JPS6037155B2 - 液晶組成物 - Google Patents
液晶組成物Info
- Publication number
- JPS6037155B2 JPS6037155B2 JP8323776A JP8323776A JPS6037155B2 JP S6037155 B2 JPS6037155 B2 JP S6037155B2 JP 8323776 A JP8323776 A JP 8323776A JP 8323776 A JP8323776 A JP 8323776A JP S6037155 B2 JPS6037155 B2 JP S6037155B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- crystal composition
- conductivity
- additive
- present
- Prior art date
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は液晶組成物に関するものである。
動的散乱モードを利用した液晶表示装置の液晶組成物と
しては従来４級アンモニウム塩を添加剤として含有した
液晶組成物が多く用いられている。
しては従来４級アンモニウム塩を添加剤として含有した
液晶組成物が多く用いられている。
しかしこのような液晶組成物は導電率の温度依存性が大
きいという欠点を有している。従って液晶組成物の使用
温度範囲を低温側に拡げようとすると常温での導電率が
必要以上に大きくなり、その結果消費電力が増大すると
いう欠点を有している。本発明は上記の点に鑑みてなさ
れたものであり、導電率の温度依存性の４・さい液晶組
成物を得ることを目的としてなされたものである。
きいという欠点を有している。従って液晶組成物の使用
温度範囲を低温側に拡げようとすると常温での導電率が
必要以上に大きくなり、その結果消費電力が増大すると
いう欠点を有している。本発明は上記の点に鑑みてなさ
れたものであり、導電率の温度依存性の４・さい液晶組
成物を得ることを目的としてなされたものである。
本発明者等は上記の目的に沿って鋭意研究を進めた結果
下記の一般式で示されるィミン化合物の塩を添加剤とし
て添加した液晶組成物は、従来の液晶組成物に比較して
導電率の温度依存性が非常に小さくなることを見し、出
した。
下記の一般式で示されるィミン化合物の塩を添加剤とし
て添加した液晶組成物は、従来の液晶組成物に比較して
導電率の温度依存性が非常に小さくなることを見し、出
した。
即ちこのィミン化合物の塩を添加剤として使用すること
により、導電率の温度依存性の非常に小さい液晶組成物
を提供できることを見し、出した。ィミン化合物の塩（
以下ィンモニウム塩という。
により、導電率の温度依存性の非常に小さい液晶組成物
を提供できることを見し、出した。ィミン化合物の塩（
以下ィンモニウム塩という。
）の一般式（但しＲ，Ｒは電子供与性基、Ｘｅは陰イオ
ン性基である。
ン性基である。
）従って、この液晶組成物を用いて液晶表示装置を構成
した場合、使用温度領域を低温側に拡げても常温での導
電率は必要以上に大きくなりすぎることはなく、消費電
力の低減をはかることができる。
した場合、使用温度領域を低温側に拡げても常温での導
電率は必要以上に大きくなりすぎることはなく、消費電
力の低減をはかることができる。
以下実施例に基づいて本発明を詳細に説明する。
対向電極間が２叫ｍの透過型液晶セルを作製する。
一方、例えば
Ａ メルクジヤパン■製 ェステル混合液晶な１一般９
又は
８チッッ■製 アゾキシ混合液晶 ＳＸ−１の混合液晶
を準備する。
を準備する。
そして、上記の一つの混合液晶中へ本発明に係る種々の
添力ロ斉眼０ち、ｌ ｐ−メトキシベンジリデン−ｐ−
ｎブチルベンゼンインモニウム３．５ージニトロベンゼ
ンスルホネート（構造式）２ ｐ−エトキシベンジリデ
ン一ｐ−ｎーブチルベンゼンインモニウム３．５ージニ
トロベンゼンスルホネート、３ ｐ−ｎ一ブトキシベン
ジリデン−ｐ−ｎ−フチルベンゼンインモニウム３．５
ージニトロベンゼンスルホネート、４ ｐ−メトキシベ
ンジリデン−ｐ−ｎ−ブチルベンゼンインモニウム３．
５−ジニトｏベンゾヱイト、５ ｐ−エトキシベンジリ
デン−ｐ−ｎ−ブチルベンゼンインモニウム３．５−ジ
ニトロベンゾエィト（構造式）６ ｐ−ｎ−ブトキシベ
ンジリデン一ｐ−ｎ−フチルベンゼンインモニウム３．
５−ジニトロベンゾエイト、７ ｐ−メトキシベンジリ
デン−ｐ−ｎ−プチルベンゼンインモニウム２．４．６
−トリニトロベンゾエイト、８ ｐ一エトキシベンジリ
デン−ｐ−ｎ−ブチルベンゼンインモニウム２．４．６
ートリニトｏベンゾエイト、９ ｐ−ｎ−ブトキシベン
ジリデン−ｐ−ｎ−フチルベンゼンインモニウム２．４
．６ートリニトロベンゾェィト（構造式）の何れかの添
加物を添加して液晶組成物を作製する。
添力ロ斉眼０ち、ｌ ｐ−メトキシベンジリデン−ｐ−
ｎブチルベンゼンインモニウム３．５ージニトロベンゼ
ンスルホネート（構造式）２ ｐ−エトキシベンジリデ
ン一ｐ−ｎーブチルベンゼンインモニウム３．５ージニ
トロベンゼンスルホネート、３ ｐ−ｎ一ブトキシベン
ジリデン−ｐ−ｎ−フチルベンゼンインモニウム３．５
ージニトロベンゼンスルホネート、４ ｐ−メトキシベ
ンジリデン−ｐ−ｎ−ブチルベンゼンインモニウム３．
５−ジニトｏベンゾヱイト、５ ｐ−エトキシベンジリ
デン−ｐ−ｎ−ブチルベンゼンインモニウム３．５−ジ
ニトロベンゾエィト（構造式）６ ｐ−ｎ−ブトキシベ
ンジリデン一ｐ−ｎ−フチルベンゼンインモニウム３．
５−ジニトロベンゾエイト、７ ｐ−メトキシベンジリ
デン−ｐ−ｎ−プチルベンゼンインモニウム２．４．６
−トリニトロベンゾエイト、８ ｐ一エトキシベンジリ
デン−ｐ−ｎ−ブチルベンゼンインモニウム２．４．６
ートリニトｏベンゾエイト、９ ｐ−ｎ−ブトキシベン
ジリデン−ｐ−ｎ−フチルベンゼンインモニウム２．４
．６ートリニトロベンゾェィト（構造式）の何れかの添
加物を添加して液晶組成物を作製する。
上記液晶組成物を上記透過型液晶セルに充填し、しきい
値電圧（６０日２のｓｊａ波印加時に於いて動的散乱を
生ずる最低の電圧（実効値））、電流密度（実効電圧値
２５Ｖ，６０ＨＺのｓｉｎ波印加時の電流密度、測定温
度２５００）、電流密度の温度依存性（実効電圧値２５
Ｖ，６０ＨＺｓ岬皮印加時の電流密度温度依存性）に関
して下記第一表に示す結果を得た。
値電圧（６０日２のｓｊａ波印加時に於いて動的散乱を
生ずる最低の電圧（実効値））、電流密度（実効電圧値
２５Ｖ，６０ＨＺのｓｉｎ波印加時の電流密度、測定温
度２５００）、電流密度の温度依存性（実効電圧値２５
Ｖ，６０ＨＺｓ岬皮印加時の電流密度温度依存性）に関
して下記第一表に示す結果を得た。
第１表は添加物として１，４，７の添加剤を使用した場
合である。なお、下記第一表には参考として、上記混合
液晶に従来より用いられている添加剤（１０）ドテシル
トリメチルアンモニウムプロマィド（構造式）を添加し
た液晶組成物に関する測定データもあげている。
合である。なお、下記第一表には参考として、上記混合
液晶に従来より用いられている添加剤（１０）ドテシル
トリメチルアンモニウムプロマィド（構造式）を添加し
た液晶組成物に関する測定データもあげている。
上記第一表に示す如く本発明の液晶組成物は従来のもの
に比較して導電率の温度依存性が著しく小さい。
に比較して導電率の温度依存性が著しく小さい。
尚、本発明にかかる添加剤
に於いて電子供与性基であるＲ，Ｒ′としてはアルコキ
キシ基、アルキル基、ハロゲン等が可能であり、又Ｒ，
Ｒ′は同種のものでも異種のものでもよい。
キシ基、アルキル基、ハロゲン等が可能であり、又Ｒ，
Ｒ′は同種のものでも異種のものでもよい。
更に陰イオン性基である×ｅとしては他に等が可能であ
る。
る。
また本発明に係る上記添加剤（ィンモニウム塩）はアゾ
系液晶、アゾキシ液晶、ェステル系液晶等の、シツフ系
液晶を除く液晶物質又はその混合液晶全てに於いて、添
加剤として有効に使用可能である。
系液晶、アゾキシ液晶、ェステル系液晶等の、シツフ系
液晶を除く液晶物質又はその混合液晶全てに於いて、添
加剤として有効に使用可能である。
従来より一般に用いられていた添加剤（例えば４級アン
モニウム塩）を添加した液晶組成物は導電率の温度依存
性が大きく、従って液晶表示装置の使用温度範囲の下限
に合わせて添加剤を添加した場合、高温領域における導
電率が必要以上に大きくなり過ぎるという欠点があった
。
モニウム塩）を添加した液晶組成物は導電率の温度依存
性が大きく、従って液晶表示装置の使用温度範囲の下限
に合わせて添加剤を添加した場合、高温領域における導
電率が必要以上に大きくなり過ぎるという欠点があった
。
この為表示電極近傍に電気分解生成物が発生し易く、こ
れによって表示品位が低下し、表示装置の寿命を縮めて
いた。
れによって表示品位が低下し、表示装置の寿命を縮めて
いた。
又それとともに無駄な電力を多量に消費していた。本発
明はこの問題点を解決するもので，あり、導電率の温度
依存性の非常に小さい液晶組成物を提供し、表示装置の
長寿命化、低消費電力化を達成させるものである。
明はこの問題点を解決するもので，あり、導電率の温度
依存性の非常に小さい液晶組成物を提供し、表示装置の
長寿命化、低消費電力化を達成させるものである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 下記の一般式で表わされるごく微量のイミン化合物
の塩が、シツフ系液晶を除く液晶物質に添加されてなる
ことを特徴とする液晶組成物。 ▲数式、化学式、表等があります▼（但しＲ，Ｒ′はア
ルキル基アルコキシ基、若しくはハロゲン、ＸはＨＳＯ
＿４，▲数式、化学式、表等があります▼ 若しくはＨＰＯ＿４）
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8323776A JPS6037155B2 (ja) | 1976-07-12 | 1976-07-12 | 液晶組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8323776A JPS6037155B2 (ja) | 1976-07-12 | 1976-07-12 | 液晶組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS538381A JPS538381A (en) | 1978-01-25 |
| JPS6037155B2 true JPS6037155B2 (ja) | 1985-08-24 |
Family
ID=13796707
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8323776A Expired JPS6037155B2 (ja) | 1976-07-12 | 1976-07-12 | 液晶組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6037155B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5871979A (ja) * | 1981-10-26 | 1983-04-28 | Alps Electric Co Ltd | 液晶混合物 |
-
1976
- 1976-07-12 JP JP8323776A patent/JPS6037155B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS538381A (en) | 1978-01-25 |
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