JPS607382B2 - 減圧エツチング方法 - Google Patents
減圧エツチング方法Info
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- JPS607382B2 JPS607382B2 JP10302275A JP10302275A JPS607382B2 JP S607382 B2 JPS607382 B2 JP S607382B2 JP 10302275 A JP10302275 A JP 10302275A JP 10302275 A JP10302275 A JP 10302275A JP S607382 B2 JPS607382 B2 JP S607382B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- reduced pressure
- semiconductor wafer
- decompression
- etching method
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は減圧エッチング方法に関し、とくにエッチング
時に生じる微小気泡を自然脱泡させる減圧エッチング方
法に関する。
時に生じる微小気泡を自然脱泡させる減圧エッチング方
法に関する。
たとえば、半導体ウェーハのアルミニューム配線をエッ
チングにより形成する方法としては、第１図ａに示すよ
うに、傾斜面１にそって半導体ウェーハ２を整列配置し
、この傾斜面１に方向よりエッチング液３を放出させて
エッチングする方法。
チングにより形成する方法としては、第１図ａに示すよ
うに、傾斜面１にそって半導体ウェーハ２を整列配置し
、この傾斜面１に方向よりエッチング液３を放出させて
エッチングする方法。
または第１図ｂに示すように、平面４に沿って半導体ゥ
ェーハ２を配置し、この平面４の上方より加圧したエッ
チング液３を吹きつけてエッチングする方法などが知ら
れている。このように半導体ゥェーハ２にエッチング液
３をぶつけてエッチングする理由は、エッチング時に半
導体ゥェーハ２とエッチング液３との化学反応によりた
とえば水素（比）が発生し微小な気泡を生ずることから
、この気泡をエッチング液３の流水の力によって除去す
ることにある。
ェーハ２を配置し、この平面４の上方より加圧したエッ
チング液３を吹きつけてエッチングする方法などが知ら
れている。このように半導体ゥェーハ２にエッチング液
３をぶつけてエッチングする理由は、エッチング時に半
導体ゥェーハ２とエッチング液３との化学反応によりた
とえば水素（比）が発生し微小な気泡を生ずることから
、この気泡をエッチング液３の流水の力によって除去す
ることにある。
しかしながら、前述した従来のエッチング方法において
は、発生した微小気泡を容易かつ充分に取り去ることが
できなかった。
は、発生した微小気泡を容易かつ充分に取り去ることが
できなかった。
この理由としては、エッチング液３の流水の力で気泡を
取り除く場合に、どうしてもこの流水の力に浴さない部
分できるために、その部分に気泡が残る事が考えられる
。また、従来のエッチング方法においては、額斜面１、
平面４に半導体ウェーハ２を沿わせて整列した姿勢にお
くため、スペースに限定があり、半導体ウェーハ２の処
理量に限度がある。
取り除く場合に、どうしてもこの流水の力に浴さない部
分できるために、その部分に気泡が残る事が考えられる
。また、従来のエッチング方法においては、額斜面１、
平面４に半導体ウェーハ２を沿わせて整列した姿勢にお
くため、スペースに限定があり、半導体ウェーハ２の処
理量に限度がある。
さらに従来のエッチング方法においては、半導体ウェー
ハ２の形状および姿勢の影響をうけるさめにエッチング
作業の自動化が難しかった。
ハ２の形状および姿勢の影響をうけるさめにエッチング
作業の自動化が難しかった。
本発明は以上のような従来の欠点を解消するものであっ
て、その目的とするところは、１ エッチング時の化学
反応によって生ずる気泡を容易に除去できる減圧エッチ
ング方法を提供するにある。
て、その目的とするところは、１ エッチング時の化学
反応によって生ずる気泡を容易に除去できる減圧エッチ
ング方法を提供するにある。
２ エッチング処理量の増大を図る減圧エッチング方法
を提供するにある。
を提供するにある。
３ エッチング作業の自動化を図る減圧エッチング方法
を提供するにあるこのような目的を達成する本発明の基
本的な構成は、減圧室内において半導体部品のエッチン
グ処理を行うエッチング方法であって、以下図面に示す
実施例により本発明を詳細に説明する。
を提供するにあるこのような目的を達成する本発明の基
本的な構成は、減圧室内において半導体部品のエッチン
グ処理を行うエッチング方法であって、以下図面に示す
実施例により本発明を詳細に説明する。
第２図は本発明の減圧エッチング方法を実施する場合に
用いる減圧エッチング装置の一部を段階断面し一部を簡
略した斜視図である。同図において、この減圧エッチン
グ装置６は減圧室７ａを内蔵するエッチングタンク７を
備えており、この減圧室７ａは減圧ポンプ８により圧力
を５０Ｔｏｒｒ〜３００Ｔｏｎにおいている。また減圧
室７ａと減圧ポンプ８をつなぐ蓮通パイプ９にはトラツ
プ１０およびリークバルブ１１を設けて、減圧室７ａ内
に発生する気体（ガス）を取り出し、減圧室７ａを開く
前にリークするようにしている。そして、前記減圧室７
ａの底にはエッチング液１２を貯めており、エッチング
処理に充分な量を有している。また減圧室７ａの下方に
はエッチング液１２を最も活動しやすい温度（４０００
〜６０午○）に保っておくように恒温器１３を備えてい
る。このような減圧エッチング装置６を用いての本発明
の減圧エッチング方法をつぎに説明する。
用いる減圧エッチング装置の一部を段階断面し一部を簡
略した斜視図である。同図において、この減圧エッチン
グ装置６は減圧室７ａを内蔵するエッチングタンク７を
備えており、この減圧室７ａは減圧ポンプ８により圧力
を５０Ｔｏｒｒ〜３００Ｔｏｎにおいている。また減圧
室７ａと減圧ポンプ８をつなぐ蓮通パイプ９にはトラツ
プ１０およびリークバルブ１１を設けて、減圧室７ａ内
に発生する気体（ガス）を取り出し、減圧室７ａを開く
前にリークするようにしている。そして、前記減圧室７
ａの底にはエッチング液１２を貯めており、エッチング
処理に充分な量を有している。また減圧室７ａの下方に
はエッチング液１２を最も活動しやすい温度（４０００
〜６０午○）に保っておくように恒温器１３を備えてい
る。このような減圧エッチング装置６を用いての本発明
の減圧エッチング方法をつぎに説明する。
まず、エッチングの対象物であるところの半導体ウェー
ハ１４を横形カートリッジ１５に並列して並べ入れ、こ
の横形カートリッジ１５を減圧室７ａ内のエッチング液
１２中に浸糟する。このカートリッジ１５を減圧室７ａ
内に入れる場合には、エッチングタンク７の上蓋７ｂを
あげ挿入し、再び上蓋７ｂをとじてから減圧ポンプ８を
働かして減圧室７ａの減圧を図り、半導体ウェーハ１４
のエッチングを開始する。そして半導体ウェーハ１４と
エッチング液３との化学反応によりエッチングが始まる
と、たとえばアルミニュームェッチングの場合水素（日
２）ガスが生じ、この水素（比）ガスはエッチング液３
中で微小気泡となり、さらに減圧をうけることにより、
この微小気泡は大きくなり、半導体ゥェーハ１４より離
れ減圧室７ａの上部に昇り運通パイプ９を介して排気さ
れる。なお、半導体ゥヱーハ１４を納めるカートリッジ
は横形カートリッジ１５でなくともよく、縦形カートリ
ッジ（図示せず）であってもよい。
ハ１４を横形カートリッジ１５に並列して並べ入れ、こ
の横形カートリッジ１５を減圧室７ａ内のエッチング液
１２中に浸糟する。このカートリッジ１５を減圧室７ａ
内に入れる場合には、エッチングタンク７の上蓋７ｂを
あげ挿入し、再び上蓋７ｂをとじてから減圧ポンプ８を
働かして減圧室７ａの減圧を図り、半導体ウェーハ１４
のエッチングを開始する。そして半導体ウェーハ１４と
エッチング液３との化学反応によりエッチングが始まる
と、たとえばアルミニュームェッチングの場合水素（日
２）ガスが生じ、この水素（比）ガスはエッチング液３
中で微小気泡となり、さらに減圧をうけることにより、
この微小気泡は大きくなり、半導体ゥェーハ１４より離
れ減圧室７ａの上部に昇り運通パイプ９を介して排気さ
れる。なお、半導体ゥヱーハ１４を納めるカートリッジ
は横形カートリッジ１５でなくともよく、縦形カートリ
ッジ（図示せず）であってもよい。
この場合、半導体ウェーハ１４は垂直方向に並列して並
ぶからエッチングタンク７も縦長になる。なお、前記実
施例においては、半導体ウェーハ１４をカートリッジ１
５に納めてエッチングする方法を例示したが、前記ウェ
ーハ１４のエッチングは第３図に示すように、ウェーハ
１４を回転テーブル１６の平面１６ａにそって配置し、
この平面１６ａの上方よりエッチング液１７を供給し、
これらを減圧室１８内に内蔵してエッチング処理する方
法を用いてもよい。この場合にはウェーハ１４にエッチ
ング液１７をまんべんなくゆき渡らせることができる。
以上の説明から明らかなように本発明によれば、半導体
ウェーハのエッチング処理を減圧室内で行っているから
、ウェーハとエッチング液の化学反応により生ずる水素
（広）などの微小気泡は減圧作用により大きくなり浮力
を増し、ウェーハの表面より浮き上がり脱泡を自然に行
わせることができる。
ぶからエッチングタンク７も縦長になる。なお、前記実
施例においては、半導体ウェーハ１４をカートリッジ１
５に納めてエッチングする方法を例示したが、前記ウェ
ーハ１４のエッチングは第３図に示すように、ウェーハ
１４を回転テーブル１６の平面１６ａにそって配置し、
この平面１６ａの上方よりエッチング液１７を供給し、
これらを減圧室１８内に内蔵してエッチング処理する方
法を用いてもよい。この場合にはウェーハ１４にエッチ
ング液１７をまんべんなくゆき渡らせることができる。
以上の説明から明らかなように本発明によれば、半導体
ウェーハのエッチング処理を減圧室内で行っているから
、ウェーハとエッチング液の化学反応により生ずる水素
（広）などの微小気泡は減圧作用により大きくなり浮力
を増し、ウェーハの表面より浮き上がり脱泡を自然に行
わせることができる。
したがって、気泡がエッチングを妨げ、半導体ゥェーハ
のエッチング不良の発生を防止できる。また、本発明に
よれば、半導体ウェーハを対向させて多数個並列して並
べた状態でエッチング処理できるから、半導体ウェーハ
のエッチング処理能力を大幅に増大することができる。
のエッチング不良の発生を防止できる。また、本発明に
よれば、半導体ウェーハを対向させて多数個並列して並
べた状態でエッチング処理できるから、半導体ウェーハ
のエッチング処理能力を大幅に増大することができる。
さらに本発明によれば、半導体ウェーハの形状および姿
勢の影響をうけないことから、充分にエッチング作業の
自動化が図れるなど数々の効果が得られる。
勢の影響をうけないことから、充分にエッチング作業の
自動化が図れるなど数々の効果が得られる。
第１図ａ，ｂは従来のエッチング方法を示す説明図、第
２図は本発明の減圧エッチング方法を実施する場合に用
いる減圧エッチング装置一部を段階断面し一部を瓶略し
た斜視図、第３図は減圧エッチング装置の他の実施例を
示す一部を断面した斜視図である。 １・・・…傾斜面、２・・・・・・半導体ウェーハ、３
・・・…エッチング液、４・・・…平面、６・・・・・
・減圧エッチング装置、７・・・・・・エッチングタン
ク、８・・…・減圧ポンプ、９・・・・・・連通パイプ
、１０…・・・トラツプ、１１……リークバルブ、１２
……エッチング液、１３・・・・・・恒温器、１４・…
・・半導体ウェーハ、１５・・・・・・横形力−トリツ
ジ、１６・・・・・・回転テーブル、１６ａ・１・・・
・・平面、１７・・・・・・エッチング液、１８…・・
・減圧室。 第１図 第２図 第３図
２図は本発明の減圧エッチング方法を実施する場合に用
いる減圧エッチング装置一部を段階断面し一部を瓶略し
た斜視図、第３図は減圧エッチング装置の他の実施例を
示す一部を断面した斜視図である。 １・・・…傾斜面、２・・・・・・半導体ウェーハ、３
・・・…エッチング液、４・・・…平面、６・・・・・
・減圧エッチング装置、７・・・・・・エッチングタン
ク、８・・…・減圧ポンプ、９・・・・・・連通パイプ
、１０…・・・トラツプ、１１……リークバルブ、１２
……エッチング液、１３・・・・・・恒温器、１４・…
・・半導体ウェーハ、１５・・・・・・横形力−トリツ
ジ、１６・・・・・・回転テーブル、１６ａ・１・・・
・・平面、１７・・・・・・エッチング液、１８…・・
・減圧室。 第１図 第２図 第３図
Claims (1)
- １ 被エツチング部品をケミカルエツチングによりエツ
チングする方法において、被エツチング部品とエツチン
グ液とのケミカル反応処理を減圧室にて行うようにした
減圧エツチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10302275A JPS607382B2 (ja) | 1975-08-27 | 1975-08-27 | 減圧エツチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10302275A JPS607382B2 (ja) | 1975-08-27 | 1975-08-27 | 減圧エツチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5227370A JPS5227370A (en) | 1977-03-01 |
| JPS607382B2 true JPS607382B2 (ja) | 1985-02-23 |
Family
ID=14343006
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10302275A Expired JPS607382B2 (ja) | 1975-08-27 | 1975-08-27 | 減圧エツチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS607382B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015088963A (ja) * | 2013-10-31 | 2015-05-07 | セイコーエプソン株式会社 | 振動片の製造方法、振動子、電子機器、および移動体 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59202630A (ja) * | 1983-05-02 | 1984-11-16 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JP2001319919A (ja) * | 2000-05-08 | 2001-11-16 | Tokyo Electron Ltd | 半導体装置の製造方法及び処理装置 |
-
1975
- 1975-08-27 JP JP10302275A patent/JPS607382B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015088963A (ja) * | 2013-10-31 | 2015-05-07 | セイコーエプソン株式会社 | 振動片の製造方法、振動子、電子機器、および移動体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5227370A (en) | 1977-03-01 |
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