JPS6049656B2 - セルロ−ストリアセテ−トプラスチツク成形物の防曇処理方法 - Google Patents
セルロ−ストリアセテ−トプラスチツク成形物の防曇処理方法Info
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- JPS6049656B2 JPS6049656B2 JP56158459A JP15845981A JPS6049656B2 JP S6049656 B2 JPS6049656 B2 JP S6049656B2 JP 56158459 A JP56158459 A JP 56158459A JP 15845981 A JP15845981 A JP 15845981A JP S6049656 B2 JPS6049656 B2 JP S6049656B2
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Landscapes
- Coating Of Shaped Articles Made Of Macromolecular Substances (AREA)
- Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
- Materials Applied To Surfaces To Minimize Adherence Of Mist Or Water (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はセルローストリアセテートプラスチック成形物
の防曇処理方法に関するものである。
の防曇処理方法に関するものである。
最近、一般用サングラス、スキー用ゴーグル、工業用防
塵メガネ、オートバイ用風防メガネ等多くの分野でプラ
スチック製の成形物が使用されているが、従来のプラス
チック製の成形物は周囲の温度や湿度の変化に伴つて容
易に曇りを生じ、使用上極めて不便であつた。このため
、プラスチック成形物に対しては各種の防曇処理が施さ
れているが、その中でも例えは、USP3700487
に記載されている如く成形物表面を鹸化処理により親水
化し防曇効果を生せしめる方法は公知であり、簡単な処
理にて効果が半永久的であることから広く普及している
。例えば、セルロースジアセテートプラスチック成形物
の場合、30゜Cから60℃の温度にて11槻定から1
規定の濃度の水酸化ナトリウム又は水酸化カリウム水溶
液にル分から印分程度浸漬することにより簡単に防曇性
を有するセルロースジアセテートプラスチック成形物を
得ることができる。しかしながら、セルロースジアセテ
ートプラスチックは耐水性、寸法安定性が劣つており、
高温多湿の環境下に長時間放置した場合、成形物の変形
などの欠点がある。従つて防曇性があり、しかも耐水性
、寸法安定性の優れたプラスチック成形物の出現が持ち
望まれていた。本発明者はセルロースジアセテートプラ
スチック成形物よりはるかに耐水性、寸法安定性の優れ
たセルローストリアセテートプラスチック成形物の鹸化
処理を試みたが、セルロースジアセテートプラスチック
成形物に実施されている従来の鹸化処理方法では全く防
曇性を賦与することができないことが明らかとなつた。
塵メガネ、オートバイ用風防メガネ等多くの分野でプラ
スチック製の成形物が使用されているが、従来のプラス
チック製の成形物は周囲の温度や湿度の変化に伴つて容
易に曇りを生じ、使用上極めて不便であつた。このため
、プラスチック成形物に対しては各種の防曇処理が施さ
れているが、その中でも例えは、USP3700487
に記載されている如く成形物表面を鹸化処理により親水
化し防曇効果を生せしめる方法は公知であり、簡単な処
理にて効果が半永久的であることから広く普及している
。例えば、セルロースジアセテートプラスチック成形物
の場合、30゜Cから60℃の温度にて11槻定から1
規定の濃度の水酸化ナトリウム又は水酸化カリウム水溶
液にル分から印分程度浸漬することにより簡単に防曇性
を有するセルロースジアセテートプラスチック成形物を
得ることができる。しかしながら、セルロースジアセテ
ートプラスチックは耐水性、寸法安定性が劣つており、
高温多湿の環境下に長時間放置した場合、成形物の変形
などの欠点がある。従つて防曇性があり、しかも耐水性
、寸法安定性の優れたプラスチック成形物の出現が持ち
望まれていた。本発明者はセルロースジアセテートプラ
スチック成形物よりはるかに耐水性、寸法安定性の優れ
たセルローストリアセテートプラスチック成形物の鹸化
処理を試みたが、セルロースジアセテートプラスチック
成形物に実施されている従来の鹸化処理方法では全く防
曇性を賦与することができないことが明らかとなつた。
このため、本発明者等はセルロースアセテートプラスチ
ック成形物に防曇効果を付与する方法について多くの研
究を行つた結果、本発明に到達したのである。即ち、本
発明は水l000yに対し(a)水酸化ナトリウム又は
(及び)水酸化カリウムを409乃至80ダ、(b)グ
リセリンの低級脂肪酸エステル又は(及び)燐酸系可塑
剤を10cc以上添加溶解して得られた溶液(2)を5
0*Cから90℃に維持し、この溶液八に・セルロース
トリアセテートプラスチック成形物を3吟から3時間浸
漬処理することを特徴とするセルローストリアセテート
プラスチツク成形物の防曇処理方法である。
ック成形物に防曇効果を付与する方法について多くの研
究を行つた結果、本発明に到達したのである。即ち、本
発明は水l000yに対し(a)水酸化ナトリウム又は
(及び)水酸化カリウムを409乃至80ダ、(b)グ
リセリンの低級脂肪酸エステル又は(及び)燐酸系可塑
剤を10cc以上添加溶解して得られた溶液(2)を5
0*Cから90℃に維持し、この溶液八に・セルロース
トリアセテートプラスチック成形物を3吟から3時間浸
漬処理することを特徴とするセルローストリアセテート
プラスチツク成形物の防曇処理方法である。
本発明に使用されるグリセリンの低級脂肪酸エステルの
具体例としては、モノアセチン、ジアセチン、トリアセ
チンなどがある。
具体例としては、モノアセチン、ジアセチン、トリアセ
チンなどがある。
又、燐酸系可塑性の具体例としてはトリメチルホスフェ
ート、トリエチルホスフェート、トリプロピルホスフェ
ートなどがある。上記の如く本発明者等はセルロースト
リアセテートプラスチック成形物に対して防曇性を賦与
すべく多くの研究を行つたが、本発明の上記(a)、(
b)二成分を含有する水溶液以外では良好な防曇性を有
するセルローストリアセテートプラスチック成形物を得
ることができなかつた。
ート、トリエチルホスフェート、トリプロピルホスフェ
ートなどがある。上記の如く本発明者等はセルロースト
リアセテートプラスチック成形物に対して防曇性を賦与
すべく多くの研究を行つたが、本発明の上記(a)、(
b)二成分を含有する水溶液以外では良好な防曇性を有
するセルローストリアセテートプラスチック成形物を得
ることができなかつた。
即ち、水酸化ナトリウム及ひ水酸化カリウムの水溶液の
みでは、いかに濃度を上げようとも防曇性はとんど賦与
されない。
みでは、いかに濃度を上げようとも防曇性はとんど賦与
されない。
本発明で処理されるセルローストリアセテートプラスチ
ック成形物の主成分であるセルローストリアセテートは
セルロースの水酸基1部又は全部を酢酸でエステル化し
たものであり、本発明で処理されるセルローストリアセ
テートとしてはアセチル化度が41.56%から44.
78%て重合度が100以上のものが適当てあり、アセ
チル化度が40%以下のセルロースジアセテートとはそ
の性状性質が全く異なつているものである。
ック成形物の主成分であるセルローストリアセテートは
セルロースの水酸基1部又は全部を酢酸でエステル化し
たものであり、本発明で処理されるセルローストリアセ
テートとしてはアセチル化度が41.56%から44.
78%て重合度が100以上のものが適当てあり、アセ
チル化度が40%以下のセルロースジアセテートとはそ
の性状性質が全く異なつているものである。
又、かかるセルローストリアセテートプラスチックに配
合される可塑剤の配合比率は、セルローストリアセテー
ト100重量部に対し3〜50重量部てある。かかる可
塑剤としてはジメチルフタレート、ジエチルフタレート
、ジメトオキシエチルフタレート、ジメトキシヘキシル
フタレート等のプタ酸エステル、リン酸トリフエル、リ
ン酸トリクレジル等のリン酸エステル、トリアセチン、
トリブチリン等のグリセリン誘導体、メチルフタリルエ
チル.グリコレート、エチルフタリルエチルグリコレー
ト、ブチルフタリルブチルグリコレート等のグリコール
酸誘導体、P−トルエンスルホンアミド、トルエンスル
ホンーN−エチルアミド等のスルホン酸誘導体、その他
アジピン酸誘導体、アゼライン酸誘導体、ジグリセリン
、ポリグリセリン、ペンタエリスリトール、ジペンタエ
リスリトール、トリメヂロールプロパン、トリメチロー
ルエタン、ジトリエチロールエタン、ジトリメチロール
プロパン、ソルビトール、マニトール及びトリス(2−
ヒドロキシエチル)イソシアヌレートなどの多価アルコ
ール低級脂肪酸エステル、1●2・3ブタントリカルボ
ン酸トリエステル、ビスフェノールA型エポキシ樹脂等
の、通常セルローストリアセテートプラスチックに使用
される可塑剤が使用できる。
合される可塑剤の配合比率は、セルローストリアセテー
ト100重量部に対し3〜50重量部てある。かかる可
塑剤としてはジメチルフタレート、ジエチルフタレート
、ジメトオキシエチルフタレート、ジメトキシヘキシル
フタレート等のプタ酸エステル、リン酸トリフエル、リ
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ト、ブチルフタリルブチルグリコレート等のグリコール
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、ポリグリセリン、ペンタエリスリトール、ジペンタエ
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ルエタン、ジトリエチロールエタン、ジトリメチロール
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ヒドロキシエチル)イソシアヌレートなどの多価アルコ
ール低級脂肪酸エステル、1●2・3ブタントリカルボ
ン酸トリエステル、ビスフェノールA型エポキシ樹脂等
の、通常セルローストリアセテートプラスチックに使用
される可塑剤が使用できる。
又、セルローストリアセテートプラスチックには目的に
応じて染顔料、充填剤、安定剤等が各種゛添加されてい
ても差し支えない。
応じて染顔料、充填剤、安定剤等が各種゛添加されてい
ても差し支えない。
次にセルローストリアセテートプラスチックからその成
形物を得る方法としては如何なる公知の技術によるもの
でもよいが通常以下の如き方法により製造される。
形物を得る方法としては如何なる公知の技術によるもの
でもよいが通常以下の如き方法により製造される。
(1)流延法
(2)湿式法又はブロック法
(3)乾式法 即ち射出成型機、押出機等の熱成型機に
て成形物を得る方法かかる方法で得られたセルロースト
リアセテートプラスチック成形物に、更に必要に応じて
切断、切削、曲げ、接着等の加工を加えて目的成形物が
得られる。
て成形物を得る方法かかる方法で得られたセルロースト
リアセテートプラスチック成形物に、更に必要に応じて
切断、切削、曲げ、接着等の加工を加えて目的成形物が
得られる。
本発明の処理溶液囚をつくるために使用する水酸化カリ
ウム、水酸化ナトリウム、グリセリンの低級脂肪酸エス
テル、燐酸系可塑剤としては通常の市販品を使用すれば
よいが、純度の高いものを使用することが好ましい。
ウム、水酸化ナトリウム、グリセリンの低級脂肪酸エス
テル、燐酸系可塑剤としては通常の市販品を使用すれば
よいが、純度の高いものを使用することが好ましい。
本発明の処理溶液において(a)成分として水酸化ナト
リウム、水酸化カリウムを単独又は併用して使用するが
、添加量は水1000ダに対し、40ダから80yの範
囲が好ましい。
リウム、水酸化カリウムを単独又は併用して使用するが
、添加量は水1000ダに対し、40ダから80yの範
囲が好ましい。
添加量が40y以下の場合セルローストリアセテートプ
ラスチック成形物に満足てきる防曇性を賦与することが
困難てある。又添加量が80y以上ではセルローストリ
アセテートプラスチック成形物表面の白化、肌荒れ等の
悪影響が生じ用途から考え好ましくない。又(b)成分
としてグリセリンの低級脂肪酸エステル及燐酸可塑剤を
単独又は併用して使用するが、添加量は水1000yに
対し水酸化ナトリウム及び水酸化カリウムを単独又は併
用して40yから80yの割合で溶解した水溶液に対し
10ccから100ccの範囲が好ましい。
ラスチック成形物に満足てきる防曇性を賦与することが
困難てある。又添加量が80y以上ではセルローストリ
アセテートプラスチック成形物表面の白化、肌荒れ等の
悪影響が生じ用途から考え好ましくない。又(b)成分
としてグリセリンの低級脂肪酸エステル及燐酸可塑剤を
単独又は併用して使用するが、添加量は水1000yに
対し水酸化ナトリウム及び水酸化カリウムを単独又は併
用して40yから80yの割合で溶解した水溶液に対し
10ccから100ccの範囲が好ましい。
添加量が10cc以下の場合セルローストリアセテート
プラスチック成形物に満足できる防曇性を賦与すること
が困難である。又、添加量が100cc以上ではセルロ
ーストリアセテートプラスチック成形物表面の白化、肌
荒れ等の悪影響が生じやすく好ましくない。水1000
f1に対し水酸化ナトリウム及び水酸化カリウムを単独
又は併用して40yから80qの割合で溶解した水溶液
にグリセリンの低級脂肪酸エステル及び燐酸系可塑剤を
単独又は併用して10cc以上加えることにより得られ
た溶液(4)にセルローストリアセテートプラスチック
成形物を浸漬することにより防曇性を賦与するが、その
浸漬温度及び時間の条件範囲は50′Cから90℃及び
3紛から3時間の範囲が好ましい。
プラスチック成形物に満足できる防曇性を賦与すること
が困難である。又、添加量が100cc以上ではセルロ
ーストリアセテートプラスチック成形物表面の白化、肌
荒れ等の悪影響が生じやすく好ましくない。水1000
f1に対し水酸化ナトリウム及び水酸化カリウムを単独
又は併用して40yから80qの割合で溶解した水溶液
にグリセリンの低級脂肪酸エステル及び燐酸系可塑剤を
単独又は併用して10cc以上加えることにより得られ
た溶液(4)にセルローストリアセテートプラスチック
成形物を浸漬することにより防曇性を賦与するが、その
浸漬温度及び時間の条件範囲は50′Cから90℃及び
3紛から3時間の範囲が好ましい。
温度が50′C以下ではセルローストリアセテートプラ
スチック成形物に満足できる防曇性を賦与することが困
難である。又は、温度が90をC以下ではセルロースト
リアセテートプラスチックの変形が生じ易く好ましくな
い。浸漬時間が3吟以下ではセルローストリアセテート
プラスチック成形物に満足できる防曇性を賦与すること
が困難である。又、浸漬時間が3時間以上ではセルロー
ストリアセテートプラスチック成形物の膨潤、白化が発
生し、又、変形が生じ易く好ましくない。本発明による
セルローストリアセテートプラスチック成形物の防曇処
理に使用する溶液(4)には更に溶剤、界面活性剤、緩
衝剤、洗滌剤、等の物質を本発明の効果を阻害しない範
囲で加えることができる。
スチック成形物に満足できる防曇性を賦与することが困
難である。又は、温度が90をC以下ではセルロースト
リアセテートプラスチックの変形が生じ易く好ましくな
い。浸漬時間が3吟以下ではセルローストリアセテート
プラスチック成形物に満足できる防曇性を賦与すること
が困難である。又、浸漬時間が3時間以上ではセルロー
ストリアセテートプラスチック成形物の膨潤、白化が発
生し、又、変形が生じ易く好ましくない。本発明による
セルローストリアセテートプラスチック成形物の防曇処
理に使用する溶液(4)には更に溶剤、界面活性剤、緩
衝剤、洗滌剤、等の物質を本発明の効果を阻害しない範
囲で加えることができる。
本発明の方法によつて処理されたセルローストリアセテ
ートプラスチック成形物は、周囲の温度や湿度が通常の
生活環境下てどのように変化しても(例えば、雨天時や
降雪時の屋外、或るいは屋内にあつては浴室に出入りし
た時など)、全く曇りを生じることがない。
ートプラスチック成形物は、周囲の温度や湿度が通常の
生活環境下てどのように変化しても(例えば、雨天時や
降雪時の屋外、或るいは屋内にあつては浴室に出入りし
た時など)、全く曇りを生じることがない。
又、セルロースジアセテートプラスチツク成形物のよう
に、耐水性、寸法安定性に劣るところがないため、屋外
及び高温多湿の環境下でも充分に使用に耐えることがで
きる。このようにほぼ完全に防曇処理されるセルロース
トリアセテートプラスチック成形物はスキー用ゴーグル
、工業用防塵メガネ、サングラス、水中メガネ、オート
バイ用風防メガネ、乗用車用各種ガラス代用品、浴場用
鏡、窓ガラス代用品、等多くの用途に使用することが可
能である。
に、耐水性、寸法安定性に劣るところがないため、屋外
及び高温多湿の環境下でも充分に使用に耐えることがで
きる。このようにほぼ完全に防曇処理されるセルロース
トリアセテートプラスチック成形物はスキー用ゴーグル
、工業用防塵メガネ、サングラス、水中メガネ、オート
バイ用風防メガネ、乗用車用各種ガラス代用品、浴場用
鏡、窓ガラス代用品、等多くの用途に使用することが可
能である。
以下、本発明の好適な実施例について説明する。
実施例1〜5及ひ比較例1〜4
セルローストリアセテート(アセチル基42.50%、
重合度300)10唾量部に対し可塑剤としてトリフェ
ニルホスフェート5重量部を含有するセルローストリア
セテートプラスチック製シート(40mIrrLの×7
0mIm×1.3mIm)を表−1及び表一■に示す方
法にて防曇処理を施した。
重合度300)10唾量部に対し可塑剤としてトリフェ
ニルホスフェート5重量部を含有するセルローストリア
セテートプラスチック製シート(40mIrrLの×7
0mIm×1.3mIm)を表−1及び表一■に示す方
法にて防曇処理を施した。
Claims (1)
- 1 水1000gに対して、水酸化ナトリウム又は(及
び)水酸化カリウムを40g乃至80g、グリセリンの
低級脂肪酸エステル又は(及び)燐酸系可塑剤を10c
c以上添加溶解して得られた溶液(A)を50℃から9
0℃に維持し、この溶液(A)にセルローストリアセテ
ートプラスチック成形物を30分から3時間浸漬処理す
ることを特徴とするセルローストリアセテートプラスチ
ック成形物の防曇処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56158459A JPS6049656B2 (ja) | 1981-10-05 | 1981-10-05 | セルロ−ストリアセテ−トプラスチツク成形物の防曇処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56158459A JPS6049656B2 (ja) | 1981-10-05 | 1981-10-05 | セルロ−ストリアセテ−トプラスチツク成形物の防曇処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5859228A JPS5859228A (ja) | 1983-04-08 |
| JPS6049656B2 true JPS6049656B2 (ja) | 1985-11-02 |
Family
ID=15672199
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56158459A Expired JPS6049656B2 (ja) | 1981-10-05 | 1981-10-05 | セルロ−ストリアセテ−トプラスチツク成形物の防曇処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6049656B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7534654B2 (en) | 1995-05-26 | 2009-05-19 | Formfactor, Inc. | Socket for making with electronic component, particularly semiconductor device with spring packaging, for fixturing, testing, burning-in or operating such a component |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6254733A (ja) * | 1985-09-04 | 1987-03-10 | Yasuo Matsuzaki | 防曇性透明体の製造方法 |
-
1981
- 1981-10-05 JP JP56158459A patent/JPS6049656B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7534654B2 (en) | 1995-05-26 | 2009-05-19 | Formfactor, Inc. | Socket for making with electronic component, particularly semiconductor device with spring packaging, for fixturing, testing, burning-in or operating such a component |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5859228A (ja) | 1983-04-08 |
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