JPS6031082B2 - 抵抗回路基板の製造方法 - Google Patents
抵抗回路基板の製造方法Info
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- JPS6031082B2 JPS6031082B2 JP15381476A JP15381476A JPS6031082B2 JP S6031082 B2 JPS6031082 B2 JP S6031082B2 JP 15381476 A JP15381476 A JP 15381476A JP 15381476 A JP15381476 A JP 15381476A JP S6031082 B2 JPS6031082 B2 JP S6031082B2
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、プリント抵抗回路の製作に用いられる抵抗回
路基板の製造方法に関する。
路基板の製造方法に関する。
抵抗回路基板は、通常、絶縁支持体層、その支持体層上
に接合された電気抵抗材料層、および、その電気抵抗材
料層に接合された高導電材料層からなる積層体であり、
プリント抵抗回路の製作にあたっては、作成すべき回路
パターンに従って、絶縁領域(支持体上の全層が除去さ
れる)、抵抗領域(導電材料層が除去される)、並びに
導電領域(いずれの層も除去されない)が、通常はマス
クエッチング法により形成される。
に接合された電気抵抗材料層、および、その電気抵抗材
料層に接合された高導電材料層からなる積層体であり、
プリント抵抗回路の製作にあたっては、作成すべき回路
パターンに従って、絶縁領域(支持体上の全層が除去さ
れる)、抵抗領域(導電材料層が除去される)、並びに
導電領域(いずれの層も除去されない)が、通常はマス
クエッチング法により形成される。
このような抵抗回路基板の製法について、最近種々の提
案がなされているが、それぞれ問題が残されており、製
造者又は使用者にとって充分に満足できるものは現れて
いない。
案がなされているが、それぞれ問題が残されており、製
造者又は使用者にとって充分に満足できるものは現れて
いない。
例えば、セラミックス又はプラスチックの電気絶縁材料
よりなる支持体上に無電解〆ッキにより析出させた金属
皮膜を抵抗体とし、次いでその抵抗体層の上に高導電材
料層を設ける方法においては、絶縁支持体層と抵抗体層
間の接着力が弱く、通電中に剥離したり脹れが生じたり
する問題があった。
よりなる支持体上に無電解〆ッキにより析出させた金属
皮膜を抵抗体とし、次いでその抵抗体層の上に高導電材
料層を設ける方法においては、絶縁支持体層と抵抗体層
間の接着力が弱く、通電中に剥離したり脹れが生じたり
する問題があった。
そのため、例えば特関昭49一54861号公報に提案
されているように、絶縁支持体層に無電解〆ツキの密着
良好なるゴム系接着剤を塗布して30〜60分加熱し、
加硫硬化して接着剤層を形成し、次いでクロム酸−硫酸
系の酸化剤を用いて接着剤層表面を化学相面化し、さら
に増減剤溶液中に浸潰して活性化処理を行ったのち、抵
抗材料を無電解〆ッキ法により析出させるという煩雑な
工程を経る必要があった。また、上記活性化処理は塩化
第一錫などの格に浸潰して感受性化し、更に、塩化パラ
ジウムなどの溶に浸潰して活性化するものであって、各
処理段階での処理条件の変動により無電解〆ッキにおけ
る抵抗体層の成長速度及び結晶性が変動し易く、シート
抵抗値などの特性がばらつくため生産管理上に困難な問
題があった。また例えば、高導電材料の箔の片面に電解
メッキにより電気抵抗体層を設けたのち、その上に絶縁
材料の支持体を接着する方法においては、電気メッキに
より安定に得られる抵抗体層のシート抵抗値はせし、ぜ
し、1000/口以下であって高抵抗のものが得難く、
電気技術者を到底満足させることができない。例えば、
この点で最も進歩している組成は、ニッケルーリン系の
電解メッキであるが、これとても安定に製造できるシー
ト抵抗値は100〜2000/口が限界であり、そのた
めには膜厚を0.1仏以下にする必要があり、0.1仏
程度の膜厚を均一化することは至難である。このように
電気メッキ法においては膜厚に限界があるため、形成さ
れた抵抗体パターンの長さを増大させることにより見か
け上のシート抵抗値の増大を計る試みがなされている。
すなわち、特開昭49−103151号公報の提案によ
るものは、高導電体層となる銅箔上に予め粗面化処理を
施して凹凸面とし表面積を拡大しておいてから抵抗材料
の電気メッキを行う方法であるが、表面積の増大に比べ
て抵抗値が増大せず実用城には程遠いものである。一般
に、平板状材料の表面に電気メッキを行う場合、平板上
のいかなる点にリード線を接続しようとも平板上の各点
における電流密度に差異が生ずるから、数10加平方も
の大形の平板上に数仏程度以下の均一な薄膜を電気メッ
キにより生成することは本質的に無理がある。
されているように、絶縁支持体層に無電解〆ツキの密着
良好なるゴム系接着剤を塗布して30〜60分加熱し、
加硫硬化して接着剤層を形成し、次いでクロム酸−硫酸
系の酸化剤を用いて接着剤層表面を化学相面化し、さら
に増減剤溶液中に浸潰して活性化処理を行ったのち、抵
抗材料を無電解〆ッキ法により析出させるという煩雑な
工程を経る必要があった。また、上記活性化処理は塩化
第一錫などの格に浸潰して感受性化し、更に、塩化パラ
ジウムなどの溶に浸潰して活性化するものであって、各
処理段階での処理条件の変動により無電解〆ッキにおけ
る抵抗体層の成長速度及び結晶性が変動し易く、シート
抵抗値などの特性がばらつくため生産管理上に困難な問
題があった。また例えば、高導電材料の箔の片面に電解
メッキにより電気抵抗体層を設けたのち、その上に絶縁
材料の支持体を接着する方法においては、電気メッキに
より安定に得られる抵抗体層のシート抵抗値はせし、ぜ
し、1000/口以下であって高抵抗のものが得難く、
電気技術者を到底満足させることができない。例えば、
この点で最も進歩している組成は、ニッケルーリン系の
電解メッキであるが、これとても安定に製造できるシー
ト抵抗値は100〜2000/口が限界であり、そのた
めには膜厚を0.1仏以下にする必要があり、0.1仏
程度の膜厚を均一化することは至難である。このように
電気メッキ法においては膜厚に限界があるため、形成さ
れた抵抗体パターンの長さを増大させることにより見か
け上のシート抵抗値の増大を計る試みがなされている。
すなわち、特開昭49−103151号公報の提案によ
るものは、高導電体層となる銅箔上に予め粗面化処理を
施して凹凸面とし表面積を拡大しておいてから抵抗材料
の電気メッキを行う方法であるが、表面積の増大に比べ
て抵抗値が増大せず実用城には程遠いものである。一般
に、平板状材料の表面に電気メッキを行う場合、平板上
のいかなる点にリード線を接続しようとも平板上の各点
における電流密度に差異が生ずるから、数10加平方も
の大形の平板上に数仏程度以下の均一な薄膜を電気メッ
キにより生成することは本質的に無理がある。
勿論最近は、いくつかの補助電極を併用するなどの改良
がなされてはいるが、それでもなお、外周部の膜厚が厚
くなる部分を数伽乃至1項数加除去して廃棄している現
状であって経済上着過しえない問題がある。さらに例え
ば、特関昭50−71513号公報にみられるように、
二元合金の電気メッキにより抵抗体層を設ける方法が提
案されているが、高抵抗化に対してはそれ程有効でなく
、メッキ膜及びメッキ俗の組成の管理に困難な問題が残
されている。
がなされてはいるが、それでもなお、外周部の膜厚が厚
くなる部分を数伽乃至1項数加除去して廃棄している現
状であって経済上着過しえない問題がある。さらに例え
ば、特関昭50−71513号公報にみられるように、
二元合金の電気メッキにより抵抗体層を設ける方法が提
案されているが、高抵抗化に対してはそれ程有効でなく
、メッキ膜及びメッキ俗の組成の管理に困難な問題が残
されている。
本発明者は上記を鑑み、抵抗体層におけるシート抵抗値
が大きく、かつ、各層間の接着力が強い抵抗回路基板の
製法、並びに品質が均一かつ安定でしかも経済性に優れ
た製法の開発を目的として、種々研究を重ねた結果、高
導電体の板の片面にニッケルを主成分とする無電解〆ッ
キにより抵抗体層を析出させ、この抵抗体層の表面に絶
縁体を支持体として後合した構成とすることにより、上
述の種々の問題点を解決するに至ったものである。もっ
とも、前述した如く無電解〆ツキにより電気絶縁材料に
よりなる支持体上に抵抗体層を設けること自体は従来よ
り知られていたことであるが、非電解槽法は準安定およ
び自己触媒作用形態であり、しかも析出物組成が温度の
関数となるため再現性に乏しく、積層回路基板の製法と
して適当でないとの考え方が支配的であった。
が大きく、かつ、各層間の接着力が強い抵抗回路基板の
製法、並びに品質が均一かつ安定でしかも経済性に優れ
た製法の開発を目的として、種々研究を重ねた結果、高
導電体の板の片面にニッケルを主成分とする無電解〆ッ
キにより抵抗体層を析出させ、この抵抗体層の表面に絶
縁体を支持体として後合した構成とすることにより、上
述の種々の問題点を解決するに至ったものである。もっ
とも、前述した如く無電解〆ツキにより電気絶縁材料に
よりなる支持体上に抵抗体層を設けること自体は従来よ
り知られていたことであるが、非電解槽法は準安定およ
び自己触媒作用形態であり、しかも析出物組成が温度の
関数となるため再現性に乏しく、積層回路基板の製法と
して適当でないとの考え方が支配的であった。
本発明者は、上述の不安定要因の究明について多くの実
験を重ねた結果、得られる抵抗値が安定しないのはメッ
キの膜厚がバッチごとに変動するためで、これは抵抗体
層を析出させる無電解〆ッキ工程自体の再現性に問題が
あるのではなく、この工程に先立つ、電気絶縁材料製支
持体の感受性化工程及び活性化工程における感受性化、
活性化の再現性が悪いために無電解〆ッキ工程での皮膜
成長に再現性が得られず、結果として、所望抵抗値のも
のが安定に得られなくなるという事実を突きとめた。
験を重ねた結果、得られる抵抗値が安定しないのはメッ
キの膜厚がバッチごとに変動するためで、これは抵抗体
層を析出させる無電解〆ッキ工程自体の再現性に問題が
あるのではなく、この工程に先立つ、電気絶縁材料製支
持体の感受性化工程及び活性化工程における感受性化、
活性化の再現性が悪いために無電解〆ッキ工程での皮膜
成長に再現性が得られず、結果として、所望抵抗値のも
のが安定に得られなくなるという事実を突きとめた。
そこで本発明者は、導電体の薄板又は箔の片面に無電解
〆ッキを行なえば前述の如き、感受性化処理及び活性化
処理が不要となり、抵抗体層の製作に高い再現性を与え
ることを発見した。
〆ッキを行なえば前述の如き、感受性化処理及び活性化
処理が不要となり、抵抗体層の製作に高い再現性を与え
ることを発見した。
また、製作工程における再現性を高めることは、とりも
直さず膜厚の制御を高めることになり、本発明において
膜厚0.1Aを均一に製作することが可能であることを
実証した。従って、シート抵抗値、数Qから700〜8
000/口までの基板を安定かつ容易に製作することが
可能となった。さらに本発明によれば、電解メッキ法に
おけるように、電流密度不均一によるメッキ製品の周辺
を削除して廃棄する必要もなく、非常に経済性に優れて
いることが認められた。本発明の抵抗回路基板の製造方
法は、高導電体層となる銅板の片面にメッキレジスト処
理を施したのち、ニッケルを含む無電鱗液に浸潰して上
記録板の他の片面に抵抗体層を析出させ、次に上記抵抗
体層の表面に絶縁支持体を接合させることを特徴として
いる。
直さず膜厚の制御を高めることになり、本発明において
膜厚0.1Aを均一に製作することが可能であることを
実証した。従って、シート抵抗値、数Qから700〜8
000/口までの基板を安定かつ容易に製作することが
可能となった。さらに本発明によれば、電解メッキ法に
おけるように、電流密度不均一によるメッキ製品の周辺
を削除して廃棄する必要もなく、非常に経済性に優れて
いることが認められた。本発明の抵抗回路基板の製造方
法は、高導電体層となる銅板の片面にメッキレジスト処
理を施したのち、ニッケルを含む無電鱗液に浸潰して上
記録板の他の片面に抵抗体層を析出させ、次に上記抵抗
体層の表面に絶縁支持体を接合させることを特徴として
いる。
無電解〆ッキによる抵抗体層の組成は、例えば、ニッケ
ル、ニッケルーリン、ニッケルーホウ素、ニッケル−鉄
、ニッケルークロム、ニッケルーコバルト、ニッケルー
マグネシウム、ニッケル−鉄−リン、ニッケル−鉄ーホ
ウ素、ニッケルークロムーリン、ニッケルークロムーホ
ウ素、ニッケルーコバルトーリン、ニッケルーコバルト
ーホウ素、ニッケルーマグネシウムーリン、及びニッケ
ルーマグネシウムーホゥ素から成る群から選択される。
ル、ニッケルーリン、ニッケルーホウ素、ニッケル−鉄
、ニッケルークロム、ニッケルーコバルト、ニッケルー
マグネシウム、ニッケル−鉄−リン、ニッケル−鉄ーホ
ウ素、ニッケルークロムーリン、ニッケルークロムーホ
ウ素、ニッケルーコバルトーリン、ニッケルーコバルト
ーホウ素、ニッケルーマグネシウムーリン、及びニッケ
ルーマグネシウムーホゥ素から成る群から選択される。
絶縁支持体は、ガラスーェポキシ、紙−ェポキシ又は紙
−フェノール等の各種の積層板、或いは中層にヒートシ
ンク用アルミ板等を内蔵した積層板が用いられる。本発
明において「接合」とは、二物体の接合面をつぎ合わせ
て積層体に加工することを意味し、接着剤による接着、
ヒートシール、超音波シール等の融着を含む。次に本発
明の効果を列挙する。
−フェノール等の各種の積層板、或いは中層にヒートシ
ンク用アルミ板等を内蔵した積層板が用いられる。本発
明において「接合」とは、二物体の接合面をつぎ合わせ
て積層体に加工することを意味し、接着剤による接着、
ヒートシール、超音波シール等の融着を含む。次に本発
明の効果を列挙する。
‘1} 従来品と対比して格段にシート抵抗値の高いも
のが得られた。
のが得られた。
すなわち、電解法ではせし、ぜし、100〜2000/
口が限界であったが、本発明によれば、数Q/□から7
00〜8000/口の広範囲にわたり容易に製作するこ
とができた。‘2〕従来法にみられたような、接着力を
増大させるための接着剤の塗布及びそれに伴う処理、活
性化処理及び感受性化処理等の前処理が不必要となり、
後述する実施例で明らかなように、工程が非常に簡素化
された。
口が限界であったが、本発明によれば、数Q/□から7
00〜8000/口の広範囲にわたり容易に製作するこ
とができた。‘2〕従来法にみられたような、接着力を
増大させるための接着剤の塗布及びそれに伴う処理、活
性化処理及び感受性化処理等の前処理が不必要となり、
後述する実施例で明らかなように、工程が非常に簡素化
された。
‘3丁一辺数10伽以上の平板においても全面にわたっ
て均一な抵抗体層を析出させることができた。
て均一な抵抗体層を析出させることができた。
従って電解法にみられたように周辺部を廃棄するという
無駄がなくなった。次に、本発明による抵抗回路基板の
製法と、この基板から抵抗回路を形成する方法につき、
実施例により説明する。
無駄がなくなった。次に、本発明による抵抗回路基板の
製法と、この基板から抵抗回路を形成する方法につき、
実施例により説明する。
実施例 1
厚さ3秋(1平方メートル当りの重量が1オンス)のた
て50cmよこ50cのの電解銅箔(例えば福田金属社
製)の光沢のよい片面にメッキレジスト用EP刷インク
(室町化学工業株式会社製、メッキレジスト処理MT−
150)を全面に塗布、乾燥後、これを洗浄液(シップ
レィ社製、ニュートラ・クリーン68の濃縮液1容量に
当し水1容量の割合で稀釈した後、温度4000)に3
分間浸潰し、水洗のうえ、更に10%硫酸水(温度室温
)に3分間浸潰し、水洗後、無電解ニッケルメッキ俗(
日本カニゼン社製、ブルーシューマ−(商品名)を1び
部こ稀釈したもの、温度530o)に3硯砂間、鉄製引
掛具により吊下げて濠潰し、メッキを行ったのち、温水
にて水洗し、片面に塗布したレジスト用インクを剥離し
、水洗し、乾燥する(抵抗層厚み1,000A)。
て50cmよこ50cのの電解銅箔(例えば福田金属社
製)の光沢のよい片面にメッキレジスト用EP刷インク
(室町化学工業株式会社製、メッキレジスト処理MT−
150)を全面に塗布、乾燥後、これを洗浄液(シップ
レィ社製、ニュートラ・クリーン68の濃縮液1容量に
当し水1容量の割合で稀釈した後、温度4000)に3
分間浸潰し、水洗のうえ、更に10%硫酸水(温度室温
)に3分間浸潰し、水洗後、無電解ニッケルメッキ俗(
日本カニゼン社製、ブルーシューマ−(商品名)を1び
部こ稀釈したもの、温度530o)に3硯砂間、鉄製引
掛具により吊下げて濠潰し、メッキを行ったのち、温水
にて水洗し、片面に塗布したレジスト用インクを剥離し
、水洗し、乾燥する(抵抗層厚み1,000A)。
その後メッキ面に絶縁支持体を通常の方法により接合し
て本発明の抵抗回路基板を得る。次に、抵抗回路の形成
法について述べる。作成すべき導体パターンに相当する
部分に厚さ約1岬の半田をパターンメッキしたのち、作
成すべき抵抗体パターンに相当する部分にレジスト用イ
ンクを塗布し、その後、下記の腐蝕液により銅箔の露出
部分をエッチング除去する。銅箔エッチング条件 腐蝕液 Cの3 30雌濃硫酸
3鬼水 1そ 温 度 50午0 次に、上記のエッチングで露出した抵抗層を下記の腐蝕
液によりエッチング除去する。
て本発明の抵抗回路基板を得る。次に、抵抗回路の形成
法について述べる。作成すべき導体パターンに相当する
部分に厚さ約1岬の半田をパターンメッキしたのち、作
成すべき抵抗体パターンに相当する部分にレジスト用イ
ンクを塗布し、その後、下記の腐蝕液により銅箔の露出
部分をエッチング除去する。銅箔エッチング条件 腐蝕液 Cの3 30雌濃硫酸
3鬼水 1そ 温 度 50午0 次に、上記のエッチングで露出した抵抗層を下記の腐蝕
液によりエッチング除去する。
抵抗層エッチング条件
腐蝕液 Fe2(S04)3 40雌
濃硫酸 200の上水
1〆以下 温 度 50qC 次に、抵抗体パターン上のレジスト用インクを剥離後、
抵抗体パターンに沿って露出した銅を上述の銅箔エッチ
ング用腐蝕液でエッチング除去する。
濃硫酸 200の上水
1〆以下 温 度 50qC 次に、抵抗体パターン上のレジスト用インクを剥離後、
抵抗体パターンに沿って露出した銅を上述の銅箔エッチ
ング用腐蝕液でエッチング除去する。
そして、水洗乾燥後、露出した抵抗体部分をソルダーレ
ジストにて被覆したのち、乾燥、硬化して所望の抵抗回
路板を得る。このようにして得られた抵抗体の特性は、
シ−ト抵抗値が2500/口、抵抗温度係数は−500
0から100qoの範囲で−10側皿/00であった。
ジストにて被覆したのち、乾燥、硬化して所望の抵抗回
路板を得る。このようにして得られた抵抗体の特性は、
シ−ト抵抗値が2500/口、抵抗温度係数は−500
0から100qoの範囲で−10側皿/00であった。
また、上記の抵抗体回路基板をそのまま5000の前出
の銅箔用腐蝕液により銅箔をすべてエッチング除去して
抵抗体層を露出させた。得られた抵抗体層の図面に示す
A,B,C,D各領域でのシート抵抗値はいずれも25
00/口であり、各領域におけるシート抵抗値にバラッ
キがなく、且つシート抵抗値も大であった。
の銅箔用腐蝕液により銅箔をすべてエッチング除去して
抵抗体層を露出させた。得られた抵抗体層の図面に示す
A,B,C,D各領域でのシート抵抗値はいずれも25
00/口であり、各領域におけるシート抵抗値にバラッ
キがなく、且つシート抵抗値も大であった。
比較例 1 :
厚さ3かの電解鋼箔(例えば福田金属社製)の光沢のよ
い片面にメッキレジスト用印刷インクを全面に塗布、乾
燥後、これを洗浄液(シップレィ社製、ニュートラ・ク
リーン68の濃縮液1容量に対し水1容量の割合で稀釈
した液、温度4000)に3分間浸潰し、水洗のうえ、
更に10%硫酸水(温度室温)に3分間浸潰し、水洗後
、下記配合のメッキ俗を用い、下記メッキ条件にて電解
メッキを行なった。
い片面にメッキレジスト用印刷インクを全面に塗布、乾
燥後、これを洗浄液(シップレィ社製、ニュートラ・ク
リーン68の濃縮液1容量に対し水1容量の割合で稀釈
した液、温度4000)に3分間浸潰し、水洗のうえ、
更に10%硫酸水(温度室温)に3分間浸潰し、水洗後
、下記配合のメッキ俗を用い、下記メッキ条件にて電解
メッキを行なった。
メッキ裕配合
硫酸ニッケル(6水塩) 37.5g′そ塩
化ニッケル(6水塩) 11.槍/〆炭酸ニ
ッケル 7.1g/そりン酸
12.3g/そ亜リン酸
7.殿/そメッキ条件pHO.
5,温度2000,電流密度2A/d〆,時間30秒得
られた抵抗体層は銅箔を温水にて水洗し、片面に塗布し
たレジスト用インクを剥離し、水洗し、乾燥する(抵抗
体層厚み1,000A)。
化ニッケル(6水塩) 11.槍/〆炭酸ニ
ッケル 7.1g/そりン酸
12.3g/そ亜リン酸
7.殿/そメッキ条件pHO.
5,温度2000,電流密度2A/d〆,時間30秒得
られた抵抗体層は銅箔を温水にて水洗し、片面に塗布し
たレジスト用インクを剥離し、水洗し、乾燥する(抵抗
体層厚み1,000A)。
その後メッキ面に絶縁支持体を通常の方法により接合し
て抵抗回路基板を得た。得られた回路基板を実施例1で
用いた銅箔用腐蝕液を用い50ooで銅箔をすべてエッ
チング除去して抵抗体層を露出させた。
て抵抗回路基板を得た。得られた回路基板を実施例1で
用いた銅箔用腐蝕液を用い50ooで銅箔をすべてエッ
チング除去して抵抗体層を露出させた。
得られた抵抗体層の図面に示すA,B,C,D各領域で
のシート抵抗値は下記の通りであり、各領域におけるシ
ート抵抗値のバラッキが大で、且つシート抵抗値も低い
ものであった。
のシート抵抗値は下記の通りであり、各領域におけるシ
ート抵抗値のバラッキが大で、且つシート抵抗値も低い
ものであった。
A……300/口
B・・・・・・13〜29Q/口
C・・…・5〜120/口
D・・・・・・40/口以下
実施例 2:
実施例1と同様の処理を施した銅箔に下記配合の無電解
〆ッキを行い皮膜抵抗を析出させる。
〆ッキを行い皮膜抵抗を析出させる。
無電解〆ッキ液の配合等塩化ニッケル
20g′そ塩化コバルト(6水和物)
12g′そ次亜リン酸ソーダ
11g′そ塩化アンモニウム 5
0g/そpH
9温 度
60q○メッキ時間3の砂のとき、得られた抵抗体
の特性は、シート抵抗値6000/口、抵抗温度係数は
−50o0から10000の範囲で−20■肌/00で
あった。
20g′そ塩化コバルト(6水和物)
12g′そ次亜リン酸ソーダ
11g′そ塩化アンモニウム 5
0g/そpH
9温 度
60q○メッキ時間3の砂のとき、得られた抵抗体
の特性は、シート抵抗値6000/口、抵抗温度係数は
−50o0から10000の範囲で−20■肌/00で
あった。
実施例 3:実施例1と同機の処理を施した銅箔に下記
配合の無電解〆ッキを行い皮膜抵抗を析出させる。
配合の無電解〆ッキを行い皮膜抵抗を析出させる。
無電解〆ッキ液の配合等塩化ニッケル
2雌′そ塩化マグネシウム(7水和物) 1
を′と次亜リン酸ソーダ 11g/
そ塩化アンモニウム 50g/そ
pH
7温度 500
0メッキ時間1分のとき、得られた抵抗体の特性は、シ
ート抵抗値8000/口、抵抗温度係数は−50こCか
ら100つ0の範囲で−10雌肌/℃であった。
2雌′そ塩化マグネシウム(7水和物) 1
を′と次亜リン酸ソーダ 11g/
そ塩化アンモニウム 50g/そ
pH
7温度 500
0メッキ時間1分のとき、得られた抵抗体の特性は、シ
ート抵抗値8000/口、抵抗温度係数は−50こCか
ら100つ0の範囲で−10雌肌/℃であった。
図面は比較例の試験片の平面図である。
Claims (1)
- 1 高導電体層となる銅板の片面にメツキレジスト処理
を施したのち、ニツケルを含む無電解液に浸漬して上記
銅板の他の片面に抵抗体層を析出させ、次に上記抵抗体
層の表面に絶縁支持体を接合させることを特徴とする抵
抗回路基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15381476A JPS6031082B2 (ja) | 1976-12-20 | 1976-12-20 | 抵抗回路基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15381476A JPS6031082B2 (ja) | 1976-12-20 | 1976-12-20 | 抵抗回路基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5378049A JPS5378049A (en) | 1978-07-11 |
| JPS6031082B2 true JPS6031082B2 (ja) | 1985-07-20 |
Family
ID=15570676
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15381476A Expired JPS6031082B2 (ja) | 1976-12-20 | 1976-12-20 | 抵抗回路基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6031082B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS637693A (ja) * | 1986-06-27 | 1988-01-13 | 新神戸電機株式会社 | 抵抗回路付印刷回路板の製造法 |
-
1976
- 1976-12-20 JP JP15381476A patent/JPS6031082B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5378049A (en) | 1978-07-11 |
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