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JPS6050084B2 - power amplifier circuit - Google Patents
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JPS6050084B2 - power amplifier circuit - Google Patents

power amplifier circuit

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Publication number
JPS6050084B2
JPS6050084B2 JP7642479A JP7642479A JPS6050084B2 JP S6050084 B2 JPS6050084 B2 JP S6050084B2 JP 7642479 A JP7642479 A JP 7642479A JP 7642479 A JP7642479 A JP 7642479A JP S6050084 B2 JPS6050084 B2 JP S6050084B2
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transistors
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voltage
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JP7642479A
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和正 太田尾
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Torio KK
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Torio KK
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/30Single-ended push-pull [SEPP] amplifiers; Phase-splitters therefor
    • H03F3/3066Single-ended push-pull [SEPP] amplifiers; Phase-splitters therefor the collectors of complementary power transistors being connected to the output

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はB級動作の場合とほぼ同様の電力効率で作動し
、かつスイッチング歪の発生しない電力増幅回路に関す
る。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a power amplifier circuit that operates with almost the same power efficiency as in class B operation and does not generate switching distortion.

従来、オーディオ用の電力増幅回路にはシングルエンデ
ツドプツシユプル(以下SEPPと略記する。
Conventionally, power amplifier circuits for audio use single-ended push pull (hereinafter abbreviated as SEPP).

)回路が多用され、特に電力効率の良好なた’、゛IW
、、″ム゛ Yt’゛ 、、”4−レフユ3B級動
作をするようにバイアスしたB級SEPP電力増幅回路
が採用されている。しかるにB級SEPP電力増幅回路
は、入力信号の正の半サイクルの期間と入力信号の負の
半サイクルの期間とにおいて、アイドリング電流を無視
すれば、それぞれ負荷に電力を供給するトランジスタは
異なり、入力信号の正と負の半サイクル期間の切替りに
応じてトランジスタのスイッチングが行われ、トランジ
スタのキャリヤ蓄積効果などに寄因してスイッチング歪
が発生する欠点があつた。
) circuits are frequently used and have particularly good power efficiency.
A class B SEPP power amplifier circuit biased for 4-reflex 3B class operation is employed. However, in a class B SEPP power amplifier circuit, if the idling current is ignored during the positive half-cycle period of the input signal and during the negative half-cycle period of the input signal, the transistors that supply power to the load are different, and the input The switching of the transistor is performed in accordance with the switching between the positive and negative half-cycle periods of the signal, and there is a drawback that switching distortion occurs due to the carrier accumulation effect of the transistor.

本発明は上記にかんがみなされたもので、上記の欠点を
解消してB級動作の場合とほぼ同様の電力効率が動作し
、入力信号の正、負の半サイクルの期間の切替りに応じ
てトランジスタをスイッチングさせない様にするととも
に、低インピーダンス負荷に対しても大出力電力時まで
総てのトランジスタをオン状態に維持してスイッチング
歪の発生しない電力増幅回路を提供することを目的とす
るものであつて、以下本発明を実施例により説明する。
The present invention has been made in view of the above, and eliminates the above-mentioned drawbacks, operates with almost the same power efficiency as class B operation, and operates in accordance with switching between the positive and negative half-cycle periods of the input signal. The purpose of this is to provide a power amplifier circuit that prevents transistors from switching and maintains all transistors in the on state even in the case of low impedance loads until high output power is generated, and does not generate switching distortion. The present invention will now be explained by way of examples.

第1図は本発明の第1の実施例の回路図てある。本発明
の第1の実施例の電力増幅回路は、トランジタ1のエミ
ッタとトランジスタ2のコレクタとの間にダイオード3
と抵抗4との並列回路を接続してトランジスタ1と2と
をインバーゼットダーリントン接続し、トランジスタ2
のコレクタを抵抗5を通して負荷6に接続し、同様にト
ランジスタ7のエミッタとトランジスタ8のコレクタと
の間にダイオード9と抵抗10とを並列接続してトラン
ジスタ7と8とをインバーテツドダーリントン接続し、
トランジスタ8のコレクタを抵抗11を通して負荷6に
接続してSEPP電力増幅回路を構成する。このSEP
P電力増幅回路にさらに1および7のエミッタ間の電圧
を2分する抵抗12と13とを接続し、抵抗12と13
との共通接続点Bの電圧すなわちトランジスタ1と7と
のエミッタ間の電圧を112に分圧した電圧を基準電圧
として負荷端子Aの電圧を入力抵抗14を通して帰還抵
抗16を有する反転増幅器17にて反転増幅し、反転増
幅器17の出力電圧を抵抗18を通してトランジスタ1
のエミッタに、同じく反転増幅器17の出力電圧を抵抗
19を通してトランジスタ7のエミッタに印加する。な
お+Bおよび−Bは正および負の電源端子であり、20
はトランジスタ2と8とのベース間に接続し、トランジ
スタ2と8のベースにバイアス電流を流す定電流回路で
ある。
FIG. 1 is a circuit diagram of a first embodiment of the present invention. The power amplifier circuit according to the first embodiment of the present invention has a diode 3 between the emitter of the transistor 1 and the collector of the transistor 2.
and resistor 4, connect transistors 1 and 2 in an inverse Darlington connection, and transistor 2
The collector of is connected to the load 6 through the resistor 5, and similarly, a diode 9 and a resistor 10 are connected in parallel between the emitter of the transistor 7 and the collector of the transistor 8, and the transistors 7 and 8 are connected in an inverted Darlington connection. ,
The collector of transistor 8 is connected to load 6 through resistor 11 to form a SEPP power amplification circuit. This SEP
Resistors 12 and 13 that divide the voltage between the emitters 1 and 7 into two are further connected to the P power amplifier circuit, and the resistors 12 and 13
Using the voltage at the common connection point B, that is, the voltage between the emitters of transistors 1 and 7 divided into 112 as a reference voltage, the voltage at the load terminal A is passed through the input resistor 14 to the inverting amplifier 17 having the feedback resistor 16. The output voltage of the inverting amplifier 17 is inverted and amplified, and the output voltage of the inverting amplifier 17 is passed through the resistor 18 to the transistor 1.
Similarly, the output voltage of the inverting amplifier 17 is applied to the emitter of the transistor 7 through the resistor 19. Note that +B and -B are positive and negative power supply terminals, and 20
is a constant current circuit connected between the bases of transistors 2 and 8 to flow a bias current to the bases of transistors 2 and 8.

またバイアス回路21は無人力信号時、所定のアイドリ
ング電流を流し、トランジスタ1,2,7および8をオ
ン状態とし、かつ電力増幅回路がB級動作をするように
設定してある。なお定電流回路20はトランジスタ1お
よび2のアイドリング電流の小さく設定した場合におい
てもトランジスタ2および8をオン状態にするためのも
のであるいま抵抗4,5,10,11,12,13,1
4,16,18および19の抵抗値をR,,R5,Rl
O9Rll9Rl29Rl39Rl49Rl69Rl8
およびRl9とし、R5=Rll、Rl2=Rl3、R
l8=Rl9に設定する。
Further, the bias circuit 21 is set to flow a predetermined idling current to turn on transistors 1, 2, 7, and 8, and to cause the power amplifier circuit to perform class B operation when an unmanned power signal is received. The constant current circuit 20 is used to turn on the transistors 2 and 8 even when the idling current of the transistors 1 and 2 is set to a small value.
The resistance values of 4, 16, 18 and 19 are R,,R5,Rl
O9Rll9Rl29Rl39Rl49Rl69Rl8
and Rl9, R5=Rll, Rl2=Rl3, R
Set l8=Rl9.

ます無人力信号時は負荷端子A1点B1抵抗18と19
との共通接続点Cは完全に同電位である。なお点Bの電
位はトランジスタ1および7のエミッタ間の電圧の中間
電位を常に維持している。いま負の半サイクルの入力信
号が印加されたと.き、トランジスタ7および8のコレ
クタ電流は増加して抵抗11を通して負荷6に電力を供
給する。
At the time of unmanned signal, load terminal A1 point B1 resistor 18 and 19
The common connection point C with the two is completely at the same potential. Note that the potential at point B always maintains the intermediate potential of the voltage between the emitters of transistors 1 and 7. Let's say that a negative half-cycle input signal is now applied. The collector currents of transistors 7 and 8 increase to supply power to load 6 through resistor 11.

すると点Bの電位に対して点Aの電位は(+)側に変化
し、点Cの電位は入力抵抗14,帰還抵抗16によつて
点Bの電位に対して(−)−側に変化する。一方、負の
半サイクルの入力信号の増加に従つてトランジスタ2の
コレクタD点の電位はトランジスタ1のエミッタE点の
電位に対して上昇し、ダイオード3はそのオン電圧0.
6Vを維持されなくなり、ダイオード3に印加される電
圧は0.6V以下となり、トランジスタ1のエミッタ電
流は抵抗4,12および18に分流し、抵抗4,12お
よび18に流れる電流の合成値となつて、トランジスタ
1はオン状態を維持している。
Then, the potential at point A changes to the (+) side with respect to the potential at point B, and the potential at point C changes to the (-) side with respect to the potential at point B due to the input resistor 14 and feedback resistor 16. do. On the other hand, as the input signal increases in the negative half cycle, the potential at the collector point D of the transistor 2 rises with respect to the potential at the emitter point E of the transistor 1, and the diode 3 has an on-state voltage of 0.
6V is no longer maintained, the voltage applied to diode 3 becomes 0.6V or less, and the emitter current of transistor 1 is divided into resistors 4, 12, and 18, and becomes the composite value of the current flowing through resistors 4, 12, and 18. Therefore, transistor 1 remains on.

抵抗4に流れるトランジスタ1のエミッタ電流の一部は
点Aの電位の上昇に従つて減少する。またトランジスタ
7および8のコレクタ電流が増加すればさらに・点Aの
電位が上昇し、遂には抵抗4には上記と逆方向(トラン
ジスタ2のコレクタ側からトランジスタ1のエミッタ側
の方向)に電流が流れる。点Dの電位の上昇により、い
ま反転増幅器17を無視すればトランジスタ1のエミッ
タ点Eの電位は上昇しトランジスタ1はオフ方向となる
が、反転増幅器17の存在により点Cの電位は(−)側
に変化しており、トランジスタ1のエミッタの電位は引
き下げられて、トランジスタ1はオン状態に維持される
。同時にダイオード9を流れているトランジスタ7のエ
ミッタ電流の一部は抵抗19を流れてトランジスタ1の
エミッタ電位の減少分を補償し、トランジスタ7のエミ
ッタ電位を保持し、トランジスタ1と2のエミッタ間電
圧はバイアス路21に対応した値となり、トランジスタ
1は負の半サイクルの入力信号の印加のときにおいても
常にオン状態に維持される。またダイオード3が逆バイ
アス状態となつたとき、点Cの電位は(−)側に移動し
ており、抵抗5に流れる電流は抵抗11に流れる電流に
比較して極めて小さいため抵抗5を無視すれば、抵抗4
,14,16および18はブリツヂ回路を構成している
A portion of the emitter current of transistor 1 flowing through resistor 4 decreases as the potential at point A rises. Furthermore, if the collector currents of transistors 7 and 8 increase, the potential at point A will further rise, and finally a current will flow through resistor 4 in the opposite direction (from the collector side of transistor 2 to the emitter side of transistor 1). flows. Due to the rise in the potential at point D, if we ignore the inverting amplifier 17, the potential at the emitter point E of transistor 1 will rise and transistor 1 will turn off, but due to the presence of the inverting amplifier 17, the potential at point C will become (-). The potential of the emitter of transistor 1 is pulled down and transistor 1 is maintained in the on state. At the same time, part of the emitter current of transistor 7 flowing through diode 9 flows through resistor 19 to compensate for the decrease in the emitter potential of transistor 1, maintain the emitter potential of transistor 7, and reduce the voltage between the emitters of transistors 1 and 2. has a value corresponding to the bias path 21, and the transistor 1 is always maintained in an on state even when a negative half-cycle input signal is applied. Furthermore, when diode 3 becomes reverse biased, the potential at point C moves to the (-) side, and the current flowing through resistor 5 is extremely small compared to the current flowing through resistor 11, so resistor 5 should be ignored. If resistance 4
, 14, 16 and 18 constitute a bridge circuit.

そこで抵抗4,14,16および18をR4・Rl6=
Rl4・Rl8に設定すれば、前記ブリツヂは平衡し、
点Bに対するトランジスタ1のエミッタの電位は抵抗1
1に流れる電流の増大によつても無人力信号時のトラン
ジスタ1のエミッタの電位と変化はなく、トランジスタ
1は無人力信号時と同一のエミッタ電流を流した状態の
オン状態になる。また抵抗4,14,16および18の
間に上記のR4・Rl6=Rl,・Rl8の関係が無い
場合においても前記の如くトランジスタ1のエミッタ電
位は下降してトランジスタ1はオン状態となるが、この
場合のトランジスタ1のエミッタ電流は無人力信号時の
トランジスタ1のエミッタ電流とは異なつた値の状態で
オン状態となることになる。
Therefore, resistors 4, 14, 16 and 18 are set as R4・Rl6=
If set to Rl4 and Rl8, the bridge will be balanced,
The potential of the emitter of transistor 1 with respect to point B is resistor 1
Even with an increase in the current flowing through transistor 1, the potential of the emitter of transistor 1 does not change from that at the time of the unmanned power signal, and transistor 1 enters an on state in which the same emitter current as at the time of the unmanned power signal flows. Furthermore, even if the above-mentioned relationship R4・Rl6=Rl,・Rl8 does not exist between the resistors 4, 14, 16, and 18, the emitter potential of the transistor 1 falls as described above and the transistor 1 is turned on. In this case, the emitter current of the transistor 1 is turned on with a value different from that of the emitter current of the transistor 1 at the time of the unmanned power signal.

また正の半サイクルの入力信号が印加された場合の動作
も上記と同様であつて発明の詳細な説明は省略するが、
この場合の前記平衡条件はRlO・Rl6:RlCRl
9となるoなお、無人力信号時のトランジスタ1および
2のアイドリング電流を大きく設定すれば、定電流回路
20、抵抗22および23は省略しても差支えない。
Furthermore, the operation when a positive half-cycle input signal is applied is the same as above, and a detailed description of the invention will be omitted.
In this case, the equilibrium condition is RlO・Rl6:RlCRl
The constant current circuit 20 and the resistors 22 and 23 may be omitted if the idling current of the transistors 1 and 2 is set to a large value during the unmanned power signal.

つぎに本発明の第2の実施例について説明する。Next, a second embodiment of the present invention will be described.

第2図は本発明の第2の実施例の回路図てある。FIG. 2 is a circuit diagram of a second embodiment of the present invention.

本発明の第2の実施例の電力増幅回路は反転増幅器を2
個用いて、それぞれトランジスタ1および2に対応させ
たものである。本実施例においては本発明の第1の実施
例の電力増幅回路の反転増幅器17に代つて、点Bの電
圧を基準として負荷端子A点の電圧を入力抵抗14と帰
還抵抗25を有する反転増幅器26にて反転増幅し、反
転増幅器26の出力電圧を抵抗27を通してトランジス
タ1のエミッタに印加する。
The power amplifier circuit according to the second embodiment of the present invention has two inverting amplifiers.
These transistors correspond to transistors 1 and 2, respectively. In this embodiment, instead of the inverting amplifier 17 of the power amplifier circuit of the first embodiment of the present invention, an inverting amplifier having an input resistor 14 and a feedback resistor 25 is used to convert the voltage at the load terminal A point with the voltage at point B as a reference. The output voltage of the inverting amplifier 26 is inverted and amplified at 26, and the output voltage of the inverting amplifier 26 is applied to the emitter of the transistor 1 through the resistor 27.

また同様に点Bの電圧を基準として負荷端子A点の電圧
を入力抵抗14と帰還抵抗28を有する反転増幅器29
にて反転増幅し、反転増幅器28の−出力電圧を抵抗3
0を通してトランジスタ7のエミッタに印加する。そこ
て本実施例の電力増幅回路においても本発明の第1の実
施例の電力増幅回路と同様に例えば負の半サイクルの入
力信号の印加時は反転増幅器.26の出力電圧および反
転増幅器29の出力電圧は(−)側に変化し、ダイオー
ド3に逆バイアス電圧が印加されるようになつてもトラ
ンジスタ1のエミッタ電圧は(−)側に引き下げられて
オン状態に維持され、またトランジスタ7のエミッタ電
位はダイオード9に流れるトランジスタ7のエミッタ電
流の一部が抵抗30に流れることによりトランジスタ7
のエミッタ電位も保持されトランジスタ7もオン状態を
維持する。
Similarly, with the voltage at point B as a reference, the voltage at the load terminal A point is connected to an inverting amplifier 29 having an input resistor 14 and a feedback resistor 28.
The negative output voltage of the inverting amplifier 28 is inverted and amplified by the resistor 3.
0 to the emitter of transistor 7. Therefore, in the power amplifier circuit of this embodiment, as in the power amplifier circuit of the first embodiment of the present invention, for example, when a negative half-cycle input signal is applied, an inverting amplifier is used. The output voltage of transistor 26 and the output voltage of inverting amplifier 29 change to the (-) side, and even when a reverse bias voltage is applied to the diode 3, the emitter voltage of the transistor 1 is pulled down to the (-) side and is turned on. In addition, the emitter potential of the transistor 7 is maintained at the current level by a portion of the emitter current of the transistor 7 flowing to the diode 9 flowing to the resistor 30.
The emitter potential of is also maintained, and transistor 7 also remains on.

また正の半サイクルの入力信号の印加時も上記と同様に
作用する。従つてトランジスタ1,2,7および8はオ
フ状態となることはなく常にオン状態であつてスイッチ
ング歪が発生することはない。またトランジスタ1と7
とのベース間の電圧を2分割して基準点Bの電圧として
も同様である。
Further, when a positive half-cycle input signal is applied, the same operation as described above occurs. Therefore, transistors 1, 2, 7, and 8 are never turned off but are always turned on, and no switching distortion occurs. Also transistors 1 and 7
The same thing can be done by dividing the base-to-base voltage into two to obtain the voltage at reference point B.

以上説明した如く本発明によれば、入力信号の極性にか
かわらず、また負荷インピーダンスの大小および出力電
圧の大小にかかわらず総てのトランジスタはスイッチン
グされることはなく、スイッチング歪が発生することは
ない。また各トランジスタのアイドリング電流を無視す
れば負荷に電力を供給するトランジスタは入力信号の極
性により入れ替りその電力効率もB級増幅動作の場合と
ほぼ同一の電力効率て動作する。また反転増幅器は入力
信号の印加時のみ動作し、無人力信号時のバイアス電流
に影響を与えることもない。
As explained above, according to the present invention, all transistors are not switched regardless of the polarity of the input signal, the magnitude of the load impedance, and the magnitude of the output voltage, and switching distortion does not occur. do not have. Further, if the idling current of each transistor is ignored, the transistors that supply power to the load are switched depending on the polarity of the input signal, and the power efficiency thereof operates with almost the same power efficiency as in the case of class B amplification operation. Furthermore, the inverting amplifier operates only when an input signal is applied, and does not affect the bias current when an unmanned signal is applied.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の第1の実施例の回路図。 第2図は本発明の第2の実施例の回路図。1,2,7お
よび8・・・・・・トランジスタ、3および9・・・・
・・ダイオード、17,26および29・・反転増幅器
、21・・・・・バイアス回路。
FIG. 1 is a circuit diagram of a first embodiment of the present invention. FIG. 2 is a circuit diagram of a second embodiment of the present invention. 1, 2, 7 and 8...transistor, 3 and 9...
...Diodes, 17, 26 and 29...Inverting amplifier, 21...Bias circuit.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 第1のトランジスタのエミッタと第2のトランジス
タのコレクタとの間に第1のダイオードと第1の抵抗と
の並列回路を接続して第1のおよび第2のトランジスタ
をインバーテッドダーリントン接続し、第2のトランジ
スタのコレクタを第2の抵抗を通して負荷端子に接続し
、第3のトランジスタのエミッタと第4のトランジスタ
のコレクタとの間に第2のダイオードと第3の抵抗との
並列回路を接続して第3のおよび第4のトランジスタを
インバーテッドダーリントン接続し、第4のトランジス
タのコレクタを第4の抵抗を通して負荷端子に接続し、
第1のおよび第3のトランジスタのベース間に一定電圧
のバイアス電圧を印加してシングルエンデツドプツシユ
プル回路を構成し、第1のおよび第2のトランジスタの
エミッタ間あるいはベース間の電圧を分圧して基準電圧
とし負荷端子の電圧を反転増幅器にて反転増幅し、反転
増幅器の出力電圧をそれぞれ抵抗を通して第1および第
3のトランジスタのエミッタに印加するようにしてなる
ことを特徴とする電力増幅回路。
1. A parallel circuit of a first diode and a first resistor is connected between the emitter of the first transistor and the collector of the second transistor to connect the first and second transistors in an inverted Darlington connection, The collector of the second transistor is connected to the load terminal through the second resistor, and the parallel circuit of the second diode and the third resistor is connected between the emitter of the third transistor and the collector of the fourth transistor. and connect the third and fourth transistors in an inverted Darlington connection, and connect the collector of the fourth transistor to the load terminal through a fourth resistor;
A single-ended push-pull circuit is configured by applying a constant bias voltage between the bases of the first and third transistors, and dividing the voltage between the emitters or bases of the first and second transistors. The voltage at the load terminal is inverted and amplified by an inverting amplifier, and the output voltage of the inverting amplifier is applied to the emitters of the first and third transistors through respective resistors. circuit.
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