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JPS6031283B2 - Gate circuit for electronic musical instruments - Google Patents
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JPS6031283B2 - Gate circuit for electronic musical instruments - Google Patents

Gate circuit for electronic musical instruments

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Publication number
JPS6031283B2
JPS6031283B2 JP52099660A JP9966077A JPS6031283B2 JP S6031283 B2 JPS6031283 B2 JP S6031283B2 JP 52099660 A JP52099660 A JP 52099660A JP 9966077 A JP9966077 A JP 9966077A JP S6031283 B2 JPS6031283 B2 JP S6031283B2
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Japan
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terminal
circuit
electronic musical
terminals
gate
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JP52099660A
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欣士 河本
昌彦 角尾
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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  • Control Of Amplification And Gain Control (AREA)
  • Electrophonic Musical Instruments (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は電子楽器のゲート回路に関し、とくに直流変動
分いわゆるべデスタルの発生がなく、しかも集積回路化
に非常に適したゲート回路に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a gate circuit for an electronic musical instrument, and more particularly to a gate circuit that does not generate a direct current fluctuation component, so-called vedestal, and is highly suitable for integration into an integrated circuit.

電子楽器のゲート回路としては種々のものが提案されて
いるが、いずれにしてもべデスタルの発生のないものが
望まれる。
Various types of gate circuits have been proposed for electronic musical instruments, but in any case, one that does not generate vedestal is desired.

そのようなゲート回路の従来例とその改良については、
特開昭52−1376び号公報に詳しく記載されている
For conventional examples of such gate circuits and their improvements, see
It is described in detail in Japanese Unexamined Patent Publication No. 1376/1983.

ここでは、その記載内容を第1図と第2図を用いて説明
する。第1図はべデスタルの発生のない従来のゲート回
路であり、第2図はその動作波形図である。第1図にお
いて、T,とT2は共に開閉用のトランジスタであり、
そのベースには制御端子2から制御信号Vsが印加され
る。トランジスタT,とT2の各ェミッタは抵抗4と5
とを介して接地される。トランジスタT,とT2のコレ
ク夕はそれぞれ電流増幅器6の入力端子と出力端子とに
接続される。電流増幅器6は、ダイオード接続されたト
ランジスタT3と、ェミッタ接地形のトランジスタT4
とによるカレントミラー回路で構成されているが、その
ミラーゲインは、2倍になっている。したがってトラン
ジスタT3のコレクタすなわち電流増幅器6の入力端子
から電流1,を引き抜くと、トランジスタT4のコレク
タすなわち電流増幅器6の出力端子から、その2倍の電
流21,が流出する。トランジスタTとT2のコレクタ
の接続点は出力端子3が設けられている。またトランジ
スタT,のェミツタには音階信号電圧源1が接続されて
いる。上記構成において、制御端子2に制御電圧Vsが
加わると、トランジスタT,は制御電圧Vsの大きさに
したがって最大1,の電流を流すが、音階信号電圧源1
がトランジスタT,を開閉するので、その電流は音階信
号周波数に応じて断続する。
Here, the description will be explained using FIGS. 1 and 2. FIG. 1 shows a conventional gate circuit in which no vedestal occurs, and FIG. 2 shows its operating waveform diagram. In FIG. 1, T and T2 are both switching transistors,
A control signal Vs is applied to its base from a control terminal 2. The respective emitters of transistors T and T2 are connected to resistors 4 and 5.
and grounded through. The collectors of transistors T and T2 are connected to the input and output terminals of a current amplifier 6, respectively. The current amplifier 6 includes a diode-connected transistor T3 and a grounded emitter transistor T4.
It is composed of a current mirror circuit, but its mirror gain is doubled. Therefore, when a current 1 is drawn from the collector of the transistor T3, that is, the input terminal of the current amplifier 6, a current 21, twice that amount, flows out from the collector of the transistor T4, that is, the output terminal of the current amplifier 6. An output terminal 3 is provided at the connection point between the collectors of the transistors T and T2. Further, a scale signal voltage source 1 is connected to the emitter of the transistor T. In the above configuration, when the control voltage Vs is applied to the control terminal 2, the transistor T allows a maximum current of 1 to flow according to the magnitude of the control voltage Vs, but the scale signal voltage source 1
opens and closes the transistor T, so that its current is intermittent depending on the scale signal frequency.

この断続電流は電流増幅器6により2倍に増幅され、第
2図の21,のごとき電流波形となり、トランジスタT
4より流出する。一方トランジスタT2は抵抗4と等し
い抵抗値の抵抗5によって決まる電流12を流す。した
がって出力端子3には、(21.−12)なる出力電流
1。が流出する。この電流の平均値は、制御信号Vsの
いかなる時点でも0になり、したがってべデスタルの発
生はない。このように第1図のゲート回路は、ベデスタ
ルを除去する点は優れているが、次のような欠点がある
This intermittent current is amplified twice by the current amplifier 6, resulting in a current waveform such as 21 in FIG.
It flows out from 4. On the other hand, the transistor T2 conducts a current 12 determined by a resistor 5 having a resistance value equal to that of the resistor 4. Therefore, the output terminal 3 has an output current 1 of (21.-12). flows out. The average value of this current becomes 0 at any point in time of the control signal Vs, so no vedestal occurs. Although the gate circuit shown in FIG. 1 is excellent in eliminating the vedestal, it has the following drawbacks.

まず、パルス信号が直接トランジスタT,のェミツタに
加えられているために、トランジスタT,のェミッタコ
レクタ間容量を介してパルス信号が微分されてコレクタ
に伝送される。
First, since the pulse signal is directly applied to the emitter of transistor T, the pulse signal is differentiated and transmitted to the collector of transistor T through the emitter-collector capacitance.

この結合は、ベースの電圧VsがOVとなって、トラン
ジスタT,とT2がカットオフになっても存在する。
This coupling exists even when the base voltage Vs becomes OV and transistors T and T2 are cut off.

このため出力端子3には常に入力パルス信号の微分波形
がもれて出ることになる。したがってこれを電子楽器の
ゲート回路として用いると、鍵を押していないにもかか
わらず「チー」という小さな音が発生する。次に、集積
回路化する際に問題がある。
Therefore, the differential waveform of the input pulse signal always leaks to the output terminal 3. Therefore, when this is used as a gate circuit for an electronic musical instrument, a small "chee" sound is generated even though no keys are pressed. Next, there is a problem when integrating it into an integrated circuit.

まず、抵抗4と5は、集積回路内ではトランジスタより
大きい面積を占めるのが通例である。したがって集積回
路化を図るにはこのような抵抗を必要としないゲート回
路が望ましい。また、抵抗4において電力消費が起こる
。一般に電子楽器の集積回路では、ゲート回路を多用す
るため、このような電力消費は、集積回路の温度上昇を
まねき、信頼度を低下させる。またこのような電力消費
は、まったく無駄なものであるから、電池駆動の場合に
は好ましくない。本発明は、このような従来の欠点を解
消し、大規模集積回路化に適するよう構成した電子楽器
のゲート回路を提供するものである。
First, resistors 4 and 5 typically occupy a larger area within an integrated circuit than transistors. Therefore, in order to realize integrated circuits, it is desirable to have a gate circuit that does not require such a resistor. Further, power consumption occurs in the resistor 4. Generally, integrated circuits for electronic musical instruments often use gate circuits, so such power consumption increases the temperature of the integrated circuit and reduces its reliability. Moreover, such power consumption is completely wasteful, and is therefore undesirable in the case of battery drive. The present invention eliminates these conventional drawbacks and provides a gate circuit for an electronic musical instrument that is configured to be suitable for large-scale integration.

以下、本発明の一実施例について第3図と共に説明する
。第3図の実施例は、相補型のMOS集積回路化を意図
したものである。MOS電界効果トランジスタ(以下単
にFETと称する)Q,〜Q6は1つのゲート回路を構
成し、FETQ,.〜Q,6は他の1つのゲート回路を
構成している。FETQ,〜Q4はnチャンネル型、F
ET偽,Q6はpチャンネル型である。FETQ,とQ
2の各ソースは接地Eに接続され、各ドレィンはFET
Q3とQ4の各ソースにそれぞれ接続されている。FE
TQ3とQ4の各ドレィンはFETQとQ6の各ドレィ
ンに接続されている。FETQと球の各ソースは電源V
ccに接続される。FETQとQ4のゲートには共に制
御信号Vsが印加される。FETQとQ6のゲートとF
ETQ5のドレィンは共に接続される。FETQとQの
ドレィンの接続点から出力端子が引き出される。FET
Q,〜Q4のバックゲートは集積回路ではnチャンネル
トランジスタの基板すなわちp−ウェルになる。
An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG. The embodiment shown in FIG. 3 is intended to be implemented as a complementary MOS integrated circuit. MOS field effect transistors (hereinafter simply referred to as FETs) Q, to Q6 constitute one gate circuit, and FETs Q, . ~Q, 6 constitutes another gate circuit. FETQ, ~Q4 are n-channel type, FET
ET false, Q6 is p-channel type. FETQ, and Q
2 each source is connected to ground E and each drain is connected to a FET
It is connected to each source of Q3 and Q4, respectively. FE
Each drain of TQ3 and Q4 is connected to each drain of FETQ and Q6. Each source of FETQ and bulb is connected to the power supply V
Connected to cc. A control signal Vs is applied to both the gates of FETQ and Q4. Gates of FETQ and Q6 and F
The drains of ETQ5 are connected together. An output terminal is drawn out from the connection point between the drains of FETQ and Q. FET
The backgates of Q, .about.Q4 become the substrates of n-channel transistors, or p-wells, in integrated circuits.

FETQ5とQ6のバックゲートは電源Vccに接続さ
れる。このバックゲートは集積回路ではPチャンネルト
ランジスタQ5とQ6の基板部分になる。他の1つのゲ
ートを構成するFETQ,.〜Q,6も上記ゲートと同
様に接続される。
The back gates of FETs Q5 and Q6 are connected to power supply Vcc. This back gate becomes the substrate portion of P-channel transistors Q5 and Q6 in the integrated circuit. FETQ, . ~Q, 6 is also connected in the same way as the above gate.

FETQ,3とQ,4のゲートには別の制御信号V,s
が接続され、FETQ,4,Q,6の接続点からは他の
出力端子が引き出される。10と11はTフリツブフロ
ツプであり、入力端子9に印加される音階信号を順次1
/2分周する。
Another control signal V,s is applied to the gates of FETQ,3 and Q,4.
are connected, and other output terminals are drawn out from the connection points of FETs Q, 4, Q, and 6. 10 and 11 are T flip-flops, which sequentially convert the scale signal applied to the input terminal 9 into 1
/Divide the frequency by 2.

Tフリツプフ。ツプ1 0の出力AはFETQ,のゲー
トに印加される。Tフリツプフロツブ11の出力BはF
ETQ,.のゲ−トに印加される。Tフリツプフロツプ
10や11も、FETを用いた相補型MOS回路にすれ
ば、ゲートと共に集積化できて好都合である。出力Aや
Bの出力振幅は大体Vccでよいので、相補型MOS集
積回路により容易につくり出せる。FETQ2とQ,2
のゲートにはバイアス電圧が印加される。
T flippf. Output A of pin 10 is applied to the gate of FETQ. The output B of the T flip-flop 11 is F
ETQ,. is applied to the gate of If the T flip-flops 10 and 11 are also formed into complementary MOS circuits using FETs, they can be conveniently integrated together with the gates. Since the output amplitudes of outputs A and B may be approximately Vcc, they can be easily created using complementary MOS integrated circuits. FETQ2 and Q,2
A bias voltage is applied to the gate of.

この電圧は多数のゲート回路に対して共通に設けられた
分圧回路R,とR2とによって与えられる。分圧回路の
分圧点をGとしておく。分圧電圧は、Vcc=5V〜1
5Vで約3V位にすればよい。つぎに第3図の実施例の
動作について第1図の従来例との差異に着目しながら説
明する。
This voltage is given by voltage dividing circuits R and R2 provided in common to a large number of gate circuits. Let G be the voltage dividing point of the voltage dividing circuit. The divided voltage is Vcc=5V~1
5V should be about 3V. Next, the operation of the embodiment shown in FIG. 3 will be explained, focusing on the differences from the conventional example shown in FIG.

FETQ,は音階信号Aにしたがってオン、オフを繰返
す。
FETQ repeats on and off according to the scale signal A.

オフ状態ではFETQ,のソース・ドレィン間抵抗RD
sは無限大に近く、オン状態ではRoNなる有限値にな
る。FETQは制御信号Vsの電圧によって除々にR。
sが変化する。したがって、FETQには、FETQ5
,Q3,Q,の各Rosにしたがって決まる電流が音階
信号周波数にしたがってパルス状に流れ、これと同じ電
流がFETQ6のドレィンから流出する。そこでバイア
ス電圧を、FETQ2に上記FETQのドレィン電流の
半分の電流が流れるように設定すれば、第1図と同様の
原理によって出力端子Voにはべデスタル分のない第2
図らと同じ波形の電流が流出する。このように、第3図
の実施例は、第1図の従釆例の抵抗4と5の代りにFE
TQ,とQ2を用い、FETQ,を音階信号にしたがっ
てオン、オフさせ、FETQ2のゲートに丁度べデスタ
ルをなくするのに必要な直流電圧を与えるようにしたも
のである。
In the off state, the source-drain resistance RD of FETQ
s is close to infinity and becomes a finite value RoN in the on state. FETQ gradually becomes R depending on the voltage of control signal Vs.
s changes. Therefore, FETQ has FETQ5
, Q3, Q, flow in a pulsed manner according to the scale signal frequency, and the same current flows out from the drain of FET Q6. Therefore, if the bias voltage is set so that a current that is half of the drain current of the FETQ flows through FETQ2, a second
A current with the same waveform as shown in the figure flows out. Thus, the embodiment of FIG. 3 uses FE
Using TQ and Q2, FETQ is turned on and off according to a scale signal, and the DC voltage required to eliminate the vedestal is applied to the gate of FETQ2.

このため、制御信号VsがOVでFETQとQがオフの
ときには、FETQ,とQ2の両方共に電流が流れず、
したがって、電力消費は全くない。しかも分圧回路R,
とR2は多数のゲート回路に対して共通に設ければよい
から、その面積もまた電力消費も無視できるほどのもの
である。なお、FETQ5とQ6により構成される電流
増幅器のミラーゲインは1でもよい。
Therefore, when the control signal Vs is OV and FETQ and Q are off, no current flows in both FETQ and Q2.
Therefore, there is no power consumption. Moreover, the voltage dividing circuit R,
and R2 can be provided in common for a large number of gate circuits, so their area and power consumption can be ignored. Note that the mirror gain of the current amplifier constituted by FETs Q5 and Q6 may be 1.

このようにミラーゲインを1にすると、FETQ5とQ
6の寸法を同一にすることができるから集積回路設計が
容易になる。また、各出力端子に得られる電流出力Vo
,V,oは、第4図のように演算増幅器12と抵抗Ro
,R,o,Rfとで構成される加算器によって加算する
ようにすればよい。
When the mirror gain is set to 1 in this way, FETQ5 and Q
Since the dimensions of 6 can be made the same, integrated circuit design becomes easier. In addition, the current output Vo obtained at each output terminal
, V, o are the operational amplifier 12 and the resistor Ro as shown in FIG.
, R, o, and Rf.

演算増幅器12の正入力端子には電源電圧Vccの半分
のVcc/2を印加すればよい。また、第3図のように
構成した場合でも、音階信号がデューティ比50%でな
い場合にはべデスタルが発生する。
Vcc/2, which is half of the power supply voltage Vcc, may be applied to the positive input terminal of the operational amplifier 12. Further, even with the configuration as shown in FIG. 3, vedestal occurs if the duty ratio of the scale signal is not 50%.

この点については特関昭52−1376び号公報におい
ても指適されている。そして特関昭52−1376び号
公報では、電流増幅器のミラーゲインを2から他の値に
することによってこのべデスタルを除去することができ
るとしているが、実際にはミラーゲインを外部から自由
に変化させることは困難であり、電流増幅器そのものの
設計を変更しなければならない。ところが第3図の実施
例では、分圧点Gの電圧を外部から変化させるだけでべ
デスタルを自由に変えることができる。したがって、ゲ
ート回路に加わる音階信号のデューティ比が一定でない
場合にも、容易にべデスタル分と除去することが可能に
なる。第5図は本発明の他の実施例を示すものである。
This point is also pointed out in Tokoseki Publication No. 1376/1983. In Tokusekki No. 52-1376, it is stated that this vedestal can be removed by changing the mirror gain of the current amplifier from 2 to another value, but in reality, the mirror gain can be freely changed from the outside. This is difficult to change and requires changing the design of the current amplifier itself. However, in the embodiment shown in FIG. 3, the vedestal can be freely changed simply by changing the voltage at the voltage dividing point G from the outside. Therefore, even if the duty ratio of the scale signal applied to the gate circuit is not constant, it is possible to easily remove the vedestal signal. FIG. 5 shows another embodiment of the invention.

第5図において、第3図と同一機能の部分には同一符号
を付して説明を省略し、第3図との差異に着目して説明
する。FETQ2のゲートにはTフリツプフロツプ10
の出力Aが印加される。FETQ,2のゲートにはTフ
リツプフロツプ1 1の出力Bが印加される。このよう
にすれば、FETQ,とQ2は逆相でオン、オフする。
In FIG. 5, parts having the same functions as those in FIG. 3 are denoted by the same reference numerals, and the explanation thereof will be omitted, and the explanation will focus on the differences from FIG. 3. A T flip-flop 10 is installed at the gate of FETQ2.
The output A of is applied. The output B of the T flip-flop 11 is applied to the gate of FETQ,2. In this way, FETs Q and Q2 are turned on and off in opposite phases.

この場合には、FETQ6から電流を供給し、FETQ
4が電流を引き抜き、この供給と引き抜きとを交互に行
なう。したがって、第3図の実施例のようにバイアス電
圧を与える必要がなく、また出力電流は、第3図の実施
例の2倍とり出せる。この場合集積回路化に際しては、
第3図の分圧回路R,とR2が無いだけ有利になる。な
お上記説明では、音階信号電圧源として方形波を用いた
が、正弦波や鏡歯状波を用いてFETQ,,Q,.,Q
2,Q,2のゲートに印加するようにしてもよい。
In this case, current is supplied from FETQ6 and FETQ
4 draws the current and alternately supplies and draws the current. Therefore, unlike the embodiment shown in FIG. 3, it is not necessary to apply a bias voltage, and the output current can be twice that of the embodiment shown in FIG. In this case, when making an integrated circuit,
It is advantageous that the voltage dividing circuits R and R2 of FIG. 3 are not provided. In the above explanation, a square wave was used as the scale signal voltage source, but a sine wave or a mirror tooth wave was used to connect the FETs Q,,Q, . ,Q
It may be applied to the gates of 2, Q, and 2.

この場合、出力波形が少しひすむこともあるが、実用上
さしつかえない。また、上記説明では、MOS電界効果
トランジスタを用いて説明したが、バイポーラトランジ
スタを用いても同様の効果が得られる。以上のように、
本発明は、それぞれ3個の端子を有する第1〜第4の能
動素子と、カレントミラー回路とを備え、上記第1、第
2の能動素子の各第1端子を接地するとともに各第2端
子を上記第3、第4の能動素子の各第1端子にそれぞれ
接続し、上記第3、第4の能動素子の各第2端子を上記
カレントミラー回路の入力端子と出力端子にそれぞれ接
続し、上記第3、第4の能動素子の各第3端子にェンベ
ロープ制御用の制御信号を印加し、上記第1、第2の能
動素子の各第3端子のうち少なくとも一方に音階信号を
印加し、上記カレントミラー回路の出力端子から双方向
性の出力電流を取り出すようにしたものである。
In this case, the output waveform may be slightly distorted, but this is not a practical problem. Further, in the above description, a MOS field effect transistor was used, but the same effect can be obtained using a bipolar transistor. As mentioned above,
The present invention includes first to fourth active elements each having three terminals, and a current mirror circuit, wherein each first terminal of the first and second active elements is grounded, and each second terminal is grounded. are respectively connected to the first terminals of the third and fourth active elements, and the second terminals of the third and fourth active elements are respectively connected to the input terminal and the output terminal of the current mirror circuit, Applying a control signal for envelope control to each third terminal of the third and fourth active elements, and applying a scale signal to at least one of each third terminal of the first and second active elements, A bidirectional output current is taken out from the output terminal of the current mirror circuit.

このようにすれば、上記音階信号が、第1の能動素欧の
第2t第3端子間容量と、第3の能動素子の第1、第3
端子間容量で分圧された後、第3の能動素子の第1、第
2端子間容量を介して第3の能動素子の第2端子に供給
されることになる。そして一般に第3の能動素子の第1
、第2端子間容量は同第1、第3端子間容量に比べて十
分にd、さし、から、これによって大きな分圧比が実現
できる。その結果、本発明のゲート回路によれば、音階
信号のもれが非常に小さくでき、鍵を押していないにも
かかわらず「チ−」という小さな音が発生することを確
実に防止することができる。しかも、従来の回路のべデ
スタルを除去する効果を維持したままで、集積回路化す
るに際して面積を小さくすることができ、また待機時の
電力消費を事実上皆無にし得るという効果も得られる。
In this way, the above-mentioned scale signal is transmitted between the capacitance between the 2t and 3rd terminals of the first active element and the first and third terminals of the third active element.
After being voltage-divided by the capacitance between the terminals, the voltage is supplied to the second terminal of the third active element via the capacitance between the first and second terminals of the third active element. and generally the first of the third active elements.
Since the capacitance between the second terminals is sufficiently d compared to the capacitance between the first and third terminals, a large voltage division ratio can be realized. As a result, according to the gate circuit of the present invention, the leakage of the scale signal can be made very small, and it is possible to reliably prevent the occurrence of a small "chee" sound even when no key is pressed. . Furthermore, while maintaining the effect of eliminating the pedestal of the conventional circuit, the area can be reduced when integrated into a circuit, and power consumption during standby can be virtually eliminated.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は従来の電子楽器のゲート回路を示す回路図、第
2図はその動作波形図、第3図は本発明の一実施例を示
す回路図、第4図は第3図の後段に接続される加算器を
示す回路図、第5図は本発明の他の実施例を示す回路図
である。 Q,〜Q4,Q,.〜Q,4・・・・・・nチヤンネル
FET、Q,Q6,Q,5,Q,6……pチヤンネルF
ET、Vs,V,s・・・・・・制御信号、Vo,V,
。 ・・・・・・電流出力、V・・・・・・電源、G・・・
・・・分圧点、E・・・・・・俵地、9・・・・・・入
力端子、10,11・・・・・・Tフリツプフロツプ。
第1図第2図 第3図 第4図 第5図
Fig. 1 is a circuit diagram showing the gate circuit of a conventional electronic musical instrument, Fig. 2 is its operating waveform diagram, Fig. 3 is a circuit diagram showing an embodiment of the present invention, and Fig. 4 is shown after Fig. 3. FIG. 5 is a circuit diagram showing a connected adder, and FIG. 5 is a circuit diagram showing another embodiment of the present invention. Q, ~Q4,Q,. ~Q, 4...n channel FET, Q, Q6, Q, 5, Q, 6...p channel F
ET, Vs, V, s... Control signal, Vo, V,
. ...Current output, V...Power supply, G...
...Voltage division point, E...Tamaji, 9...Input terminal, 10, 11...T flip-flop.
Figure 1 Figure 2 Figure 3 Figure 4 Figure 5

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 それぞれ3個の端子を有する第1〜第4の能動素子
と、カレントミラー回路とを備え、上記第1、第2の能
動素子の各第1端子を接地するとともに各第2端子を上
記第3、第4の能動素子の各第1端子にそれぞれ接続し
、上記第3、第4の能動素子の各第2端子を上記カレン
トミラー回路の入力端子と出力端子にそれぞれ接続し、
上記第3、第4の各第3端子にエンベロープ制御用の制
御信号を印加し、上記第1、第2の能動素子の各第3端
子のうち少なくとも一方に音階信号を印加し、上記カレ
ントミラー回路の出力端子から双方向性の出力電流を取
り出すようにした電子楽器のゲート回路。 2 特許請求の範囲第1項の記載において、第1、第2
の能動素子の各第3端子の十方に音階信号を印加し、他
方にバイアス電圧を印加するようにした電子楽器のゲー
ト回路。 3 特許請求の範囲第1項の記載において、第1、第2
の能動素子の各第3端子に互に逆位相の音階信号を印加
するようにした電子楽器のゲート回路。 4 特許請求の範囲第1項の記載において、第1〜第4
の能動素子およびカレントミラー回路を一組とする組を
複数組設け、各組の第1の能動素子の第3端子にそれぞ
れ音階信号を印加し、各組の第2の能動素子の第3端子
に共通にバイアス電圧を与えるようにした電子楽器のゲ
ート回路。 5 特許請求の範囲第1項〜第4項のうちのいずれか一
項の記載において、第1〜第4の能動素子とカレントミ
ラー回路とを相補型MOS集積回路内に組み込んだこと
を特徴とする電子楽器のゲート回路。 6 特許請求の範囲第2項または第4項の記載において
、音階信号のデユーテイサイクルにしたがつてバイアス
電圧を変化させ、出力電流のペデスタル分が常に一定に
なるようにした電子楽器のゲート回路。 7 特許請求の範囲第1項〜第6項のうちのいずれか一
項の記載において、能動素子を電界効果トランジスタで
構成し、第1、第2、第3端子をそれぞれソース、ドレ
イン、ゲートとしたことを特徴とする電子楽器のゲート
回路。 8 特許請求の範囲第1項〜第6項のうちのいずれか一
項の記載において、能動素子をバイポーラトランジスタ
で構成し、第1、第2、第3端子をそれぞれエミツタ、
コレクタ、ベースとしたことを特徴とする電子楽器のゲ
ート回路。
[Scope of Claims] 1. A device comprising first to fourth active elements each having three terminals, and a current mirror circuit, wherein the first terminals of the first and second active elements are grounded, and each of the first to fourth active elements has three terminals. A second terminal is connected to each first terminal of the third and fourth active elements, and a second terminal of each of the third and fourth active elements is connected to an input terminal and an output terminal of the current mirror circuit, respectively. connection,
A control signal for envelope control is applied to each of the third and fourth third terminals, a scale signal is applied to at least one of each of the third terminals of the first and second active elements, and the current mirror A gate circuit for an electronic musical instrument that extracts bidirectional output current from the output terminal of the circuit. 2 In the statement of claim 1, the first and second
A gate circuit for an electronic musical instrument, wherein a scale signal is applied to ten directions of each third terminal of an active element, and a bias voltage is applied to the other side. 3 In the description of claim 1, the first and second
A gate circuit for an electronic musical instrument, which applies scale signals having mutually opposite phases to each third terminal of an active element. 4 In the description of claim 1, the first to fourth
A plurality of sets including an active element and a current mirror circuit are provided, and a scale signal is applied to the third terminal of the first active element of each set, and the third terminal of the second active element of each set is applied. A gate circuit for electronic musical instruments that applies a common bias voltage to both. 5. In any one of claims 1 to 4, the first to fourth active elements and the current mirror circuit are incorporated into a complementary MOS integrated circuit. gate circuit for electronic musical instruments. 6. The gate of an electronic musical instrument as set forth in claim 2 or 4, wherein the bias voltage is changed according to the duty cycle of the scale signal so that the pedestal portion of the output current is always constant. circuit. 7. In any one of claims 1 to 6, the active element is constituted by a field effect transistor, and the first, second, and third terminals are respectively a source, a drain, and a gate. A gate circuit for an electronic musical instrument characterized by the following. 8. In any one of claims 1 to 6, the active element is constituted by a bipolar transistor, and the first, second, and third terminals are emitters,
A gate circuit for an electronic musical instrument characterized by a collector and a base.
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