JPS6040186B2 - Magnetic field forming device - Google Patents
Magnetic field forming deviceInfo
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- JPS6040186B2 JPS6040186B2 JP51132621A JP13262176A JPS6040186B2 JP S6040186 B2 JPS6040186 B2 JP S6040186B2 JP 51132621 A JP51132621 A JP 51132621A JP 13262176 A JP13262176 A JP 13262176A JP S6040186 B2 JPS6040186 B2 JP S6040186B2
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- magnetic field
- electron beam
- forming device
- digital information
- field forming
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は与えられたデジタル情報に基づいた磁場を形成
する装置に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to an apparatus for forming a magnetic field based on given digital information.
一般にデジタル情毅に対応したあるアナログ量を得るた
めの制御としては、デジタルーアナログ変換器を用いる
ことが知られており、DA変換器により目的の磁場を従
釆形成していた。Generally, it is known that a digital-to-analog converter is used for control to obtain a certain analog quantity corresponding to digital information, and a DA converter is used to generate a desired magnetic field.
一般に市販されているDA変換器はデジタル情報のビッ
ト数が増せず増す程、その応答特性が悪くなるものであ
り、特にその精度が高いことを要求される場合には、目
的のものを手に入れることは困難である。従って、本発
明の目的はデジタル情報のビット数が比較的少なく、応
答特性の良いDA変換器を用いて目的の磁場形成装置を
得ることを目的としている。Generally, the response characteristics of commercially available DA converters deteriorate as the number of bits of digital information increases. It is difficult to enter. Therefore, an object of the present invention is to obtain an intended magnetic field forming device using a DA converter with a relatively small number of bits of digital information and good response characteristics.
以下、図面を用いて本発明を詳細に説明する。Hereinafter, the present invention will be explained in detail using the drawings.
本発明は、磁場の形成のしかたに特徴を持つものであり
、第1図のような電子ビーム露光装置に適用できる。第
1図について説明すると、第1図aは本発明適用可能な
電子ビーム露光装置の概略構造を示す図で、第1図bは
対応部分での電子ビーム断面形状を示している。第1図
aにおいて、1,2,3はそれぞれ電子銃を構成するカ
ソ−ド、グリッド、アノード、4は不要期間に電子ビー
ムを磁場で方向を変えることによりプランキングするた
めの磁場形成装置(以下、偏向装置と称する)、5は収
束レンズ、6は第1絞り、7は電子ビームの軸回りの回
転を制御するための回転制御用レンズ、8は電子レンズ
、9は電子レンズ8によって第2絞り10上に結像され
る第1絞り6の像の結像位置制御用偏向装置(デフレク
タ)、11は回転制御用レンズ、12は結束レンズ、1
3は位贋ぎめ用偏向装置(デフレクタ)、14はしジス
トの塗布された試料、たとえば、半導体ウヱハーである
。第1絞り6の矩形孔を透過して矩形パターン15に整
形された電子ビームは電子レンズ8により第2絞り10
上に第1絞りの矩形像16として結像される。矩形像1
6は偏向装置9により結像位置が制御され、第2絞り1
0の矩形孔17を一部透過して所定の大きさの断面状1
8を持つ繁子ビームはさらに回転制御用レンズ11、収
束レンズ12、位層ぎめ偏向装置13により、軸回りの
回転、大きさ、位置が制御され、ウェハー14の所定位
置に所望パターン19の電子ビームとして照射される。
第2図は従来の磁場形成装置である偏向装置(デフレク
タ)を示す図である。The present invention is characterized by the method of forming a magnetic field, and can be applied to an electron beam exposure apparatus as shown in FIG. Referring to FIG. 1, FIG. 1a shows a schematic structure of an electron beam exposure apparatus to which the present invention can be applied, and FIG. 1b shows a cross-sectional shape of the electron beam at a corresponding portion. In Fig. 1a, 1, 2, and 3 are respectively cathodes, grids, and anodes that constitute an electron gun, and 4 is a magnetic field forming device (4) for planking by changing the direction of the electron beam with a magnetic field during unnecessary periods. (hereinafter referred to as a deflection device), 5 is a converging lens, 6 is a first aperture, 7 is a rotation control lens for controlling the rotation of the electron beam around the axis, 8 is an electron lens, and 9 is a 2 a deflection device (deflector) for controlling the imaging position of the image of the first aperture 6 formed on the aperture 10, 11 a rotation control lens, 12 a binding lens, 1
Reference numeral 3 indicates a deflection device (deflector) for displacement, and 14 indicates a sample coated with a resist, such as a semiconductor wafer. The electron beam transmitted through the rectangular hole of the first aperture 6 and shaped into a rectangular pattern 15 is passed through the electron lens 8 to the second aperture 10.
A rectangular image 16 of the first aperture is formed above. rectangular image 1
6, the imaging position is controlled by the deflection device 9, and the second aperture 1
A cross-sectional shape 1 of a predetermined size is partially transmitted through the rectangular hole 17 of 0.
The rotation, size, and position of the Shigeko beam around the axis are further controlled by a rotation control lens 11, a converging lens 12, and a positional deflection device 13, so that the electron beam with a desired pattern 19 is placed at a predetermined position on the wafer 14. It is irradiated as
FIG. 2 is a diagram showing a deflector (deflector) which is a conventional magnetic field forming device.
図において20はデジタル情報の設定されるレジスタ、
21はDA変換器、22は増幅器、23と23′は電子
ビームをY方向へ振るためのコイル、24と24′は電
子ビームをX方向へ振るためのコイルである。Y方向へ
振るためのデジタル情報はしジスタ20‘こ与えられ、
DA変換器21と増幅器22によりコイル23に電流が
流れ、デジタル情報に対応した磁場が形成されることに
なる。従って、レジスタ20‘こ電子ビームを制御する
ためのデジタル情報を設定すれば、それに対応した磁場
により電子ビームが制御されることになる。×方向につ
いても同機のことが言える。ところで、電子ビーム露光
装置においては、ウェハー14上に電子ビーを露光する
のに、1チップを複数ブロックに分け、各ブロック単位
に露光を行なってゆく。In the figure, 20 is a register in which digital information is set;
21 is a DA converter, 22 is an amplifier, 23 and 23' are coils for swinging the electron beam in the Y direction, and 24 and 24' are coils for swinging the electron beam in the X direction. Digital information for swinging in the Y direction is given to the register 20'.
A current flows through the coil 23 by the DA converter 21 and the amplifier 22, and a magnetic field corresponding to digital information is formed. Therefore, if digital information for controlling the electron beam is set in the register 20', the electron beam will be controlled by a magnetic field corresponding to the digital information. The same can be said for the aircraft regarding the x direction. Incidentally, in an electron beam exposure apparatus, in order to expose the wafer 14 with electron beams, one chip is divided into a plurality of blocks, and exposure is performed for each block.
即ち、1ブロック内で細かな動きがあり、次に大きく1
ブロック分移動し、そこのブロック内で細かな動きをす
る。従って、細かな動きは、DA変換器21の下位ビッ
トが頻繁に更新され、1ブロック分動く時に上位ビット
が更新されることになる。コイル23に流す電流の上限
と下限の差が大であることは増幅器22の負担が大きく
なることであり設計上不利である。In other words, there is a small movement within one block, and then a large one.
Move by a block and make small movements within that block. Therefore, for small movements, the lower bits of the DA converter 21 are frequently updated, and the upper bits are updated when moving by one block. A large difference between the upper and lower limits of the current flowing through the coil 23 increases the burden on the amplifier 22, which is disadvantageous in terms of design.
またDA変換器においても入力のビット数の増大はそれ
に対応したアナログ量である出力電圧の応答特性が落ち
ることになる。第3図は本発明の実施例である。図にお
いて、第2図と同記号のものは第2図と同様のものを示
して23−1はアナログ的に変化する強さの磁場を形成
する変動コイル、23−2と23−3は予め定められた
所定の強さの磁場を形成する固定コイル、25と26は
スイッチである。即ち、レジスタ20‘こ与えられるデ
ジタル情報のうち、下位6ビットのみに対応してDA変
換器、及び増幅器22により変動コイル23ーーで磁場
を形成する。Furthermore, in the case of a DA converter, an increase in the number of input bits causes a corresponding drop in the response characteristics of the output voltage, which is an analog quantity. FIG. 3 shows an embodiment of the invention. In the figure, the same symbols as in Fig. 2 indicate the same ones as in Fig. 2. 23-1 is a variable coil that forms a magnetic field with a strength that changes in an analog manner, and 23-2 and 23-3 are pre-assembled coils. Fixed coils 25 and 26, which form a magnetic field of a defined predetermined strength, are switches. That is, of the digital information given to the register 20', a magnetic field is formed in the variable coil 23 by the DA converter and the amplifier 22 corresponding to only the lower 6 bits.
上位2ビットに対してはい1″の時にスイッチ25およ
び/または26が導通となり、該ビットの重みに対応し
た磁場を固定コイル23一2および/または23一3で
形成する。レジスタ20内の情報の各ビットに対応した
重みの磁場を形成するのに電圧として高い電圧を用いて
も良いし、コイルに巻きつける回数(即ちターン数)を
多くしても良い。更に、変動コイルと固定コイルは、同
一鉄心等に重ね巻さしても良いし、別のコイルとしても
良い。要は磁場として加算が行なわれれば良い。本発明
によれば電子ビームで露光するゥェハーの1チップ内を
、例えば16ブロックに分割(Y方向に4分割、×方向
に4分割)したとすると、ブロックの指定は上位2ビッ
トで行なうことになる。When YES is 1'' for the upper two bits, the switch 25 and/or 26 becomes conductive, and a magnetic field corresponding to the weight of the bit is formed in the fixed coils 23-2 and/or 23-3. Information in the register 20 A high voltage may be used to form a magnetic field with a weight corresponding to each bit of , may be wound overlappingly on the same iron core, etc., or may be wound as separate coils.In short, it is sufficient if the addition is performed as a magnetic field.According to the present invention, one chip of a wafer to be exposed with an electron beam is divided into, for example, 16 blocks. If the data is divided into four parts (four parts in the Y direction and four parts in the x direction), the block designation is performed using the upper two bits.
従ってブロック内の細かな動きは6ビットのDA変換器
で済み、その出力の上限と下限は小さく応答特性は良い
し、また増幅器22も設計は容易になるという長所を有
することになる。尚、このようにブロック間の移動に固
定コイルを用いる時には早いスイッチング速度が要求さ
れないので、リレーなどを用いてスイッチを構成できる
のは勿論である。Therefore, a 6-bit DA converter is sufficient for small movements within a block, and the upper and lower limits of its output are small and the response characteristics are good, and the amplifier 22 also has the advantage of being easy to design. Incidentally, when a fixed coil is used for movement between blocks in this way, a high switching speed is not required, so it is of course possible to configure the switch using a relay or the like.
第1図は本発明の適用可能な電子ビーム露光装置の概略
図、第2図は従来の磁場形成装置、第3図は本発明の実
施例である。
図において、1はカソード、2はグリツド、3はアノー
ド、4は磁場形成装置(デフレクタ)でプランキング用
偏向装置、5は収束レンズ、6は矩形孔を持つ第1絞り
、7は回転制御用レンズ、8は収束レンズ、9は矩形パ
ターン電子ビームの大きさ制御用偏光装置、1川ま第2
絞り、11は回転制御用レンズ、12は収束レンズ、1
3は位瞳決め用偏光装置、14はゥェハー、15は第1
絞り通過後の矩形電子ビーム、16は15の像、17は
第2絞りの矩形孔、18は第2絞り通過後の電子ビーム
、19はウェハ−に焼きつけられるパターン、20はし
ジス夕、21はDA変換器、22は増幅器、23−1は
変動コイル、23−2と23−3は固定コイルである。
第1図第2図
第3図FIG. 1 is a schematic diagram of an electron beam exposure apparatus to which the present invention can be applied, FIG. 2 is a conventional magnetic field forming apparatus, and FIG. 3 is an embodiment of the present invention. In the figure, 1 is a cathode, 2 is a grid, 3 is an anode, 4 is a magnetic field forming device (deflector) for planking, 5 is a converging lens, 6 is a first aperture with a rectangular hole, and 7 is for rotation control. lens, 8 is a converging lens, 9 is a polarizer for controlling the size of the rectangular pattern electron beam, 1st and 2nd
diaphragm, 11 is a rotation control lens, 12 is a converging lens, 1
3 is a polarizing device for pupil determination, 14 is a wafer, and 15 is a first
16 is the image of 15; 17 is the rectangular hole of the second diaphragm; 18 is the electron beam after passing through the second diaphragm; 19 is the pattern to be printed on the wafer; is a DA converter, 22 is an amplifier, 23-1 is a variable coil, and 23-2 and 23-3 are fixed coils. Figure 1 Figure 2 Figure 3
Claims (1)
と共に該ブロツク単位内で前記電子ビームを変動させる
ための偏向磁場を複数ビツトのデジタル情報に対応させ
て形成する磁場形成装置において、前記デジタル情報の
1部分を用いてアナログ的に異なる強さの磁界を得る変
動コイルと前記デジタル情報の他部分を用いて予め定め
られた所定の強さの磁場を得る固定コイルとで前記偏向
磁場を形成し、前記固定コイルの磁場が前記電子ビーム
のブロツク単位毎の偏向を且つ前記変動コイルが前記電
子ビームのブロツク単位内の偏向を与えることを特徴と
した磁場形成装置。1. In a magnetic field forming device that deflects an electron beam in the X region in the Y direction in block units and forms a deflection magnetic field for varying the electron beam within the block unit in accordance with a plurality of bits of digital information, the digital The deflection magnetic field is formed by a variable coil that uses one part of the information to obtain a magnetic field of different strength in an analog manner, and a fixed coil that obtains a magnetic field of a predetermined strength using another part of the digital information. A magnetic field forming device characterized in that the magnetic field of the fixed coil deflects the electron beam in block units, and the variable coil deflects the electron beam in block units.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51132621A JPS6040186B2 (en) | 1976-11-04 | 1976-11-04 | Magnetic field forming device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51132621A JPS6040186B2 (en) | 1976-11-04 | 1976-11-04 | Magnetic field forming device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5357765A JPS5357765A (en) | 1978-05-25 |
| JPS6040186B2 true JPS6040186B2 (en) | 1985-09-10 |
Family
ID=15085596
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP51132621A Expired JPS6040186B2 (en) | 1976-11-04 | 1976-11-04 | Magnetic field forming device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6040186B2 (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0622198B2 (en) * | 1984-11-21 | 1994-03-23 | 株式会社日立製作所 | Position adjustment method for electron beam stop of electron beam exposure apparatus |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL6807439A (en) * | 1968-05-27 | 1969-12-01 | ||
| JPS5235545B2 (en) * | 1973-05-02 | 1977-09-09 |
-
1976
- 1976-11-04 JP JP51132621A patent/JPS6040186B2/en not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5357765A (en) | 1978-05-25 |
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