JPS6046538B2 - エツチング方法 - Google Patents
エツチング方法Info
- Publication number
- JPS6046538B2 JPS6046538B2 JP474176A JP474176A JPS6046538B2 JP S6046538 B2 JPS6046538 B2 JP S6046538B2 JP 474176 A JP474176 A JP 474176A JP 474176 A JP474176 A JP 474176A JP S6046538 B2 JPS6046538 B2 JP S6046538B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- plasma
- etching method
- sample
- silicon
- Prior art date
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- Expired
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は乾式エッチング方法に係り、特に半導体装置の
製造等に用いられるプラズマエッチングに対し、エッチ
ングの速度を増大させ、しかもレジスト材の劣化を抑え
るように改良したエッチング方法に関するものてある。
製造等に用いられるプラズマエッチングに対し、エッチ
ングの速度を増大させ、しかもレジスト材の劣化を抑え
るように改良したエッチング方法に関するものてある。
従来のプラズマエッチングについてキャパシタンス法に
よる方法を例にとり装置の断面図である第１図を用いて
説明する。第１図において１はエッチング室、２はエッ
チング室１の外壁に対向して設けた電極、３はガス導入
口、４は排気口、５は試料台、６は半導体ウェハ等のエ
ッチングをする為の試料である。エッチング室１へガス
導入口３から例えば４フッ化炭素（ＣＦ、）のようなハ
ロゲ、ン化合物等を導入し、排気口４より真空ポンプで
排気しながらエッチング室１内を低圧に保つ。
よる方法を例にとり装置の断面図である第１図を用いて
説明する。第１図において１はエッチング室、２はエッ
チング室１の外壁に対向して設けた電極、３はガス導入
口、４は排気口、５は試料台、６は半導体ウェハ等のエ
ッチングをする為の試料である。エッチング室１へガス
導入口３から例えば４フッ化炭素（ＣＦ、）のようなハ
ロゲ、ン化合物等を導入し、排気口４より真空ポンプで
排気しながらエッチング室１内を低圧に保つ。
そして電極２に１３．５６ＭＨ２の高周波を印加しプラ
ズマを発生させ、エッチング室１内に置かれた有機物の
レジスト材等で部分的に保護された試料６を選択的にエ
ッチングする。このようなプラズマエッチングでは湿式
のエッチングと比較して、サイドエッチが少なく、また
廃液処理の問題もない。しカルエッチングの速度は被エ
ッチング材により異り、また一般にエッチング速度は遅
く作業性の面で問題がある。本発明は上記した点に鑑み
てなされたものであり、４フッ化炭素と一酸化窒素との
混合気体雰囲気中でプラズマを発生させるようにして、
プラズマエッチングにおけるエッチング速度を改善し、
しかも選択エッチングに用いられる有機物のレジスト材
の劣化を抑制事を目的とするものてある。
ズマを発生させ、エッチング室１内に置かれた有機物の
レジスト材等で部分的に保護された試料６を選択的にエ
ッチングする。このようなプラズマエッチングでは湿式
のエッチングと比較して、サイドエッチが少なく、また
廃液処理の問題もない。しカルエッチングの速度は被エ
ッチング材により異り、また一般にエッチング速度は遅
く作業性の面で問題がある。本発明は上記した点に鑑み
てなされたものであり、４フッ化炭素と一酸化窒素との
混合気体雰囲気中でプラズマを発生させるようにして、
プラズマエッチングにおけるエッチング速度を改善し、
しかも選択エッチングに用いられる有機物のレジスト材
の劣化を抑制事を目的とするものてある。
以下に本発明について述べる。第２図はこの発明の一実
施例で、キャパシタンス法によるプラズマエッチングを
説明するものである。
施例で、キャパシタンス法によるプラズマエッチングを
説明するものである。
第２図て１、２、４、５、６は第１図に説明するものと
同一である。７及び８は各々一酸化窒素（Ｎｏ）及び４
フッ化炭素（ＣＦ０）の導入口てＪある。
同一である。７及び８は各々一酸化窒素（Ｎｏ）及び４
フッ化炭素（ＣＦ０）の導入口てＪある。
まず、エッチングに際して、エッチング室１の排気口４
より排気しながらガスの導入口７、 ８よりＮｏとＣＦ
。
より排気しながらガスの導入口７、 ８よりＮｏとＣＦ
。
を同時に導入し、電極２への１３．５６ＭＨ２の高周波
印加によりプラズマを発生させ、シリコンウエハ等の試
料６をエッチングする。このような方法でシリコンウェ
ハをエッチングした場合のエッチング速度とＮＯ濃度と
の関係を調べた結果を第３図に示す。
印加によりプラズマを発生させ、シリコンウエハ等の試
料６をエッチングする。このような方法でシリコンウェ
ハをエッチングした場合のエッチング速度とＮＯ濃度と
の関係を調べた結果を第３図に示す。
なお、使用した電源は１３．５６ＭＨｚ１３００Ｗであ
る。この第３図から明らかなように、エッチ速度はＣＦ
４に対するＮＯの混合割合が増大することにより速くな
りＮＯ濃度約４０モル％付近で最大となり、この時ＮＯ
濃度０モル時を比べると約２０倍増加していることがわ
かる。また、この時試料の一部を覆つた有機物のレジス
ト材のエッチング速度も増加するが増加の度合は少なく
、選択エッチングのマスクとしての役割を充分に果し得
るものであつた。なお、プラズマ発生法もインダクタン
ス法その他どのようなプラズマ発生法にも適用し得るし
、被エッチング試料としてシリコンウェハについて述べ
たがシリコン化合物に対しても適用し得るものである。
る。この第３図から明らかなように、エッチ速度はＣＦ
４に対するＮＯの混合割合が増大することにより速くな
りＮＯ濃度約４０モル％付近で最大となり、この時ＮＯ
濃度０モル時を比べると約２０倍増加していることがわ
かる。また、この時試料の一部を覆つた有機物のレジス
ト材のエッチング速度も増加するが増加の度合は少なく
、選択エッチングのマスクとしての役割を充分に果し得
るものであつた。なお、プラズマ発生法もインダクタン
ス法その他どのようなプラズマ発生法にも適用し得るし
、被エッチング試料としてシリコンウェハについて述べ
たがシリコン化合物に対しても適用し得るものである。
本発明は以上に述べたように、シリコン又はシリコン化
合物にエッチングを施すに当り、４フッ化炭素と一酸化
窒素との混合気体雰囲気中でプラズマを発生させるよう
にしたので、レジスト材の役割を損なうことなく、エッ
チング速度を速くできるという効果があるものである。
合物にエッチングを施すに当り、４フッ化炭素と一酸化
窒素との混合気体雰囲気中でプラズマを発生させるよう
にしたので、レジスト材の役割を損なうことなく、エッ
チング速度を速くできるという効果があるものである。
図面の簡単な説明第１図は従来のプラズマエッチングを
説明するためのものて装置の模式図、第２図は本発明の
プラズマエッチングを説明するための装置の一例を示す
模式図、第３図は本発明によるエッチ速度とＮＯ濃度の
関係を調べた結果を相対的に示す図である。
説明するためのものて装置の模式図、第２図は本発明の
プラズマエッチングを説明するための装置の一例を示す
模式図、第３図は本発明によるエッチ速度とＮＯ濃度の
関係を調べた結果を相対的に示す図である。
図において１はエッチング室、２は電極、４は排気口、
７は一酸化窒素（ＮＯ）の導入口、３，８は４フッ化炭
素（ＣＦ４）の導入口である。
７は一酸化窒素（ＮＯ）の導入口、３，８は４フッ化炭
素（ＣＦ４）の導入口である。
Claims (1)
- １ シリコン又はシリコン化合物にエッチングを施すに
当り、４フッ化炭素（ＣＦ＿４）と一酸化窒素との混合
気体雰囲気中でプラズマを発生させることを特徴とする
エッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP474176A JPS6046538B2 (ja) | 1976-01-19 | 1976-01-19 | エツチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP474176A JPS6046538B2 (ja) | 1976-01-19 | 1976-01-19 | エツチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5287986A JPS5287986A (en) | 1977-07-22 |
| JPS6046538B2 true JPS6046538B2 (ja) | 1985-10-16 |
Family
ID=11592329
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP474176A Expired JPS6046538B2 (ja) | 1976-01-19 | 1976-01-19 | エツチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6046538B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53146939A (en) * | 1977-05-27 | 1978-12-21 | Hitachi Ltd | Etching method for aluminum |
-
1976
- 1976-01-19 JP JP474176A patent/JPS6046538B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5287986A (en) | 1977-07-22 |
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