JPS6036645B2 - 発振器 - Google Patents
発振器Info
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- JPS6036645B2 JPS6036645B2 JP8604779A JP8604779A JPS6036645B2 JP S6036645 B2 JPS6036645 B2 JP S6036645B2 JP 8604779 A JP8604779 A JP 8604779A JP 8604779 A JP8604779 A JP 8604779A JP S6036645 B2 JPS6036645 B2 JP S6036645B2
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- Japan
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- transmission line
- resonator
- oscillator
- resonators
- coupled
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/18—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance
- H03B5/1864—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a dielectric resonator
- H03B5/187—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a dielectric resonator the active element in the amplifier being a semiconductor device
- H03B5/1876—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a dielectric resonator the active element in the amplifier being a semiconductor device the semiconductor device being a field-effect device
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B2201/00—Aspects of oscillators relating to varying the frequency of the oscillations
- H03B2201/01—Varying the frequency of the oscillations by manual means
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B2201/00—Aspects of oscillators relating to varying the frequency of the oscillations
- H03B2201/02—Varying the frequency of the oscillations by electronic means
- H03B2201/0208—Varying the frequency of the oscillations by electronic means the means being an element with a variable capacitance, e.g. capacitance diode
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- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B2201/00—Aspects of oscillators relating to varying the frequency of the oscillations
- H03B2201/02—Varying the frequency of the oscillations by electronic means
- H03B2201/0225—Varying the frequency of the oscillations by electronic means the means being associated with an element comprising distributed inductances and capacitances
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/18—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance
- H03B5/1841—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a strip line resonator
- H03B5/1847—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a strip line resonator the active element in the amplifier being a semiconductor device
- H03B5/1852—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a strip line resonator the active element in the amplifier being a semiconductor device the semiconductor device being a field-effect device
Landscapes
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は発振器に関し、特にたとえばマイクロ波、ミ
リ波の通信機の送受信機に用いられる多周波切換発振器
に関する。
リ波の通信機の送受信機に用いられる多周波切換発振器
に関する。
マイクロ波、ミリ波の通信機に用いられる高安定発振源
として、複数の発振周波数のうちの任意の１つを選択的
に切換えて用いることが行われている。
として、複数の発振周波数のうちの任意の１つを選択的
に切換えて用いることが行われている。
第１図はこの発明の背景となる従釆の多周波切換発振器
の一例を示すブロック図である。
の一例を示すブロック図である。
この第１図において、それぞれ独立した発振器２１，２
２，・・・２ｎが設けられる。そして、これら発振器２
１，２２，・・・２ｎは、それぞれ相異なる発振周波数
ｆｌ，ｆ２，・・・ｆｎを有する。これら発振器２１，
２２，…２ｎには、電源スイッチ１１，１２．・・・ｌ
ｎを介して、電圧源に接続されている。また、発振器２
１，２２，…２ｎの出力は、たとえば分岐回路からなる
電力合成器３を介して、負荷４に与えられる。そして、
これら発振器２１，２２，・・・２ｎのいずれかを、電
源スイッチ１１，１２，・・・ｌｎのいずれかをオンす
ることによって、選択し、その選択された発振器の出力
を負荷４に与えている。従来の多周波切襖発振器は、こ
のように構成されているので、それぞれ独立のかつ相異
なる発振周波数を有する複数の発振器が必要である。
２，・・・２ｎが設けられる。そして、これら発振器２
１，２２，・・・２ｎは、それぞれ相異なる発振周波数
ｆｌ，ｆ２，・・・ｆｎを有する。これら発振器２１，
２２，…２ｎには、電源スイッチ１１，１２．・・・ｌ
ｎを介して、電圧源に接続されている。また、発振器２
１，２２，…２ｎの出力は、たとえば分岐回路からなる
電力合成器３を介して、負荷４に与えられる。そして、
これら発振器２１，２２，・・・２ｎのいずれかを、電
源スイッチ１１，１２，・・・ｌｎのいずれかをオンす
ることによって、選択し、その選択された発振器の出力
を負荷４に与えている。従来の多周波切襖発振器は、こ
のように構成されているので、それぞれ独立のかつ相異
なる発振周波数を有する複数の発振器が必要である。
そのために、これら発振器に用いる能動素子もまた複数
個必要である。したがって、このような多周波切換の発
振器が非常に高価なものとなってしまう。それとともに
、マイクロ波発振器などでは、各個別の発振器の小形化
には一定の限界がある。したがって、このように複数の
それぞれ独立した発振器を用いるものであれば、非常に
大形の発振器となってしまう。したがって、このような
発振器を用いた送受信器もまた小形化が困難となってい
る。それゆえに、この発明の主たる目的は、安価なかつ
小形の多周波切襖発振器を提供することである。
個必要である。したがって、このような多周波切換の発
振器が非常に高価なものとなってしまう。それとともに
、マイクロ波発振器などでは、各個別の発振器の小形化
には一定の限界がある。したがって、このように複数の
それぞれ独立した発振器を用いるものであれば、非常に
大形の発振器となってしまう。したがって、このような
発振器を用いた送受信器もまた小形化が困難となってい
る。それゆえに、この発明の主たる目的は、安価なかつ
小形の多周波切襖発振器を提供することである。
この発明は、要約すれば、負性抵抗特性を有する能動素
子たとえばドレィン接地した電界効果トランジスタ（以
下「ＦＥＴ」）のゲート端子に伝送線路を結合しその他
端を無反射終端器で終端し、伝送線路の適当な位置に所
定の共振周波数を持つ相互に結合の無い複数の共振器を
配置し、これら複数の共振器の位相条件を変えることに
より、その発振周波数を選択するようにした発振器であ
る。
子たとえばドレィン接地した電界効果トランジスタ（以
下「ＦＥＴ」）のゲート端子に伝送線路を結合しその他
端を無反射終端器で終端し、伝送線路の適当な位置に所
定の共振周波数を持つ相互に結合の無い複数の共振器を
配置し、これら複数の共振器の位相条件を変えることに
より、その発振周波数を選択するようにした発振器であ
る。
この発明の上述の目的およびその他の目的と特徴は図面
を参照して行う以下の詳細な説明から一層明らかとなろ
う。
を参照して行う以下の詳細な説明から一層明らかとなろ
う。
第２図はこの発明の一実施例を示す回路図である。
構成において、１つのＦＥＴＩＩＯが設けられる。この
ＦＥＴＩＩＯはゲート端子１１１とソース端子１１２と
ドレィン様子１１３とを含む。ドレィン端子１１３が接
地される。ゲート端子１１ １には伝送線路１２１が結
合される。この伝送線路１２１は、たとえばストリップ
ラインで構成され、それぞれ異なる振動ないし共振周波
数を有するｎ個の共振器１３１，１３２，・・・１３ｎ
が結合されている。そして、このストリップラインすな
わち伝送線路１２１は、その他端において無反射終端器
１４０で終端されている。さらに、伝送線路１２１には
、バラクタダィオード１５０が接続されている。このバ
ラクタタｒィオード１５０には、図示しない外部信号付
与手段からの外部信号が与えられ、その極間容量が変え
られる。ＦＥＴＩ ＩＯのソース端子１ １２には、伝
送線路１２２を介して出力嬢栓１６０が接続されている
。このような構成において、バラクタタ′ィオード１５
０に、外部信号を与えることにより、各共振器１３１，
１３２，・・・１３ｎのうちの任意の１つとＦＥＴＩＩ
Ｏとで発振回路を構成するように、その電気長を変える
。それによって、この発振器１００から出力後栓１６川
こ得られる発振周波数を各共振器１３１なし、し１３ｎ
のうちのいずれかの共振周波数に応じた発振周波数とす
る。以下に、そのことを第３図および第４図を参照して
、詳細に説明する。第３図は複数の共振器のうちのいず
れか１つを選択した場合の説明図であり、第４図はその
等価回路である。
ＦＥＴＩＩＯはゲート端子１１１とソース端子１１２と
ドレィン様子１１３とを含む。ドレィン端子１１３が接
地される。ゲート端子１１ １には伝送線路１２１が結
合される。この伝送線路１２１は、たとえばストリップ
ラインで構成され、それぞれ異なる振動ないし共振周波
数を有するｎ個の共振器１３１，１３２，・・・１３ｎ
が結合されている。そして、このストリップラインすな
わち伝送線路１２１は、その他端において無反射終端器
１４０で終端されている。さらに、伝送線路１２１には
、バラクタダィオード１５０が接続されている。このバ
ラクタタｒィオード１５０には、図示しない外部信号付
与手段からの外部信号が与えられ、その極間容量が変え
られる。ＦＥＴＩ ＩＯのソース端子１ １２には、伝
送線路１２２を介して出力嬢栓１６０が接続されている
。このような構成において、バラクタタ′ィオード１５
０に、外部信号を与えることにより、各共振器１３１，
１３２，・・・１３ｎのうちの任意の１つとＦＥＴＩＩ
Ｏとで発振回路を構成するように、その電気長を変える
。それによって、この発振器１００から出力後栓１６川
こ得られる発振周波数を各共振器１３１なし、し１３ｎ
のうちのいずれかの共振周波数に応じた発振周波数とす
る。以下に、そのことを第３図および第４図を参照して
、詳細に説明する。第３図は複数の共振器のうちのいず
れか１つを選択した場合の説明図であり、第４図はその
等価回路である。
共振器の結合点Ａより共振器と無反射終端器１４０を見
込んだ正規化インピーダンス（Ｚｏで正規化）ＺＲは式
‘１｝で表わされる。
込んだ正規化インピーダンス（Ｚｏで正規化）ＺＲは式
‘１｝で表わされる。
ＺＲ＝・十古ボきす ‐‐‐‘１’ここで、Ｑ
。
。
＝の。Ｃ。Ｒ。（共振器の無負荷Ｑ）・の。
＝マロ６（共振器の共振周波数）６＝２２二他（離調度
） ０リ。
） ０リ。
したがって点Ａにおける反射係数ｒＲは式■で表わされ
る。
る。
ｒＲ＝（ｒ。
十２古物６ ．．・‘２１点Ｂより見込んだＦ
ＥＴ１１０の入力インピーダンスのリアクタンス成分は
、伝送線路長６に含ませるとしてｘＧ＝０とすれば、Ｚ
Ｇ二ｒＧ（く０） ・・・‘３’とす
ると反射係数ｒｃ（ＳパラメータＳ，．に相当）はｒ。
ＥＴ１１０の入力インピーダンスのリアクタンス成分は
、伝送線路長６に含ませるとしてｘＧ＝０とすれば、Ｚ
Ｇ二ｒＧ（く０） ・・・‘３’とす
ると反射係数ｒｃ（ＳパラメータＳ，．に相当）はｒ。
＝宅舌 ‐．・【４’である。
ドレィン接地ＦＥＴにおいてはー ソースゲート間の容
量により内部帰還がかかりｒＧ＜０であり共振器がない
場合は負性抵抗増幅器となっている。
量により内部帰還がかかりｒＧ＜０であり共振器がない
場合は負性抵抗増幅器となっている。
点ＡにおいてｒＲが１に近づくと負性抵抗発振を生ずる
。発振条件は次式‘５｝‘こより表わされる。ｒＲ・ｒ
Ｇｅ−ｊ２８２１ …（５｝式
【２｝、式（４’を代入して整理するとｒ。
。発振条件は次式‘５｝‘こより表わされる。ｒＲ・ｒ
Ｇｅ−ｊ２８２１ …（５｝式
【２｝、式（４’を代入して整理するとｒ。
葺合・（ｒ。
十２）ｃｏｓ２０−２８。６ｓｉｎ２ａ（ｒ。
十２７十（２８。６ア
−ｈ。
宅三・２８。
６ｃｏｓ２８十（ｒ。
十２）ｓｉｎ２８と・（ｒ。十２７十（２８０６アとな
り、虚数部より発振周波数条件を求めると、次式｛６ー
が得られる。
り、虚数部より発振周波数条件を求めると、次式｛６ー
が得られる。
６＝−（ｒ。
十２）ｔａｎ２８ …【６｝２８
。実数部に式【６）を代入して次式‘７｝が得られる。
。実数部に式【６）を代入して次式‘７｝が得られる。
ｒ。芳三・ら主２０Ｓ２８２１ ・‐・‘７１苦言
＜ｏとすると・−・ミｃｏｓ２８ミ立２，「土リ
…‘８，− ｒ。
＜ｏとすると・−・ミｃｏｓ２８ミ立２，「土リ
…‘８，− ｒ。
ｒＧ−・芳三≧ｏとすると
学・芋三≦ＣＯＳ雄１ ．．・【９１
となる。
式｛８１の場合、芸−Ｍ≦８号十Ｍ（ａＳ２汀とする）
なる範囲で、式｛９ーの場合はＯＳ８≦芸−Ｍまたは昔
十Ｍミ心２汀（ぬれとする）なる範囲で発振条件を満足
する。
なる範囲で、式｛９ーの場合はＯＳ８≦芸−Ｍまたは昔
十Ｍミ心２汀（ぬれとする）なる範囲で発振条件を満足
する。
ＦＥＴＩＩＯの入力インピーダンスの実測値によるとｒ
Ｇ＝−０．１であるので、発振開始可能な条件として、
式脚の数値例を示すと６＝０のときは点Ａより共振器と
無反射終端器を見込んだＶＳＷＲはｐ＝１十ｒ。
Ｇ＝−０．１であるので、発振開始可能な条件として、
式脚の数値例を示すと６＝０のときは点Ａより共振器と
無反射終端器を見込んだＶＳＷＲはｐ＝１十ｒ。
で表わせるから、式■においてｒ。＝ｐ−１、また負性
抵抗ｒｃ＝−０．１、ｐ＝１７とするとｒ＋２．ｒＧ＋
１＝・０．９２ ｒｏ ｒｃ−１ となり、したがって、 ７８．５０ＳＯＳＩＯＩ．５０
…（１のの範囲内で発振を生ずるがこの範囲外では発振
停止となることがわかる。
抵抗ｒｃ＝−０．１、ｐ＝１７とするとｒ＋２．ｒＧ＋
１＝・０．９２ ｒｏ ｒｃ−１ となり、したがって、 ７８．５０ＳＯＳＩＯＩ．５０
…（１のの範囲内で発振を生ずるがこの範囲外では発振
停止となることがわかる。
第２図はゲート端子と共振器間の電気角８ｉを外部信号
により可変できるようにバラクタタ１１ィオード１５０
を配置した構成例である。
により可変できるようにバラクタタ１１ィオード１５０
を配置した構成例である。
ゲート端子１１１に結合した線路１２１にｎ個の誘電体
共振器１３１〜１３ｎを結合している。常時ゲート端子
１１１と各共振器間の位相８ｉは式脚で示される範囲外
にありＦＥＴＩＩ０の負性抵抗は無反射終端器で終端さ
れている。今周波数ｆｉの出力を望むとき、ｉ番目の共
振器１３ｉが発振条件式■を満足しｆｉなる周波数の出
力が得られるように、バラクタダイオード１５０の印加
電圧をかえる。第２図（第３図、第４図）の実施例では
、ＦＥＴＩＩＯのゲート端子１１１と各共振器１３１な
いし１３ｎとの間の位相長を電気的に変えて、各共振器
の発振条件を選択的に満足させるようにしたが、これは
ゲート端子１１１と各共振器との間の物理長を固定して
、各共振器の共振周波数を離調ごせてもよい。
共振器１３１〜１３ｎを結合している。常時ゲート端子
１１１と各共振器間の位相８ｉは式脚で示される範囲外
にありＦＥＴＩＩ０の負性抵抗は無反射終端器で終端さ
れている。今周波数ｆｉの出力を望むとき、ｉ番目の共
振器１３ｉが発振条件式■を満足しｆｉなる周波数の出
力が得られるように、バラクタダイオード１５０の印加
電圧をかえる。第２図（第３図、第４図）の実施例では
、ＦＥＴＩＩＯのゲート端子１１１と各共振器１３１な
いし１３ｎとの間の位相長を電気的に変えて、各共振器
の発振条件を選択的に満足させるようにしたが、これは
ゲート端子１１１と各共振器との間の物理長を固定して
、各共振器の共振周波数を離調ごせてもよい。
第５図はそのような実施例を示す。第５図において、伝
送線路１２１には、同じようにｎ個の共振器１３１，１
３２，・・・１３ｎが結合されている。
送線路１２１には、同じようにｎ個の共振器１３１，１
３２，・・・１３ｎが結合されている。
これら共振器１３１，１３２，・・・１３ｎには、第２
の伝送線路１７１，１７２，・・・１７ｎが結合されて
いる。そして、第２の伝送線路１７１，１７２，・・・
１７ｎの池端には、ＰＩＮダイオードもしくはバラクタ
ダイオード１８１，１８２，・・・１８ｎが接続されて
いる。したがって、この第５図の実施例では、第２図の
実施例で用いたバラクタダイオード１５０は用いない。
今電気角のま ａ＝ＢＩ＝Ｚ子草童１＝２竹空軍ｆｌ で表わされる。
の伝送線路１７１，１７２，・・・１７ｎが結合されて
いる。そして、第２の伝送線路１７１，１７２，・・・
１７ｎの池端には、ＰＩＮダイオードもしくはバラクタ
ダイオード１８１，１８２，・・・１８ｎが接続されて
いる。したがって、この第５図の実施例では、第２図の
実施例で用いたバラクタダイオード１５０は用いない。
今電気角のま ａ＝ＢＩ＝Ｚ子草童１＝２竹空軍ｆｌ で表わされる。
ここで入。
：自由空間波長Ｅｅｆｆ：平面回路の実効譲露率
ｃ：光速
１：ＦＥＴゲート様子と今考えている共
振器の物理長
ｆ：共振周波数である。
式（１１）を式‘１０に代入して発振条件を満足する周
波数を求めるとＣ Ｃ ７８．５０２ｍゾＥｅｆー，≦ｆ≦１０１．？宏７弦布
…（１２）となる。
波数を求めるとＣ Ｃ ７８．５０２ｍゾＥｅｆー，≦ｆ≦１０１．？宏７弦布
…（１２）となる。
ｃ＝３×１び１肌、Ｅｅｆｆ＝２．２１、１＝７側のと
き６．＆日２ミｆＳ８．１０ＨＺ ・・
・（１３）となる。
き６．＆日２ミｆＳ８．１０ＨＺ ・・
・（１３）となる。
したがって、式（１３）より７．匁日２の共振周波数を
持つ共振器は、１を一定としたとき、十９０皿Ｍ日２内
では発振条件を満足するが、この範囲外にまで離調され
ると発振条件は満足されない。第６図に共振器に第２の
伝送線路を結合させたときの等価回路を示す。
持つ共振器は、１を一定としたとき、十９０皿Ｍ日２内
では発振条件を満足するが、この範囲外にまで離調され
ると発振条件は満足されない。第６図に共振器に第２の
伝送線路を結合させたときの等価回路を示す。
今ＰＩＮダイオード１８１〜１８ｎのいずれかを短絡状
態にしたとすれば点Ｃより右を見込むときのインピーダ
ンスはＺ′＝ｉのＬ。
態にしたとすれば点Ｃより右を見込むときのインピーダ
ンスはＺ′＝ｉのＬ。
≧。ｔ宏。孝三。竿よさ；ｋ２）…（・４）となる。こ
こで、ｋは結合係数でありｋ＝老三で表がれる。
こで、ｋは結合係数でありｋ＝老三で表がれる。
ａ′＝ｎ中になっているものとすれば、
Ｚ′：ｊのＬ。
（１一ｋ２） …（１５）となる。したがっ
て共振周波数は次式（１６）となる。１
．．．（１６）の＝ゾ（１−ｋ２）Ｌ。
て共振周波数は次式（１６）となる。１
．．．（１６）の＝ゾ（１−ｋ２）Ｌ。
Ｃ。またＰＩＮダイオード１８１〜１８ｎのいずれかを
開放状態にしたとすればＺ′ニｊのＬ。
開放状態にしたとすればＺ′ニｊのＬ。
−ＺＯＣ。ｔ８十のＬ（１一ｋ２）…（１７）−Ｚ。ｃ
ｏｔ８十ｗＬ，８′＝ｎ汀ではｃｏｔｏ＝のだから Ｚ′ニｊのＬ。
ｏｔ８十ｗＬ，８′＝ｎ汀ではｃｏｔｏ＝のだから Ｚ′ニｊのＬ。
…（１８）となり、このときの共
振周波数は１ ．．．（ｉ９）の
ニ７ｑ支 となる。
振周波数は１ ．．．（ｉ９）の
ニ７ｑ支 となる。
これは共振器固有の共振周波数である。したがってＰＩ
Ｎダイオード１８１〜１８ｎのいずれかを外部信号によ
り、ＯＮ−ＯＦＦすることにより共振周波数の変化比は
ノ１−ｋ２だけ得られる。ｋ＝０．５としたとき７．幻
ＨＺにおける周波数変化は約ＩＧＨＺである。したがっ
てＰＩＮダイオード１８１〜１８ｎが短絡状態で式（１
２）の発振条件を満足せぬように共振器を雛議しておき
、所望するときにＰＩＮダイオード１８１〜１８ｎのい
ずれかを開放状態として共振器固有の共振周波数で発振
条件を満足するようにしておくと目的は蓬せられる。ま
たＰＩＮダイオード１８１〜１８ｎを開放状態として、
共振器を雛調しておき、所望するときにＰＩＮダイオー
ド１８１〜１８ｎのいずれかを短絡状態とし、共振器固
有の共振周波数となるようにしても目的は蓬せられる。
以上のように、この発明によれば、ただ１つの能動素子
たとえばＦＥＴを用いて、複数の共振器を選択して発振
器を構成するようにしたので、安価でかつ小形の多周波
切換発振器が得られる。
Ｎダイオード１８１〜１８ｎのいずれかを外部信号によ
り、ＯＮ−ＯＦＦすることにより共振周波数の変化比は
ノ１−ｋ２だけ得られる。ｋ＝０．５としたとき７．幻
ＨＺにおける周波数変化は約ＩＧＨＺである。したがっ
てＰＩＮダイオード１８１〜１８ｎが短絡状態で式（１
２）の発振条件を満足せぬように共振器を雛議しておき
、所望するときにＰＩＮダイオード１８１〜１８ｎのい
ずれかを開放状態として共振器固有の共振周波数で発振
条件を満足するようにしておくと目的は蓬せられる。ま
たＰＩＮダイオード１８１〜１８ｎを開放状態として、
共振器を雛調しておき、所望するときにＰＩＮダイオー
ド１８１〜１８ｎのいずれかを短絡状態とし、共振器固
有の共振周波数となるようにしても目的は蓬せられる。
以上のように、この発明によれば、ただ１つの能動素子
たとえばＦＥＴを用いて、複数の共振器を選択して発振
器を構成するようにしたので、安価でかつ小形の多周波
切換発振器が得られる。
第１図はこの発明の背景となる従釆の多周波切換発振器
の一例を示すブロック図である。 第２図はこの発明の一実施例を示す概念図である。第３
図は第２図の実施例において１つの共振器が選択された
場合の概念図であり、第４図はその等価回路を示す。第
５図はこの発明の他の実施例を示す概念図であり、第６
図はその実施例を説明するための等価回路である。図に
おいて、１１川まＦＥＴ、１２１は伝送線路、１３１な
し、し１３ｎは共振器、１４川ま無反射終端器、１５０
はバラクタダィオード、１６０は出力後栓、１７１なし
、し１７ｎは第２の伝送線路、１８１ないし１８ｎはＰ
ＩＮダイオードまたはバラクタダイオードを示す。 第１図第２図 第３図 第４図 第５図 第６図
の一例を示すブロック図である。 第２図はこの発明の一実施例を示す概念図である。第３
図は第２図の実施例において１つの共振器が選択された
場合の概念図であり、第４図はその等価回路を示す。第
５図はこの発明の他の実施例を示す概念図であり、第６
図はその実施例を説明するための等価回路である。図に
おいて、１１川まＦＥＴ、１２１は伝送線路、１３１な
し、し１３ｎは共振器、１４川ま無反射終端器、１５０
はバラクタダィオード、１６０は出力後栓、１７１なし
、し１７ｎは第２の伝送線路、１８１ないし１８ｎはＰ
ＩＮダイオードまたはバラクタダイオードを示す。 第１図第２図 第３図 第４図 第５図 第６図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ドレイン接地された電界効果トランジスタと、その
一端で前記電界効果トランジスタのゲート端子に結合さ
れる伝送線路と、前記伝送線路の他端に設けられる無反
射終端器と、前記伝送線路に個別的に結合されるかつそ
れぞれが所定の共振周波数を有する相互に結合のない複
数の共振器と、前記複数の共振器のうちの任意の１つを
選択して前記電界効果トランジスタとともに発振回路を
構成する選択手段とを備える発振器。 ２ 前記選択手段は、前記電界効果トランジスタのゲー
ト端子と各共振器の間の伝送線路上の適当な位置に設け
られて電気的にリアクタンスを可変する素子と、前記素
子に電気信号を与える手段とを含む特許請求の範囲第１
項記載の発振器。 ３ 前記選択手段は、前記各共振器に結合される第２の
伝送線路と、この第２の伝送線路の一端に設けられて電
気的にリアクタンスを可変できる素子と、前記素子に電
気信号を与える手段とを含む、特許請求の範囲第１項記
載の発振器。 ４ 前記選択手段は前記各共振器に結合される第２の伝
送線路と、この第２の伝送線路の一端に設けられて電気
的に短絡または開放できる素子と、前記素子に電気信号
を与えて短絡または開放する手段とを含む、特許請求の
範囲第１項記載の発振器。 ５ 前記伝送線路はストリツプラインで構成され、前記
各共振器は誘電体共振器で構成されている、特許請求の
範囲第１項ないし第４項記載の発振器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8604779A JPS6036645B2 (ja) | 1979-07-04 | 1979-07-04 | 発振器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8604779A JPS6036645B2 (ja) | 1979-07-04 | 1979-07-04 | 発振器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS568905A JPS568905A (en) | 1981-01-29 |
| JPS6036645B2 true JPS6036645B2 (ja) | 1985-08-21 |
Family
ID=13875758
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8604779A Expired JPS6036645B2 (ja) | 1979-07-04 | 1979-07-04 | 発振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6036645B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH088447B2 (ja) * | 1987-12-21 | 1996-01-29 | 株式会社日立製作所 | マイクロ波電圧制御発振器 |
-
1979
- 1979-07-04 JP JP8604779A patent/JPS6036645B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS568905A (en) | 1981-01-29 |
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