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JPS6049366B2 - push pull amplifier - Google Patents
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JPS6049366B2 - push pull amplifier - Google Patents

push pull amplifier

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Publication number
JPS6049366B2
JPS6049366B2 JP2181079A JP2181079A JPS6049366B2 JP S6049366 B2 JPS6049366 B2 JP S6049366B2 JP 2181079 A JP2181079 A JP 2181079A JP 2181079 A JP2181079 A JP 2181079A JP S6049366 B2 JPS6049366 B2 JP S6049366B2
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JP
Japan
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transistor
field effect
voltage
drain
base
Prior art date
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Application number
JP2181079A
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Japanese (ja)
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JPS55115708A (en
Inventor
卓英 中山
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Pioneer Corp
Original Assignee
Pioneer Electronic Corp
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/30Single-ended push-pull [SEPP] amplifiers; Phase-splitters therefor

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は初段に異極性の電界効果トランジスタ(以下
FETと称呼する)を用いた全段プッシュプル構成の増
幅器に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to an amplifier having an all-stage push-pull configuration using field effect transistors (hereinafter referred to as FETs) of different polarities in the first stage.

この種のプッシュプル増幅器は増幅回路の相補対称性に
よつて回路内で発生する歪成分等が相殺され、その結果
低歪の増幅器を得ることができるという特徴を有してい
る。
This type of push-pull amplifier is characterized in that the complementary symmetry of the amplifier circuit cancels out distortion components generated within the circuit, resulting in an amplifier with low distortion.

しかしながら初段にFETを用いた場合においてFET
(7)ID、Oのばらつきによつて、そのFETの出力
点に直結される2段目以降の能動素子の動作点にばらつ
きが生じ、そのためにプッシュプル回路の上下の動作電
流が異なつて出力オフセット電圧を一定にすることが困
難になるという不都合を有している。
However, when using an FET in the first stage, the FET
(7) Due to variations in ID and O, variations occur in the operating points of the active elements in the second and subsequent stages that are directly connected to the output point of the FET, and as a result, the operating currents of the upper and lower parts of the push-pull circuit differ and are output. This has the disadvantage that it is difficult to keep the offset voltage constant.

従つて従来においてはそれぞれのFETのドレインと電
源間に可変抵抗器を挿入してIDssのばらつきによる
動作点の変動を調整するように考慮されている。
Therefore, in the past, consideration has been given to inserting a variable resistor between the drain of each FET and the power supply to adjust the fluctuations in the operating point due to variations in IDss.

しかるに上記した従来のものにおいては初段FETは抵
抗負荷となるために、増幅器の裸利得が制限されるとい
う不都合が生じ、例えばイコライザーアンプ等のような
高利得を必要とする増幅器にはこれを利用することが困
難である。
However, in the above-mentioned conventional device, the first-stage FET becomes a resistive load, which causes the disadvantage that the bare gain of the amplifier is limited.For example, this is not used in amplifiers that require high gain, such as equalizer amplifiers. difficult to do.

この発明は初段FETの負荷として定電流回路を接続し
て増幅器の利得を上昇させるとともに、この定電流回路
を構成するバイポーラトランジスタのベース・エミッタ
接合電圧を含む定電圧源によつて上記FETのドレイン
電圧を一定に保持し、FETのはらつきによつて生ずる
上記したような不都合の発生を防止できる増幅器を提供
しよ’うとするものであり、以下図示例に基づいて説明
する。
This invention increases the gain of the amplifier by connecting a constant current circuit as a load to the first-stage FET, and also connects the drain of the FET to The purpose of this invention is to provide an amplifier that can maintain a constant voltage and prevent the above-mentioned problems caused by FET fluctuations, and will be described below based on illustrated examples.

すなわち図においてQ1およびQ2はそれぞれのゲート
が互に結合されて入力端INに接続され、それぞれのソ
ースが互に結合されたNチヤン、ネルおよびPチャンネ
ルのFETであり、NチャンネルFETQIのドレイン
は定電流回路を構成するバイポーラトランジスタQ3と
ダイオードD1を介して正電源+Bに、又Pチャンネル
FETQ2のドレインは定電流回路を構成するバイポー
ラトランジスタQ4とダイオードD2を介して負電源一
Bにそれぞれ接続されている。
That is, in the figure, Q1 and Q2 are N-channel, channel, and P-channel FETs whose respective gates are connected to each other and connected to the input terminal IN, and whose respective sources are mutually connected, and the drain of the N-channel FET QI is The drain of the P-channel FET Q2 is connected to the positive power supply +B through the bipolar transistor Q3 and diode D1 that constitute the constant current circuit, and to the negative power supply -B through the bipolar transistor Q4 and diode D2 that constitute the constant current circuit. ing.

上記NチャンネルFETQlのドレインはPNP型バイ
ポーラトランジスタQ5のベースに、又PチャンネルF
ETQ2のドレインはNPN型バイポーラトランジスタ
Q6のベースにそれぞれ接続され、さらに各トランジス
タQ5,Q6のコレクタはNPNおよびPNP型の出力
トランジスタQ7,Q8に直結され、それぞれのエミッ
タ抵抗Rl,R2を介して出力端0UTに出力信号をも
たらすように構成されている。
The drain of the N-channel FET Ql is connected to the base of the PNP bipolar transistor Q5, and the drain of the N-channel FET Ql is connected to the base of the PNP type bipolar transistor Q5.
The drains of ETQ2 are connected to the bases of NPN bipolar transistors Q6, and the collectors of transistors Q5 and Q6 are directly connected to NPN and PNP output transistors Q7 and Q8, respectively, and the outputs are output via their respective emitter resistors Rl and R2. It is configured to provide an output signal at terminal 0UT.

なおトランジスタQ5およびQ6のそれぞれのコレクタ
間に接続されたダイオードD3と抵抗R3の直列回路は
プッシュプル出力段のアイドル電流を決定するための周
知のバイアス回路であり、又出力端0UTとFETのソ
ースとの間に結合された抵抗R4および該ソースとアー
ス間に接続された抵抗R5は負帰還回路を構成するもの
である。次にトランジスタQ9,QlOは互にベースが
接続され、且つ一方のトランジスタQlOのベース・コ
レクタ間が短絡されることによりカレントミラー回路を
構成すると共に互に定電流回路を構成している。
Note that the series circuit of diode D3 and resistor R3 connected between the respective collectors of transistors Q5 and Q6 is a well-known bias circuit for determining the idle current of the push-pull output stage, and also connects the output terminal 0UT and the source of the FET. A resistor R4 coupled between the source and the resistor R5 connected between the source and ground constitute a negative feedback circuit. Next, the bases of transistors Q9 and QlO are connected to each other, and the base and collector of one transistor QlO are short-circuited, thereby forming a current mirror circuit and mutually forming a constant current circuit.

又同様にトランジスタQll,Ql2も互にベースが接
続され、且つ一方のトランジ.スタQl2のベース・コ
レクタ間が短絡されることによりカレントミラー回路を
構成すると共に互に定電流回路を構成している。そして
トランジスタQlOおよびQl2のコレクタは共に抵抗
R6,R7を介して出力端0UTに結合されてお.り、
さらにトランジスタQ9とトランジスタQllは共に上
記トランジスタQ5,Q6に対してカスコード接続され
ている。なお正電源+BとトランジスタQ3のベース間
に接続された抵抗R8と、トランジスタQ3のべ3ース
とトランジスタQ5のエミッタ間に接続された抵抗R9
とは定電圧源の一部を構成するものであり、同様に負電
源−BとトランジスタQ4のベース間に接続された抵抗
RlOと、トランジスタQ4のベースとトランジスタQ
6のエミッタ間に4.接続された抵抗Rllとは定電圧
源の一部を構成するものである。
Similarly, the bases of transistors Qll and Ql2 are connected to each other, and one transistor. The base and collector of the star Ql2 are short-circuited to form a current mirror circuit and also form a constant current circuit. The collectors of transistors QlO and Ql2 are both coupled to output terminal 0UT via resistors R6 and R7. the law of nature,
Further, transistor Q9 and transistor Qll are both connected in cascode to the transistors Q5 and Q6. Note that a resistor R8 is connected between the positive power supply +B and the base of the transistor Q3, and a resistor R9 is connected between the base of the transistor Q3 and the emitter of the transistor Q5.
constitutes a part of the constant voltage source, and similarly, a resistor RlO connected between the negative power supply -B and the base of the transistor Q4, and a resistor RlO connected between the base of the transistor Q4 and the transistor Q
4 between the 6 emitters. The connected resistor Rll constitutes a part of a constant voltage source.

すなわち抵抗R8の両端にはダイオードD1の順方向降
下電圧VfとトランジスタQ3のベース・エミッタ間電
圧VBICの和の電圧が印加されることになる。
That is, a voltage equal to the sum of the forward drop voltage Vf of the diode D1 and the base-emitter voltage VBIC of the transistor Q3 is applied to both ends of the resistor R8.

ここでトランジスタQ3とQ5とで直流負帰還ループが
構成されており、抵抗R9の両端にはR9/R8×(■
f+■BE)の定電圧が生ずることになる。又トランジ
スタQ5においてもベース・エミッタ間に■I3lEl
の電圧が生ずるため、結果として、FETQlのドレイ
ン電圧は+B−((Vf+V8O)+R9/R8(■f
+Vl3E)+■BE)の電圧が印加されることになる
。ここでVf<15VBEは共に略0.6Vであり、従
つてFETQlのドレイン電圧は+B−(1.8+1.
2×R9/R8)で表わすことが出来る。
Here, a DC negative feedback loop is configured by transistors Q3 and Q5, and R9/R8×(■
A constant voltage of f+■BE) will be generated. Also, in transistor Q5, ■I3lEl is connected between the base and emitter.
As a result, the drain voltage of FETQl is +B-((Vf+V8O)+R9/R8(■f
A voltage of +Vl3E)+■BE) will be applied. Here, both Vf<15VBE are approximately 0.6V, so the drain voltage of FETQl is +B-(1.8+1.
2×R9/R8).

同様にFETQ2のドレイン電圧も−B+(1.8+1
.2×RlO/R9)で表わすことができる。
Similarly, the drain voltage of FETQ2 is -B+(1.8+1
.. 2×RlO/R9).

以上の構成において入力端1Nに信号が印加されると、
その入力信号はFETQl,Q2とトランジスタQ5,
Q6および出力トランジスタQ7,Q8から成るプッシ
ュプル増幅回路により増幅され、出力端0頃゛にもたら
される。一方出力端“0UTにはカレントミラー回路の
一部を構成するトランジスタQlO,Ql2のコレクタ
が抵抗R6,R7を介して接続されているため、出力端
のオフセット電圧が例えば正方向に移動したと仮定する
とトランジスタQlOのコレクタ電流はトランジスタQ
l2のコレクタ電流に比較して小になり、従つてトラン
ジスタQ9のコレクタ電流もトランジスタQllのコレ
クタ電流に比較して小になる。この結果トランジスタQ
7のベース電位は下降し、出力端0UTのオフセット電
圧も下降されることになる。従つて出力オフセット電圧
は略アース電位に落ちつくことになる。又、仮に出力端
のオフセット電圧が負方向に移動した場合には上述と逆
の作用により出力オフセット電圧は上昇され、その結果
出力オフセット電圧は略アース電位に落ちつくことにな
る。
In the above configuration, when a signal is applied to the input terminal 1N,
Its input signals are FETQl, Q2 and transistor Q5,
It is amplified by a push-pull amplifier circuit consisting of Q6 and output transistors Q7 and Q8, and is brought to an output terminal of approximately 0. On the other hand, since the collectors of transistors QlO and Ql2, which form part of the current mirror circuit, are connected to the output terminal "0UT" via resistors R6 and R7, it is assumed that the offset voltage at the output terminal moves in the positive direction, for example. Then, the collector current of transistor QlO is
The collector current of the transistor Q9 is smaller than the collector current of the transistor Qll. As a result, transistor Q
The base potential of 7 is lowered, and the offset voltage of the output terminal 0UT is also lowered. Therefore, the output offset voltage will settle to approximately ground potential. Furthermore, if the offset voltage at the output end moves in the negative direction, the output offset voltage will be increased by the opposite effect to that described above, and as a result, the output offset voltage will settle down to approximately the ground potential.

又初段FETQl,Q2のそれぞれのドレイン電圧は先
に説明した作用によつて正負の電源+B、−Bを基準に
して一定に保持され、ドレイン電圧は安定化される。
Further, the respective drain voltages of the first-stage FETs Ql and Q2 are held constant based on the positive and negative power supplies +B and -B by the action described above, and the drain voltages are stabilized.

この発明は以上のようにFETの負荷として定電流回路
を用いているので、裸利得が大きくとることが可能であ
り、又FETの負荷として定電流回路を用いているにも
かかわらずドレイン電圧を安定にすることができるとい
う特徴を有している。
As described above, this invention uses a constant current circuit as the load of the FET, so it is possible to obtain a large bare gain, and even though the constant current circuit is used as the load of the FET, the drain voltage can be reduced. It has the characteristic of being stable.

【図面の簡単な説明】 図面はこの発明の一実施例を示した結線図であQl,Q
2・・・・・・電界効果トランジスタ、Q3〜Ql2・
・・・・・バイポーラトランジスタ。
[Brief Description of the Drawings] The drawing is a wiring diagram showing an embodiment of the present invention.
2...Field effect transistor, Q3~Ql2・
...Bipolar transistor.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 異極性の電界効果トランジスタを初段に用い、それ
ぞれの電界効果トランジスタの各ゲートに同一入力信号
を加え、その電界効果トランジスタの出力をプッシュプ
ル増幅して出力端にもたらすようにしたものにおいて、
上記電界効果トランジスタのドレインと電源との間にバ
イポーラトランジスタによる定電流回路をそれぞれ設け
、このバイポーラトランジスタのベース・エミッタ間電
圧と、上記電界効果トランジスタのドレインにそのベー
スが直結されたプッシュプル増幅用のバイポーラトラン
ジスタのベース・エミッタ間電圧とを含んだ定電圧源に
よつて上記電界効果トランジスタのそれぞれのドレイン
電圧を一定に保持するようにしたことを特徴とするプッ
シュプル増幅器。
1 In a device in which field effect transistors of different polarities are used in the first stage, the same input signal is applied to each gate of each field effect transistor, and the output of the field effect transistor is push-pull amplified and brought to the output terminal,
A constant current circuit using a bipolar transistor is provided between the drain of the field effect transistor and the power supply, and the voltage between the base and emitter of this bipolar transistor is used for push-pull amplification whose base is directly connected to the drain of the field effect transistor. A push-pull amplifier, characterized in that the drain voltage of each of the field effect transistors is held constant by a constant voltage source containing the base-emitter voltage of the bipolar transistor.
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US6166603A (en) * 1998-12-02 2000-12-26 Maxim Integrated Products, Inc. Class-ab output stages with improved distortion performance

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63187782U (en) * 1987-05-26 1988-12-01

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