盤を得る
為のマスターとして用いた場合、上記の理由から極めて
好ましい。
Among these, application to sheets or disks for recording video signals is very preferable. That is, when the present invention is applied to a recording medium for video signals, real-time, high-resolution recording is possible, and the structure is simple and processing is easy. In addition, since the surface of the recording disk is extremely smooth when information is recorded, and the shape of the recording bits is also good, the S/N ratio of the reproduced signal is improved, and the life of the recording element is naturally shortened because it does not damage the reproduction element. It has the advantage of being long. Furthermore, the recording medium of the present invention is extremely preferable for the above reasons when used as a master for obtaining a large number of carved discs after recording.

本発明における種々の構成のうち、ヒートモード層が除
去されやすいこと、情報記録層あるいは基板が著しくビ
ームにより変化を受けないこと等を考慮した場合、ヒー
トモード層−情報記録層の組み合わせが、カルコゲン又
はカルコゲナィド層−金属層(又は金属板)、有機高分
子層−金属層(又は金属板)、カルコゲン又はカルコゲ
ナィド層ーガラス板のタイプのものが好ましく、又「特
にカルコゲン又はカルコゲナィド層−金属層(又は金属
板)、カルコゲン又はカルコゲナィド層ーガラス板のタ
イプのものが好ましい。本発明の記録方法の為の記録媒
体としては上記の例の種々の態様が好ましく用いられる
Among the various configurations of the present invention, when considering the fact that the heat mode layer is easy to remove and that the information recording layer or the substrate is not significantly changed by the beam, the combination of the heat mode layer and the information recording layer is a chalcogen layer. or a chalcogenide layer-metal layer (or metal plate), an organic polymer layer-metal layer (or metal plate), a chalcogen or chalcogenide layer-glass plate type, and "particularly chalcogen or chalcogenide layer-metal layer (or Types of glass plates (metal plates), chalcogen or chalcogenide layers are preferred.Various embodiments of the above-mentioned examples are preferably used as recording media for the recording method of the invention.

例えば、情報記録層又は基板が熱変形を受けやすい有機
高分子層で構成されている場合、ビームによって不要に
変形することを防ぐ為にヒートモード層と情報記録層と
の間に反射層(一般には反射率の大きな金属層)を設け
たもの、或いはヒートモード層上に反射防止層を設けて
エネルギー効率を上げたもの等であってもよい。以上実
施例により本発明を更に具体的に説明する。
For example, when the information recording layer or the substrate is composed of an organic polymer layer that is susceptible to thermal deformation, a reflective layer (generally Alternatively, an anti-reflection layer may be provided on the heat mode layer to improve energy efficiency. The present invention will be explained more specifically using the examples above.

実施例 1 a 厚さ約1地道蓬約30奴のガラス円板上にCrを厚
さ約0.3ムで真空蒸着した。
Example 1 a Cr was vacuum-deposited to a thickness of about 0.3 mm on a glass disk with a thickness of about 1 mm and about 30 mm.

蒸着条件は、タングステンボード、真空度8×10‐6
tom、義春源温度約1200℃であった。次いでこの
Cr層上にW2S3を厚み約0.3ムで真空黍着した。
蒸着条件は、タングステンボード、真空度1×10‐父
orr、蒸発源温度約700℃であった。
Vapor deposition conditions were tungsten board, vacuum degree 8×10-6
Tom, Yoshiharu source temperature was about 1200℃. Next, W2S3 was vacuum deposited on the Cr layer to a thickness of about 0.3 mm.
The deposition conditions were a tungsten board, a degree of vacuum of 1×10 orr, and an evaporation source temperature of about 700°C.

以上の様にして記録媒体を得た。又、記録に用いた袋贋
は、第4図に図示した基本構成であった。
A recording medium was obtained in the manner described above. The bag counterfeit used for recording had the basic configuration shown in FIG.

即ち出力約IWのアルゴンイオンレーザー13ビデオ信
号14によって駆動される光変調器15、反射鏡16、
集光用の10の音顕微鏡対物レンズ17等からなる光学
系と、この光学系から射出される光ビーム18の光軸に
対し垂直な平面内で回転するターンテーブル19及びそ
の駆動用モーター20、更にターンテーブルの回転に対
応して反射鏡16及び集光レンズ17を一体的に水平方
向に移動する構成を含む駆動系から成っている。この装
置に対して前記記録媒体21をその表面が集光ビーム(
スポットサイズは走査方向の中約1山、それに対して直
角な方向の長さ約3ムの長方形に近い形状をしている。
)の焦点に一致するように取り付けた。ターンテーブル
を毎分180の回転とし、まずヒートモード層(Q2S
3層)に記録を行なった。次に情報記録層のCr届を希
硫酸によりビットがガラス面に達するまでエッチングし
た。更に、上部の技2S3をNaOH・エタノール飽和
溶液で、6秒間溶解除去した。以上の如くして記録が行
なわれた記録媒体を500ぴ音の走査型電子顕微鏡によ
り観察したところ、記録盤の表面には、全く飛散物ある
いは盛り上がりが見られず、又記録ビットの形状も極め
て良好であった。
That is, an argon ion laser 13 with an output of about IW, an optical modulator 15 driven by a video signal 14, a reflector 16,
an optical system consisting of ten sound microscope objective lenses 17 for condensing light, a turntable 19 that rotates in a plane perpendicular to the optical axis of the light beam 18 emitted from this optical system, and a motor 20 for driving the turntable; Furthermore, it consists of a drive system including a structure that moves the reflecting mirror 16 and the condensing lens 17 integrally in the horizontal direction in response to the rotation of the turntable. For this device, the recording medium 21 is placed on the surface of the recording medium 21 with a condensed beam (
The spot size has a nearly rectangular shape with a length of about 3 mm in the direction perpendicular to the middle peak in the scanning direction.
) mounted to match the focus of the image. The turntable was rotated at 180 rpm, and the heat mode layer (Q2S
3 layers). Next, the Cr layer of the information recording layer was etched with dilute sulfuric acid until the bits reached the glass surface. Furthermore, the upper technique 2S3 was dissolved and removed for 6 seconds with a NaOH/ethanol saturated solution. When the recording medium on which recording was performed as described above was observed using a 500-pitch scanning electron microscope, no scattered particles or bulges were observed on the surface of the recording disk, and the shape of the recording bits was also very good. It was good.

更に下記の如くカルコゲン又はカルコゲナィドおよび金
属を変えてヒートモード層及び情報記録層として記録を
行ない、エッチング処理を行なった。
Further, as described below, chalcogen or chalcogenide and metal were changed to perform recording as a heat mode layer and an information recording layer, and an etching process was performed.

なお表には各物質をエッチングあるいは溶解除去する為
に用いた液と共に示してあり、又これらの物質を層形成
する場合には、いずれも上記のa)と類似の黍着条件で
行なった。これらの記録媒体はいずれもa)の例と同様
に良好な結果を与えた。
The table also shows the liquid used for etching or dissolving and removing each substance, and when forming layers of these substances, the deposition conditions were similar to those in a) above. All of these recording media gave good results similar to example a).

実施例 2 充分に平面研磨された厚さ数側直径30肌のA〆円板上
に実施例1と同様の条件で真空黍着によりWS層(厚さ
約0.2〃)を形成し記録媒体とした。
Example 2 A WS layer (thickness approximately 0.2〃) was formed by vacuum deposition under the same conditions as in Example 1 on an A-finish disk with a diameter of 30 mm on a side surface that had been thoroughly polished and recorded. It was used as a medium.

次いで実施例1で用いた記録装置によりヒートモード層
に記録を行ない塩酸によりAそ板を選択エッチング(深
さ約0.2r)した後希Na2C03溶液を用いて戊S
を短時間溶解除去し記録盤を得た。記録盤の表面は、わ
ずかに変化していたが、表面および記録ビットの状態は
かなり良好であり、実用上充分な解像度を有していた。
実施例 3 ポリメタクリル酸メチルをバーコード又はディッピング
コート法により厚さ約1の、直径30肌のガラス基板上
に約1山の均一な層に形成し、その上にTeを厚さ0.
1叫こ真空蒸着して記録媒体とした。
Next, recording was performed on the heat mode layer using the recording device used in Example 1, and the A base plate was selectively etched (to a depth of about 0.2 r) using hydrochloric acid, and then the A base plate was selectively etched using a dilute Na2C03 solution.
was dissolved and removed for a short time to obtain a record disc. Although the surface of the recording disk had changed slightly, the condition of the surface and recording bits was quite good, and the resolution was sufficient for practical use.
Example 3 Polymethyl methacrylate is formed into a uniform layer of about 1 layer on a glass substrate with a thickness of about 1 mm and a diameter of 30 mm using a bar code or dip coating method, and Te is coated on top of it with a thickness of about 0.3 mm.
A recording medium was prepared by vacuum evaporation.

実施例1と同じ装置を用い、又レーザービームの出力を
約500hWとして直径1〆程度のヒートモードを行な
った。
The same apparatus as in Example 1 was used, and the laser beam output was set at about 500 hW to perform heat mode with a diameter of about 1 mm.

更にメチルエチルケトンによって残ったTe層をマスク
としてポリメタクリル酸メチルを選択エッチング(深さ
約0.3山)した後濃NaOH液によりTe層を溶解除
去した。最終的に得られた記録盤の表面は極めて平滑で
あり、又記録ビットの状態も良好で1000本/肋以上
の充分な解像度を有していた。更に上記の例においてポ
リメタクリル酸メチルの代わりにポリエチレンを用いて
同様の構成とした。
Furthermore, polymethyl methacrylate was selectively etched (about 0.3 mounds in depth) using the remaining Te layer as a mask using methyl ethyl ketone, and then the Te layer was dissolved and removed using a concentrated NaOH solution. The surface of the finally obtained recording disk was extremely smooth, and the recording bits were in good condition and had a sufficient resolution of 1000 lines/rib or more. Furthermore, a similar structure was obtained by using polyethylene instead of polymethyl methacrylate in the above example.

即ち、同一のベルジャー内において、ポリエチレン層を
約0.3ムの厚みで真空蒸着(条件:ボート温度約28
0〜290℃、真空度1×10‐4tom)により極め
て徐々に形成し、続いてTeの代わりにSe別Te5。
層を厚み約0.07ムで真空葵着して記録媒体とした。
実施例1と同じ記録装置で、ヒートモード記録装置で、
ヒートモード記録を行なった。ポリエチレンのエッチン
グ液にベンゼンの温浴を用いたほかは上記と同様にして
処理を行なった。得られた記録盤の状態は上記の例と同
機であった。実施例 4 実施例3と同様にしてガラス板上にポリメタクリル酸メ
チルの層をコーティングし、更にその上にBiを真空葵
着により(条件;ボート温度790℃、真空度3〜4×
10‐予orr)厚さ約0.1ムで形成して記録媒体と
した。
That is, in the same bell jar, a polyethylene layer was vacuum-deposited to a thickness of about 0.3 μm (conditions: boat temperature about 28 μm).
0 to 290° C. and a vacuum degree of 1×10-4 tom), followed by Te5 with Se instead of Te.
The layer was vacuum-deposited to a thickness of about 0.07 mm to form a recording medium.
With the same recording device as in Example 1, with a heat mode recording device,
Heat mode recording was performed. The treatment was carried out in the same manner as above except that a benzene hot bath was used as the etching solution for polyethylene. The condition of the record disc obtained was the same as that of the above example. Example 4 A layer of polymethyl methacrylate was coated on a glass plate in the same manner as in Example 3, and Bi was further applied on top of it by vacuum deposition (conditions: boat temperature 790°C, vacuum degree 3-4×
10-Pre-orr) A recording medium was formed with a thickness of about 0.1 mm.

実施例3と同様の方法及び条件でBi層にヒートモード
記録を行ない、メチルエチルケトンによってポリメタク
リル酸メチルをエッチングした後希HN03によって残
ったBi層をすべて溶解除去し、記録盤とした。記録盤
の表面及び記録トラックの状態は良好であった。実施例
5実施例1の基板と同様の基板上にCr層を厚み約0
.3山で真空蒸着した。
Heat mode recording was performed on the Bi layer using the same method and conditions as in Example 3, and after etching the polymethyl methacrylate with methyl ethyl ketone, all the remaining Bi layer was dissolved and removed with dilute HN03 to prepare a recording disk. The surface of the record and the recording tracks were in good condition. Example 5 A Cr layer with a thickness of approximately 0 was formed on a substrate similar to that of Example 1.
.. Vacuum deposition was performed on three peaks.

更にその上にポリエチレンを約0.1ムの厚みで真空蒸
着した。これらの蒸着条件は、実施例1および3とほぼ
同様であった。この記録媒体に、実施例1に用いた装置
によりヒートモード記録を行なった。
Further, polyethylene was vacuum-deposited thereon to a thickness of about 0.1 μm. These vapor deposition conditions were almost the same as in Examples 1 and 3. Heat mode recording was performed on this recording medium using the apparatus used in Example 1.

なおレーザービームの出力は約500Wであった。次に
、残ったポリエチレン層をマスクとして濃塩酸を用いて
短時間Cr層のエッチングを行ない、その後残ったポリ
エチレン層をベンゼンの温浴により溶解除去した。
Note that the output of the laser beam was approximately 500W. Next, the Cr layer was etched for a short time using concentrated hydrochloric acid using the remaining polyethylene layer as a mask, and then the remaining polyethylene layer was dissolved and removed in a benzene warm bath.

この様にして得られた記録盤の表面およびトラックの状
態は実施例1,2および3と同様に極めて理想的な結果
を得た。実施例 6実施例2において用いたAそ円板上
にポリエチレン層を実施例3と同様の条件で真空蒸着法
で厚さ約0.3″に形成した記録媒体とした。
As with Examples 1, 2, and 3, the surface and track conditions of the recording disc thus obtained were extremely ideal. Example 6 A recording medium was prepared in which a polyethylene layer was formed to a thickness of about 0.3'' by vacuum evaporation under the same conditions as in Example 3 on the A disk used in Example 2.

実施例1と同様の記録装置によりレーザービーム出力約
2Wとして直径約1ムのヒートモード記録を行なった。
次いで希NaOH溶液を用いてAそのエッチングを行な
い(深さ約0.3仏)、最後にベンゼンの温浴によりポ
リエチレン層をすべて溶解除去して記録盤を得た。実施
例5と同様に、記録の状態は良好であった。実施例 7 充分に平面研磨された厚さ1の、直径30弧の円板状ガ
ラス基板上に、真空蒸着により戊2S3層を厚さ約0.
3〃で形成媒体とした。
Heat mode recording with a diameter of about 1 mm was performed using the same recording apparatus as in Example 1 with a laser beam output of about 2 W.
Next, etching was performed using a dilute NaOH solution (to a depth of approximately 0.3 mm), and finally, the polyethylene layer was completely dissolved and removed in a benzene hot bath to obtain a recording disk. As in Example 5, the recording condition was good. Example 7 On a disk-shaped glass substrate with a thickness of 1 and a diameter of 30 arc, which has been thoroughly polished, a 2S3 layer is deposited to a thickness of about 0.0mm by vacuum evaporation.
3 was used as a forming medium.

次に実施例1で用いた装置によってヒートモード記録を
行なった。その後10%フッ化水素酸により約5秒間ガ
ラス板をエッチングし(深さ約0.3仏)、次いでアル
カリエッチングによって金夕3層をすべて溶解除去した
。記録ビット、記録媒体表面の状態はきわめて良好であ
った。又、ヒートモード層としてQS,Bi2S3,A
s2S3を選んでそれぞれ記録をおこなったところ、同
様に良好な記録が行なえた。
Next, heat mode recording was performed using the apparatus used in Example 1. Thereafter, the glass plate was etched for about 5 seconds with 10% hydrofluoric acid (to a depth of about 0.3 French), and then all three Kinu layers were dissolved and removed by alkali etching. The recording bits and the surface of the recording medium were in very good condition. In addition, as a heat mode layer, QS, Bi2S3, A
When s2S3 was selected and recorded, similarly good recording was achieved.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の記録媒体の基本的構成を示す断面図、
第2図および第3図は本発明の記録方法の一態様を示す
断面図、第4図は記録に用いた装贋を示す説明図である
。 図面において、1は基板、2はエッチングをされる情報
記録層、3はヒートモード層、4はヒートモード層の飛
散物、5は除去部の周辺の盛り上がり部、6はしーザー
ピーム、7は情報の記録ビット、8はガラス板、9はヒ
ートモード層、10はヒートモードによる飛散物、11
は除去部の周辺の盛り上がり都、12は記録ビット、1
3はアルゴンイオンレーザー、14はビデオ信号、15
は光変調器、16は反射鏡、17は集光レンズ、18は
ビーム、19は夕」ンテーフル、20は駆動用モーター
、21は記録媒体を各々示す。 rわ「 稀ノ図 第3図 第2図 第4図
FIG. 1 is a sectional view showing the basic structure of the recording medium of the present invention;
FIGS. 2 and 3 are cross-sectional views showing one embodiment of the recording method of the present invention, and FIG. 4 is an explanatory view showing a counterfeit device used for recording. In the drawings, 1 is a substrate, 2 is an information recording layer to be etched, 3 is a heat mode layer, 4 is a scattering of the heat mode layer, 5 is a raised part around the removed part, 6 is a laser beam, and 7 is information recording bits, 8 is a glass plate, 9 is a heat mode layer, 10 is a scattering object caused by heat mode, 11
is the rising capital around the removal part, 12 is the recording bit, 1
3 is an argon ion laser, 14 is a video signal, 15
16 is a light modulator, 16 is a reflecting mirror, 17 is a condensing lens, 18 is a beam, 19 is a mirror, 20 is a driving motor, and 21 is a recording medium. rwa " Rare drawings Figure 3 Figure 2 Figure 4

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 ヒートモード層およびエツチングされる記録層を有
する記録媒体上に、エネルギービームを選択的に照射し
エネルギービームにより発生する熱でヒートモード層を
選択除去する工程、ヒートモード層をエツチングマスク
として記録層の露出部をエツチング除去する工程、およ
び残留するヒートモード層を除去する工程を有するヒー
トモード記録方法。
1 A step of selectively irradiating an energy beam onto a recording medium having a heat mode layer and a recording layer to be etched, and selectively removing the heat mode layer with the heat generated by the energy beam, using the heat mode layer as an etching mask to remove the recording layer. A heat mode recording method comprising a step of etching away an exposed portion of the layer, and a step of removing a remaining heat mode layer.
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