JPS606540B2 - 光化学的気相被着装置および方法 - Google Patents
光化学的気相被着装置および方法Info
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- JPS606540B2 JPS606540B2 JP55105220A JP10522080A JPS606540B2 JP S606540 B2 JPS606540 B2 JP S606540B2 JP 55105220 A JP55105220 A JP 55105220A JP 10522080 A JP10522080 A JP 10522080A JP S606540 B2 JPS606540 B2 JP S606540B2
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
- C23C16/482—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation using incoherent light, UV to IR, e.g. lamps
-
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Description
【発明の詳細な説明】
この発明は選定された材料・物質の層を光化学的に気相
被着させるための装置および方法に係り、特に、窒化シ
リコン層の光化学的気相被着装暦および方法に関する。
被着させるための装置および方法に係り、特に、窒化シ
リコン層の光化学的気相被着装暦および方法に関する。
半導体集積回路および装置の作製において、空気、水分
、移動性イオン、その他腐食や素子性能を低下させる不
純物による汚染から素子を保護するためのパシべ−ショ
ン層として窒化シリコン(Si3N4)層がいましば用
いられている。また、室化シリコン層はイオン注入、イ
オン拡散、金属被着等の工程におけるマスクとしても用
いられている。窒化シリコン層は、従来、光化学反応す
なわち放射線によって誘起もしくは開始される化学反応
を用いて製造されている。
、移動性イオン、その他腐食や素子性能を低下させる不
純物による汚染から素子を保護するためのパシべ−ショ
ン層として窒化シリコン(Si3N4)層がいましば用
いられている。また、室化シリコン層はイオン注入、イ
オン拡散、金属被着等の工程におけるマスクとしても用
いられている。窒化シリコン層は、従来、光化学反応す
なわち放射線によって誘起もしくは開始される化学反応
を用いて製造されている。
Si3N4層を被着するための一つの方法は、ザ・ジャ
ーナル・オブ・ザ・ヱレクトロケミカル・ソサエテイの
「ソリツド・ステート・サイエンス・アンド・テクノロ
ジー」第11鏡登第1号(196g王1月)の110〜
111頁にある「デポジテイング・シリコン・ナイトラ
イド・レイヤーズ・アツト・ロー・テン/ぐラチヤー・
コ−ジング・ア・ホトケミカル・リアクション」と題す
る論文中でM.G.コレットが論じているように、シラ
ン(Si凡)とヒドラジン(N2日4との光増感反応を
用いるものである。この方法では、特定波長(2537
オングストローム)の放射線によって水銀(Hg)を励
起して励起状態の水銀(Hg*)を生成している。この
Hg*がSiH4およびN2日4と衝突してそれらの分
子からラジカルを生起させ、これらラジカルが反応して
Si3N4を生成する。この方法についてのさらに進ん
だ研究およびSiH4とアンモニア(NH3)との混合
物を用いた高速流法についての研究がザ・ジャーナル・
オブ・ザ・エレクトロケミカル・ソサエテイの「ソリツ
ド.ステート・サイエンス・アンド・テクノロジー」第
119萱第3号(1972王3月)の372〜376頁
にある「コントロール・オブ・ザ・デポジション・オフ
・シリコン・ナイトライド・レイヤーズ・バィ・253
7人レイデイェーション」と題する論文中に0.日.J
.v.d.ブレツケルおよびP.J.セベリンによって
報告されている。上記文献の方法に従って得られる皮膜
は広範囲でピンホールを持つのでこれを改善するために
、高品質でかつ化学的に結合した酸素の存在しない低温
度法ホト窒化膜の製造するための方法を見し、出し、こ
れを米国特許出願第910704号として出願した。
ーナル・オブ・ザ・ヱレクトロケミカル・ソサエテイの
「ソリツド・ステート・サイエンス・アンド・テクノロ
ジー」第11鏡登第1号(196g王1月)の110〜
111頁にある「デポジテイング・シリコン・ナイトラ
イド・レイヤーズ・アツト・ロー・テン/ぐラチヤー・
コ−ジング・ア・ホトケミカル・リアクション」と題す
る論文中でM.G.コレットが論じているように、シラ
ン(Si凡)とヒドラジン(N2日4との光増感反応を
用いるものである。この方法では、特定波長(2537
オングストローム)の放射線によって水銀(Hg)を励
起して励起状態の水銀(Hg*)を生成している。この
Hg*がSiH4およびN2日4と衝突してそれらの分
子からラジカルを生起させ、これらラジカルが反応して
Si3N4を生成する。この方法についてのさらに進ん
だ研究およびSiH4とアンモニア(NH3)との混合
物を用いた高速流法についての研究がザ・ジャーナル・
オブ・ザ・エレクトロケミカル・ソサエテイの「ソリツ
ド.ステート・サイエンス・アンド・テクノロジー」第
119萱第3号(1972王3月)の372〜376頁
にある「コントロール・オブ・ザ・デポジション・オフ
・シリコン・ナイトライド・レイヤーズ・バィ・253
7人レイデイェーション」と題する論文中に0.日.J
.v.d.ブレツケルおよびP.J.セベリンによって
報告されている。上記文献の方法に従って得られる皮膜
は広範囲でピンホールを持つのでこれを改善するために
、高品質でかつ化学的に結合した酸素の存在しない低温
度法ホト窒化膜の製造するための方法を見し、出し、こ
れを米国特許出願第910704号として出願した。
この方法では、シラン、アンモニアおよびヒドラジンの
混合物を100なし、し300doで水銀蒸気光増感反
応に供するとともに、窒素含有反応体から酸素および水
分を除去するためにシランゲツター法を用いている。し
かし、上記従来の方法では、光化学的被着方法が減圧被
着室の頂部を構成する石英窓を通じて紫外線(2537
A)を照射することによっておこなわれる。
混合物を100なし、し300doで水銀蒸気光増感反
応に供するとともに、窒素含有反応体から酸素および水
分を除去するためにシランゲツター法を用いている。し
かし、上記従来の方法では、光化学的被着方法が減圧被
着室の頂部を構成する石英窓を通じて紫外線(2537
A)を照射することによっておこなわれる。
この被着工程中石英窓も被看物質(例えば、窒化シリコ
ン)によって被覆されることとなり、その結果、窓の透
明性が低下し、それにより被着室に入って光化学反応を
開始させる放射線量が減少し、こうして彼着速度が低下
する。この発明は窓の透明性の低下を防止することを課
題とするものである。従来、ある種の減圧システム例え
ばアルミニウム被着用装置では、操作者が被着室内にお
ける被着の進行を目視できるように手で移動される透明
なテフロン皮膜を含んでなる窓アツセンプリが用いられ
ている。
ン)によって被覆されることとなり、その結果、窓の透
明性が低下し、それにより被着室に入って光化学反応を
開始させる放射線量が減少し、こうして彼着速度が低下
する。この発明は窓の透明性の低下を防止することを課
題とするものである。従来、ある種の減圧システム例え
ばアルミニウム被着用装置では、操作者が被着室内にお
ける被着の進行を目視できるように手で移動される透明
なテフロン皮膜を含んでなる窓アツセンプリが用いられ
ている。
このような系は「ヴューウアツク・ヴユーイング・ポー
ツ・モデル・VV400」と題するMRCOテメスカル
のカタログに記載されている。この系においては、窓は
便宜のために設けられ、被着反応および方法の一体的部
分を構成していない。この発明の一般的な目的は上記従
来の光化学的気相被着方法および装置の利点の全部また
はほとんど全部を有するとともにその不利点のない、選
定物質の光化学的気相被着装層および方法を提供するこ
とにある。
ツ・モデル・VV400」と題するMRCOテメスカル
のカタログに記載されている。この系においては、窓は
便宜のために設けられ、被着反応および方法の一体的部
分を構成していない。この発明の一般的な目的は上記従
来の光化学的気相被着方法および装置の利点の全部また
はほとんど全部を有するとともにその不利点のない、選
定物質の光化学的気相被着装層および方法を提供するこ
とにある。
上記目的を達成するためにこの発明によれば、【a}特
定波長の放射線を透過させるための石英窓を頂面に一体
に有する反応室、他所定波長の放射線に対して透過性で
あり、光化学反応に要する昇溢度で安定であり、かつ前
記石英窓を横切って移動するに充分な機械的強度を有す
る所定材料で形成されたフィルムであって前記反応室内
において前記石英窓の内面を横切って移動できるように
設けられたもの、【c’前記フィルムを前記石英窓を横
切って移動させるための手段、{d}前記反応室内に反
応体ガス混合物を導入するための手段、‘e}前記反応
室内の基板を加熱するための手段、‘f}前記所定波長
の放射線を発生し、これを前記石英窓を介して前記反応
室内に導入するための手段、および(g)前記反応室内
に、被着を生じさせるに充分に低い圧力を達成するため
の手段よりなる光化学的気相被着装層が提供される。
定波長の放射線を透過させるための石英窓を頂面に一体
に有する反応室、他所定波長の放射線に対して透過性で
あり、光化学反応に要する昇溢度で安定であり、かつ前
記石英窓を横切って移動するに充分な機械的強度を有す
る所定材料で形成されたフィルムであって前記反応室内
において前記石英窓の内面を横切って移動できるように
設けられたもの、【c’前記フィルムを前記石英窓を横
切って移動させるための手段、{d}前記反応室内に反
応体ガス混合物を導入するための手段、‘e}前記反応
室内の基板を加熱するための手段、‘f}前記所定波長
の放射線を発生し、これを前記石英窓を介して前記反応
室内に導入するための手段、および(g)前記反応室内
に、被着を生じさせるに充分に低い圧力を達成するため
の手段よりなる光化学的気相被着装層が提供される。
上記被着工程中に石英窓の内面に上記フィルムを設置す
ることにより、石英窓の内面に不所望の付着物が生成す
るのが防止される。また、上記フィルムを石英窓の内面
を横切って移動させることにより、石英窓の内面近傍か
らフィルム上に付着した物質を除去することができる。
こうして、石英窓は清浄で透明な状態に維持され、その
結果、被着の効率および速度が向上する。すなわち、こ
の発明の目的は被着工程の効率を向上させる光化学的気
相被着装層を提供することにある。
ることにより、石英窓の内面に不所望の付着物が生成す
るのが防止される。また、上記フィルムを石英窓の内面
を横切って移動させることにより、石英窓の内面近傍か
らフィルム上に付着した物質を除去することができる。
こうして、石英窓は清浄で透明な状態に維持され、その
結果、被着の効率および速度が向上する。すなわち、こ
の発明の目的は被着工程の効率を向上させる光化学的気
相被着装層を提供することにある。
他の目的は上記したタイプの装置であって基板上に所定
材料が被着する速度を大きく向上させるものを提供する
ことにある。
材料が被着する速度を大きく向上させるものを提供する
ことにある。
さらにこの発明の目的は上記したタイプの装置であって
被着工程に要する全時間に渡って石英窓を清浄で透明状
態に維持するものを提供することにある。
被着工程に要する全時間に渡って石英窓を清浄で透明状
態に維持するものを提供することにある。
また、この発明の目的は上記したタイプの装置であって
均一で高品質で所望材料を基板上に被着させるものを提
供することにある。
均一で高品質で所望材料を基板上に被着させるものを提
供することにある。
さらにこの発明の目的は不所望の彼着物によつて生じる
反応譲起放射線に対する抵抗を最小限に抑え、気相被着
反応の効率および速度を最大限に向上させる光化学的気
相被着方法を提供することにある。
反応譲起放射線に対する抵抗を最小限に抑え、気相被着
反応の効率および速度を最大限に向上させる光化学的気
相被着方法を提供することにある。
以下、この発明を添付の図面に沿って説明する。
第1図には移動性透明窓機構を包含してなる光化学的被
着装層が示されている。
着装層が示されている。
反応室2はその頂面と一体の石英窓4を備えている。こ
の石英窓4は所望の光化学反応を開始するために用いら
れる特定波長の放射線に対して透過性であり、その放射
線2川ま例えば一列の低圧水銀蒸気アークランプ等の放
射線発生源22によって発生される。反応室2内には、
石英窓4の一端に位置する供V給ロール6によって所定
材料の一巻きのフィルム8が保持されている。この材料
は所望の光化学反応を開始させるために用いる所定波長
の放射線に対して透過性があり、彼着に要する昇温下で
安定であり、しかも裂けたり損傷したりすることなく反
応室2内を石英窓4の内面5に沿って移動できるように
充分な機械的強度を持つものである。第1図に示すこの
発明の態様において、フィルム8は供V給ロール6から
、石英窓4の内面5および石英窓4の両末端に近接して
設けられた案内機構12上を通る。案内機構12は例え
ば第1図に示すようなローラーからなるものであり、フ
ィルム8が内面5を横切って自由に移動でき、かつ反応
生成物が石英窓4の内面に付着するのを最小限に抑える
ように、石英窓4の内面5とそれと相隣るフィルム8の
表面との間に最適の間隙(接触も含む)を提供する。フ
ィルム8は案内機構12上を通過し、供聯合ロール6と
対向して石英窓4の端部に設けられた巻取りロール10
1こ至る。巻取りロ−ル10にはこれに回転運動を与え
るための機構が設置されている。
の石英窓4は所望の光化学反応を開始するために用いら
れる特定波長の放射線に対して透過性であり、その放射
線2川ま例えば一列の低圧水銀蒸気アークランプ等の放
射線発生源22によって発生される。反応室2内には、
石英窓4の一端に位置する供V給ロール6によって所定
材料の一巻きのフィルム8が保持されている。この材料
は所望の光化学反応を開始させるために用いる所定波長
の放射線に対して透過性があり、彼着に要する昇温下で
安定であり、しかも裂けたり損傷したりすることなく反
応室2内を石英窓4の内面5に沿って移動できるように
充分な機械的強度を持つものである。第1図に示すこの
発明の態様において、フィルム8は供V給ロール6から
、石英窓4の内面5および石英窓4の両末端に近接して
設けられた案内機構12上を通る。案内機構12は例え
ば第1図に示すようなローラーからなるものであり、フ
ィルム8が内面5を横切って自由に移動でき、かつ反応
生成物が石英窓4の内面に付着するのを最小限に抑える
ように、石英窓4の内面5とそれと相隣るフィルム8の
表面との間に最適の間隙(接触も含む)を提供する。フ
ィルム8は案内機構12上を通過し、供聯合ロール6と
対向して石英窓4の端部に設けられた巻取りロール10
1こ至る。巻取りロ−ル10にはこれに回転運動を与え
るための機構が設置されている。
例えば、シャフト(図示せず)をその一端で巻取りロー
ル10‘こ接続し、他端で反応室2の外部に位置するモ
ータ(図示せず)に接続することができる。その際シャ
フトは反応室2の外表面で回転真空シールを通じて延出
させる。被着工程中、上記モータは駆動され、上記シャ
フトを回転させる。このシャフトは巻取りロール10を
回転させ、このロール10は供V給ロール6から案内機
構12上を通ってフィルム8を移動させ、こうしてフィ
ルム8は内面5に対して最適な間隙を保ちかつ摩擦をほ
とんど生ずることなく円滑に石英窓4の内面5を通過す
る。そしてフィルムは者取りロール10に巻取られる。
巻取りロールー0‘こ必要な回転運動を付えるために、
上記の回転シャフトに代えて磁気結合装置のような他の
手段を用いてもよい。反応室2内には基板保持体24が
設置され、その上に選定された材料の層が被看されるべ
き基板26が載遣されている。
ル10‘こ接続し、他端で反応室2の外部に位置するモ
ータ(図示せず)に接続することができる。その際シャ
フトは反応室2の外表面で回転真空シールを通じて延出
させる。被着工程中、上記モータは駆動され、上記シャ
フトを回転させる。このシャフトは巻取りロール10を
回転させ、このロール10は供V給ロール6から案内機
構12上を通ってフィルム8を移動させ、こうしてフィ
ルム8は内面5に対して最適な間隙を保ちかつ摩擦をほ
とんど生ずることなく円滑に石英窓4の内面5を通過す
る。そしてフィルムは者取りロール10に巻取られる。
巻取りロールー0‘こ必要な回転運動を付えるために、
上記の回転シャフトに代えて磁気結合装置のような他の
手段を用いてもよい。反応室2内には基板保持体24が
設置され、その上に選定された材料の層が被看されるべ
き基板26が載遣されている。
反応室2の外部底面には加熱素子28が設けられており
、この加熱素子によって適切な膜特性例えば密度が得ら
れるように基板26が所要の温度に熱せられる。反応室
2には弁32を介して減圧手段(図示せず)に通じる管
30が設けられている。反応室2の外部には所定の光化
学反応用の個個の反応体ガス例えばシランおよびアンモ
ニアを収容する容器34および36が設置されている。
、この加熱素子によって適切な膜特性例えば密度が得ら
れるように基板26が所要の温度に熱せられる。反応室
2には弁32を介して減圧手段(図示せず)に通じる管
30が設けられている。反応室2の外部には所定の光化
学反応用の個個の反応体ガス例えばシランおよびアンモ
ニアを収容する容器34および36が設置されている。
これら容器34および36はそれぞれ管42に導入され
る反応体の量を制御するための弁38および40‘こ接
続している。反応体ガスは管42を通って水銀溜りを収
容する容器44内へ流れる。容器44内には水銀溜り上
に水銀蒸気がある。こうして、反応体ガスは水銀蒸気と
混合し、この混合ガスは管46を通って反応室2内に至
り、そこで光化学反応をおこなう。第1図に示した装置
の部材はステンレス鋼またはアルミニウムで形成できる
。
る反応体の量を制御するための弁38および40‘こ接
続している。反応体ガスは管42を通って水銀溜りを収
容する容器44内へ流れる。容器44内には水銀溜り上
に水銀蒸気がある。こうして、反応体ガスは水銀蒸気と
混合し、この混合ガスは管46を通って反応室2内に至
り、そこで光化学反応をおこなう。第1図に示した装置
の部材はステンレス鋼またはアルミニウムで形成できる
。
反応室2内では石英窓4の内面5から最適の間隙を保っ
てフィルム8が設けられているので、反応体ガスは石英
窓4の内面5と接触することがなく、したがって石英窓
4の内面5に余計な不所望の付着は生じない。
てフィルム8が設けられているので、反応体ガスは石英
窓4の内面5と接触することがなく、したがって石英窓
4の内面5に余計な不所望の付着は生じない。
しかし、付着物は反応体ガスに曝露されているフィルム
8の表面上には生成する。付着物の生成したフィルム8
部分は石英窓4の内面5に沿って連続的に引取られ、巻
取りロールー川こ巻取られる。こうして、フィルム8上
に生成した付着物は石英窓4の近傍から連続的に取りさ
られる。その結果、石英窓4の内面5は常に清浄で透明
な状態に保たれ、反応を誘起する放射線に対して不透明
で石英窓4を通って反応室2内に入射する放射線を弱め
、吸収ししかもそれに対して抵抗する付着物が内面5に
蓄積することがない。被着速度は石英窓を通過する放射
線の強度に直接比例するので、石英窓4の内面5を清浄
で透明な状態に維持することは彼着速度を大いに増加さ
せることとなる。上記装置を用いることによって、石英
窓4の内面5が連続的に清浄で透明な状態に維持され、
被着工穣の効率が増大する。第2図には第1図に示す反
応室2に設置された移動性透明窓装置の平面図が示され
ている。供孫合ロール6は石英窓4(第2図には示され
ていない)の一端に位置し、巻取りロール10は石英窓
4の対向他端に位置している。供給ロール6と者取りロ
ール10との間には、石英窓4の対向両端に位置して案
内機構12が設けられている。巻取りロール10のシャ
フト68は、反応室2の外部にありかつ反応室の外表面
で回転真空シール(図示せず)を介して延出するシャフ
ト70に接続している。このシャフト70は、駆動した
とき巻取りロール10のシャフト68を回転させフィル
ム8を供総合ロール6から巻取りロール1川こ巻取らせ
るモータ72に接続している。第3図には、頂面に石英
窓が一体に設けられた反応室を有する光化学的気相被着
装層に用いられる自己完備した移動性透明窓装置が示さ
れている。
8の表面上には生成する。付着物の生成したフィルム8
部分は石英窓4の内面5に沿って連続的に引取られ、巻
取りロールー川こ巻取られる。こうして、フィルム8上
に生成した付着物は石英窓4の近傍から連続的に取りさ
られる。その結果、石英窓4の内面5は常に清浄で透明
な状態に保たれ、反応を誘起する放射線に対して不透明
で石英窓4を通って反応室2内に入射する放射線を弱め
、吸収ししかもそれに対して抵抗する付着物が内面5に
蓄積することがない。被着速度は石英窓を通過する放射
線の強度に直接比例するので、石英窓4の内面5を清浄
で透明な状態に維持することは彼着速度を大いに増加さ
せることとなる。上記装置を用いることによって、石英
窓4の内面5が連続的に清浄で透明な状態に維持され、
被着工穣の効率が増大する。第2図には第1図に示す反
応室2に設置された移動性透明窓装置の平面図が示され
ている。供孫合ロール6は石英窓4(第2図には示され
ていない)の一端に位置し、巻取りロール10は石英窓
4の対向他端に位置している。供給ロール6と者取りロ
ール10との間には、石英窓4の対向両端に位置して案
内機構12が設けられている。巻取りロール10のシャ
フト68は、反応室2の外部にありかつ反応室の外表面
で回転真空シール(図示せず)を介して延出するシャフ
ト70に接続している。このシャフト70は、駆動した
とき巻取りロール10のシャフト68を回転させフィル
ム8を供総合ロール6から巻取りロール1川こ巻取らせ
るモータ72に接続している。第3図には、頂面に石英
窓が一体に設けられた反応室を有する光化学的気相被着
装層に用いられる自己完備した移動性透明窓装置が示さ
れている。
第3図の装置の都村は第2図の装置のそれと同様のもの
であり、フィルム8、供給ロール6、巻取りロール10
および案内機構12を含んでいる。彼着がおこなわれる
基板を保持する基板保持体66はその一端で支持板60
1こよって供給ロール6のシャフト62および近傍の案
内機構12に接続し、その対向池端で支持板64によっ
て巻取りロール10のシャフト68および近傍の案内機
構12に接続している。支持板60および64並びに基
板保持体66はステンレス鋼で形成され、カセット構造
のフレームを構成している。あるいは、この自己完備し
た移動性窓装置は基板保持体66を用いることなく支持
体60および64を用いて構成することができる。この
場合、基板保持体は使用する被着反応室内に永久的に設
置される。この基板保持体を用いるか用いないカセット
を用い、第3図の装置を、被着工程前に、フィルム8が
石英窓4の内面6から最適の間隔を保つように反応室内
に設置する。巻取りロール10はこれに回転運動を与え
るための手段に接続している。その他は第3図の装置は
第1図について説明したと同様に動作する。供聯合ロー
ル6のフィルム8がなくなったら、上言己カセットを取
り出し、新しいカセットと交換する。
であり、フィルム8、供給ロール6、巻取りロール10
および案内機構12を含んでいる。彼着がおこなわれる
基板を保持する基板保持体66はその一端で支持板60
1こよって供給ロール6のシャフト62および近傍の案
内機構12に接続し、その対向池端で支持板64によっ
て巻取りロール10のシャフト68および近傍の案内機
構12に接続している。支持板60および64並びに基
板保持体66はステンレス鋼で形成され、カセット構造
のフレームを構成している。あるいは、この自己完備し
た移動性窓装置は基板保持体66を用いることなく支持
体60および64を用いて構成することができる。この
場合、基板保持体は使用する被着反応室内に永久的に設
置される。この基板保持体を用いるか用いないカセット
を用い、第3図の装置を、被着工程前に、フィルム8が
石英窓4の内面6から最適の間隔を保つように反応室内
に設置する。巻取りロール10はこれに回転運動を与え
るための手段に接続している。その他は第3図の装置は
第1図について説明したと同様に動作する。供聯合ロー
ル6のフィルム8がなくなったら、上言己カセットを取
り出し、新しいカセットと交換する。
このカセットはその寸法が反応室の石英窓の寸法と相応
するように、かつフィルム8が石英窓4の内面5に対し
て第1図について説明したように適切な位置を占めるよ
うに構成される。第1図に示した透明窓装置は反応室に
永久的に設置されているが、第3図に示した透明窓装置
は自己完備したものであり、反応室内において取りはず
しおよび交換が可能である。以下、この発明の実施例を
記す。
するように、かつフィルム8が石英窓4の内面5に対し
て第1図について説明したように適切な位置を占めるよ
うに構成される。第1図に示した透明窓装置は反応室に
永久的に設置されているが、第3図に示した透明窓装置
は自己完備したものであり、反応室内において取りはず
しおよび交換が可能である。以下、この発明の実施例を
記す。
実施例
第1図に示した装置を用い、シラン、アンモニアおよび
水銀蒸気の反応によりシリコン基板上に窒化シリコン層
を光化学的に被着した。
水銀蒸気の反応によりシリコン基板上に窒化シリコン層
を光化学的に被着した。
第1図に示した紫外線20の発生源22は波長2537
Aの放射線を発生する一列の低圧水銀蒸気アークランプ
であった。用いたフィルム8は米国ニューヨーク所在の
クレハ・コーポレーションから入手した厚さ25ミクロ
メータのポリフツ化ビニリデンであった。ポリフッ化ビ
ニリデンは2537Aの放射線に対して高透過性(95
%以上)であり、20000まで安定であり、柔軟で、
しかも減圧操作条件の下で汚染物を惨出しないので窒化
シリコンの光化学的気相被着において特に適している。
既述の米国特許出願第910704号と同様の光化学的
気相被着法を用い、場合に応じてアンモニアの事前シラ
ン処理をおこなわずに、反応室2を10‐3Tonに減
圧し、加熱素子28によって基板26を150qoに熱
した。巻取りロール10のシャフトに接続したモータを
駆動し、石英窓4の内面5を横切ってフィルム8を引取
った。ところで、反応体ガスが反応室内に入る点と対向
する反応室の端部に供給ロールを設置することによって
被看の均一性が向上することを見し、出した。
Aの放射線を発生する一列の低圧水銀蒸気アークランプ
であった。用いたフィルム8は米国ニューヨーク所在の
クレハ・コーポレーションから入手した厚さ25ミクロ
メータのポリフツ化ビニリデンであった。ポリフッ化ビ
ニリデンは2537Aの放射線に対して高透過性(95
%以上)であり、20000まで安定であり、柔軟で、
しかも減圧操作条件の下で汚染物を惨出しないので窒化
シリコンの光化学的気相被着において特に適している。
既述の米国特許出願第910704号と同様の光化学的
気相被着法を用い、場合に応じてアンモニアの事前シラ
ン処理をおこなわずに、反応室2を10‐3Tonに減
圧し、加熱素子28によって基板26を150qoに熱
した。巻取りロール10のシャフトに接続したモータを
駆動し、石英窓4の内面5を横切ってフィルム8を引取
った。ところで、反応体ガスが反応室内に入る点と対向
する反応室の端部に供給ロールを設置することによって
被看の均一性が向上することを見し、出した。
今、反応室内のあらゆる点において被着が均一であると
仮定すると、ある時点における移動するフィルムの単位
面積上の付着物量は、供総合ロールが反応体ガスの入っ
て釆る点の近傍に設置されているとして、当該単位面積
の供〉給ロールからの距離に応じて直接変化することと
なる。反応室長を通過した単位面積上の付着物量は供給
ロールから取出されたばかりの単位面積上の付着物量よ
りも多い。また、被着速度は反応室内におけるあらゆる
点において一定であるとは限らず、むしろ反応体ガスの
消失により反応体ガスの入口からの距離に応じてほぼ直
線的に減少することが実験的に観察された。それ故、反
応体ガスの流れと対向する方向にフィルムを移動させる
と、最も高い紫外線透過率を有するフィルム(すなわち
、被着物の最も少ないフィルム)をフィルムがない場合
に最も低い磯着速度を持つ反応室領域に設置することと
なる。こうして、被着の均一性が増大する。今述べた装
置および方法を用い、シリコン基板上に窒化シリコン層
を毎時6000Aの速度で被着した。比較として、従来
法による被着速度は30分間で1000Aであり、1時
間後にも全部で1200Aに増加しただけであった。こ
の発明の装置を用いると彼着速度が大いに向上すること
がわかる。これに加えて、この発明の方法によれば、被
看される物質の量が操作時間とともに大きく減少すると
いう従釆の平衡化問題も回避できる。以上、この発明を
好ましい態様について述べてきたが、この発明はそれに
限定されるものではない。
仮定すると、ある時点における移動するフィルムの単位
面積上の付着物量は、供総合ロールが反応体ガスの入っ
て釆る点の近傍に設置されているとして、当該単位面積
の供〉給ロールからの距離に応じて直接変化することと
なる。反応室長を通過した単位面積上の付着物量は供給
ロールから取出されたばかりの単位面積上の付着物量よ
りも多い。また、被着速度は反応室内におけるあらゆる
点において一定であるとは限らず、むしろ反応体ガスの
消失により反応体ガスの入口からの距離に応じてほぼ直
線的に減少することが実験的に観察された。それ故、反
応体ガスの流れと対向する方向にフィルムを移動させる
と、最も高い紫外線透過率を有するフィルム(すなわち
、被着物の最も少ないフィルム)をフィルムがない場合
に最も低い磯着速度を持つ反応室領域に設置することと
なる。こうして、被着の均一性が増大する。今述べた装
置および方法を用い、シリコン基板上に窒化シリコン層
を毎時6000Aの速度で被着した。比較として、従来
法による被着速度は30分間で1000Aであり、1時
間後にも全部で1200Aに増加しただけであった。こ
の発明の装置を用いると彼着速度が大いに向上すること
がわかる。これに加えて、この発明の方法によれば、被
看される物質の量が操作時間とともに大きく減少すると
いう従釆の平衡化問題も回避できる。以上、この発明を
好ましい態様について述べてきたが、この発明はそれに
限定されるものではない。
特に、この発明は窒化シリコンの光化学的気相被着法に
現定されるものではなく、放射線が透明な窓を介して反
応室内に導入されるところのいかなる方法にも適用でき
る。またフィルムを形成する材料は、所望の光化学反応
を開始するに必要な波長の放射線に対して透過性のフィ
ルムを提供するように選択される。フィルムを窓に対し
て移動させるための手段も上託実施例に限定されるもの
ではなく、その他当業者に明らかな手段を用いることが
できる。さらに、反応室の窓は石英を用いたが、これは
所望の光化学反応に好適ないかなる材料で形成してもよ
い。上記した移動性透明窓装置の大きさも使用する反応
室の大きさに応じて変えることができる。さらにまた、
この発明の方法は上記した装置によって限定されるもの
ではなく、光化学的気相被着反応が生じる所定の囲包領
域または反応室であって、所定の放射線透過フィルムと
上記囲包された領域との間の連続的相対運動を提供して
窓の近傍における反応生成物の不所望な付着によって生
じる放射線の透過に対する抵抗を最小限に抑制するもの
に放射線を照射するためのあらゆる方法を含むものであ
る。
現定されるものではなく、放射線が透明な窓を介して反
応室内に導入されるところのいかなる方法にも適用でき
る。またフィルムを形成する材料は、所望の光化学反応
を開始するに必要な波長の放射線に対して透過性のフィ
ルムを提供するように選択される。フィルムを窓に対し
て移動させるための手段も上託実施例に限定されるもの
ではなく、その他当業者に明らかな手段を用いることが
できる。さらに、反応室の窓は石英を用いたが、これは
所望の光化学反応に好適ないかなる材料で形成してもよ
い。上記した移動性透明窓装置の大きさも使用する反応
室の大きさに応じて変えることができる。さらにまた、
この発明の方法は上記した装置によって限定されるもの
ではなく、光化学的気相被着反応が生じる所定の囲包領
域または反応室であって、所定の放射線透過フィルムと
上記囲包された領域との間の連続的相対運動を提供して
窓の近傍における反応生成物の不所望な付着によって生
じる放射線の透過に対する抵抗を最小限に抑制するもの
に放射線を照射するためのあらゆる方法を含むものであ
る。
また、この発明は反応室の窓を横切って所定のフィルム
を移動させる方法および装置に限定されるものではなく
、フィルムと窓との間の連続的相対運動を提供するあら
ゆる方法および装置をも包含するものである。例えば、
定置フィルムに対して回転する筒状の窓付き反応室もこ
の発明の範囲に属する。最後に、この発明は基板または
目的物上に所定材料の層を連続膜としてではなく所定の
パターン例えば線やストライプ状に被着するための方法
をも包含するものである。このようなパターン層の被着
には、光化学反応用の放射線を被着のおこなわれる基板
または目的物の選択部分のみに照射する必要がある。こ
の場合、放射線を選択部分上に集東させることもできる
し、また例えばステンレス鋼製マスク等のマスクを介し
て照射することができる。あるいは、所定波長のレーザ
光を用いると例えばパターン層彼着用の制限された指向
性放射線が提供される。
を移動させる方法および装置に限定されるものではなく
、フィルムと窓との間の連続的相対運動を提供するあら
ゆる方法および装置をも包含するものである。例えば、
定置フィルムに対して回転する筒状の窓付き反応室もこ
の発明の範囲に属する。最後に、この発明は基板または
目的物上に所定材料の層を連続膜としてではなく所定の
パターン例えば線やストライプ状に被着するための方法
をも包含するものである。このようなパターン層の被着
には、光化学反応用の放射線を被着のおこなわれる基板
または目的物の選択部分のみに照射する必要がある。こ
の場合、放射線を選択部分上に集東させることもできる
し、また例えばステンレス鋼製マスク等のマスクを介し
て照射することができる。あるいは、所定波長のレーザ
光を用いると例えばパターン層彼着用の制限された指向
性放射線が提供される。
第1図はこの発明の移動性透明窓装置を含む光化学的気
相被着装暦の概略図、第2図は第1図に示した移動性透
明窓装置の平面図、第3図はこの発明の他の具体例を示
す概略図。 2・・・・・・被着反応室、4・・・・・・石英窓、5
・・・・・・石英窓の内面、6……供V給ロール、8…
…フィルム、10・・・・・・巻取りロール、12・・
・・・・案内機構、200・・・・・・放射線、22・
・・・・・放射線発生源、24,66…・・・基板保持
体、26・・…・基板、28…・・・加熱素子、34,
36,44・・・・・・容器、60,64…・・・支持
板、62,68,70・・・…シャフト、72・・・…
モータ。 Fig.1. Fig.2. Fig.3.
相被着装暦の概略図、第2図は第1図に示した移動性透
明窓装置の平面図、第3図はこの発明の他の具体例を示
す概略図。 2・・・・・・被着反応室、4・・・・・・石英窓、5
・・・・・・石英窓の内面、6……供V給ロール、8…
…フィルム、10・・・・・・巻取りロール、12・・
・・・・案内機構、200・・・・・・放射線、22・
・・・・・放射線発生源、24,66…・・・基板保持
体、26・・…・基板、28…・・・加熱素子、34,
36,44・・・・・・容器、60,64…・・・支持
板、62,68,70・・・…シャフト、72・・・…
モータ。 Fig.1. Fig.2. Fig.3.
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 所定波長の放射線を透過する窓部材を頂面に有する
反応室を有し、この反応室に設置された基板を加熱しな
がら、該反応室内に導入された反応体ガス混合物に該窓
部材を通して該放射線を照射して減圧下において光化学
反応を生じさせてその反応生成物の層を該基板上に気相
被着させるための装置において、該放射線に対して透明
でありかつ該加熱時の温度下に安定なフイルムであって
該光化学反応生成物の該窓部材上への被着を防止するた
めのものを該窓部材の内面に移動可能に設け、このフイ
ルムを反応室内部に設置された移動手段により、新たな
フイルム面が該窓部材に対向して順次出現するように該
窓部材を横切って移動させるようにしたことを特徴とす
る光化学的気相被着装置。 2 フイルムの移動手段が、窓部材の第1の端部に設け
られたフイルム供給ロールと、窓部材の第2の端部に設
けられたフイルム巻取りロールと、フイルムを窓部材に
対して所定の間隔をもって案内するための、これらロー
ル間に設けられた案内機構とからなり、一端が該巻取り
ロールに接続し、他端が真空シールを介して反応室外部
に設けられた駆動機構に接続したシヤフトを有し、該駆
動機構によりフイルムを供給ロールから巻取りロールへ
と移動させることを特徴とする特許請求の範囲第1項記
載の装置。 3 反応生成物が窒化シリコンであり、所定波長が25
37オングストロームであり、フイルムが厚さ25ミク
ロメーターのポリフツ化ビニリデンよりなる特許請求の
範囲第1項記載の装置。 4 反応室内の減圧を真空発生手段によって発生させる
特許請求の範囲第1項記載の装置。 5 第1端部において第1の支持板によって供給ロール
のシヤフトおよび供給ロール近傍の案内機構に接続し、
かつ第2の端部において第2の支持板によって巻取りロ
ールのシヤフトおよび巻取りロール近傍の案内機構に接
続した基板保持体を具備し、光化学反応生成物の被着さ
れるべき基板を被着工程中に該基板保持体上に設置する
ことを特徴とする特許請求の範囲第2項記載の装置。 6 特定波長の放射線を透過する窓部材を有する囲包さ
れた反応室領域に放射線を通じて気相被着反応を生起さ
せてその気相被着反応生成物を該反応室領域内の基板上
に被着させるための方法であって、(a) 該窓部材を
介して該放射線を該反応室領域に導入して該気相被着反
応をおこなう工程と、(b) 該光化学反応生成物が該
窓部材に付着することを防止するための、放射線透過性
フイルムを該反応室領域内で該窓部材近傍に設置する工
程と、(c) 該フイルムと該窓部材とを連続的に相対
的に移動させる工程を具備することを特徴とする光化学
的気相被着方法。 7 放射線を窓部材およびフイルムの所定部分を介して
基板の所定部分に照射して、反応生成物の所望パターン
層を基板上に形成することを特徴とする特許請求の範囲
第6項記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US63213 | 1979-08-02 | ||
| US06/063,213 US4265932A (en) | 1979-08-02 | 1979-08-02 | Mobile transparent window apparatus and method for photochemical vapor deposition |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5635425A JPS5635425A (en) | 1981-04-08 |
| JPS606540B2 true JPS606540B2 (ja) | 1985-02-19 |
Family
ID=22047718
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55105220A Expired JPS606540B2 (ja) | 1979-08-02 | 1980-08-01 | 光化学的気相被着装置および方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4265932A (ja) |
| JP (1) | JPS606540B2 (ja) |
| IL (1) | IL60501A (ja) |
Families Citing this family (37)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5875828A (ja) * | 1981-10-30 | 1983-05-07 | Ushio Inc | 被膜形成方法 |
| US4474829A (en) * | 1981-11-23 | 1984-10-02 | Hughes Aircraft Company | Low-temperature charge-free process for forming native oxide layers |
| JPS5895818A (ja) * | 1981-12-02 | 1983-06-07 | Ushio Inc | 被膜形成方法 |
| JPS58110042A (ja) * | 1981-12-24 | 1983-06-30 | Fujitsu Ltd | ビ−ム照射装置 |
| US4652463A (en) * | 1982-03-29 | 1987-03-24 | Hughes Aircraft | Process for depositing a conductive oxide layer |
| US4435445A (en) * | 1982-05-13 | 1984-03-06 | Energy Conversion Devices, Inc. | Photo-assisted CVD |
| US4513057A (en) * | 1982-06-10 | 1985-04-23 | Hughes Aircraft Company | Process for forming sulfide layers |
| US4447469A (en) * | 1982-06-10 | 1984-05-08 | Hughes Aircraft Company | Process for forming sulfide layers by photochemical vapor deposition |
| JPS59140365A (ja) * | 1983-02-01 | 1984-08-11 | Ushio Inc | 光化学蒸着装置 |
| JPS59222922A (ja) * | 1983-06-01 | 1984-12-14 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 気相成長装置 |
| DE3407089A1 (de) * | 1984-02-27 | 1985-08-29 | Siemens Ag | Verfahren und vorrichtung zur lichtinduzierten, fotolytischen abscheidung |
| JPS60211847A (ja) * | 1984-04-05 | 1985-10-24 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | 絶縁膜の形成方法 |
| JPS60241918A (ja) * | 1984-05-16 | 1985-11-30 | Stanley Electric Co Ltd | アモルフアス・シリコン成膜プロセス中に副生成物として発生する粉塵の処理方法および装置 |
| US4597986A (en) * | 1984-07-31 | 1986-07-01 | Hughes Aircraft Company | Method for photochemical vapor deposition |
| US4615294A (en) * | 1984-07-31 | 1986-10-07 | Hughes Aircraft Company | Barrel reactor and method for photochemical vapor deposition |
| US4702936A (en) * | 1984-09-20 | 1987-10-27 | Applied Materials Japan, Inc. | Gas-phase growth process |
| US6786997B1 (en) | 1984-11-26 | 2004-09-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Plasma processing apparatus |
| JPH0752718B2 (ja) | 1984-11-26 | 1995-06-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 薄膜形成方法 |
| US4590091A (en) * | 1984-12-17 | 1986-05-20 | Hughes Aircraft Company | Photochemical process for substrate surface preparation |
| JPS61210633A (ja) * | 1985-03-15 | 1986-09-18 | Hitachi Ltd | 真空装置 |
| US4654226A (en) * | 1986-03-03 | 1987-03-31 | The University Of Delaware | Apparatus and method for photochemical vapor deposition |
| JPS63246814A (ja) * | 1987-04-02 | 1988-10-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜形成装置 |
| US4816294A (en) * | 1987-05-04 | 1989-03-28 | Midwest Research Institute | Method and apparatus for removing and preventing window deposition during photochemical vapor deposition (photo-CVD) processes |
| JPH02175878A (ja) * | 1988-12-28 | 1990-07-09 | Canon Inc | 改良されたマイクロ波導入窓を有するマイクロ波プラズマcvd装置 |
| JP2714247B2 (ja) * | 1990-10-29 | 1998-02-16 | キヤノン株式会社 | マイクロ波プラズマcvd法による大面積の機能性堆積膜を連続的に形成する方法及び装置 |
| JP2824808B2 (ja) * | 1990-11-16 | 1998-11-18 | キヤノン株式会社 | マイクロ波プラズマcvd法による大面積の機能性堆積膜を連続的に形成する装置 |
| JP2895683B2 (ja) * | 1992-07-30 | 1999-05-24 | 住友電気工業株式会社 | 酸化物超電導膜製造装置 |
| JPH0828336B2 (ja) * | 1992-11-30 | 1996-03-21 | 工業技術院長 | 光励起化学蒸着式薄膜形成装置 |
| JP3474602B2 (ja) | 1993-05-07 | 2003-12-08 | 住友電気工業株式会社 | 超電導導体 |
| US5728224A (en) * | 1995-09-13 | 1998-03-17 | Tetra Laval Holdings & Finance S.A. | Apparatus and method for manufacturing a packaging material using gaseous phase atmospheric photo chemical vapor deposition to apply a barrier layer to a moving web substrate |
| DE19901088B4 (de) * | 1999-01-14 | 2008-11-27 | Applied Materials Gmbh & Co. Kg | Vorrichtung zum Behandeln eines bandförmigen Substrates mit einem Gas |
| KR100934679B1 (ko) * | 2000-10-17 | 2009-12-31 | 네오포토닉스 코포레이션 | 반응성 증착에 의한 코팅 형성 |
| KR100432513B1 (ko) * | 2001-09-11 | 2004-05-22 | 한국과학기술원 | 광여기 공정 장치 및 방법 |
| US20050042136A1 (en) * | 2003-08-18 | 2005-02-24 | Marganski Paul J. | Colorimetric gas detector and windowed process chamber |
| TWI477646B (zh) * | 2010-08-09 | 2015-03-21 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | 化學氣相沉積設備 |
| US20140357092A1 (en) * | 2013-06-04 | 2014-12-04 | Lam Research Corporation | Chamber wall of a plasma processing apparatus including a flowing protective liquid layer |
| JP2015086417A (ja) * | 2013-10-29 | 2015-05-07 | 株式会社 セルバック | 誘導結合プラズマcvd装置 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3139352A (en) * | 1962-08-08 | 1964-06-30 | Du Pont | Process of using a masking coating of a telomer of tetrafluoroethylene |
| US3383238A (en) * | 1965-05-27 | 1968-05-14 | Unzicker Arlyn Eugene | Method and apparatus of controlling thin film deposition in a vacuum |
| NL6707515A (ja) * | 1967-05-31 | 1968-12-02 | ||
| US3740257A (en) * | 1971-09-21 | 1973-06-19 | Ppg Industries Inc | Process and apparatus for dielectric heat drying elastomer coated glass fibers |
| US3799792A (en) * | 1971-12-14 | 1974-03-26 | Texas Instruments Inc | Vapor deposition method |
| US4022928A (en) * | 1975-05-22 | 1977-05-10 | Piwcyzk Bernhard P | Vacuum deposition methods and masking structure |
-
1979
- 1979-08-02 US US06/063,213 patent/US4265932A/en not_active Expired - Lifetime
-
1980
- 1980-07-04 IL IL60501A patent/IL60501A/xx unknown
- 1980-08-01 JP JP55105220A patent/JPS606540B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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| US4265932A (en) | 1981-05-05 |
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