JPS6032278B2 - magnetic bubble memory wafer - Google Patents
magnetic bubble memory waferInfo
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- JPS6032278B2 JPS6032278B2 JP15614978A JP15614978A JPS6032278B2 JP S6032278 B2 JPS6032278 B2 JP S6032278B2 JP 15614978 A JP15614978 A JP 15614978A JP 15614978 A JP15614978 A JP 15614978A JP S6032278 B2 JPS6032278 B2 JP S6032278B2
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明ま磁気バブルメモリウェハーに関するものであり
、更に詳しくは磁気バブルメモリウェハーから切り出さ
れる磁気バブルメモリチップの動作試験をより確実に行
ない得る磁気バブルメモリウエハーに関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a magnetic bubble memory wafer, and more particularly to a magnetic bubble memory wafer that allows more reliable operation testing of magnetic bubble memory chips cut from a magnetic bubble memory wafer.
半導体集積回路技術をはじめとする電子技術の著しい発
展に支えられて、電子計算機は急速に小型化し高速度化
されている。BACKGROUND OF THE INVENTION Supported by the remarkable development of electronic technology including semiconductor integrated circuit technology, electronic computers are rapidly becoming smaller and faster.
またその信頼度も回路素子のソリツドステート化によっ
て著しく向上している。さらに、電子計算機の利用が進
むにつれて記憶装置の記憶容量も年々増加の一途を辿っ
ており、記憶に要する単位の低減とアクセス時間の短縮
が強く要望されている。大容量の情報を確実に記憶保持
するためには信頼度の高い不揮発性の大容量メモリ装置
が必要であるが、揮発性の半導体メモリをもって実現す
ることは不可能でありまた、不揮発性ながらも磁気テー
プ装置、磁気ディスク装置などは可動部分を有するとい
う致命的な欠陥を有しており、これも信頼度の面でニー
ズに適合したメモリ装置と言い難い。Furthermore, their reliability has been significantly improved by making the circuit elements solid-state. Furthermore, as the use of electronic computers progresses, the storage capacity of storage devices continues to increase year by year, and there is a strong desire to reduce the units required for storage and shorten access time. In order to reliably store and retain large amounts of information, a highly reliable non-volatile large-capacity memory device is necessary, but it is impossible to achieve this with volatile semiconductor memory, and even though it is non-volatile, Magnetic tape devices, magnetic disk devices, and the like have a fatal flaw in that they have moving parts, and it is difficult to say that these are memory devices that meet needs in terms of reliability.
以上のような技術的背景に鑑みて発明されたのが磁気バ
ブルである。Magnetic bubbles were invented in view of the above technical background.
−軸磁気異方性を有するガーネットまたはオルソフェラ
ィト等の磁性薄板面に垂直に適当な大きさのバイアス磁
界を印加すると円筒状磁区所謂磁気バブルが発生する。- When a bias magnetic field of an appropriate magnitude is applied perpendicularly to the surface of a magnetic thin plate such as garnet or orthoferrite having axial magnetic anisotropy, a cylindrical magnetic domain, a so-called magnetic bubble, is generated.
この磁気バブルを利用して情報の蓄積、論理演算等を行
う磁気バブル利用装置は、不揮発性であること、全固体
素子であること、大容量化が可能であること、比較的高
速であること等の理由からこれらの特性を生かした分野
においてその実用化が急速に進めるれている。この磁気
バブル利用装置においては、磁気バブルの発生、転送、
分割、拡大、検出、消去等の各種機能が必要とされる。A device that uses magnetic bubbles to store information, perform logical operations, etc. using magnetic bubbles must be nonvolatile, be an all-solid-state device, have a large capacity, and be relatively fast. For these reasons, its practical application is rapidly progressing in fields that take advantage of these characteristics. In this magnetic bubble utilization device, magnetic bubble generation, transfer,
Various functions such as division, enlargement, detection, and deletion are required.
さらには磁気バブルを滋性薄板内において安全に存在さ
せるためのバイアス磁界印加手段、磁気バブル磁性薄板
内において磁性薄板上に形成された磁性体パターンの基
に移動させるための回転磁界印加手段を必要とする。第
1図に磁気バブル利用装置に使用される磁気バブルメモ
リチップの代表的な構成例を示す。図示された構成は所
謂メジャー、マイナーループ構成と称されるもので、図
中1はメジャーループ、2はマイナーループ、3は検出
器、4は発生器、5は複製器、6は消滅器、7はトラン
スフアゲートを夫々示している。尚図において実線は磁
気バブル磁気簿坂上に形成されたパーマロィバターンに
よる磁気バブル転送路、破線は同じく薄板上に形成され
た金等からなる導体パターンである。動作は次のように
して行なわれる。Furthermore, it is necessary to apply a bias magnetic field to make the magnetic bubble exist safely within the nutritious thin plate, and to apply a rotating magnetic field to move the magnetic bubble within the magnetic thin plate to the base of the magnetic material pattern formed on the magnetic thin plate. shall be. FIG. 1 shows a typical configuration example of a magnetic bubble memory chip used in a magnetic bubble utilization device. The illustrated configuration is a so-called major/minor loop configuration, and in the figure, 1 is a major loop, 2 is a minor loop, 3 is a detector, 4 is a generator, 5 is a replicator, 6 is an annihilator, 7 respectively indicate transfer gates. In the figure, the solid line is a magnetic bubble transfer path formed by a permalloy pattern formed on the slope of the magnetic bubble, and the broken line is a conductive pattern made of gold or the like formed on a thin plate. The operation is performed as follows.
先ず、書込むべき情報に応じて発生器4を構成する導体
パターンのループ内にバイアス磁界を実効的に弱める方
向に電流を供給して該ループ内に磁気バブルを発生させ
る。First, a current is supplied in a direction that effectively weakens the bias magnetic field within the loop of the conductive pattern constituting the generator 4 in accordance with the information to be written, thereby generating a magnetic bubble within the loop.
発生した磁気バブルは、磁気性薄板の面内方向において
回転する駆動磁界によりメジャーループ1上を転送され
各マイナーループ2の対向する位置に1情報分(例えば
1ワード分)整列される。このときトランスフアゲート
7を構成する導体パターンに電流を供v給してメジャー
ループー上の磁気バブル群を各マイナーループ2内へ送
り込む。各マイナーループ2内へ送り込まれた磁気バブ
ルは駆動磁界によりマイナーループ2内を巡回いまじめ
情報の格納が終了する。次に情報の読出いま読出すべき
各マイナーループ2内の磁気バブル群がトランスフアゲ
ート7に対向する位置に到来した時点で導体パターンに
通電してメジャーループ1上へ転送する。The generated magnetic bubbles are transferred over the major loop 1 by a driving magnetic field rotating in the in-plane direction of the magnetic thin plate, and are aligned by one piece of information (for example, one word) at opposing positions in each minor loop 2. At this time, a current is supplied to the conductor pattern constituting the transfer gate 7 to send the magnetic bubble group on the major loop into each minor loop 2. The magnetic bubble sent into each minor loop 2 circulates within the minor loop 2 due to the driving magnetic field and the storage of serious information is completed. Next, when the magnetic bubble group in each minor loop 2 to be read now reaches a position facing the transfer gate 7, the conductor pattern is energized and transferred onto the major loop 1.
メジャーループ上に転送された磁気バブル列は駆動磁界
によりm頃次転送されて複製器5に至る。複製器5では
到来する磁気バブルを2個に分割し、1個をパーマロィ
パターンに沿って検出器3へ、他の1個をメジャール−
プ1を介して再びマイナーループへ送り出す。検出器3
は順次到来する磁気バブルを検出効率を上げるために拡
大し例えばこれが到釆したことによる磁気低抗素子の磁
気低抗変化を電圧の変化として読出す。尚、議出した後
その情報を消去し新たな別の情報を書込む場合は、分割
後の磁気バブルをメジャーループ上の消滅器6によって
消去するとともに新たな別の情報を発生器4により書込
む。第2図は第1図に示す磁気バブルメモリチップを収
容するパッケージの構成図である。The magnetic bubble train transferred onto the major loop is transferred about m times by the driving magnetic field and reaches the replicator 5. The replicator 5 splits the incoming magnetic bubble into two parts, sends one to the detector 3 along the permalloy pattern, and sends the other one to the major rule.
It is sent to the minor loop again via loop 1. Detector 3
magnifies the magnetic bubbles that arrive one after another in order to increase the detection efficiency, and for example, a change in the magnetic resistance of the magnetic resistance element due to the arrival of the bubbles is read out as a change in voltage. In addition, when deleting the information and writing new information after it has been discussed, the magnetic bubble after division is erased by the annihilator 6 on the major loop, and the new information is written by the generator 4. It's crowded. FIG. 2 is a block diagram of a package that accommodates the magnetic bubble memory chip shown in FIG. 1.
図において8は磁気バブルメモリチップ、9はチップ搭
載プレーン、10は駆動磁界発生用XYコイル、11は
フェライトヨーク、12はバイアス磁界印加用薄板マグ
ネット、13はシールドケースである。駆動磁界発生用
XYコイルには第3図aに示す如き90o位相のずれた
三角波電流が各コイルに印加されて同図bに示すような
方形の回転磁界軌跡を得る。In the figure, 8 is a magnetic bubble memory chip, 9 is a chip mounting plane, 10 is an XY coil for generating a drive magnetic field, 11 is a ferrite yoke, 12 is a thin plate magnet for applying a bias magnetic field, and 13 is a shield case. Triangular wave currents having a phase shift of 90 degrees as shown in FIG. 3A are applied to each of the XY coils for generating a driving magnetic field to obtain a rectangular rotating magnetic field locus as shown in FIG. 3B.
この三角波電流による駆動の特徴は、駆動回路が簡単な
こと、部品点数が少ないこと、駆動電圧が低くて良いこ
と。集積化が容易なこと等正弦波電流による駆動に比べ
種々の長淀所を備えている。本発明は上述の磁気バブル
利用装置の、特に磁気バブルチップを得るための磁気バ
ブルメモリウェハーに関するものである。The characteristics of this triangular wave current drive are that the drive circuit is simple, the number of parts is small, and the drive voltage is low. It has various advantages compared to driving using a sine wave current, such as ease of integration. The present invention relates to the above-mentioned magnetic bubble utilizing device, particularly to a magnetic bubble memory wafer for obtaining magnetic bubble chips.
磁気バブルメモリウェハーは、育成されたガドリニウム
、ガリウム、ガーネット結晶を薄く切り出した円板上の
薄板であり、このウェハー上に第1図に示す如き駆動パ
ターンを多数形成し、それらの夫々を切離すことで多数
の磁気バブルメモリチップを供V給するものである。A magnetic bubble memory wafer is a thin disc-like plate made by thinly cutting grown gadolinium, gallium, or garnet crystals.A large number of driving patterns as shown in Fig. 1 are formed on this wafer, and each of them is cut out. This allows a large number of magnetic bubble memory chips to be supplied.
通電磁気バブルメモリチップの特性試験、動作試験は、
チップに切離す以前の表面に各種駆動パターンの形成さ
れたウェハーの段階で行なわれる。The characteristics test and operation test of the electromagnetic bubble memory chip are
This is done at the wafer stage, where various driving patterns are formed on the surface of the wafer, before it is cut into chips.
すなわち第4図に示すように従来のこの種の試験は、ウ
ェハー14上に各チップ8の領域毎に絶縁層を介して第
1図の破線で示す導体パターン、さらに絶縁層を介して
同図の実験で示すパーマロィパターンを形成したのちに
行なわれる。尚図では1枚のウェハー14から1母女の
チップ8を切り出すものを示している。さて、従来の試
験、特に高温試験は次のようにして行なわれる。先ず上
述の各種パターン形成ののちに図で示すような細長い駆
動コイル16,17を試験を行うべきチップ領域におい
て互いに交叉するように配置する。このとき試験を行う
べきチップ8端部の各信号端子には該チップに入力信号
、制御信号を与え出力信号を取出すためのブローブカー
ド15が暖続される。次に駆動コイル16,17電流を
僕繋舎し談両コイルの発熱を利用して被試験チップの温
度を上昇させこの状態において温度試験を行なつo以上
の動作を各チップ領域毎に行なって試験を終了する。That is, as shown in FIG. 4, this type of conventional test is performed by forming a conductor pattern on a wafer 14 for each region of each chip 8 through an insulating layer, as shown by the broken line in FIG. This is done after forming the permalloy pattern shown in the experiment. In the figure, chips 8 of one mother and daughter are cut out from one wafer 14. Now, conventional tests, especially high temperature tests, are conducted as follows. First, after forming the various patterns described above, elongated drive coils 16 and 17 as shown in the figure are arranged so as to cross each other in the chip area to be tested. At this time, a probe card 15 for supplying input signals and control signals to the chip and extracting output signals is connected to each signal terminal at the end of the chip 8 to be tested. Next, the currents of the driving coils 16 and 17 are connected to each other, and the temperature of the chip to be tested is increased using the heat generated by the connecting coils, and a temperature test is performed in this state.The above operations are performed for each chip area. Finish the exam.
しかしこの試験方法は、最悪温度条件として被試験チッ
プに例えば70ooの高熱が与えられるため、ブローブ
カード15あるいはブローフカード15に接続する制御
回路系が熱により変形しあるいは破損するといった問題
がある。従って実際にはブロープカード等破損防止のた
めチップ表面に窒素ガス等の冷却ガスを吹付けて冷却し
ながら試験を行うことが行なわれている。このため被試
験チップの温度を十分上げられないといった次点を有し
ている。また駆動コイルを被試験チップ毎に移動させ正
確に位置決めする必要がある。さらにはまた駆動コイル
の発熱が効率良くチップ側に伝搬されないという汐(点
をも有する。本発明は、上述の従釆の欠点に鑑みなされ
たものでその目的は被試験チップの温度を効率よくまた
十分高い温度にまで上昇させることのできる磁気バブル
メモリウェハーを実現することにある。さらに本発明の
他の目的は、被試験チップに対して発熱源を移動させる
ことなく熱供給のできる磁気バブルメモリウェハ−を実
現することにある。さらに本発明の他の目的はチップ試
験のための発熱源を工数を増加させることなく容易に取
り除くことのできる磁気バブルメモリウェハーを提供す
ることにある。本発明の目的は、磁気バブルメモリウェ
ハー上に通電により該ウェハーを加熱するための通電パ
ターンを形成することにより達成することができる。However, in this test method, a high heat of, for example, 70 oo is applied to the chip under test as the worst temperature condition, so there is a problem that the probe card 15 or the control circuit system connected to the probe card 15 may be deformed or damaged by the heat. Therefore, in order to prevent damage to the blow card, etc., tests are actually performed while cooling the chip surface by spraying a cooling gas such as nitrogen gas onto it. For this reason, it has the runner-up point of not being able to raise the temperature of the chip under test sufficiently. Furthermore, it is necessary to move the drive coil for each chip under test and position it accurately. Furthermore, there is also the problem that the heat generated by the drive coil is not efficiently propagated to the chip side. Another object of the present invention is to realize a magnetic bubble memory wafer that can raise the temperature to a sufficiently high temperature.A further object of the present invention is to realize a magnetic bubble memory wafer that can heat the chip under test without moving the heat source. Another object of the present invention is to provide a magnetic bubble memory wafer in which a heat source for chip testing can be easily removed without increasing the number of man-hours. The object of the invention can be achieved by forming an energizing pattern on a magnetic bubble memory wafer for heating the wafer by energizing it.
以下本発明にかかる磁気バブルメモリウヱハーを図に用
いて説明する。The magnetic bubble memory wafer according to the present invention will be explained below with reference to the drawings.
第5図は本発明にか)る磁気バブルメモリウェハーの上
面図である。FIG. 5 is a top view of a magnetic bubble memory wafer according to the present invention.
図し、おいて、8は磁気バブルメモリチップ、14はウ
ェハー、18は各チップ8の周囲を周回するように配置
された通電パターン、19は通電パターン18に電流を
供v給するための外部接続端子である。通電パターン1
8は、ゥェハー14上に磁気バブル駆動のための駆動パ
ターン、すなわち発生器、トランスフアノレプリケート
ゲート等を形成する金等からなる導体パターンと同一工
程にて形成され、あるいは磁気バブル転送路を形成する
パーマロイ等からなるパーマロィパターンの形成と同一
の工程にて形成される。In the figure, 8 is a magnetic bubble memory chip, 14 is a wafer, 18 is a conductive pattern arranged to orbit around each chip 8, and 19 is an external device for supplying current to the conductive pattern 18. It is a connection terminal. Energization pattern 1
8 is formed on the wafer 14 in the same process as a drive pattern for driving magnetic bubbles, that is, a conductor pattern made of gold or the like that forms a generator, a transfer gate, etc., or forms a magnetic bubble transfer path. It is formed in the same process as forming a permalloy pattern made of permalloy or the like.
図からわかるように通電パターン18は、ウェハ−14
上の各チップ8の周囲を周回するように配置される。As can be seen from the figure, the energizing pattern 18 is connected to the wafer 14.
It is arranged so as to orbit around each chip 8 above.
高温試験は、被試験チップに対してブロープカードをセ
ットしたのち、外部接続端子19に図示されざる電流源
を接続し、電流源より被試験チップに与えるべき熱連き
‘こみ合うだけの電流を供期簿してウェハーを加熱する
。然るのちに図示されざる駆動コイルに電流を付与して
チップ内の磁気バブルを駆動させて各種特性試験を行な
つo尚ここで通電パターン18は、通電によりパターン
18の近傍に発生する磁界がチップ18の磁気バブルの
移動に悪影響を及ぼすことのない位置に配置することが
必要である。In the high temperature test, after setting the blow card to the chip under test, a current source (not shown) is connected to the external connection terminal 19, and a current is applied from the current source to the chip under test as much as the heat is generated. Heat the wafer after storage. After that, various characteristic tests were performed by applying current to a drive coil (not shown) to drive the magnetic bubbles inside the chip. It is necessary to place it at a position that does not adversely affect the movement of the magnetic bubble of the chip 18.
実際にはスクラィブ線上、すなわちウェハー14から多
数のチップを切り出す際に切断される切り出し線上に通
電パターン18を配置することが好ましい。なぜならウ
ヱハーの状態での各種試験が行なわれた後の不要となる
通電パターンを、チップ切り出しの際に同時に電気的に
分断することができるからである。勿論スクライブ幅が
例えば200仏m程度であればその範囲内に通電パター
ンを形成することも可能であり切に出した後のチップ上
から通電パターンを完全に除去することもできる。以上
説明したように本発明によれば、ブローフカード等の試
験用の入出力端子部を破損させることなく効率的に試験
を行ない得る磁気バブルメモリウェハーを実現すること
ができる。In fact, it is preferable to arrange the current-carrying pattern 18 on the scribe line, that is, on the cutting line that is cut when cutting out a large number of chips from the wafer 14. This is because unnecessary conduction patterns after various tests have been performed on the wafer can be electrically disconnected at the same time as cutting out the chips. Of course, if the scribe width is, for example, about 200 French meters, it is possible to form the conductive pattern within that range, and it is also possible to completely remove the conductive pattern from the chip after it has been cut out. As described above, according to the present invention, it is possible to realize a magnetic bubble memory wafer that can be efficiently tested without damaging the test input/output terminal portion of a brochure card or the like.
また本発明の特徴とする通電パターンは、工程を増加す
ることなく従来と同一プロセスで形成することができる
等本発明を適用したことによる効果は甚大である。Further, the current conduction pattern, which is a feature of the present invention, can be formed by the same process as the conventional method without increasing the number of steps, and the effects of applying the present invention are enormous.
第1図は代表的な磁気バブルメモリチップの構成例を示
し、第2図は磁気バブルパッケージの構成例を示し、第
3図は磁気バブル駆動のための駆動電流波形および駆動
磁界軌跡を示す。
第4図は従来の磁気バブルウェハーの試験方法を説明す
るための図、第5図は本発明にかかる磁気バブルゥェハ
ーの上面図を夫々示す。図において、8は磁気バブルメ
モリチップ、14はバブルメモリウェハー、18は通電
パターン、19は外部接続端子である。
弟丁図
第3図
第2図
第4図
第よ図FIG. 1 shows an example of the configuration of a typical magnetic bubble memory chip, FIG. 2 shows an example of the configuration of a magnetic bubble package, and FIG. 3 shows a driving current waveform and a driving magnetic field locus for driving the magnetic bubble. FIG. 4 is a diagram for explaining a conventional magnetic bubble wafer testing method, and FIG. 5 is a top view of the magnetic bubble wafer according to the present invention. In the figure, 8 is a magnetic bubble memory chip, 14 is a bubble memory wafer, 18 is a conduction pattern, and 19 is an external connection terminal. Brother Ding Figure 3 Figure 2 Figure 4 Figure 4
Claims (1)
ーを加熱するための通電パターンを形成したことを特徴
とする磁気バブルメモリウエハー。 2 特許請求の範囲第1項記載の磁気バブルメモリウエ
ハーにおいて、上記通電パターンは上記磁気バブルメモ
リウエハー上に形成される磁気バブル駆動パターンと同
時に形成されることを特徴とする磁気バブルメモリウエ
ハー。 3 特許請求の範囲第1項記載の磁気バブルメモリウエ
ハーにおいて、上記通電パターンは上記磁気バブルメモ
リウエハー上に形成される複数の磁気バブルメモリチツ
プの夫々を取り囲むように形成されることを特徴とする
磁気バブルメモリウエハー。 4 特許請求の範囲第3項記載の磁気バブルメモリウエ
ハーにおいて、上記通電パターンは、磁気バブルメモリ
ウエハーより複数の磁気バブルメモリチツプを切り出す
ときのスクライブ線上に形成されていることを特徴とす
る磁気バブルメモリウエハー。[Scope of Claims] 1. A magnetic bubble memory wafer, characterized in that an energizing pattern for heating the wafer by energizing is formed on the magnetic bubble memory wafer. 2. The magnetic bubble memory wafer according to claim 1, wherein the energizing pattern is formed at the same time as the magnetic bubble drive pattern formed on the magnetic bubble memory wafer. 3. The magnetic bubble memory wafer according to claim 1, wherein the energization pattern is formed so as to surround each of the plurality of magnetic bubble memory chips formed on the magnetic bubble memory wafer. Magnetic bubble memory wafer. 4. The magnetic bubble memory wafer according to claim 3, wherein the energization pattern is formed on a scribe line when cutting out a plurality of magnetic bubble memory chips from the magnetic bubble memory wafer. memory wafer.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15614978A JPS6032278B2 (en) | 1978-12-15 | 1978-12-15 | magnetic bubble memory wafer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15614978A JPS6032278B2 (en) | 1978-12-15 | 1978-12-15 | magnetic bubble memory wafer |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5580884A JPS5580884A (en) | 1980-06-18 |
| JPS6032278B2 true JPS6032278B2 (en) | 1985-07-26 |
Family
ID=15621400
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15614978A Expired JPS6032278B2 (en) | 1978-12-15 | 1978-12-15 | magnetic bubble memory wafer |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6032278B2 (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3139487A1 (en) * | 1981-10-03 | 1983-04-21 | Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg | "METHOD FOR PRODUCING A MAGNETIC STORAGE LAYER" |
-
1978
- 1978-12-15 JP JP15614978A patent/JPS6032278B2/en not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5580884A (en) | 1980-06-18 |
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