JPS607386B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS607386B2 JPS607386B2 JP13409476A JP13409476A JPS607386B2 JP S607386 B2 JPS607386 B2 JP S607386B2 JP 13409476 A JP13409476 A JP 13409476A JP 13409476 A JP13409476 A JP 13409476A JP S607386 B2 JPS607386 B2 JP S607386B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- terminal
- glass
- pellet
- semiconductor
- semiconductor pellet
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- Expired
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電流制御用半導体装置に関し、特にガラスモー
ルドにより、半導体装置の電気的および機械的な安定性
を保ち、信頼性が高くかつ、安価な電流制御用半導体装
置に関するものである。
ルドにより、半導体装置の電気的および機械的な安定性
を保ち、信頼性が高くかつ、安価な電流制御用半導体装
置に関するものである。
一般にサィリス夕と呼ばれる電流制御用半導体装置は、
ｐ−ｎ−ｐ−ｎの４つの不純物層よりなるシリコンペレ
ツトに、カソード端子、アノード端子、ゲート端子を取
りつけ、接合部にはガラス被膜またはワニスなどの電気
的に安定な絶縁物で覆い、さらに機械的な応力から装置
の破壊を防止するため、全体をレジンモールドまたはケ
ースの中に封じ込む方法がとられている。しかし、レジ
ンモールド形では、レジンと金属との熱膨脹係数の差に
より、モールドされた内部で接着部の剥離や断線などの
問題を生じると共に、金属としジンとの接着性が悪いた
め、その部分より水分が入り、端湿性に問題がある。
ｐ−ｎ−ｐ−ｎの４つの不純物層よりなるシリコンペレ
ツトに、カソード端子、アノード端子、ゲート端子を取
りつけ、接合部にはガラス被膜またはワニスなどの電気
的に安定な絶縁物で覆い、さらに機械的な応力から装置
の破壊を防止するため、全体をレジンモールドまたはケ
ースの中に封じ込む方法がとられている。しかし、レジ
ンモールド形では、レジンと金属との熱膨脹係数の差に
より、モールドされた内部で接着部の剥離や断線などの
問題を生じると共に、金属としジンとの接着性が悪いた
め、その部分より水分が入り、端湿性に問題がある。
一方、ケースに封じ込むキャンタィプでは、部品の値段
が高く、製造工程も複雑となり、コスト的な問題がある
。
が高く、製造工程も複雑となり、コスト的な問題がある
。
本発明は上記欠点を改善するためになされたもので、そ
の特徴とするところは、電気的な保護と機械的な保護を
半導体べレットをガラスモールドすることにより行った
ことにある。
の特徴とするところは、電気的な保護と機械的な保護を
半導体べレットをガラスモールドすることにより行った
ことにある。
図は本発明により製造したガラスモールド型サイリスタ
の一実施例を示す概略構造図である。
の一実施例を示す概略構造図である。
以下、図に従い発明の詳細を説明する。半導体べレット
５は、一般のサィリスタと同様不純物を拡散することに
よって、ｐ形のヱミッタ層５一ａ，ｎ形のベース層５−
ｂ，ｐ形のベース層５−ｃ，ｎ形のェミツタ層５一ｄよ
りなっている中央部よりゲート端子を取り出すセンター
ゲート方式と呼ばれる構造となっている。
５は、一般のサィリスタと同様不純物を拡散することに
よって、ｐ形のヱミッタ層５一ａ，ｎ形のベース層５−
ｂ，ｐ形のベース層５−ｃ，ｎ形のェミツタ層５一ｄよ
りなっている中央部よりゲート端子を取り出すセンター
ゲート方式と呼ばれる構造となっている。
この半導体べレットのｐ形の層５一ａにはＭｏ，Ｗなど
のアノード端子２がアルミニウムなどのろう材４でろう
接され、そのァノード端子２の半導体べレット５と接し
ない反対側には、外部回路と接続するためのアノードリ
ードーが、溶接、ろう俵などによりつけられる。
のアノード端子２がアルミニウムなどのろう材４でろう
接され、そのァノード端子２の半導体べレット５と接し
ない反対側には、外部回路と接続するためのアノードリ
ードーが、溶接、ろう俵などによりつけられる。
半導体べレット５の反対側のｐ形層５一ｃには、鉄・ニ
ッケル合金などのゲート端子８が鉛系の半田などのろう
材６ａで接着する。
ッケル合金などのゲート端子８が鉛系の半田などのろう
材６ａで接着する。
又、ｎ形層５−ｄには、鉄・ニッケル合金などのカソー
ド端子７が鉛系の半田などのろう村６ｂで接着する。こ
のゲート端子８とカソード端子７は、あらかじめガラス
・セラミックなどの高温の絶縁物９で同心的に一体化し
ておく。この絶縁物は、後で行うガラス３でモールドす
るとき即ち、スラリーガラスを巻付け、焼結して、モー
ルドガラスとするときのモ−ルド温度以上の端熱性を有
していることが望ましい。また、カソード端子７−、ゲ
ート端子８を半田でろう付する時、半田はシリコンとの
ぬれ性が低いので、半導体べレット５としてシリコンを
用いる時は、予め、半田付するシリコンペレットに金属
膜を設けておくと良い。半導体べレット５と合金化する
ろう材に例えば、アルミニウムを用いる時は、金属膜は
不用である。次に、化学的なエッチング液により、ベレ
ット端面をエッチングした後に、アノード端子２、半導
体べレット５、カソード端子７の部分に、モールド用ガ
ラス３を巻き、高温で焼成する。
ド端子７が鉛系の半田などのろう村６ｂで接着する。こ
のゲート端子８とカソード端子７は、あらかじめガラス
・セラミックなどの高温の絶縁物９で同心的に一体化し
ておく。この絶縁物は、後で行うガラス３でモールドす
るとき即ち、スラリーガラスを巻付け、焼結して、モー
ルドガラスとするときのモ−ルド温度以上の端熱性を有
していることが望ましい。また、カソード端子７−、ゲ
ート端子８を半田でろう付する時、半田はシリコンとの
ぬれ性が低いので、半導体べレット５としてシリコンを
用いる時は、予め、半田付するシリコンペレットに金属
膜を設けておくと良い。半導体べレット５と合金化する
ろう材に例えば、アルミニウムを用いる時は、金属膜は
不用である。次に、化学的なエッチング液により、ベレ
ット端面をエッチングした後に、アノード端子２、半導
体べレット５、カソード端子７の部分に、モールド用ガ
ラス３を巻き、高温で焼成する。
モールド用ガラス３は、半導体べレット５およびＭｏ，
Ｗなどのアノード端子２に熱膨脹係数の近いものを使用
することにより、半導体べレット５およびモールドガラ
ス３の破損を防止できる。一方、カソード端子７に、ガ
ラス３と熱膨脹係数が異なるものを使用するときは、カ
ソード端子７とモールドガラス３は接着させずに、ダブ
ルフランジ構造とすることで、熱膨咳腹係数差を利用し
て、ガラスを両フランジ間で圧着することにより、気密
性を向上する。このカソード端子７はＭｏ，Ｗなどのガ
ラス３に熱膨脹係数の近い材質を使用するときは、ガラ
ス３と接着させることができる。
Ｗなどのアノード端子２に熱膨脹係数の近いものを使用
することにより、半導体べレット５およびモールドガラ
ス３の破損を防止できる。一方、カソード端子７に、ガ
ラス３と熱膨脹係数が異なるものを使用するときは、カ
ソード端子７とモールドガラス３は接着させずに、ダブ
ルフランジ構造とすることで、熱膨咳腹係数差を利用し
て、ガラスを両フランジ間で圧着することにより、気密
性を向上する。このカソード端子７はＭｏ，Ｗなどのガ
ラス３に熱膨脹係数の近い材質を使用するときは、ガラ
ス３と接着させることができる。
図では、センターゲート型サィリスタを示したが、周辺
ゲート型サィリス夕、サイドゲート型サィリスタなどに
も適用できるものであり、サィリスタのみならず、トラ
ンジスタにも適用できる。
ゲート型サィリス夕、サイドゲート型サィリスタなどに
も適用できるものであり、サィリスタのみならず、トラ
ンジスタにも適用できる。
この場合、カソード端子を中心、ゲート端子が外側に位
置するように同０的に配置し、両端子を半導体べレット
５の所定個所をろう付し、その余の半導体べレットの表
面は、絶縁膜で覆っておけば両端子間の短絡の問題はな
い。本発明によれば、半導体べレット表面は電気的に特
性安定なガラス封止となるため、高信頼性であり、この
モールドガラスが機械的な保護もするため、組立工程が
容易となり、低コストの半導体装置を得ることができる
。
置するように同０的に配置し、両端子を半導体べレット
５の所定個所をろう付し、その余の半導体べレットの表
面は、絶縁膜で覆っておけば両端子間の短絡の問題はな
い。本発明によれば、半導体べレット表面は電気的に特
性安定なガラス封止となるため、高信頼性であり、この
モールドガラスが機械的な保護もするため、組立工程が
容易となり、低コストの半導体装置を得ることができる
。
図は、本発明による電流制御用半導体装置の−実施例を
示す概略構造図である。 １・・・アノードリード、２・・・アノード端子、３・
・・モールドガラス、４・・・ろう材、５・・・半導体
べレット、６ａ，６ｂ・・・ろう材、７・・・カソード
端子、８・・・ゲート端子、９・・・絶縁物。
示す概略構造図である。 １・・・アノードリード、２・・・アノード端子、３・
・・モールドガラス、４・・・ろう材、５・・・半導体
べレット、６ａ，６ｂ・・・ろう材、７・・・カソード
端子、８・・・ゲート端子、９・・・絶縁物。
Claims (1)
- １ 半導体ペレツトとそのペレツトにろう付されるカソ
ード端子、アノード端子、ゲート端子を有する半導体装
置において、カソード端子とゲート端子は絶縁物を介し
て同心的に一体構造を有しており、これと、半導体ペレ
ツト、およびアノード端子をろう付け後、一体化してい
るカソード端子とゲート端子のうちの外側の端子、アノ
ード端子、半導体ペレツト部をガラスでモールドしたこ
とを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13409476A JPS607386B2 (ja) | 1976-11-10 | 1976-11-10 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13409476A JPS607386B2 (ja) | 1976-11-10 | 1976-11-10 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5360176A JPS5360176A (en) | 1978-05-30 |
| JPS607386B2 true JPS607386B2 (ja) | 1985-02-23 |
Family
ID=15120283
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13409476A Expired JPS607386B2 (ja) | 1976-11-10 | 1976-11-10 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS607386B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6053279A (ja) * | 1983-08-30 | 1985-03-26 | Nippon Pisuko:Kk | 弾性体スリ−ブ |
| JPS63172087A (ja) * | 1986-12-29 | 1988-07-15 | 株式会社 日本ピスコ | 管継手 |
-
1976
- 1976-11-10 JP JP13409476A patent/JPS607386B2/ja not_active Expired
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6053279A (ja) * | 1983-08-30 | 1985-03-26 | Nippon Pisuko:Kk | 弾性体スリ−ブ |
| JPS63172087A (ja) * | 1986-12-29 | 1988-07-15 | 株式会社 日本ピスコ | 管継手 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5360176A (en) | 1978-05-30 |
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