Deprecated: The each() function is deprecated. This message will be suppressed on further calls in /home/zhenxiangba/zhenxiangba.com/public_html/phproxy-improved-master/index.php on line 456
JPS6052569B2 - Multilayer ceramic capacitor and its manufacturing method - Google Patents
[go: Go Back, main page]

JPS6052569B2 - Multilayer ceramic capacitor and its manufacturing method - Google Patents

Multilayer ceramic capacitor and its manufacturing method

Info

Publication number
JPS6052569B2
JPS6052569B2 JP58036773A JP3677383A JPS6052569B2 JP S6052569 B2 JPS6052569 B2 JP S6052569B2 JP 58036773 A JP58036773 A JP 58036773A JP 3677383 A JP3677383 A JP 3677383A JP S6052569 B2 JPS6052569 B2 JP S6052569B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ceramic
metal
thin
electrode
conductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP58036773A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPS58175818A (en
Inventor
ジエイムズ・エイ・スタインズ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tam Ceramics LLC
Original Assignee
Tam Ceramics LLC
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tam Ceramics LLC filed Critical Tam Ceramics LLC
Priority to JP58036773A priority Critical patent/JPS6052569B2/en
Publication of JPS58175818A publication Critical patent/JPS58175818A/en
Publication of JPS6052569B2 publication Critical patent/JPS6052569B2/en
Expired legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
  • Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
  • Ceramic Capacitors (AREA)
  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は積層磁器コンデンサおよびその製造方法に関
するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a multilayer ceramic capacitor and a method for manufacturing the same.

この種のコンデンサは本出願人に係る特願昭51−89
743号明細書に記載された焼結セラミツク構造体を用
いて製造することができ、電気回路用の部品として使用
するのに極めて適している。セラミツク材料から成る積
層電気部品、たとえば積層磁器コンデンサは、電気回路
に広範に使用されている。
This type of capacitor is disclosed in a patent application filed in 1989-89 by the present applicant.
It can be manufactured using the sintered ceramic structure described in No. 743 and is extremely suitable for use as a component for electrical circuits. Multilayer electrical components made of ceramic materials, such as multilayer ceramic capacitors, are widely used in electrical circuits.

一般にこれらのコンデンサは、複数の交互に重なる誘電
薄層と導電薄層とから成り、後者は内部電極として使用
される。これらのコンデンサは、単位体積当りの容量が
極めて大きい強固な単一体として形成される。こ↓らの
一般的な製造法は、仮結合剤として樹脂を使用し、所望
の微粉砕誘電体のセラミツク組成物の薄板を注型するも
のである。次いで、金属含有電極用ペーストをしばしば
シルクスクリーン法によつて複数の薄板上の所定区域に
塗布し、夫々の薄板上に多数の電極区域を作成する。こ
のように塗布した薄板を適当に方向を合せて重畳した後
に加圧して固着させる。固着した薄板の未焼成セラミツ
クプロツクを適当に切断して個々の単一体を得る。これ
らの単一体を加熱焼成して薄板および電極薄層中の結合
剤を焼却し、かつセラミツク材料を焼結し、これによつ
て一体化して密実なセラミツク一金属構造体を得る。こ
のように薄板に適切に塗布し、方向を合わせ、積層しか
つ切断すると、夫々の単一体中の複数の電極薄層が適当
に配列されて夫々の薄層は単一体の1端面にのみ露出し
、直接に隣接する電極薄層は単一体の対向端面に露出す
る。このようにして、絶縁された2組の内部電極が形成
される。次いで、端子電極を電極が露出する端面に取付
けて交互に内部電極を電気接続する。上述した方法では
、セラミツクおよび内部電極は一緒に焼成されるので、
内部電極の金属とセラミツクとは、例えば1100Cの
高温に耐える必要がある。また、セラミツクの最適誘電
特性は焼成を酸化雰囲気中で行つた場合に得られるので
、金属はこのような温度における酸化に耐える必要があ
る。従つて、高融点の貴金属、例えばパラジウム、白金
およびこれらと金の合金を内部電極に使用するため、こ
の種の積層コンデンサの製造コストは高い。米国特許第
29194羽号明細書には、セラミツクを焼成してこれ
を硬化させる際に内部金属電極の存在を必要としない積
層磁器コンデンサの製造方法が開示されている。
These capacitors generally consist of a plurality of alternating dielectric and conductive thin layers, the latter being used as internal electrodes. These capacitors are formed as a rigid unitary body with extremely high capacitance per unit volume. These common manufacturing methods involve casting a thin sheet of the desired finely ground dielectric ceramic composition using a resin as a temporary binder. The metal-containing electrode paste is then applied to predetermined areas on the sheets, often by silk-screening, to create multiple electrode areas on each sheet. After the thin plates coated in this way are properly oriented and overlapped, they are pressed and fixed. The bonded sheet green ceramic block is suitably cut to obtain individual units. These units are heated and fired to burn out the binder in the thin plates and electrode layers and to sinter the ceramic material, thereby forming a solid ceramic-metal structure. When the thin plates are properly coated, oriented, laminated and cut in this manner, the multiple electrode thin layers in each unitary body are properly aligned such that each thin layer is exposed only on one end face of the unitary body. However, immediately adjacent electrode thin layers are exposed on opposite end surfaces of the unitary body. In this way, two sets of insulated internal electrodes are formed. Next, terminal electrodes are attached to the exposed end faces of the electrodes to electrically connect the internal electrodes alternately. In the method described above, the ceramic and the internal electrode are fired together;
The metal and ceramic of the internal electrodes must withstand high temperatures of, for example, 1100C. Also, since the optimum dielectric properties of ceramics are obtained when firing is carried out in an oxidizing atmosphere, the metal must be resistant to oxidation at these temperatures. Therefore, since noble metals with high melting points, such as palladium, platinum, and their alloys with gold are used for the internal electrodes, the manufacturing cost of this type of multilayer capacitor is high. U.S. Pat. No. 29,194 discloses a method of manufacturing a laminated ceramic capacitor that does not require the presence of internal metal electrodes during firing and hardening of the ceramic.

また、米国特許第3679950号明細書には、比較的
廉価な金属を内部電極用に使用する積層磁器コンデンサ
および積層磁器回路板の製造方法が開示されている。こ
の米国特許第367995@明細書に記載の方法によれ
ば、誘電薄層と交互に重畳する有孔性内部薄層(すなわ
ち薄膜)とを有する焼結したセラミツク単一体を形成し
、この有孔性積層体は従来技術の貴金属電極と同一寸法
かつ同一形状であつて、同一に方向付けられる(すなわ
ち、直接隣接する有孔性積層体はチツプの対向面に開放
端部を有する)。次いで、金属を有孔性セラミツク積層
体内に導入し、端面電極を対向面に取付けて積層コンデ
ンサを形成する。この方法によれば、内部電極用に鉛、
錫、銀のような金属が使用可能である。同様な方法が、
内部電極を有する積層磁器回路板の製造に使用される。
米国特許第367995吋明細書に記載の方法で製造さ
れたセラミツク単一体の有孔性薄層内に金属・を導入し
て内部電極を形成するのに特に便利な方法は、金属を加
圧下に導入することである。
Further, US Pat. No. 3,679,950 discloses a method of manufacturing a laminated ceramic capacitor and a laminated ceramic circuit board using relatively inexpensive metals for internal electrodes. The method described in U.S. Pat. The porous laminates are the same size, the same shape, and are oriented the same as the prior art noble metal electrodes (ie, the immediately adjacent porous laminates have open ends on opposite sides of the chip). Metal is then introduced into the porous ceramic stack and end electrodes are attached to the opposing faces to form a stacked capacitor. According to this method, lead and
Metals such as tin and silver can be used. A similar method is
Used in the production of laminated ceramic circuit boards with internal electrodes.
A particularly convenient method for introducing metal to form internal electrodes within a porous thin layer of a monolithic ceramic produced by the method described in U.S. Pat. It is to introduce.

しかしながら、溶融金属浴からの金属が冷却されて2個
以上のセラミツク単一体が接着されるという問題がしば
しば生ずる。従つて、金属を導入する際このセラミツク
単一体を分離保持しておくのが望ましいが、現在までの
ところこれを達成するのに充分満足できる方法はない。
さらに、従来知られている方法による積層磁器素子(例
えばコンデンサ)の製造において、端面電極の取付けは
さらに焼成を必要としかつ使用される電極組成物が高価
である。上記に鑑み、本発明の主たる目的は、米国特許
第367995四明細書の記載に従つて一般に製造され
るセラミツク体内部へ金属を容易に導入して、この種の
セラミツク体の内部電極を廉価にかつ一層効果的に形成
することである。
However, a problem often arises where the metal from the molten metal bath cools and bonds two or more ceramic units together. It is therefore desirable to keep the ceramic unit separate during the introduction of the metal, but to date there is no fully satisfactory method of accomplishing this.
Furthermore, in the production of laminated ceramic elements (eg capacitors) by methods known in the art, the attachment of end face electrodes requires further firing and the electrode compositions used are expensive. In view of the above, a principal object of the present invention is to easily introduce metal into the interior of a ceramic body generally manufactured as described in U.S. Pat. and more effectively.

この目的は、重畳された多数の密実セラミツク誘電体の
薄層と、これら薄層間に存在する金属電極層と、これら
金属電極層が外部へ露出しないよう全外周部を覆つた誘
電性セラミツク外壁と、前記多数の密実セラミーツク誘
電体の薄層を貫通しかつ前記金属電極層を1つおきに貫
通するが残余の1つおきの金属電極層からは離間する第
一の金属導線と、前記多数の密実セラミツク誘電体の薄
層を貫通しかつ前記残余の1つおきの金属電極層を貫通
するが前記最初の1つおきの金属電極層からは離間する
第二の金属導線とからなり、前記金属電極層としての金
属は前記セラミツク誘電体の焼結温度よりも低くかつ前
記第一および第二金属導線の融点よりも低い融点を有し
、前記第一および第二金属導線は前記金属電極層中に一
体的に埋設されてなる積層磁器コンデンサにより達成さ
れる。
The purpose of this is to create a dielectric layer that consists of a large number of superimposed thin layers of solid ceramic dielectric, a metal electrode layer between these thin layers, and a dielectric ceramic that covers the entire outer periphery so that these metal electrode layers are not exposed to the outside. a first metal conductor passing through the outer wall and the plurality of thin layers of solid ceramic dielectric and passing through every other metal electrode layer but spaced from every other remaining metal electrode layer; a second metal conductive wire extending through the plurality of thin layers of solid ceramic dielectric and through every other of the remaining metal electrode layers but spaced apart from the first every other metal electrode layer; The metal as the metal electrode layer has a melting point lower than the sintering temperature of the ceramic dielectric and lower than the melting points of the first and second metal conductive wires, and the first and second metal conductive wires are This is achieved by a laminated ceramic capacitor integrally embedded in a metal electrode layer.

この積層磁器コンデンサは、微粉砕された焼結可能な誘
電性セラミツク材により複数の薄板を形成し、これら薄
板にこれより小さい面積で熱焼却性の仮導電体を塗布し
、これらの塗布された薄板をそれぞれ隣接するセラミツ
ク薄板の間に仮導電体層がそれぞれ挾持されるように重
畳すると共にこれら仮導電体層の全外周部を誘電性セラ
ミツク材で密封して生のセラミツク積層体を形成し、こ
のセラミツク積層体に一対の離間した孔部をその第一の
孔部が前記仮導電体層を1つおきに貫通するが残余の1
つおきの仮導電体層からは離間するようかつ第二の孔部
が前記残余の1つおきの仮導電体層を貫通するが前記最
初の1つおきの仮導電体層からは離間するよう穿設し、
次いで誘電性セラミツク体の焼結温度以上の温度で前記
生のセラミツク積層体を焼成して前記仮導電体を焼却除
去することにより空間領域を形成せしめ、次いで前記一
対の孔部にそれぞれ金属導線を挿通した後、前記誘電性
セラミツク体の焼結温度よりも低くかつ前記金属導線の
融点よりも低い融点を有する金属の溶融物を前記孔部と
そこに挿通された金属導線との間の間隙を介して前記空
間領域内に注入し、次いで前記金属溶融物を前記金属導
線の周囲に一体的に凝固させることにより製造される。
This multilayer porcelain capacitor consists of a plurality of thin plates made of finely ground sinterable dielectric ceramic material, coated with a heat-burnable temporary conductor in a smaller area, and The thin plates are stacked so that the temporary conductor layers are sandwiched between adjacent ceramic thin plates, and the entire outer periphery of these temporary conductor layers is sealed with a dielectric ceramic material to form a green ceramic laminate. , a pair of spaced holes are formed in this ceramic laminate, the first of which penetrates every other temporary conductor layer, and the remaining one
A second hole is spaced apart from the first temporary conductor layer, and a second hole passes through the remaining every other temporary conductor layer, but is spaced apart from the first every other temporary conductor layer. drilled,
Next, the raw ceramic laminate is fired at a temperature higher than the sintering temperature of the dielectric ceramic body to incinerate and remove the temporary conductor to form a spatial region, and then a metal conductive wire is inserted into each of the pair of holes. After the hole is inserted, a molten metal having a melting point lower than the sintering temperature of the dielectric ceramic body and lower than the melting point of the metal conductor wire is poured into the gap between the hole and the metal conductor wire inserted therein. is produced by injecting the metal melt into the spatial region through the metal conductor and then solidifying the metal melt integrally around the metal conductor.

線状または棒状の金属導線すなわちリード線の断面積は
孔部より多少小さくして、ある程度の力で孔部から抜き
得るようにすると共に、リード線と孔部との間隙を介し
て溶融金属を注入し得るようにする。明白な通り、金属
浴の金属は米国特許第 367995@明細書に記載されるように誘電薄層間の
電極領域を充填して内部電極を形成するのみでなく、孔
部内のリード線の周囲の間隙もまた充填する。
The cross-sectional area of the linear or rod-shaped metal conductor, that is, the lead wire, is made somewhat smaller than the hole so that it can be pulled out of the hole with a certain amount of force, and the molten metal can be drawn through the gap between the lead wire and the hole. Make it possible to inject. As can be seen, the metal of the metal bath not only fills the electrode area between the dielectric thin layers to form the internal electrodes as described in U.S. Pat. It also fills the gaps.

その結果、前記孔部に挿入された導線は金属を充填した
セラミツク単一体のリード線として機能する。その理由
は、夫々の導線は2組の内部金属電極の1方のみと電気
的に接続するからである。本発明によれば、上述したセ
ラミツク単一体中の孔部を介して誘電薄層間の電極領域
の連通が可能となるので、この単一体は従来のように単
一体の端面で開放する領域を設けることなく形成可能で
ある(第6図において、電極領域33は積層単一体の左
手側端部の少し手前で終端している)。
As a result, the conductive wire inserted into the hole functions as a lead wire of a single ceramic body filled with metal. This is because each conducting wire is electrically connected to only one of the two sets of internal metal electrodes. According to the present invention, it is possible to communicate the electrode regions between the dielectric thin layers through the holes in the ceramic single body, so that this single body has no open area at the end face of the single body as in the conventional ceramic body. (In FIG. 6, the electrode region 33 terminates a little short of the left-hand end of the monolayer stack.)

すなわち、孔部のみによつて溶融金属は前記電極領域に
導入される。しかしながら、所望に応じて単一体の端面
まで電極領域が達するようなセラミツク単一体にリード
線用の孔部を設けることも可能である(第7図において
、電極領域105は積層単一体の左手端部て終端してい
る)。本明細書における1電極領域ョという用語は広義
9ものであつて、セラミツク構造体の内部に電極を形成
した領域のみならず、仮導電体を設けて将来そこに電極
を形成しうる領域をも意味し、積j層磁器コンデンサの
技術分野において電極を形成しまたは電極を形成しうる
領域として知られる任意の形状および寸法の領域を意味
する。
That is, molten metal is introduced into the electrode area only through the holes. However, if desired, it is also possible to provide a hole for a lead wire in the ceramic unit so that the electrode area reaches the end face of the unit (in FIG. 7, the electrode area 105 is located at the left-hand end of the stacked unit). ). In this specification, the term "one electrode area" has a broad meaning, and includes not only an area where an electrode is formed inside the ceramic structure, but also an area where a temporary conductor is provided and an electrode can be formed therein in the future. and refers to an area of any shape and size known in the art of multilayer ceramic capacitors as an area forming or capable of forming an electrode.

本発明の目的および利点は、添付図面を参照する以下の
詳細な説明から明らかになるであろう。添付図面は、本
発明にかかる各実施例につき図面の縮尺を変化させた拡
大図である。第1図は、この発明にかかる一実施例の単
一体積層磁器コンデンサを示す。
Objects and advantages of the invention will become apparent from the following detailed description, taken in conjunction with the accompanying drawings. The accompanying drawings are enlarged views of each embodiment according to the present invention, with the scale of the drawings changed. FIG. 1 shows an embodiment of a single laminated ceramic capacitor according to the present invention.

これは垂直方向に離間した水平な金属薄層(すなわち内
部電極)21と22を有する焼結されたセラミツク構造
体より成る。電極21と電極22とは交互に存在し、第
1図において電極21は電極22よりも左側端面の方向
へ長く延びているのに対し、電極22は電極21よりも
右側端面の方向へ長く延びている。かくして、第4図に
示すように、リード線25は端面23に対し近接平行し
て垂直に整列した孔部を賃通し、一方の電極21のみと
電気接続する。同様にリード線26は端面24に対し近
接平行して垂直に整列孔部を貫通し、他方の電極22の
みと電気持続する。コンデンサのリード線として機能す
る導線25と26は、後述の通り、コンデンサ内に内部
電極を設ける前に、リード線がセラミツク積層体の上側
面から出る位置で屈曲部28によつて適正位置に保持さ
れζリード線はセラミツク積層体の下側面から出る位置
でリード線の端部で同様な屈曲部を備える。あるいは、
導線の自由下端部に、第5図に示す通り結び目29を設
けてもよい。第5図は第4図と本質的に同様であるが、
より小型のコンデンサの部分断面を示している。必要に
応じて、セラミツク積層体の上側面位置でリード線を保
持するため屈曲部の代りに結び目を使用してもよい。第
1図に示すコンデンサの製造には、米国特許第3679
95吋明細書に記載の方法と実質的に同一の方法を使用
して、電極領域が介在する多数の重畳したセラミツク誘
電材料の薄層を有する単一焼結構造体、すなわちセラミ
ツク単一体もしくは小プロツクを形成する。
It consists of a sintered ceramic structure with vertically spaced horizontal thin metal layers (ie internal electrodes) 21 and 22. The electrodes 21 and 22 are arranged alternately, and in FIG. 1, the electrode 21 extends longer than the electrode 22 in the direction of the left end surface, whereas the electrode 22 extends longer than the electrode 21 in the direction of the right end surface. ing. Thus, as shown in FIG. 4, the lead wire 25 passes through the holes that are aligned vertically in close proximity to the end surface 23 and is electrically connected to only one electrode 21. Similarly, the lead wire 26 passes through the aligned hole perpendicularly and closely parallel to the end surface 24 and is electrically connected only to the other electrode 22 . The conductive wires 25 and 26, which function as the leads of the capacitor, are held in proper position by the bent portion 28 at the position where the lead wires emerge from the upper surface of the ceramic laminate, as will be described later, before providing the internal electrodes within the capacitor. The lead wire has a similar bend at the end of the lead wire at a location where it emerges from the underside of the ceramic laminate. or,
The free lower end of the conductor may be provided with a knot 29 as shown in FIG. Figure 5 is essentially similar to Figure 4, but
A partial cross-section of a smaller capacitor is shown. If desired, knots may be used in place of bends to hold the leads at the top surface of the ceramic laminate. The manufacture of the capacitor shown in FIG.
A single sintered structure, i.e., a single ceramic body or a small ceramic body, having multiple superimposed thin layers of ceramic dielectric material with intervening electrode regions was prepared using substantially the same method as described in the 95-inch specification. Form a block.

上記特許においては、電極領域は有孔性セラミツク薄層
であり、夫々の薄層は相互に連通した空腔部の網状組織
を有する。また、この米国特許においては、一方の電極
領域が一方の端面まで達し、かつ他方の電極領域が他方
の端面まで達している。本発明においては、このように
電極領域が端面に達して開放させる必要が. ないため
、上記米国特許の方法を若干変更する。この変更は誘電
性セラミツク材料の薄板に仮導電体の薄層を塗布して電
極領域を形成し、これら塗布した薄板を重ね合せて1つ
おきの電極領域を一方の端面の方向に、残余の1つおき
の電極領域を他方の端面の方向により長く延びるよう配
置するが、これら電極領域を外部へ露出させないようこ
れら両端面を含め全外周を誘電性セラミツク材で密封す
ることからなつている。従つて、本発明においてはセラ
ミツク構造体を焼成すると、内部に2組の薄い電極領域
を含む完全密封された焼結セラミツク単一体が得られ、
これら2組の電極領域中へ後に導電材料たとえば金属を
導入して金属電極を形成する。上記の焼結セラミツク単
一体内部の電極領域へ金属を導入するには、次のように
してこのセラミツク単一体に一対の孔部を設ける。
In that patent, the electrode regions are porous ceramic laminae, each laminar having a network of interconnected cavities. Also, in this patent, one electrode region extends to one end surface, and the other electrode region extends to the other end surface. In the present invention, it is necessary for the electrode area to reach the end face and open in this way. Therefore, the method of the above US patent is slightly modified. This modification consists of applying a thin layer of temporary conductor to a thin plate of dielectric ceramic material to form the electrode areas, and stacking the coated sheets so that every other electrode area is directed towards one end face and the remaining Although every other electrode region is arranged to extend longer in the direction of the other end face, the entire outer periphery including both end faces is sealed with a dielectric ceramic material so that these electrode regions are not exposed to the outside. Therefore, in the present invention, when the ceramic structure is fired, a completely sealed sintered ceramic unitary body containing two sets of thin electrode regions inside is obtained;
A conductive material, such as a metal, is later introduced into these two sets of electrode regions to form metal electrodes. In order to introduce metal into the electrode region inside the sintered ceramic unit, a pair of holes are provided in the ceramic unit as follows.

すなわち、一方の孔部が電極領域を1つおきに貫通する
が残余の1つおきの電極領域からは離間するようかつ他
方の孔部が前記残余の1つおきの電極領域を貫通するが
前記最初の1つおきの電極領域からは離間するように、
一対の孔部をセラミツク単一体に穿設してその頂面と底
面とを連通させる。これを第6図に断面図で示す。垂直
孔部31が互違いの電極領域33と連通するセラミツク
構造体(すなわちセラミツク単一体)の一部を示し、他
の残余の電極領域35はもう1つの垂直孔部(図示せず
)によつてチツプの対向端部(図示せず)に近接して連
通される。
That is, one hole penetrates every other electrode region but is spaced apart from every other remaining electrode region, and the other hole penetrates said remaining every other electrode region but is spaced apart from said remaining every other electrode region. away from the first every other electrode area.
A pair of holes are bored in a single ceramic body to communicate between the top and bottom surfaces. This is shown in cross section in FIG. A portion of the ceramic structure (i.e. a single ceramic body) is shown in which the vertical holes 31 communicate with alternating electrode areas 33, and the remaining electrode areas 35 are connected by another vertical hole (not shown). and are in close communication with opposite ends (not shown) of the chip.

電極領域と連通するセラミツク単一体内の孔部は、穿孔
または打抜きで形成してもよい。セラミツク単一体を焼
成してセラミツクを焼結した後に孔部をこの単一体内に
作成してもよいが、未焼成の焼成しないセラミツク単一
体に孔部を設けるのが好適である。金属を焼成したセラ
ミツク単一体の電極領域内へ導入する前に、リード線(
例えば導線か棒材)を孔部内へ挿通し、すなわち孔部を
貫通させ、前に記載の通り適正な位置に適当に固定する
。使用する導線または棒材の直径は、挿入する孔部より
幾分小さくして導線の周囲に融解金属がセラミツク単一
体の電極領域内へ侵入し所定の内部電極を形成する十分
な間隙を設ける。焼結したセラミツク単一体の薄い電極
領域内へ金属を導入して内部電極を形成する際に、いか
なる適当な方法を使用してもよい。例えば、前に記載し
たように、リード線を取付けた焼結したセラミツク単一
体を、適当な容器内で温度約35(代)乃至5(1)℃
に保つた融解鉛浴中に浸漬してもよい。この容器は、圧
力可変な密閉体中に位置させるのが好適である。その理
由は、セラミツク単一体の電極領域内に溶融金属を導線
の周囲から導入させるのは、密閉体内部の圧力を先ず、
例えば約76.5mHgへ減圧し、次いでこの単一体を
溶融金属に浸漬した後に圧力を上げることにより容易に
なるからである。従つて、金属はセラミツク単一体中へ
圧入される。このためには、約14k9/Cllの圧力
が適当であることが知られている。金属導入後、セラミ
ツク単一体を金属浴から取出して冷却し、圧力を元へ戻
す。従つて第1図に示すリード線を取付けたコンデンサ
は、端面電極を必要とせず、かつこのようなリード線を
取付けるための半田付け工程を必要とせずに得ることが
可能である。本発明によれば、鉛以外の多数の金属を使
用して、セラミツク単一体内に内部電極を形成してもよ
い。例えば、必要に応じて錫、アルミニウム、銅および
それらの合金を使用してもよい。明らかに、使用金属ま
たは合金は、融点が低くセラミツク単一体中への導入を
適度な温度で行ないうるような低融点のものとし、かつ
使用温度で実質上気化せず、セラミツク誘電材料に悪影
響を有さないのが好適である。溶融金属をセラミツク単
一体中内へ注入する最低温度は、孔部および電極領域の
寸法、溶融金属の粘度、焼結したセラミツク材料に対す
る溶融金属の表面エネルギによつて明らかに異なる。一
般に、焼結したセラミツク単一体の電極領域内へ導入さ
れる金属の融点は、この単一体の焼結温度より低いこと
が必要である。内部電極と充填される孔部内のリード線
以外の金属とは、溶融金属が凝固したものであり、鋳造
金属の特性を有する。第11図は金属内部電極を製造す
る多数の方法のうち1つを概略的に示す。
The holes in the ceramic unit communicating with the electrode areas may be formed by drilling or stamping. Although the holes may be formed in the ceramic unit after the ceramic unit has been fired to sinter the ceramic, it is preferable to provide the holes in the unfired, unfired ceramic unit. Before introducing the metal into the electrode area of the fired ceramic unit, the lead wire (
A conductive wire or rod) is inserted into or passed through the hole and suitably fixed in position as previously described. The diameter of the wire or rod used is somewhat smaller than the hole into which it is inserted to provide sufficient clearance around the wire for the molten metal to penetrate into the electrode area of the ceramic unit and form the desired internal electrode. Any suitable method may be used to introduce metal into the thin electrode region of the sintered ceramic unit to form the internal electrode. For example, as previously described, a sintered ceramic unit with attached leads may be placed in a suitable container at a temperature of about 35(s) to 5(1)°C.
It may be immersed in a molten lead bath maintained at Preferably, the container is located in a variable pressure enclosure. The reason for this is that in order to introduce molten metal from around the conductor wire into the electrode area of a single ceramic body, the pressure inside the sealed body must first be increased.
For example, this can be facilitated by reducing the pressure to about 76.5 mHg and then increasing the pressure after immersing the unit in molten metal. The metal is thus pressed into the ceramic unit. A pressure of about 14k9/ClI is known to be suitable for this purpose. After the metal has been introduced, the single ceramic body is removed from the metal bath, cooled, and the pressure restored. Therefore, a capacitor with lead wires attached as shown in FIG. 1 can be obtained without requiring end face electrodes and without requiring a soldering process for attaching such lead wires. In accordance with the present invention, many metals other than lead may be used to form internal electrodes within a single ceramic body. For example, tin, aluminum, copper, and alloys thereof may be used as required. Obviously, the metal or alloy used must have a low melting point so that its incorporation into the ceramic body can be carried out at moderate temperatures, and must not substantially evaporate at the operating temperatures and have no adverse effect on the ceramic dielectric material. It is preferable not to have one. The minimum temperature at which the molten metal is injected into the ceramic body clearly depends on the dimensions of the hole and electrode area, the viscosity of the molten metal, and the surface energy of the molten metal relative to the sintered ceramic material. Generally, the melting point of the metal introduced into the electrode region of the sintered ceramic unit must be lower than the sintering temperature of the unit. The metal other than the internal electrode and the lead wire in the hole filled is solidified molten metal and has the characteristics of cast metal. FIG. 11 schematically depicts one of a number of methods of manufacturing metal internal electrodes.

この図において、参照符号39は適当な容器すなわち密
閉体を示す。この中に適当な材料でできた、使用溶融金
属浴を有する容器40を設置する。金属浴を図示しない
適当な方法で加熱して金属を適当な温度に維持する。同
じく密閉体内部に運搬具を備える。運搬具の構造は多種
多様であるが、垂直方向に往復動する支持棒部42を有
するのが好適である。この棒部42の下側端にスプリン
グクリツプ43を取付け、これによつて前に記載した焼
結したセラミツク構造体、すなわちセラミツク単一体4
5に付属したリード線44の片方または両方を着脱自在
に保持する。従つて、セラミツク単一体45を密閉体3
9内部に懸吊した後に、適当に接続する真空ポンプ(図
示せず)によつて密閉体内部を減圧し、次いで単一体を
棒部42によつて溶融金属浴内へ降下させる。
In this figure, reference numeral 39 indicates a suitable container or enclosure. A container 40 made of a suitable material and containing the molten metal bath used is placed therein. The metal bath is heated by a suitable method not shown to maintain the metal at a suitable temperature. Similarly, a carrier is provided inside the closed body. Although the construction of the carrier may vary, it is preferred that the carrier include a support bar 42 that reciprocates in the vertical direction. A spring clip 43 is attached to the lower end of this bar 42, thereby allowing the previously described sintered ceramic structure, i.e. the ceramic unit 4
One or both of the lead wires 44 attached to 5 are detachably held. Therefore, the single ceramic body 45 is sealed in the sealed body 3.
9, the pressure inside the enclosure is reduced by means of a suitably connected vacuum pump (not shown), and the unit is then lowered by means of the rod 42 into the molten metal bath.

次いで密閉体内部の圧力を適当な手段(図示せず)によ
つて上昇させて、リード線44の周囲の溶融金属をセラ
ミツク単一体内の電極領域内へ圧入する。適当な発生源
からの圧縮ガスを圧力媒体に使用してもよい。次いで、
棒部42を上昇させてセラミツク単一体45を金属浴か
ら取出し、これを十分に冷却してその中の金属を凝固さ
せ、その後に圧力を除去する。次いで、製造されたコン
デンサを取り外し、他のセラミツク単一体と交換して金
属圧人工程を繰返す。焼結したセラミツク単一体内へ溶
融金属を導入するため、他の方法および装置を使用して
もよい。例えば、ある条件下で密閉体の排気を、セラミ
ツク単一体の溶融金属浴内への浸漬以後に行つてもよい
。同じく多数の運搬具を備えてもよく、2個以上のセラ
ミツク単一体を金属浴内へ同時に浸漬してもよい。必要
に応じ、金属導入装置を自動化して、完成したコンデン
サを連続的に生産してもよい。第8図は誘電薄層間の電
極領域内への金属導入前に本発明にかかる積層磁器コン
デンサにリード線を設けるための配置の具体例を示す。
第8図は第6図に対し垂直関係にある断面図であつて、
誘電薄層51間の2組の電極領域49と50を夫々貫通
するセラミツク単一体における孔部47および48は大
きめてあり、垂直ではなく傾斜させる。従つてリード線
用の導線または棒材(図示せず)を孔部47と48に挿
入し、溶融金属を領域49と50にリード線の周囲の孔
部を介して導入した後には、導線または棒材と電極領域
内に金属によつて形成された内部電極との接触面積が幾
分大きくなる。第9図および第10図は参考例を示して
いる。
The pressure inside the enclosure is then increased by suitable means (not shown) to force the molten metal around lead wire 44 into the electrode area within the ceramic unit. Compressed gas from any suitable source may be used as the pressure medium. Then,
The rod 42 is raised to remove the ceramic unit 45 from the metal bath, cool it sufficiently to solidify the metal therein, and then remove the pressure. The manufactured capacitor is then removed and replaced with another ceramic unit and the metal pressing process is repeated. Other methods and devices may be used to introduce molten metal into the sintered ceramic unit. For example, under certain conditions, evacuation of the enclosure may occur after immersion of the ceramic unit into the molten metal bath. Similarly, multiple carriers may be provided and two or more ceramic units may be immersed simultaneously into the metal bath. If desired, the metal introduction equipment may be automated to continuously produce finished capacitors. FIG. 8 shows an example of an arrangement for providing leads in a multilayer ceramic capacitor according to the invention before introducing metal into the electrode area between the thin dielectric layers.
FIG. 8 is a sectional view perpendicular to FIG.
The holes 47 and 48 in the ceramic unit, which pass through the two sets of electrode regions 49 and 50, respectively, between the thin dielectric layer 51 are oversized and are slanted rather than vertical. Therefore, after the conductors or rods (not shown) for the leads have been inserted into the holes 47 and 48 and the molten metal has been introduced into the regions 49 and 50 through the holes around the leads, the conductors or The contact area between the bar and the internal electrode formed of metal in the electrode area is somewhat increased. FIG. 9 and FIG. 10 show reference examples.

ここにおいてセラミツク単一体を焼成しその中の・電極
領域に金属を充填する前に、未焼成セラミツク単一体の
側部に空腔部を設ける。焼結したセラミツク単一体52
内のこのような空腔部の夫々は(空腔部54の1つを第
10図に示す)誘電セラミツク薄層53間に位置する電
極領域55と56の1組と連通する。従つて、空腔部5
4は電極領域55と連通し結合するが、セラミツク単一
体の対向端部の同様な空腔部(図示せず)は互違いの電
極領域56と連通する。焼成後かつ溶融金属の電極領域
55と56への導入前に、棒材または導線58の偏平端
部57を略矩形空腔54内へ挿入し、同様な偏平棒材ま
たは導線(図示せず)をセラミツク単一体の対向端部の
対応する空腔部(図示せず)内へ挿入する。導線または
棒材の端部が空腔部内で十分に嵌着して、摩擦力のため
保持され多少の力では脱落しないようにする。しかしな
がら同時に、この嵌着は、セラミツク単一体が溶融金属
浴内に浸漬される際に、溶融金属が偏平端部の周りの空
腔部内へかつそれを連通する夫々の電極領域内へ侵入す
るのを妨げるほどには緊密にしない。金属を導入した単
一体を金属浴から取出し冷却した後に、偏平導線または
棒材端部は空腔部内に強固に保持され、リード線と内部
金属電極とは電気的に良好に持続される。第2図と第3
図は本発明にかかるもう1つの実施例を示す。
Here, before firing the ceramic unit and filling the electrode region therein with metal, a cavity is provided in the side of the unfired ceramic unit. Single sintered ceramic body 52
Each such cavity within communicates with a pair of electrode regions 55 and 56 located between thin dielectric ceramic layers 53 (one of cavities 54 is shown in FIG. 10). Therefore, the cavity 5
4 communicates and couples with electrode areas 55, while similar cavities (not shown) at opposite ends of the ceramic unit communicate with alternating electrode areas 56. After firing and before introduction of molten metal into electrode regions 55 and 56, flattened end 57 of bar or conductor 58 is inserted into generally rectangular cavity 54 and a similar flattened bar or conductor (not shown) is inserted into generally rectangular cavity 54. are inserted into corresponding cavities (not shown) in opposite ends of the ceramic unit. The ends of the conductive wires or rods fit well within the cavity so that they are retained by frictional forces and do not fall out with some force. At the same time, however, this fit prevents molten metal from penetrating into the cavity around the flattened end and into the respective electrode area communicating with it when the ceramic unit is immersed in a molten metal bath. Do not make them so close that they interfere with After the metal-loaded unit has been removed from the metal bath and cooled, the flat conductor or rod end is firmly held in the cavity and the electrical connection between the lead wire and the internal metal electrode is maintained well. Figures 2 and 3
The figure shows another embodiment according to the invention.

この実施例において積層磁器コンデンサ59は、1つお
きに存在する2組の内部金属電極60と61とを備える
。電極60の夫々はコンデンサの前端方向へ電極61を
越えて延び、電極61の夫々はコンデンサの後端方向に
電極60を越えて延びるが、これら電極はいずれもコン
デンサの外部へは露出しない。コンデンサ59の前端部
近傍において(第2図)、リード線62を離間孔部に挿
通して焼結セラミツク薄層と電極60とに貫通させかつ
コンデンサの底面を横切らせ−る。かくして、このコン
デンサはその頂部面から突出するリード線の自由端を有
する。図示の通り、リード線62用の孔部は適当に位置
してりード線が電極60とその前方へ突出した部分の端
部近傍で接続し、電極61とは接続しない。リード.線
62と同様なリード線64をコンデンサの後端部近傍に
設け、セラミツク薄層63内の中心線を同じくする孔部
に貫通させる。この孔部は適当に位置して、リード線6
4は内部電極61と接続するが電極60とは接続しない
。リード線62と64はセラミツク単一体に金属が注入
される前にこの単一体内へ挿入され、第5図と同様に屈
曲部66または結び目をリード線の自由端部に設けて、
注入前の脱落を防止する。第2図と第3図で示すコンデ
ンサの製造において、前記米国特許明細書と極めて類似
の方法を使用する。
In this embodiment, the laminated ceramic capacitor 59 includes two sets of internal metal electrodes 60 and 61, which are present on every other pair. Each of the electrodes 60 extends beyond the electrode 61 towards the front end of the capacitor, and each of the electrodes 61 extends beyond the electrode 60 towards the back end of the capacitor, but none of these electrodes are exposed to the exterior of the capacitor. Near the front end of capacitor 59 (FIG. 2), lead wire 62 is inserted through the spaced-apart hole, passing through the thin sintered ceramic layer and electrode 60, and across the bottom of the capacitor. The capacitor thus has a free end of the lead wire projecting from its top surface. As shown in the figure, the hole for the lead wire 62 is appropriately positioned so that the lead wire connects to the electrode 60 near the end of its forwardly protruding portion, but does not connect to the electrode 61. Lead. A lead wire 64, similar to wire 62, is provided near the rear end of the capacitor and passes through the same hole through the center line in the ceramic thin layer 63. This hole should be properly positioned so that the lead wire 6
4 is connected to the internal electrode 61 but not to the electrode 60. Leads 62 and 64 are inserted into the ceramic unit before the metal is injected into the unit, and bends 66 or knots are provided at the free ends of the leads as in FIG.
Prevent falling off before injection. In manufacturing the capacitors shown in FIGS. 2 and 3, a method very similar to that of the aforementioned US patent is used.

未焼成セラミツク単一体は、仮結合された誘電性セラミ
ツク材料の薄層とこれより小さい面積の仮導電体の薄層
とを交互に重畳して作成する。次いで、孔部を穿孔など
の方法でこれら薄層を貫通して所定の位置に設けた後、
セラミツク単一体を焼成してセラミツク誘電材料の薄層
を焼結・し、かつ仮導電体の薄層を焼却して誘電薄層間
に薄い電極用空間領域を形成する。
The green ceramic unit is created by alternating thin layers of temporarily bonded dielectric ceramic material with thin layers of smaller area temporary conductor. Holes are then drilled or otherwise drilled through these thin layers and placed in place.
The ceramic unit is fired to sinter the thin layers of ceramic dielectric material and burn off the thin layers of temporary conductor to form thin electrode spaces between the thin dielectric layers.

仮導電体薄層は誘電性セラミツク材料によりその外縁部
が密封されて外部に露出しないようにされ、しかも1つ
おきの仮導電体層と残余の1つおきの仮導電体層とが互
いに反対端面の方向へより長く延びて、焼成時に2組の
電極用空間がセラミツク積層体内部に形成されるように
する。第2図および第3図の実施例においてリード線用
孔部を、積層体の対向端部近傍でそれぞれ整列した対と
して設け、l対の孔部を1組の電極領域に貫通させてそ
れと連通させ、他の1対は第2組の電極領域を貫通させ
てそれと連通させる。明らかに、いずれの孔部も隣接す
る両組の電極領域を貫通することはない。何故なら、こ
れはコンデンサの短絡を意味するからである。セラミツ
ク単一体を焼成した後に、孔部の直径より多少小さい導
線を、夫々の孔部に通し夫々の導線の自由端部を焼成し
た積層体の頂部面から突出させ、かつ夫々の導線の一部
を積層体の底部面を横切つて夫々の対の片方の孔部から
その対の他方の孔部へ延在させる。一方または両方の導
線の一方または両方の端部を使用してセラミツク単一体
を支承運搬し、次いでこの単一体に前に記載の通り金属
を注入して電極領域内に内部電極を形成する。夫々の導
線は内部電極の一方の組と電気的に接続するから導線は
完成したコンデンサのリード線として機能する。第2図
と第3図に示すコンデンサ構造体は、コンデンサを回路
板もしくは基板に半田によつて取付ける際に極めて有用
である。
The outer edge of the temporary conductor thin layer is sealed by a dielectric ceramic material so that it is not exposed to the outside, and in addition, every other temporary conductor layer and every other remaining temporary conductor layer are opposite to each other. It extends longer in the direction of the end face so that upon firing, spaces for two sets of electrodes are formed inside the ceramic laminate. In the embodiment of FIGS. 2 and 3, the lead wire holes are provided in aligned pairs near opposite ends of the stack, with l pairs of holes passing through and communicating with one set of electrode regions. and the other pair pass through and communicate with the second set of electrode regions. Obviously, neither hole penetrates through the areas of both adjacent sets of electrodes. This is because this means a short circuit of the capacitor. After firing the single ceramic body, conductive wires that are slightly smaller in diameter than the holes are passed through each hole, with the free ends of each conductor protruding from the top surface of the fired laminate, and a portion of each conductor wire is extending across the bottom surface of the laminate from one hole in each pair to the other hole in the pair. One or both ends of one or both conductive wires are used to carry and carry a ceramic unit, which is then implanted with metal as previously described to form internal electrodes in the electrode area. Each conductive wire is electrically connected to one set of internal electrodes so that the conductive wires function as leads for the completed capacitor. The capacitor structures shown in FIGS. 2 and 3 are extremely useful in attaching capacitors to circuit boards or substrates by soldering.

このような使用例を第12図と第13図に示すが、適当
な絶縁材料の基板69の片面上に離間した金属性半田7
0と11を設け、この半田を夫々導体12と13に接続
する。第2図および第3図のコンデンサと実質上同様に
構成したコンデンサ74を、コンデンサの底面から突出
する夫々のリード線75と76の端部によつて、半田7
0と71に結合させる。このようにして堅固な安定した
接触面が得られる。第14図は、この発明にかかるコン
デンサ、例えば第1図に示すようなコンデンサからのリ
ード線の種々の使用例の1つを示す。図示の通り、コン
デンサ内で交互の内部電極(図示せず)に夫々接続する
コンデンサ81のリード線83と84は、適当な絶縁材
料の回路板82に設けた夫々の孔部85と86を貫通し
、かつ回路板の下側面上に設けた導体87と88の対応
する孔部を貫通する。リード線はコンデンサ81を適正
な位置に保持し、リード線を参照符号89で示す通り導
体に半田付けすることによりリード線と導体87および
88の良好な電気的接続が達成される。この発明にかか
るコンデンサは、焼結したセラミツク材料内に封入され
ることおよびリード線用孔部内の導線の周りの間隙に金
属を充填することにより実質上密封されるが、必要に応
じてさらに密封することもできる。たとえば、第15図
において、適当な密封用組成物91をコンデンサ93の
リード線92の突出部の周りに塗布する。同様に第16
図においてコンデンサ95全体を適当な材料の被覆96
によつてカプセル状に収容し、かつリード線97と98
の周りを密封することができる。電気部品をカプセル状
に収容するために設計された既知のポリエチレンまたは
エポキシ樹脂を使用してもよい。これらの適当な密封用
およびカプセル化用材料が市販されている。第1図、第
2図、第5図および第18図に示す形式のコンデンサや
、第6図および第8図に示す形式のセラミック積層体内
に内部金属電極を設けて製造したものも、同様に密封可
能である。前に記載の通り、本発明にかかるコンデンサ
は端面電極が不要である。
An example of such use is shown in FIGS. 12 and 13, in which a spaced metallic solder 7 is placed on one side of a substrate 69 of a suitable insulating material.
0 and 11 are provided, and the solders are connected to conductors 12 and 13, respectively. A capacitor 74 constructed substantially similar to the capacitors of FIGS. 2 and 3 is connected to the solder 7 by the ends of respective leads 75 and 76 projecting from the bottom of the capacitor.
Connect to 0 and 71. In this way a firm and stable contact surface is obtained. FIG. 14 shows one of the various uses of the leads from a capacitor according to the invention, such as the one shown in FIG. As shown, leads 83 and 84 of capacitor 81, which respectively connect to alternating internal electrodes (not shown) within the capacitor, pass through respective holes 85 and 86 in circuit board 82 of a suitable insulating material. and pass through corresponding holes in conductors 87 and 88 provided on the underside of the circuit board. The leads hold capacitor 81 in place and good electrical connection between the leads and conductors 87 and 88 is achieved by soldering the leads to the conductors as shown at 89. The capacitor of the present invention is substantially hermetically sealed by being encapsulated within a sintered ceramic material and by filling the gap around the conductor in the lead hole with metal, but may be further sealed if desired. You can also. For example, in FIG. 15, a suitable sealing composition 91 is applied around the protrusion of lead 92 of capacitor 93. In FIG. Similarly, the 16th
In the figure, the entire capacitor 95 is coated with a suitable material 96.
and lead wires 97 and 98.
can be sealed around. Known polyethylene or epoxy resins designed for encapsulating electrical components may be used. These suitable sealing and encapsulating materials are commercially available. Capacitors of the types shown in Figures 1, 2, 5, and 18, as well as capacitors manufactured with internal metal electrodes inside ceramic laminates of the types shown in Figures 6 and 8, are similarly manufactured. Can be sealed. As previously mentioned, capacitors according to the invention do not require end face electrodes.

その理由は、内部電極を形成する金属が焼結セラミツク
単一体中に設けられた導線または棒材リード線用孔部を
介して導入されるからである。従つて、リード線自体が
2組の内部電極ど電気的に接続する。このため、セラミ
ツク薄層間の電極領域はセラミツク単一体の外側表面へ
露出させる必要がない。しかしながら、必要に応じて、
これらを次に記載する通り露出させて端面電極を取付け
た後、このような領域への開口部を単一体の外側端面か
ら被覆かつ閉鎖してもよい。第7図は参考例であつて、
第6図に示す構造体と類似したセラミツク構造体103
を示し、ここにおいて誘電体の焼結セラミツク薄層10
4とこれより小面積のかつ金属が導入される電極用空間
領域105および106とが交互に存在する。
This is because the metal forming the internal electrodes is introduced through holes for conducting wires or bar lead wires provided in the sintered ceramic unit. Therefore, the lead wire itself electrically connects the two sets of internal electrodes. Therefore, the electrode areas between the thin ceramic layers do not need to be exposed to the outer surface of the single ceramic body. However, if necessary,
After these are exposed and the end electrodes are attached as described below, the openings to such areas may be covered and closed from the outer end face of the unitary body. Figure 7 is a reference example.
Ceramic structure 103 similar to the structure shown in FIG.
, in which a dielectric sintered ceramic thin layer 10
4 and electrode space regions 105 and 106 smaller in area and into which metal is introduced alternately.

領域105は、構造体の端部面101まで延びている。
領域106は、同様に構造体103の対向端部面(図示
せず)まで延びている。電極領域の両組とも構造体によ
り3方側で囲繞される。端面部材109を面107全体
を覆うように設ける。端面部材109はセラミツク材料
、例えば低融点のガラスで形成するのが便利であり、か
つ密封絶縁性のものである。その理由は、空間領域10
5と106内で電極を形成する金属が、この領域に垂直
に構造体を貫通するリード線(図示せず)を有する孔部
を介して、構造体103内へ導入されるからである。構
造体103の端面107の近傍の1つのこのような孔部
111により電極空間領域105は外部と連通し、他の
実質的に同一の孔部(図示せず)を構造体103の対向
端面の近傍に設けて、電極空間領域106と外部との連
通を達成する。第17図乃至第19図に本発明にかかる
もう1つの実施例を示す。
Region 105 extends to end face 101 of the structure.
Region 106 similarly extends to an opposite end surface (not shown) of structure 103. Both sets of electrode areas are surrounded on three sides by structures. An end face member 109 is provided to cover the entire surface 107. End member 109 is conveniently formed of a ceramic material, such as low melting point glass, and is hermetically insulative. The reason is that the spatial area 10
This is because the metal forming the electrodes in 5 and 106 is introduced into structure 103 via a hole with a lead wire (not shown) passing through the structure perpendicular to this region. One such hole 111 near the end face 107 of the structure 103 communicates the electrode space region 105 with the outside, and another substantially identical hole (not shown) on the opposite end face of the structure 103 communicates with the outside. It is provided nearby to achieve communication between the electrode space region 106 and the outside. Another embodiment according to the present invention is shown in FIGS. 17 to 19.

第18図と第19図とに示す構造において、参照符号1
19は、垂直孔部120を貫通する垂直リード線または
リード棒121および122を備えた積層コンデンサを
示し、リード線は参照符号123で示す通りコンデンサ
の″上側および下側で折曲され容易に脱落するのを防止
する。第17図の展開図から、この構造体の製造方法は
容易に判明するであろう。
In the structure shown in FIGS. 18 and 19, reference numeral 1
19 indicates a multilayer capacitor with vertical lead wires or lead rods 121 and 122 passing through the vertical hole 120, and the lead wires are bent at the upper and lower sides of the capacitor as shown by reference numeral 123 and easily fall off. The method of manufacturing this structure will be easily understood from the developed view in FIG.

参照符号125は、熱板結合材料、例えば樹脂で仮結合
された微粉砕誘電性セラミツク材料、例えばチタン酸バ
リウムで形成された薄板を示す。下側4枚の薄板125
の夫々の上に、完全熱焼却性の材料より成る(またはこ
のような材料に無機粒子を混合含有させた)仮電極薄膜
126を付着させる。薄層126ノも、同じく熱板結合
材料で仮結合するのが好適である。仮導電体、すなわち
仮電極薄層126と誘電性セラミツク薄板125とを、
前記米国特許または本発明に記載した通りに組立る。し
カルながら、この実施例においては、夫々の仮導電体薄
層をセラミツク薄板の端部まで延ばさず、また全仮導電
体薄層を両端部に対し同距離まで存在させていることに
注目すべきである。これは夫々の仮導電体薄膜126内
に比較的大きな開口部127の空間区域を設けた結果で
ある。隣接する薄膜126内の開口部127を互いに片
寄らせ、かつ1つ置きの薄層126内の開口部が垂直方
向に整列するようにし、加圧固着させて第17図に示す
複数の薄板125と薄膜126とを組立てると、隣接す
る薄板125の材料が開口部127内へ押出されてそこ
に絶縁領域を形成する。この固着体を焼結温度で加熱焼
成すると、仮導電体薄膜126の熱焼却性材料が焼却さ
れかつ薄板125内のセラミツク材料が焼結されて単一
セラミツク構造体を形成する。これは、第18図と第1
9図とに示す通り、端部の周囲でかつ開口部127内へ
突出したセラミツク材料によつて合体された複数の誘電
セラミツク薄層129より成る。焼成後、このような突
出セラミツク材料は、誘電薄層129間に介在する電極
空間領域内に夫々絶縁領域、すなわち,絶縁性の島部を
形成する。薄膜126内の開口部127の寸法を変えて
もよい。
Reference numeral 125 designates a thin plate made of a finely ground dielectric ceramic material, such as barium titanate, temporarily bonded with a hot plate bonding material, such as a resin. Lower 4 thin plates 125
A temporary electrode thin film 126 made of a completely thermally combustible material (or such a material mixed with inorganic particles) is deposited on each of the electrodes. Lamina 126 is also preferably temporarily bonded with the same hot plate bonding material. A temporary conductor, that is, a temporary electrode thin layer 126 and a dielectric ceramic thin plate 125,
Assemble as described in the aforementioned US patent or the present invention. However, it should be noted that in this example, each thin layer of temporary conductor does not extend to the edge of the ceramic thin plate, and all thin layers of temporary conductor extend to the same distance from both ends. Should. This is a result of providing a relatively large spatial area of openings 127 within each temporary conductor thin film 126. The openings 127 in adjacent thin films 126 are offset from each other, and the openings in every other thin layer 126 are aligned vertically, and are pressed together to form a plurality of thin plates 125 as shown in FIG. When the membrane 126 is assembled, the material of the adjacent membrane 125 is forced into the opening 127 to form an insulating region therein. When this solid body is heated and fired at a sintering temperature, the thermally incinerable material of the temporary conductor thin film 126 is incinerated and the ceramic material within the thin plate 125 is sintered to form a single ceramic structure. This is similar to Figure 18 and Figure 1.
As shown in FIG. 9, it consists of a plurality of dielectric ceramic thin layers 129 held together by ceramic material projecting around the edges and into the opening 127. After firing, such protruding ceramic material forms insulating regions, ie, insulating islands, in the electrode space regions interposed between the thin dielectric layers 129, respectively. The dimensions of opening 127 in membrane 126 may vary.

一般に、その機能を達成するに必要な大きさより大きく
すべきではなく、この機能とは開口部の上側と下側のセ
ラミツク薄板を焼結時に一体化して絶縁領域を電極領域
内に設け、これら絶縁領域にリード線を貫通させること
である。この絶縁領域が必要以上に大きいと容量の低下
を招く。電極130および131は金属であるのが好適
であり、加熱して仮導電体薄膜126の熱焼却性材料を
焼却して得られる電極領域内へ、リード線121と12
2の周囲の孔部120を介して溶融金属を導入する。こ
のような電極領域内への溶融金属の導入は、例えば第1
1図に示す方法で達成さ.れる。従つて、コンデンサ1
19は、内部電極を形成する金属の介在薄膜、すなわち
薄層130と131を有する複数の密実な焼結したセラ
ミツク誘電薄層から成る。
In general, it should not be larger than necessary to achieve its function, which is achieved by integrating the upper and lower ceramic sheets of the opening during sintering to provide an insulating area within the electrode area. This is to pass the lead wire through the area. If this insulating region is larger than necessary, the capacitance will decrease. Electrodes 130 and 131 are preferably metal and lead wires 121 and 12 are heated to incinerate the thermally incinerating material of temporary conductor film 126 into the electrode area.
Molten metal is introduced through holes 120 around the 2. The introduction of molten metal into such an electrode region can be carried out, for example, in the first
This was achieved using the method shown in Figure 1. It will be done. Therefore, capacitor 1
19 consists of a plurality of compact sintered ceramic dielectric thin layers with intervening thin films of metal, ie, thin layers 130 and 131, forming internal electrodes.

図示の通り、電極130内の不連一続な絶縁領域、すな
わち区域132は垂直方向に中心線を同じくし、電極1
31内の絶縁領域も同じく中心線を同じくするが、電極
130内の絶縁領域とは横方向に離間する。従つて、孔
部120に挿通したリード線121は、コンデンサ内で
電極130ど電気的に接続するが、電極130と交互に
重なる電極131とは接続しない。同様に、リード線1
22は電極131とのみ内部で電気的に接続する。孔部
120は、焼成前に穿孔または打抜きによつて未焼成体
内に形成するのが好適であるが、セラミツク体の焼成後
に穿孔してもよい。通常、孔部は組立合体前に薄板12
5および薄膜126内に存在しないが、図示の便宜上孔
部L位置を第17図において参照符号120aで示す。
本発明にかかる単一体コンデンサの寸法は、広範囲にわ
たつて変化させてもよい。
As shown, the discontinuous insulating regions or areas 132 within electrode 130 are vertically centered and
The insulating region within electrode 130 also shares the same centerline, but is laterally spaced apart from the insulating region within electrode 130. Therefore, the lead wire 121 inserted through the hole 120 electrically connects to the electrode 130 within the capacitor, but does not connect to the electrode 131 that alternately overlaps the electrode 130. Similarly, lead wire 1
22 is electrically connected only to the electrode 131 internally. The holes 120 are preferably formed in the green body by drilling or punching before firing, but may also be formed after the ceramic body is fired. Normally, the holes are drilled into the thin plate 12 before assembly.
5 and the thin film 126, but for convenience of illustration, the position of the hole L is indicated by reference numeral 120a in FIG.
The dimensions of a unitary capacitor according to the invention may vary over a wide range.

コンデンサの寸法を変化させるだけでなく、誘電薄層と
その中の電極との数および厚さも同じく変化させてもよ
い。多くの場合、誘電薄層を導電性薄膜、すなわち電極
より厚くするのが好適であるが、これは必要に応じて変
化させてもよい。厚さ約0.03顛の誘電薄層2欧と厚
さ約0.0025?の内部電極1敷とを”有する2.『
×3.0g1.×0.畑のコンデンサの製作は容易であ
り、大寸法のものももちろん可能である。本発明によれ
ば所定の容量を有するコンデンサは、誘電材料、薄層お
よび電極の寸法、厚さおよび数を適当に選択して得られ
る。本発明にかかるコンデンサの厚さおよび付加的機械
的強度は、未焼成セラミツク構造体の頂部または底部上
に薄層または薄膜を付加して調節してもよい。誘電セラ
ミツク組成物の未印刷薄膜をこの目的のため使用しても
よい。しかしながら、このような積層体の頂部誘電薄膜
または薄膜上に熱焼却性付着物が存在しても通常有害で
はない。一般に、誘電薄層および電極は可能な限り薄く
するのが好ましい。
In addition to varying the dimensions of the capacitor, the number and thickness of the thin dielectric layers and electrodes therein may be varied as well. It is often preferred that the thin dielectric layer be thicker than the thin conductive film, ie, the electrode, but this may vary as desired. Two dielectric thin layers with a thickness of about 0.03mm and a thickness of about 0.0025? 2. has one inner electrode of
×3.0g1. ×0. Manufacturing capacitors in the field is easy, and large-sized ones are of course possible. According to the invention, a capacitor with a predetermined capacitance is obtained by appropriate selection of dielectric material, dimensions, thickness and number of thin layers and electrodes. The thickness and additional mechanical strength of capacitors according to the invention may be adjusted by adding thin layers or films on the top or bottom of the green ceramic structure. Unprinted thin films of dielectric ceramic compositions may be used for this purpose. However, the presence of thermally burnable deposits on the top dielectric thin film or thin films of such laminates is usually not harmful. Generally, it is preferred that the thin dielectric layers and electrodes be as thin as possible.

その理由は、高価な誘電材料の使用量が少くコンデンサ
の単位体積当りの容量が大きく、従つて回路内での所要
空間が減少するからである。誘電薄層の厚さは、このよ
うな薄層を密実かつ非多孔性にしかつ印加電圧に耐える
必要性によつて決定される。誘電材料の薄膜の表面もし
くは厚さに不規則性があると、極めて薄い仮導電体の薄
膜を使用するコンデンサの形成に問題が生ずる。その理
由は、このような不規則部が焼成後詰まつてしまうため
であるが、電極すなわち導電性薄膜を誘電薄層より薄く
作るのが一般に好適である。本発明にかかる積層コンデ
ンサに設けるリード線の寸法は、極めて広範囲に変化さ
せてもよい。
This is because less expensive dielectric material is used, the capacitor has a higher capacitance per unit volume, and therefore less space is required in the circuit. The thickness of dielectric thin layers is determined by the need for such thin layers to be dense and non-porous and to withstand applied voltages. Irregularities in the surface or thickness of thin films of dielectric material create problems in the formation of capacitors using very thin thin films of pseudoconductor. The reason for this is that such irregularities can become clogged after firing, but it is generally preferable to make the electrode or conductive thin film thinner than the dielectric thin layer. The dimensions of the leads provided in the multilayer capacitor according to the invention may vary within a very wide range.

一般に、リード線には直径が約0.2511乃至約0.
65?の導線を使用するのが好適である。しかしながら
、便宜上または必要に応じて太いまたは細い導線を使用
してもよい。従つて、第9図と第10図に示すセラミツ
ク構造体で作成するコンデンサにおいて、リード線は一
般に太い。その理由は、その端部が偏平化されてコンデ
ンサ内の金属薄膜と実質的に接続するからである。大寸
法のコンデンサにおいてリード線は必要に応じて棒材等
でもよい。焼成セラミツク単一体内のリード線用孔部の
直径は、リード線より若干大きくする。一般に、リード
線と内部電極を形成する金属との接続を確実にするため
、リード線を溶融電極金属で覆うのが好ましい。銅が多
くの場合良好であるが、他の金属も使用可能である。こ
れまで記載、図示したコンデンサは矩形であつた。
Generally, the lead wires have a diameter of about 0.2511 to about 0.25 mm.
65? It is preferred to use conductors of However, thicker or thinner conductors may be used for convenience or need. Therefore, in capacitors made of ceramic structures shown in FIGS. 9 and 10, the lead wires are generally thick. The reason for this is that the ends are flattened and substantially connect with the thin metal film within the capacitor. In large-sized capacitors, the lead wire may be a bar or the like as required. The diameter of the lead wire hole in the fired ceramic unit is slightly larger than the lead wire. Generally, in order to ensure the connection between the lead wire and the metal forming the internal electrode, it is preferable to cover the lead wire with molten electrode metal. Copper is often good, but other metals can also be used. The capacitors described and illustrated so far have been rectangular.

しかしながら、本発明は他の形状のコンデンサの製造も
包含するものである。従つて、複数組の独立した電極を
有し、夫々の組がその電極と電気的に接続する2本以上
の突出するリード線を備えていれば、必要に応じて三角
形、六角形、楕円形もしくはいかなる他の所望の形状で
もよい。本発明にかかる積層磁器コンデンサは、前に記
載した米国特許明細書に記載したこのような薄層の製造
に適したいかなるセラミツク組成物を誘電薄層の形成に
使用してもよく、かつその内の電極領域は前記特許に記
載のいかなる適当な組成物を使用して製造してもよい。
しカルながら、必要に応じて他の適当な組成物を使用し
てもよい。誘電薄膜を形成する組成物が焼結可能な密実
なセラミツク体を形成する微粉砕セラミツク材料より成
るのが好適である。それらは同じく熱焼却性仮結合剤を
含有するのが好適てある。未焼成体内の仮導電体を形成
するため使用する薄膜は、前に記載した通り、前記米国
特許明細書に記載のいかなる組成物または他の適当な組
成物で形成してもよい。このような仮導電体薄膜は、熱
焼却性材料からなるのが好適である。いかなる場合も、
仮導電体で占有される空間は、セラミツク体の焼成後、
空間領域を形成するものであり、少くとも約40%の空
間を有し溶融金属が充填されて電極を形成する。ここで
使用する1密実なョという用語は、材料が水中に浸漬さ
れる際実質的に水を吸収しないことであり、1薄い,は
相対的な術語であり、例えばセラミツク薄層に関しては
0.511mまたはそれ以下を示す。しかしながら、こ
のような薄層も特定目的のためにはもつと厚くてもよい
。1熱焼却性ョとは、ここに記載した条件下で気化する
か、または酸化されもしくは酸化されることなく気化す
る物質に変化するものを包含する。前に記載した通り、
積層磁器コンデンサを形成するこの新規な方法は、積層
セラミツク回路板の製造にも容易に使用できる。
However, the present invention also encompasses the manufacture of capacitors of other shapes. Therefore, if it has multiple sets of independent electrodes, and each set has two or more protruding lead wires electrically connected to the electrodes, it can be shaped into a triangular, hexagonal, or oval shape as required. or any other desired shape. The multilayer ceramic capacitor according to the present invention may use any ceramic composition suitable for the production of such thin layers as described in the above-mentioned U.S. patents and may include The electrode region of may be fabricated using any suitable composition described in said patent.
However, other suitable compositions may be used if desired. Preferably, the composition forming the dielectric film comprises a finely divided ceramic material that forms a solid ceramic body that can be sintered. They also preferably contain a thermally incinerable temporary binder. The thin film used to form the temporary conductor within the green body may be formed of any of the compositions described in the above-referenced US patents or other suitable compositions, as previously described. Preferably, such a temporary conductor thin film is made of a thermally incinerating material. In any case,
After firing the ceramic body, the space occupied by the temporary conductor is
It forms a spatial region, which is at least about 40% empty and is filled with molten metal to form an electrode. As used herein, the term ``dense'' refers to the fact that the material absorbs virtually no water when immersed in water, and ``thin'' is a relative term; for example, for a thin layer of ceramic, 0. .511m or less. However, such thin layers may also be thicker for specific purposes. One-thermal incineration includes substances that vaporize under the conditions described herein, or that are oxidized or transformed into vaporized substances without being oxidized. As mentioned before,
This new method of forming laminated ceramic capacitors can also be readily used in the manufacture of laminated ceramic circuit boards.

第20図と第21図は、参考としてそのような積層セラ
ミツク回路板を示す。
FIGS. 20 and 21 show such a laminated ceramic circuit board for reference.

回路板135は一体的に焼結されて、セラミツク構造体
を形成する3枚の誘電性すなわぢ絶縁性セラミツク薄層
136から成る。この構造体内に、金属で形成するのが
好適な3つの内部導体137,138,139が存在す
る。リード線140,141,142,143および1
44が回路板の外部から1またはそれ以上の内部導体ま
で延在し(図示した例では内部電極137および138
の2層である)、内部導体の上側下側にセラミツク薄層
を有する。薄層136はその端縁部の周囲のみならず、
導体の周囲および間で一体に焼結される。回路板135
の形成において、前記のコンデンサ形成と本質的に同一
な方法を使用することができる。
Circuit board 135 is comprised of three thin dielectric or insulating ceramic layers 136 that are sintered together to form a ceramic structure. Within this structure there are three internal conductors 137, 138, 139, preferably made of metal. Lead wires 140, 141, 142, 143 and 1
44 extends from the exterior of the circuit board to one or more internal conductors (in the illustrated example internal electrodes 137 and 138).
(two layers), with a thin ceramic layer on the upper and lower sides of the inner conductor. The thin layer 136 is not only around its edges, but also around its edges.
Sintered together around and between the conductors. circuit board 135
Essentially the same methods can be used in forming the capacitors described above.

例えば、樹脂で仮結合した微粉砕の誘電性すなわち絶縁
性セラミツク材料の3枚の薄板を、内部導体が必要とさ
れる位置のこの薄板間の仮導電体薄膜と共に組立てて固
着する。このような仮導電体、すなわち仮導電薄層は、
第17図乃至第19図に示すコンデンサ製造法を使用し
て形成してもよく、熱焼却性材料より成るのが好適であ
る。形成した未焼成体内にリード線用および金属導入用
孔部を、例えば穿孔または打抜きで設ける。このような
孔部は頂部と底部セラミツク薄層136を貫通し、1ま
たはそれ以上の仮導電体へ連通もしくは貫通する。焼成
に際し、仮導電体薄層が焼却されかつ薄板のセラミツク
材料が焼結されて単一セラミツク構造体を形成し、ここ
に溶融金属を導入して内部電極を形成する。溶融金属は
、前に記載したのと同方法でこのような領域内へ、頂部
または底部セラミツク薄層を貫通する孔部を介して導入
される。前記コンデンサ製造法と同じく、棒材もしくは
導線であるリード線を孔部内へ溶融金属導入前に挿入し
、この導入は第11図に示す装置で行なつてもよい。リ
ード線の形状は種々でよく、かつリード線は1またはそ
れ以上の内部電極内へまたはそれを貫通して延在しても
よい。リード線は折曲しても、または参照符号146で
示す通り回路板内で細くしてもよい。コンデンサ製造と
同じく、リード線用導線または棒材の断面は挿入する孔
部より若干小さくし、このようにしてその周囲から溶融
金属を注入して内部電極を形成する。種々の金属および
合金を使用してもよいが、構造体の焼結温度およびリー
ド線の融点より低い肚点を有するものを使用する必要が
ある。
For example, three sheets of finely divided dielectric or insulating ceramic material temporarily bonded with resin are assembled and secured together with a temporary conductor film between the sheets at the locations where an internal conductor is required. Such a temporary conductor, that is, a temporary conductive thin layer, is
It may be formed using the capacitor manufacturing method shown in FIGS. 17-19, and is preferably made of a thermally incinerating material. Holes for lead wires and metal introduction are provided in the formed green body, for example by drilling or punching. Such holes pass through the top and bottom ceramic layers 136 and communicate with or penetrate one or more temporary conductors. During firing, the temporary conductor thin layer is burned off and the thin ceramic material is sintered to form a single ceramic structure into which molten metal is introduced to form the internal electrodes. Molten metal is introduced into such regions through holes through the top or bottom ceramic layers in the same manner as previously described. Similar to the capacitor manufacturing method described above, a lead wire such as a rod or a conducting wire is inserted into the hole before introducing the molten metal, and this introduction may be performed using the apparatus shown in FIG. The shape of the lead may vary, and the lead may extend into or through one or more internal electrodes. The leads may be bent or thinned within the circuit board as shown at 146. Similar to capacitor manufacturing, the cross section of the lead wire or rod is made slightly smaller than the hole into which it is inserted, and molten metal is injected from around it to form internal electrodes. Various metals and alloys may be used, provided that they have a temperature lower than the sintering temperature of the structure and the melting point of the leads.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明にかかる積層磁器コンデンサの斜視図、
第2図は本発明にかかる積層磁器コンデンサの一改変例
の頂部平面図、第3図は第2図の3−3線垂直断面図、
第4図は第1図の4−4線部分垂直断面図、第5図は改
変したリード線配置を示す第4図と同様な部分垂直断面
図、第6図はセラミツク体内へのリード線の挿入および
金属の導入前の積層コンデンサ形成用セラミツク体の部
分垂直断面図、第7図は端面部材を使用する参考例を示
す第6図と類似した部分垂直断面図、第8図はリード線
用孔部の改変した配置を示す第6図と同様な部分垂直断
面図、第9図はリード線をコンデンサに取付けるための
配置の参考例を示す部分垂直断面図、第10図はリード
線を除去した第9図の10−10線部分側面図、第11
図はセラミツク体を支承してその電極領域内へ金属を導
入する方法を示す概略図、第12図c1回路板(断面で
示す)の半田上に載置した本発明にかかる積層コンデン
サの側面図、第13図は第12図に示す構造体の頂部平
面図、第14図は回路板(断面で示す)内の孔部を貫通
するリード線によつて載置される本発明にかかる積層コ
ンデンサの側面図、第15図は本発明にかかるコンデン
サのリード線を密封する方法を示す部分断面図、第16
図は本発明にかかる全面的にカプセルで包んだ積層コン
デンサを示す部分断面図、第17図は本発明のもう1つ
の改変例を示す拡大斜視図、第18図は第17図に示す
素子で製造した積層コンデンサの第17図の18−18
線垂直断面図、第19図は第18図の19−19線垂直
断面図、第20図は本発明の技術を使用うる積層回路板
の第21図の20−20線垂直断面図、第21図は第2
0図の21−21線垂直断面図である。 21,22・・・・・電極(金属薄層)、23・・・・
・・側面、24・・・・コンデンサの他側面、25,2
6・・・・・リード線、28・・・・・・屈曲部、29
・・・・・・結び目、31・・・・・・垂直孔部、33
,35・・・・・電極領域、39・・・・・・容器(密
閉体)、40・・・・・容器、42・・支持棒部、43
・・・・スプリングクリツプ、44・・・・・リード線
、47,48・・・・・孔部、49,50・・・・・・
電極領域、52・・・・・・焼結セラミツク単一体、5
3・・・・・・薄層、54・・・・・・空腔部、55,
56・・・・・・電極領域、57・・・・・・偏平端部
、58・・・・・・棒材(導線)、59・・・・コンデ
ンサ、60,61・・・・・電極、62,64・・・・
・リード線、63・・・・・薄層、69・・・・・・基
板、70,71・・・・・・半田、72,73・・・・
・導体、74・・・・コンデンサ、75,76・・・・
・リード線、81・ ・・コンデンサ、82・・・・・
・回路板、83,84・・・・・リード線、85,86
・・・・・孔部、87,88・・・・・導体、91・・
・・・・密封用組成物、92・・・・・・リード線、9
3・・・・・・コンデンサ、95・・・・コンデンサ、
96・・・・・・被覆、97,98・・・・・・りード
線、103・・・・・・セラミツク構造体、104・・
・・薄層、105,106・・・・・・空間領域、10
7・・・・構造体端面、109・・・・・・端面部材、
111・・・・・・孔部、119・・・・・・積層コン
デンサ、120・・・・・・垂直孔部、121,122
・・・・・・リード線(リード棒材)、125・・・・
・薄板、126・・・・・・仮導電体薄膜、127・・
・・・・開口部、129・・・・・・誘電性セラミツク
薄層、130,131・・・・・・電極、135・・・
・回路板。
FIG. 1 is a perspective view of a multilayer ceramic capacitor according to the present invention;
FIG. 2 is a top plan view of a modified example of a multilayer ceramic capacitor according to the present invention, FIG. 3 is a vertical cross-sectional view taken along line 3-3 in FIG.
Figure 4 is a partial vertical cross-sectional view taken along the line 4--4 in Figure 1, Figure 5 is a partial vertical cross-sectional view similar to Figure 4 showing a modified lead wire arrangement, and Figure 6 is a partial vertical cross-sectional view of the lead wire inside the ceramic body. A partial vertical sectional view of a ceramic body for forming a multilayer capacitor before insertion and introduction of metal, Figure 7 is a partial vertical sectional view similar to Figure 6 showing a reference example using an end face member, and Figure 8 is a diagram for lead wires. A partial vertical sectional view similar to Fig. 6 showing a modified arrangement of the holes, Fig. 9 a partial vertical sectional view showing a reference example of the arrangement for attaching the lead wire to the capacitor, and Fig. 10 with the lead wire removed. Partial side view on line 10-10 of Fig. 9, No. 11
Figure 12 is a schematic diagram showing the method of supporting a ceramic body and introducing metal into its electrode area; Figure 12 is a side view of a multilayer capacitor according to the invention placed on solder of a circuit board (shown in cross section); , FIG. 13 is a top plan view of the structure shown in FIG. 12, and FIG. 14 is a multilayer capacitor according to the present invention mounted by a lead wire passing through a hole in a circuit board (shown in cross section). FIG. 15 is a partial sectional view showing a method of sealing the lead wire of a capacitor according to the present invention, and FIG. 16 is a side view of FIG.
17 is a partially sectional view showing a fully encapsulated multilayer capacitor according to the present invention, FIG. 17 is an enlarged perspective view showing another modification of the present invention, and FIG. 18-18 in Figure 17 of the manufactured multilayer capacitor
19 is a vertical sectional view taken along line 19-19 in FIG. 18; FIG. 20 is a vertical sectional view taken along line 20-20 in FIG. The figure is the second
FIG. 2 is a vertical sectional view taken along the line 21-21 of FIG. 21, 22... Electrode (thin metal layer), 23...
...Side surface, 24...Other side surface of the capacitor, 25,2
6... Lead wire, 28... Bent part, 29
...Knot, 31...Vertical hole, 33
, 35... Electrode area, 39... Container (closed body), 40... Container, 42... Support rod portion, 43
... Spring clip, 44 ... Lead wire, 47, 48 ... Hole, 49, 50 ...
Electrode region, 52... Sintered ceramic single body, 5
3...Thin layer, 54...Vacancy, 55,
56... Electrode area, 57... Flat end, 58... Bar (conductor wire), 59... Capacitor, 60, 61... Electrode , 62, 64...
・Lead wire, 63... Thin layer, 69... Substrate, 70, 71... Solder, 72, 73...
・Conductor, 74... Capacitor, 75, 76...
・Lead wire, 81...Capacitor, 82...
・Circuit board, 83, 84... Lead wire, 85, 86
...hole, 87, 88...conductor, 91...
... Sealing composition, 92 ... Lead wire, 9
3... Capacitor, 95... Capacitor,
96...Coating, 97,98...Lead wire, 103...Ceramic structure, 104...
...Thin layer, 105,106...Spatial region, 10
7... Structure end face, 109... End face member,
111... Hole, 119... Multilayer capacitor, 120... Vertical hole, 121, 122
...Lead wire (lead bar material), 125...
・Thin plate, 126...Temporary conductor thin film, 127...
...Opening, 129...Dielectric ceramic thin layer, 130, 131...Electrode, 135...
・Circuit board.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 重畳された多数の密実セラミック誘電体の薄層と、
これら薄層間に存在する金属電極層と、これら金属電極
層が外部へ露出しないよう全外周部を覆つた誘電性セラ
ミック外壁と、前記多数の密実セラミック誘電体の薄層
を貫通しかつ前記金属電極層を1つおきに貫通するが残
余の1つおきの金属電極層からは離間する第一の金属導
線と、前記多数の密実セラミック誘電体の薄層を貫通し
かつ前記残余の1つおきの金属電極層を貫通するが前記
最初の1つおきの金属電極層からは離間する第二の金属
導線とからなり、前記金属電極層としての金属は前記セ
ラミック誘電体の焼結温度よりも低くかつ前記第一およ
び第二金属導線の融点よりも低い融点を有し、前記第一
および第二金属導線は前記金属電極層中に一体的に埋設
されていることを特徴とする積層磁器コンデンサ。 2 金属電極層がそれに隣接するセラミック薄層より薄
いことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の積層磁
器コンデンサ。 3 金属電極層の厚さが0.0025mm〜0.025
mmであることを特徴とする特許請求の範囲第2項記載
の積層磁器コンデンサ。 4 各金属電極層には、その両側に隣接するセラミック
薄層と一体的に形成されたセラミック材料よりなる絶縁
領域を設けて、1つおきの金属電極層に存在する絶縁領
域に第一の金属導線を貫通させると共に、残余の1つお
きの金属電極層に存在する絶縁領域に第二の金属導線を
貫通させたことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載
の積層磁器コンデンサ。 5 微粉砕された焼結可能な誘電性セラミック材により
複数の薄板を形成し、これら薄板にこれより小さい面積
で熱焼却性の仮導電体を塗布し、これらの塗布された薄
板をそれぞれ隣接するセラミック薄板の間に仮導電体層
がそれぞれ挾持されるように重畳すると共にこれら仮導
電体層の全外周部を誘電性セラミック材で密封して生の
セラミック積層体を形成し、このセラミック積層体に一
対の離間した孔部をその第一の孔部が前記仮導電体層を
1つおきに貫通するが残余の1つおきの仮導電体層から
は離間するようかつ第二の孔部が前記残余の1つおきの
仮導電体層を貫通するが前記最初の1つおきの仮導電体
層からは離間するよう穿設し、次いで誘電性セラミック
体の焼結温度以上の温度で前記生のセラミック積層体を
焼成して前記仮導電体を焼却除去することにより空間領
域を形成せしめ、次いで前記一対の孔部にそれぞれ金属
導線を挿通した後、前記誘電性セラミック体の焼結温度
よりも低くかつ前記金属導線の融点よりも低い融点を有
する金属の溶融物を前記孔部とそこに挿通された金属導
線との間の間隔を介して前記空間領域内に注入し、次い
で前記金属溶融物を前記金属導線の周囲に一体的に凝固
させることを特徴とする積層磁器コンデンサの製造方法
。 6 仮導電体をセラミック薄板上にこの薄板よりも薄い
厚さで塗布することを特徴とする特許請求の範囲第5項
記載の方法。 7 仮導電体層のそれぞれに薄板と同一の材料よりなる
絶縁領域を設けて、1つおきの仮導電体層に存在する絶
縁領域を一方の孔部が貫通するようかつ残余の1つおき
の仮導電体層に存在する絶縁領域を他方の孔部が貫通す
るよう一対の孔部を穿設することを特徴とする特許請求
の範囲第5項記載の方法。
[Scope of Claims] 1. A plurality of superimposed thin layers of dense ceramic dielectric material,
A metal electrode layer existing between these thin layers, a dielectric ceramic outer wall covering the entire outer circumference so that these metal electrode layers are not exposed to the outside, and a dielectric ceramic outer wall that covers the entire outer circumference so that these metal electrode layers are not exposed to the outside; a first metal conductor passing through every other metal electrode layer but spaced from every other remaining metal electrode layer; a first metal conductor passing through said plurality of thin layers of solid ceramic dielectric and said remaining one; a second metal conducting wire passing through every other metal electrode layer but spaced apart from the first every other metal electrode layer, the metal serving as the metal electrode layer being lower than the sintering temperature of the ceramic dielectric. and has a melting point lower than that of the first and second metal conductive wires, and the first and second metal conductive wires are integrally embedded in the metal electrode layer. capacitor. 2. The multilayer ceramic capacitor according to claim 1, wherein the metal electrode layer is thinner than the ceramic thin layer adjacent thereto. 3 Thickness of metal electrode layer is 0.0025 mm to 0.025 mm
3. The multilayer ceramic capacitor according to claim 2, wherein the capacitor is mm. 4. Each metal electrode layer is provided with an insulating region made of a ceramic material integrally formed with the adjacent ceramic thin layer on both sides, and a first metal is provided in the insulating region present in every other metal electrode layer. 2. The laminated ceramic capacitor according to claim 1, wherein the conductive wire is passed through the capacitor and the second metal conductive wire is passed through an insulating region existing in every other remaining metal electrode layer. 5. Forming a plurality of thin plates from a finely ground sinterable dielectric ceramic material, applying a heat-burnable temporary conductor to these thin plates in a smaller area, and adjoining each of these coated thin plates. A raw ceramic laminate is formed by overlapping the temporary conductor layers so as to be sandwiched between the ceramic thin plates, and sealing the entire outer periphery of these temporary conductor layers with a dielectric ceramic material. a pair of spaced apart holes such that the first hole penetrates every other temporary conductor layer but is spaced apart from every other remaining temporary conductor layer; Drilling is performed so as to penetrate through every other remaining temporary conductor layer but spaced apart from every other first temporary conductor layer, and then the sintering process is performed at a temperature equal to or higher than the sintering temperature of the dielectric ceramic body. A space region is formed by firing the ceramic laminate and removing the temporary conductor, and then, after inserting metal conductive wires into each of the pair of holes, the temperature is lower than the sintering temperature of the dielectric ceramic body. injecting a metal melt having a melting point lower than that of the metal conductor into the spatial region through the gap between the hole and the metal conductor inserted therein, and then injecting the metal melt into the spatial region; A method for manufacturing a multilayer ceramic capacitor, characterized by integrally coagulating it around the metal conductive wire. 6. A method according to claim 5, characterized in that the temporary conductor is applied onto the ceramic thin plate to a thickness thinner than the thin ceramic plate. 7 Provide an insulating region made of the same material as the thin plate in each of the temporary conductor layers, so that one hole penetrates the insulating region existing in every other temporary conductor layer, and 6. The method according to claim 5, wherein a pair of holes are formed so that the other hole passes through an insulating region existing in the temporary conductor layer.
JP58036773A 1983-03-08 1983-03-08 Multilayer ceramic capacitor and its manufacturing method Expired JPS6052569B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58036773A JPS6052569B2 (en) 1983-03-08 1983-03-08 Multilayer ceramic capacitor and its manufacturing method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58036773A JPS6052569B2 (en) 1983-03-08 1983-03-08 Multilayer ceramic capacitor and its manufacturing method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS58175818A JPS58175818A (en) 1983-10-15
JPS6052569B2 true JPS6052569B2 (en) 1985-11-20

Family

ID=12479082

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP58036773A Expired JPS6052569B2 (en) 1983-03-08 1983-03-08 Multilayer ceramic capacitor and its manufacturing method

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6052569B2 (en)

Also Published As

Publication number Publication date
JPS58175818A (en) 1983-10-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4430690A (en) Low inductance MLC capacitor with metal impregnation and solder bar contact
US6470545B1 (en) Method of making an embedded green multi-layer ceramic chip capacitor in a low-temperature co-fired ceramic (LTCC) substrate
DE69008737T2 (en) Capacitor surrounded by ceramic.
US4071878A (en) Method for producing capacitors and ceramic body therefore
US5072329A (en) Delamination resistant ceramic capacitor and method of making same
US6241838B1 (en) Method of producing a multi-layer ceramic substrate
US4906512A (en) Electrical multilayer component comprising a sintered, monolithic ceramic body and method for its manufacture
KR100585549B1 (en) Multi layer electronic part
EP0285873B1 (en) Method of producing a multi-layered ceramic capacitor
US4889760A (en) Filler layer electrical component and method for the manufacture thereof
US6011683A (en) Thin multilayer ceramic capacitors
JPH03148813A (en) Formation of conducting terminal to ceramic parts
JP2001044066A (en) Laminated electronic component and method of manufacturing the same
JPS6057212B2 (en) Single sintered ceramic body and its manufacturing method
JP2003332741A (en) Method of manufacturing ceramic multilayer substrate
JPS6052569B2 (en) Multilayer ceramic capacitor and its manufacturing method
CN117393322A (en) Multilayer ceramic capacitor and preparation method thereof
JP3706503B2 (en) Multilayer electronic components
JP4246543B2 (en) Manufacturing method of laminated electronic component
CA1052874A (en) Method of forming ceramic capacitors and circuit boards
JPS61272984A (en) Electrostrictive effect element
JPH09260192A (en) Multilayer capacitor
JPS5917227A (en) Method of producing composite laminated ceramic part
JP3468272B2 (en) Chip type surge absorber and method of manufacturing the same
JPH11329845A (en) Electronic component and manufacture thereof