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JPS6038796B2 - Contiguous disk type magnetic bubble element - Google Patents
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JPS6038796B2 - Contiguous disk type magnetic bubble element - Google Patents

Contiguous disk type magnetic bubble element

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Publication number
JPS6038796B2
JPS6038796B2 JP57161442A JP16144282A JPS6038796B2 JP S6038796 B2 JPS6038796 B2 JP S6038796B2 JP 57161442 A JP57161442 A JP 57161442A JP 16144282 A JP16144282 A JP 16144282A JP S6038796 B2 JPS6038796 B2 JP S6038796B2
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JP
Japan
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transfer path
cusp
current pulse
major
magnetic bubble
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JP57161442A
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公秀 松山
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DENSHI KEISANKI KIPPON GIJUTSU KENKYU KUMIAI
Original Assignee
DENSHI KEISANKI KIPPON GIJUTSU KENKYU KUMIAI
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Publication date
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    • G11C11/02Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
    • G11C11/14Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements

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Description

【発明の詳細な説明】 本発明はコンティギュァスディスク型磁気バブル素子に
関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a continuous disk type magnetic bubble element.

パーマロィパタンにより磁気バブル(以下、単にバブル
と呼ぶ)の転送を行なう従来の磁気バブル素子(以下、
単にコンベンショナル型磁気バブル素子と呼ぶ)では、
パーマロィパタンを非常に狭い間隙を介して形成しなけ
ればならずこの間隙の形成が微細加工上の限界となり記
憶密度の向上を妨げている。
A conventional magnetic bubble element (hereinafter referred to as "bubbles") transfers magnetic bubbles (hereinafter simply referred to as bubbles) using a permalloy pattern.
(simply called a conventional magnetic bubble element),
Permalloy patterns must be formed with very narrow gaps in between, and the formation of these gaps becomes a limit in microfabrication and impedes improvement in storage density.

このようなコンベンショナル型磁気バブル素子の有する
欠点を克服するために、すでに、米国特許第38283
2y言明細書において磁性薄膜上に選択的にイオン注入
を施すことにより形成される非注入領域からなる転送路
に沿ってバブルの転送を行なうコンティギュアスディス
ク型磁気バブル素子が提案されている。コンベンショナ
ル型磁気バブル素子に関しては、すでに、1976年1
1月にlEEE Tra順actiononNGgne
tics誌第MAC−12巻、第6号、第614頁〜第
61刀頁1こP.1.Bonyhard氏らによって発
表された論文において、ィーブン・オツド方式と呼ばれ
る2つのマイナーループ群、互に直列に接続した2つの
バブル発生器及び2つのバブル検出器を用いる素子構成
が提案され、メモリとしてのデータレイトを上げるうえ
で非常に有効であることが示されている。
In order to overcome the drawbacks of such conventional magnetic bubble elements, US Pat. No. 38,283 has already been proposed.
In the 2011 specification, a continuous disk type magnetic bubble element is proposed in which bubbles are transferred along a transfer path consisting of a non-implanted region formed by selectively implanting ions into a magnetic thin film. Conventional type magnetic bubble elements were already developed in January 1976.
lEEE Tra order action nonNGgne in January
tics Magazine Vol. MAC-12, No. 6, Pages 614 to 61, Page 1, P. 1. In a paper published by Mr. Bonyhard et al., an element configuration using two minor loop groups, two bubble generators and two bubble detectors connected in series, called the even-odds method, was proposed, and the device configuration was proposed as a memory. It has been shown to be very effective in increasing data rates.

しかしながら、コンテイギユアスディスク型磁気バブル
素子においては、まだ、ィーフン・オッド方式の具体的
な構成は提案されていない。本発明の目的はィープン・
オッド方式を採用した非常にデータレィトの高いコンテ
ィギュアスヂイスク型磁気バブル素子を提供することに
ある。
However, in a continuous disk type magnetic bubble element, a specific configuration of the Yihun-odd method has not yet been proposed. The purpose of the present invention is to
An object of the present invention is to provide a continuous disk type magnetic bubble element which employs an odd method and has an extremely high data rate.

本発明のコンティギュアスディスク型磁気バブル素子は
、磁気バブルを保持し得る磁性薄膜上に選択的にイオン
注入を施すことにより形成された第1のメジャー転送路
、第2のメジャー転送路、第1のマイナー転送路群およ
び第2のマイナー転送路群を備えたィーブン・オツド方
式のコンテイギュアスディスク型磁気バブル素子におい
て、前記第1のメジャー転送上の第1のカスプ部と前記
第2のメジャー転送路上の第2のカスプ部とに電気的に
直列に接続された第1及び第2のヘアピン状コンダクタ
パタンを設け、かつ、前記第1のカスプ部の開き角の2
等分線と第2のカスプ部の開き角の2等分線とのなす角
度を900以上としている。本発明を用いれば第1のメ
ジャー転送路の第1のカスプ部と第2のメジャー転送路
の第2のカスプ部に設けられた電気的に直列に接続され
た第1及び第2のヘアピン状コンダクタパタンに位相の
異なる第1及び第2の電流パルスを印加することにより
第1のメジャー転送路と第2のメジャー転送路とに選択
的に発生させることができる。
The continuous disk type magnetic bubble element of the present invention has a first major transfer path, a second major transfer path, and a second major transfer path formed by selectively implanting ions onto a magnetic thin film capable of holding magnetic bubbles. In an even-odds type contiguous disk type magnetic bubble element having one minor transfer path group and a second minor transfer path group, the first cusp portion on the first major transfer and the second first and second hairpin-shaped conductor patterns electrically connected in series to a second cusp portion on a major transfer path of the first cusp portion;
The angle between the equal dividing line and the bisecting line of the opening angle of the second cusp portion is 900 or more. According to the present invention, the first and second hairpin-shaped hairpins provided in the first cusp portion of the first major transfer path and the second cusp portion of the second major transfer path are electrically connected in series. By applying first and second current pulses having different phases to the conductor pattern, current pulses can be selectively generated in the first major transfer path and the second major transfer path.

したがって、第1の電流パルスにより第1のメジャー転
送路の第1のカスプ部に発生したバブルをイーブン側の
情報として用い、第2の電流パルスにより第2のメジャ
ー転送路の第2のカスプ部に発生したバブルをオツド側
の情報として用いることによりィーフン・オッド方式の
コンティギュアスディスク型磁気バブル素子を実現する
ことができる。次に第1図a及び第1図bを参照して本
発明の基本原理を説明する。
Therefore, the bubble generated at the first cusp portion of the first major transfer path by the first current pulse is used as even-side information, and the bubble generated at the second cusp portion of the second major transfer path by the second current pulse is used as even-side information. By using the bubbles generated on the odd side as information on the odd side, it is possible to realize a contiguous disk type magnetic bubble element of the iffn odd type. Next, the basic principle of the present invention will be explained with reference to FIGS. 1a and 1b.

第1図aにおいて、参照数字8は磁性薄膜、同数字3は
ヘアピン状コンダクタパタン、同数字1は磁性薄膜に選
択的にイオン注入を施すことにより形成された磁気バブ
ル転送路、同数字9はバイアス磁界の向きを表わす矢印
、同数字60は磁性薄膜の〔110〕方向を表わす矢E
P、同数字18は電流パルスの位相を規定する角度を表
わす矢印である。ヘアピン状コンダクタパタン3(以下
、単にコンダクタパタンと呼ぶ)に矢印7の向きの電流
パルスを印加すると、磁気バブル転送路1(以下、単に
転送路と呼ぶ)のカスプ部2に磁気バブル10が発生す
る。第1図bは、第1図aの磁気バブル発生器のコンダ
クタパタン3に印加する電流パルスの印加位相(DLY
)を横軸13に、該電流パルスの動作振幅を縦軸12に
とったグラフである。電流パルスのパルス幅は0.3仏
Sとしている。第1図bより明らかなように、第1図a
の磁気バブル発生器を用いてバブルを発生させるために
は、回転磁界が第1図aの矢印6で示される範囲内の方
向を向いているときに電流パルスを印加することが必要
である。換言すれば回転磁界が矢印6で示される範囲外
の方向を向いているときに電流パルスを印加してもバブ
ルは発生しない。第1図aに示されるように、カスプ部
2の開き角42の2等分線の方向を表わす矢印11と矢
印5とのなす角度は約450、矢印11と矢印4とのな
す角度は約2びである。
In Figure 1a, reference numeral 8 is a magnetic thin film, numeral 3 is a hairpin-shaped conductor pattern, numeral 1 is a magnetic bubble transfer path formed by selectively implanting ions into the magnetic thin film, and numeral 9 is a magnetic bubble transfer path formed by selectively implanting ions into the magnetic thin film. The arrow representing the direction of the bias magnetic field, the same number 60, is the arrow E representing the [110] direction of the magnetic thin film.
P and the same numeral 18 are arrows representing angles that define the phase of the current pulse. When a current pulse in the direction of the arrow 7 is applied to the hairpin-shaped conductor pattern 3 (hereinafter simply referred to as a conductor pattern), a magnetic bubble 10 is generated at the cusp portion 2 of the magnetic bubble transfer path 1 (hereinafter simply referred to as a transfer path). do. FIG. 1b shows the application phase (DLY) of the current pulse applied to the conductor pattern 3 of the magnetic bubble generator of FIG. 1a.
) is plotted on the horizontal axis 13 and the operating amplitude of the current pulse is plotted on the vertical axis 12. The pulse width of the current pulse is set to 0.3 French S. As is clear from Figure 1b, Figure 1a
In order to generate bubbles using a magnetic bubble generator, it is necessary to apply a current pulse when the rotating magnetic field is oriented within the range indicated by arrow 6 in FIG. 1a. In other words, even if a current pulse is applied when the rotating magnetic field is directed in a direction outside the range indicated by arrow 6, no bubbles are generated. As shown in FIG. 1a, the angle between arrow 11 and arrow 5 representing the direction of the bisector of opening angle 42 of cusp portion 2 is approximately 450, and the angle between arrow 11 and arrow 4 is approximately 450. It is 2nd.

したがって、第2図aに示すように第1のカスプ部21
の開き角の2等分線50と第2のカスプ部22の開き角
の2等分線51とのなす角度14が900以上となるよ
うに転送路を形成し、該カスプ部の各々に電気的に直列
に接続された第1のコンダクタバタン19及び第2のコ
ンダクタパタン20を設け、該コンダクタパタンに第2
図bに示すような印加位相の異なる第1の電流パルス1
6及び第2の電流パルス17を印加すれば、第1の電流
パルス16によって第1のカスプ部21のみにバブルが
発生し、第2の電流パルスによって第2のカスプ部22
のみにバブルが発生する。以上のように、本発明の基本
原理を用いれば、電気的に直列に接続されたコンダクタ
パタンを用い異なる2つのカスプ部に各々選択的にバブ
ルを発生させることができる。第2図bにおいて、機軸
40‘ま電流パルスの位相、縦軸41は電流パルスの振
幅を表わす。次に第3図を参照して本発明の第1の実施
例の動作を説明する。
Therefore, as shown in FIG. 2a, the first cusp portion 21
A transfer path is formed so that the angle 14 formed by the bisector 50 of the opening angle of the second cusp portion 22 and the bisector 51 of the opening angle of the second cusp portion 22 is 900 or more, and an electric current is applied to each of the cusp portions. A first conductor pattern 19 and a second conductor pattern 20 are provided which are connected in series.
First current pulses 1 with different applied phases as shown in Figure b
6 and the second current pulse 17, the first current pulse 16 generates a bubble only in the first cusp portion 21, and the second current pulse generates a bubble in the second cusp portion 22.
Bubbles occur only in As described above, by using the basic principle of the present invention, bubbles can be selectively generated in two different cusp portions using conductor patterns that are electrically connected in series. In FIG. 2b, the axis 40' represents the phase of the current pulse, and the vertical axis 41 represents the amplitude of the current pulse. Next, the operation of the first embodiment of the present invention will be explained with reference to FIG.

第3図において、参照数字30は第1のメジャー転送路
、同数字31は第2のメジャー転送路、同数字32は第
1のマイナー転送路群、同数字33は第2のマイナー転
送路群、同数字34、および35は各々第1及び第2の
磁気バブルトランスファーゲート、同数字36、および
37は各々第1及び第2の磁気バブル検出器、同数字6
0は磁性薄膜の〔110〕方向を表わす矢印である。本
実施例においては、第1のカスプ部21が含まれる第1
の転送路の1部を矢印61で示す〔112〕方向に折り
曲げることにより第1のカスプ部21の開き角の2等分
線50と第2のカスプ部22の開き角の2等分線51と
のなす角14を90oとしている。
In FIG. 3, reference numeral 30 is the first major transfer path, reference numeral 31 is the second major transfer path, reference numeral 32 is the first minor transfer path group, and reference numeral 33 is the second minor transfer path group. , the same numerals 34 and 35 are the first and second magnetic bubble transfer gates, respectively, the same numerals 36 and 37 are the first and second magnetic bubble detectors, respectively, the same numeral 6
0 is an arrow representing the [110] direction of the magnetic thin film. In this embodiment, the first cusp portion 21 is
By bending a part of the transfer path in the [112] direction shown by the arrow 61, a bisector 50 of the opening angle of the first cusp portion 21 and a bisector 51 of the opening angle of the second cusp portion 22 are formed. The angle 14 between the two is 90 degrees.

参照数字30および31の転送路の形状は、第2図aに
示した転送路と若干異なるがバブルの発生に直接関与す
るカスプ部の形状は類似しており、第1図a、第1図b
、第2図a及び第2図bを参照して説明した基本原理に
もとづき、第1のカスプ部21と第2のカスプ部22と
に選択的にバブルを発生させることができる。具体的に
は、第1のコンダクタパタン19及び第2のコンダクタ
パタン201こ矢印7で示す向きの第1の電流パルス1
6及び第2の電流パルス17を印加すれば第1の電流パ
ルス16により第1のカスプ部21に、また、第2の電
流パルス17により第2のカスプ部22にバブルを発生
させることができる。第4図は、第1図のカスプ部21
が含まれる第1のメジャー転送路の1部分を矢印62で
示す〔011〕方向に折り曲げることにより、第1のカ
スプ部21の開き角の2等分線50と第2のカスプ部2
2の開き角の2等分線51とのなす角度14を12ぴと
した本発明の第2の実施例である。
The shapes of the transfer paths indicated by reference numerals 30 and 31 are slightly different from those shown in FIG. 2a, but the shapes of the cusp portions directly involved in bubble generation are similar; b
, bubbles can be selectively generated in the first cusp portion 21 and the second cusp portion 22 based on the basic principle explained with reference to FIGS. 2a and 2b. Specifically, the first current pulse 1 in the direction shown by the arrow 7 is applied to the first conductor pattern 19 and the second conductor pattern 201.
6 and the second current pulse 17, bubbles can be generated in the first cusp portion 21 by the first current pulse 16 and in the second cusp portion 22 by the second current pulse 17. . FIG. 4 shows the cusp portion 21 of FIG.
By bending a portion of the first major transfer path including the arrow 62 in the [011] direction, the bisector 50 of the opening angle of the first cusp portion 21 and the second cusp portion 2 are bent.
This is a second embodiment of the present invention in which the angle 14 formed by the bisector 51 of the opening angle of 2 is 12 degrees.

第4図において、参照数字60は磁性薄膜の〔110〕
方向を表わす矢印である。第5図は、第1のカスプ部2
1が含まれる第1のメジャー転送路の1部を矢印63で
示す〔101〕方向に折り曲げることにより、第1のカ
スプ部21の開き角の2等分線50と第2のカスプ部2
2の開き角の2等分線51とのなす角度14を120o
とした本発明の第3の実施例である。
In FIG. 4, the reference number 60 is [110] of the magnetic thin film.
It is an arrow indicating a direction. FIG. 5 shows the first cusp portion 2.
By bending a part of the first major transfer path including 1 in the [101] direction shown by the arrow 63, the bisector 50 of the opening angle of the first cusp part 21 and the second cusp part 2
The angle 14 formed with the bisector 51 of the opening angle of 2 is 120o.
This is a third embodiment of the present invention.

第6図は、第1のカスプ部21が含まれる第1のメジャ
ー転送路の折れ曲がり部を第5図の第3の実施例よりも
1ビット分長くした本発明の第4の実施例である。これ
により、コンダクタパタン15に印加される電流パルス
によって譲糧される磁界分が第1のメジャー転送路上を
転送するバブルに与える影響を軽減することができる。
第7図は、〔110〕方向に形成された第1のメジャー
転送路の〔112〕側の第1のカスプ部21及び同じく
〔110〕方向に形成された第2のメジャー転送路の〔
112〕側の第2のカスプ部22に各々第1のコンダク
タパタン19及び第2のコンダクタパタン20を設ける
ことにより第1のカスプ部21の開き角の2等分線50
と第2のカスプ部22の開き角の2等分線51とのなす
角度14を1800とした本発明の第5の実施例である
FIG. 6 shows a fourth embodiment of the present invention in which the bent portion of the first major transfer path including the first cusp portion 21 is longer by one bit than the third embodiment shown in FIG. . As a result, it is possible to reduce the influence of the magnetic field contributed by the current pulse applied to the conductor pattern 15 on the bubbles transferred on the first major transfer path.
FIG. 7 shows the first cusp portion 21 on the [112] side of the first major transfer path formed in the [110] direction and the second major transfer path formed in the [110] direction.
By providing the first conductor pattern 19 and the second conductor pattern 20 on the second cusp portion 22 on the side [112], the bisector 50 of the opening angle of the first cusp portion 21 is formed.
This is a fifth embodiment of the present invention in which the angle 14 between the opening angle and the bisector 51 of the opening angle of the second cusp portion 22 is 1800.

第8図は、矢印60で示される〔110〕方向に形成さ
れた第1のメジャー転送路30、第2のメジャー転送路
31、第3のメジャー転送路24、及び〔112〕方向
に形成された第1のマイナー転送路群32、第2のマイ
ナー転送路群33、第3のマイナー転送路群25を備え
、第1のメジャー転送路の1部を矢印62で示す〔01
1〕方向に折り曲げ、かつ、第1のメジャー転送路の1
部を矢印63で示す〔101〕方向に折り曲げることに
より、コンダクタパタンのヘアピン部を備えた第1のカ
スプ部21の開き角の2等分線50、第2のカスプ部2
2の開き角の2等分線51、及び第3のカスプ部23の
開き角の2等分線52の方向を各々120o間隔とした
本発明の第6の実施例である。第1のコンダクタパタン
19、第2のコンダクタパタン20、及び第3のコンダ
クタパタン28に矢印7の向この第1の電流パルス16
第2の電流パルス17、第3の電流パルス29を印加す
れば、第1の電流パルス16により第1のカスプ部21
に、第2の電流パルス17により、第2のカスプ部22
に、第3の電流パルス29により第3のカスプ部23に
各合選択的にバブルを発生させることができる。第8図
において、参照数字26は第3の磁気バブルトランスフ
ァーゲートである。第9図は、第1のコンダクタパタン
19と第2のコンダクタパタン20とのパタン幅を変え
た本発明の第7の実施例である。
FIG. 8 shows the first major transfer path 30 formed in the [110] direction, the second major transfer path 31, and the third major transfer path 24 formed in the [112] direction as indicated by the arrow 60. A first minor transfer path group 32, a second minor transfer path group 33, and a third minor transfer path group 25 are provided, and a part of the first major transfer path is indicated by an arrow 62 [01
1] direction, and 1 of the first major transfer path.
By bending the part in the [101] direction shown by the arrow 63, the bisector 50 of the opening angle of the first cusp part 21 with the hairpin part of the conductor pattern and the second cusp part 2 are formed.
This is a sixth embodiment of the present invention, in which the directions of the bisector 51 of the opening angle of the second cusp portion 23 and the bisector 52 of the opening angle of the third cusp portion 23 are each spaced at intervals of 120 degrees. A first current pulse 16 is applied to the first conductor pattern 19, the second conductor pattern 20, and the third conductor pattern 28 in the direction of the arrow 7.
When the second current pulse 17 and the third current pulse 29 are applied, the first cusp portion 21 is caused by the first current pulse 16.
Then, the second current pulse 17 causes the second cusp portion 22 to
Furthermore, bubbles can be selectively generated in the third cusp portion 23 by the third current pulse 29. In FIG. 8, reference numeral 26 is the third magnetic bubble transfer gate. FIG. 9 shows a seventh embodiment of the present invention in which the pattern widths of the first conductor pattern 19 and the second conductor pattern 20 are changed.

矢印60で示される方向を磁性薄膜の〔112〕方向と
すると、第1のカスプ部21は転送路のパッド側に位置
し、第2のカスプ部22は転送路のスーパー側に位置す
ることになり、両カスプ部に生じるチャージドウオール
によって譲起されるバイアス磁界成分は、第2のカスプ
部22の方が第1のカスブ部21よりも大きい。したが
って、本実施例に示すように第1のコンダクタパタン1
9のパタン幅を第1のコンダクタパタン20よりも狭く
することにより電流パルスとチャージドゥオールにより
誘起される総合のバイアス磁界成分をほぼ等しくするこ
とができる。以上述べたように、本発明によれば複数の
転送路上の異なるカスプ部に設けられた電気的に直列に
接続されたヘアピン状コンダクタパタンによって選択的
にバブルを発生させることができ、ィー0ブン・オッド
方式を採用した非常にデータレィトの高いコンティギュ
アスディスク型磁気バブル素子を提供することができる
If the direction indicated by the arrow 60 is the [112] direction of the magnetic thin film, the first cusp portion 21 is located on the pad side of the transfer path, and the second cusp portion 22 is located on the super side of the transfer path. Therefore, the bias magnetic field component caused by the charged wall generated in both cusp parts is larger in the second cusp part 22 than in the first cusp part 21. Therefore, as shown in this embodiment, the first conductor pattern 1
By making the pattern width of conductor pattern 9 narrower than that of first conductor pattern 20, the total bias magnetic field components induced by the current pulse and charge door can be made approximately equal. As described above, according to the present invention, bubbles can be selectively generated by hairpin-shaped conductor patterns electrically connected in series provided at different cusp portions on a plurality of transfer paths. It is possible to provide a continuous disk type magnetic bubble element that employs the Bun-Odd method and has an extremely high data rate.

メジャー転送路、マイナー転送路群およびヘアピン状コ
ンダクタパタンの形状としては第3図,第4図,第5図
,第6図,第7図,第8図および第9図に示した実施例
以外にもいろいろなものが考えられるが第1図、および
第2図を用いて説明したごとき原理によりバブルを転送
し得るものであれば全て本発明に含まれることはいうま
でもない。
The shapes of the major transfer path, the group of minor transfer paths, and the hairpin conductor pattern are other than those shown in FIGS. 3, 4, 5, 6, 7, 8, and 9. Although various methods can be considered, it goes without saying that any method that can transfer bubbles according to the principle explained using FIGS. 1 and 2 is included in the present invention.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図a,第1図り,第2図aおよび第2図bは本発明
の基本原理を説明するための図、第3図は本発明の第1
の実施例を示す図、第4図は本発明の第2の実施例を示
す図、第5図は本発明の第3の実施例を示す図、第6図
は本発明の第4の実施例を示す図、第7図は本発明の第
5の実施例を示す図、第8図は本発明の第6の実施例を
示す図および第9図は本発明の第7の実施例を示す図で
ある。 図において、1は磁気バブル転送路、2は転送路のカス
ブ部、3はヘアピン状コンダクタパタン、4,5は回転
磁界の方向を表わす矢印、6は電流パルスの印加位相範
囲を表わす矢印、7は電流パルスの向きを表わす矢印、
8は磁性薄膜、9はバイアス磁界の向きを表わす矢印、
1川ま磁気バフル、11はカスプ開き角の2等分線の方
向を表わす矢印、12は電流パルスの動作振幅(IG)
を表わす縦軸、13は電流パルスの印如位相(DLY)
を表わす機軸、14は第1のカスプ部の2等分線と第2
のカスプ部の2等分線とのなす角度、16,17は第1
及び第2の電流パルス、18は電流パルスの位相を規定
する角度を表わす矢印、19,2川ま各々第1及び第2
のヘアピン状コンダクタパタン、21,22は各々第1
及び第2のカスプ部、23は第3のカスプ部、24は第
3のメジャー転送路、25は第3のマイナー転送路群、
26は第3の磁気バブルトランスファーゲート、27は
第3の磁気バブル検出器、28は第3のヘアピン状コン
ダクタパタン、29は第3の電流パルス、30,31は
各々第1及び第2のメジャー転送路、32,33は各々
第1及び第2のマイナー転送略群、34,35は各々第
1及び第2の磁気バブルトランスファーゲート、36,
37は各々第1及び第2の磁気バブル検出器、40は電
流パルスの位相を表わす横軸、41は電流パルスの振幅
を表わす矢印、42はカスプ部の開き角を表わす矢印、
50,51,52は各々第1,第2及び第3のカスプ部
開き角の2等分線の方向を表わす矢印、60,61,6
2,63は各々磁性薄膜の〔110〕方向、〔112〕
方向、〔011〕方向、〔101〕方向を表わす矢印で
ある。 オ ー 図(b)オ2図(b) ガ,図(の 才2図の) オS図 才4図 オS図 オ5四 オ7図 才?四 オ8図
Figure 1a, Figure 1, Figure 2a and Figure 2b are diagrams for explaining the basic principle of the present invention, Figure 3 is the first diagram of the present invention.
FIG. 4 is a diagram showing a second embodiment of the invention, FIG. 5 is a diagram showing a third embodiment of the invention, and FIG. 6 is a diagram showing a fourth embodiment of the invention. FIG. 7 is a diagram showing a fifth embodiment of the invention, FIG. 8 is a diagram showing a sixth embodiment of the invention, and FIG. 9 is a diagram showing a seventh embodiment of the invention. FIG. In the figure, 1 is a magnetic bubble transfer path, 2 is a cusp portion of the transfer path, 3 is a hairpin-shaped conductor pattern, 4 and 5 are arrows representing the direction of the rotating magnetic field, 6 is an arrow representing the applied phase range of the current pulse, and 7 is an arrow indicating the direction of the current pulse,
8 is a magnetic thin film, 9 is an arrow indicating the direction of the bias magnetic field,
1 is a magnetic baffle, 11 is an arrow indicating the direction of the bisector of the cusp opening angle, 12 is the operating amplitude of the current pulse (IG)
The vertical axis represents the phase of the current pulse (DLY).
14 represents the bisector of the first cusp part and the second
The angles 16 and 17 made with the bisector of the cusp part are the first
and a second current pulse; 18 is an arrow representing an angle defining the phase of the current pulse; 19, two rivers are respectively connected to the first and second
hairpin-like conductor patterns, 21 and 22 are the first
and a second cusp portion, 23 a third cusp portion, 24 a third major transfer path, 25 a third minor transfer path group,
26 is a third magnetic bubble transfer gate, 27 is a third magnetic bubble detector, 28 is a third hairpin conductor pattern, 29 is a third current pulse, 30 and 31 are first and second measures, respectively. Transfer paths 32 and 33 are first and second minor transfer groups, respectively; 34 and 35 are first and second magnetic bubble transfer gates, 36;
37 are first and second magnetic bubble detectors, 40 is a horizontal axis representing the phase of the current pulse, 41 is an arrow representing the amplitude of the current pulse, 42 is an arrow representing the opening angle of the cusp portion,
50, 51, 52 are arrows representing the directions of the bisectors of the opening angles of the first, second and third cusp portions; 60, 61, 6;
2 and 63 are the [110] direction and [112] direction of the magnetic thin film, respectively.
These are arrows representing directions, [011] direction, and [101] direction. O - Figure (b) O2 figure (b) Ga, figure (of 2 figures) O S figure 4 figures 4o 8 figure

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 磁気バブルを保持し得る磁性薄膜上に選択的にイオ
ン注入を施すことにより形成された第1のメジヤー転送
路、第2のメジヤー転送路、第1のマイナー転送路群お
よび第2のマイナー転送路郡を備えたイーブン・オツド
方式のコンテイギユアスデイスク型磁気バブル素子にお
いて、前記第1のメジヤー転送路上の第1のカスプ部と
前記第2のメジヤー転送路上の第2のカスプ部とに電気
的に直列に接続された第1及び第2のヘアピン状コンダ
クパタンを設け、かつ、前記第1のカスプ部の開き角の
2等分線と前記第2のカスプ部の開き角の2等分線との
なす角度を90°以上としたことを特徴とするコンテイ
ギユアスデイスク型磁気バブル素子。
1. A first major transfer path, a second major transfer path, a first minor transfer path group, and a second minor transfer path formed by selectively implanting ions onto a magnetic thin film capable of retaining magnetic bubbles. In the even-odd contiguous disk type magnetic bubble element having a continuous disk, a first cusp portion on the first major transfer path and a second cusp portion on the second major transfer path. first and second hairpin-shaped conductor patterns electrically connected in series; A contiguous disk type magnetic bubble element characterized in that the angle formed with the segment line is 90° or more.
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