JPS608581B2 - Blanking device in electron optical system - Google Patents
Blanking device in electron optical systemInfo
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- JPS608581B2 JPS608581B2 JP55020638A JP2063880A JPS608581B2 JP S608581 B2 JPS608581 B2 JP S608581B2 JP 55020638 A JP55020638 A JP 55020638A JP 2063880 A JP2063880 A JP 2063880A JP S608581 B2 JPS608581 B2 JP S608581B2
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement or ion-optical arrangement
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電子光学系のプランキング装置に係り、特に電
子線描画装置に使用するに好適なプランキング装置に関
する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to an electron optical planking device, and particularly to a planking device suitable for use in an electron beam lithography system.
第1図は電子光学系における従来のプランキング装置の
一例である。FIG. 1 is an example of a conventional planking device in an electron optical system.
電子銃2より発生した電子線1は縮小レンズ3によって
小さなビーム状に絞られ、対物レンズ6によって試料8
の表面に焦点を結ぶ。一方、電子線1は偏向レンズ7に
よって左右、前後に偏向され、試料8の表面を自由に走
査することができる。さらに、プランキング信号線13
を介してプランキング板4,4に供給されるプランキン
グ信号14の変化により「 2枚のプランキング板4,
4間の電界が変化するので、これにつれて電子線1が、
偏向されてプランキング絞り5に当たり、試料8の照射
、非照射が制御できる。An electron beam 1 generated from an electron gun 2 is focused into a small beam by a reducing lens 3, and is focused on a sample 8 by an objective lens 6.
Focus on the surface. On the other hand, the electron beam 1 is deflected left and right, front and back by the deflection lens 7, and can freely scan the surface of the sample 8. Furthermore, planking signal line 13
Due to changes in the planking signal 14 supplied to the planking plates 4, 4 via the planking plates 4, 4,
As the electric field between 4 changes, the electron beam 1 changes as
It is deflected and hits the planking diaphragm 5, and irradiation or non-irradiation of the sample 8 can be controlled.
これらの電子光学系を収納する鏡体9は、真空および外
部磁場の影響等を考慮し、通常は金属で作られる。The mirror body 9 that houses these electron optical systems is usually made of metal, taking into account the effects of vacuum and external magnetic fields.
/また、鏡体9は下部において接地点loで大地に接続
される。第2図は、第1図のプランキング装置の部分を
拡大した図である。/ Also, the mirror body 9 is connected to the ground at the ground point lo at the lower part. FIG. 2 is an enlarged view of the planking device shown in FIG. 1.
プランキング信号14はハーメチックシール12を通し
、プランキング信号線13を経てプランキング板4に加
えられる。The planking signal 14 passes through the hermetic seal 12 and is applied to the planking plate 4 via the planking signal line 13.
プランキング板4の左側の板にプラスの電圧が加えられ
、右側の板が接地状態の時、電子線1は左側の板により
引かれ、下方のプランキング絞り5の左側に当る。反対
に、プランキング板4の左側に接地、右側にプラスの電
圧が加えられると、プランキング絞り5の右側に電子線
1は当たる。When a positive voltage is applied to the left side plate of the planking plate 4 and the right side plate is grounded, the electron beam 1 is drawn by the left side plate and hits the left side of the planking aperture 5 below. On the contrary, when the left side of the planking plate 4 is grounded and the right side is applied with a positive voltage, the electron beam 1 hits the right side of the planking aperture 5.
また、プランキング電圧が加えられないときは、電子線
1はプランキング絞り5を通過して試料8に達する。こ
のようにして、プランキング、アンプランキングの制御
ができる。なお、プランキング板4は、絶縁物11によ
り、鏡体9から絶縁されてささえられている。第3図は
、プランキング信号発生回路の機能図である。Further, when no planking voltage is applied, the electron beam 1 passes through the planking aperture 5 and reaches the sample 8. In this way, planking and amp ranking can be controlled. Note that the planking plate 4 is supported while being insulated from the mirror body 9 by an insulator 11. FIG. 3 is a functional diagram of the planking signal generation circuit.
プランキングスイッチ15の開閉動作により、プランキ
ング信号14は、プランキング電圧16になったり、接
地電圧になったりする。接地電圧のときは、アンプラン
キング状態であり、電子線1はプランキング絞り5の中
心を通って試料に照射される。なお、負荷抵抗Rはプラ
ンキングスイッチ15の電流制限抵抗である。このプラ
ンキングスイッチ16の開閉は〜電子線描画装置におい
てはト装置制御回路によって支配され、描画時は開も非
描画時は開となる。Depending on the opening/closing operation of the planking switch 15, the planking signal 14 becomes the planking voltage 16 or the ground voltage. When the ground voltage is applied, the electron beam 1 is in an amplifier blanking state, and the electron beam 1 passes through the center of the blanking aperture 5 and is irradiated onto the sample. Note that the load resistance R is a current limiting resistance of the planking switch 15. The opening and closing of this planking switch 16 is controlled by the device control circuit in the electron beam lithography system, and is open during lithography and open when not lithographic.
第4図は、プランキング信号発生回路とプランキング板
4と鏡体9間を電気回路であらわした等価回路である。
プランキングスイッチ蔓5が開の時(非描画時)、プラ
ンキング板4は左側にプラスの電圧が加えられる。FIG. 4 is an equivalent circuit in which the planking signal generation circuit, the planking plate 4, and the mirror body 9 are represented by an electric circuit.
When the planking switch 5 is open (during non-drawing), a positive voltage is applied to the left side of the planking board 4.
また〜プランキング板4と鏡体9間には浮遊容量C,,
C2があり〜C,には同じくプラスの電圧が加えられト
充電されている。いま「プランキングスイッチ軍5が閉
になる(描画時)とトブランキング板亀の左側の正電荷
はプランキングスイッチ15を通り、プランキング板亀
の右側の負電荷と結合する(電流1.)。In addition, there is a stray capacitance C between the planking plate 4 and the mirror body 9,
There is C2, which is also charged with a positive voltage applied to it. Now, when the planking switch group 5 is closed (during drawing), the positive charge on the left side of the blanking board turtle passes through the planking switch 15 and combines with the negative charge on the right side of the planking board turtle (current 1). .
また、浮遊容量C.に蓄電されていた電荷は電流12と
なり、図示のように流れて放電する。この電流12は図
中のab間を流れるが、このab間は鏡体部である。こ
のようにト浮遊容量C,によって鏡体9に電流が流れ、
電子線川こ悪影響をおよぼす。In addition, stray capacitance C. The electric charge stored in becomes a current 12, which flows and discharges as shown in the figure. This current 12 flows between ab and ab in the figure, and this ab and ab is a mirror portion. In this way, a current flows through the mirror body 9 due to the stray capacitance C,
Electron beams have a negative effect.
なお「この図の場合、浮遊容量C2の両端は共に接地電
位であるため電荷の流れはない。前述のようにち従来の
電子光学系におけるプランキング装置は「プランキング
電圧がオフの時、すなわちト電子線を試料に照射し始め
る時にtフランキング板と鏡体間の浮遊容量のため鏡体
に電流が流れ、この電流による磁場のため電子線に影響
を与える欠点をもっていた。In addition, in the case of this figure, there is no charge flow because both ends of the stray capacitance C2 are at ground potential.As mentioned above, the planking device in the conventional electron optical system When starting to irradiate a sample with an electron beam, a current flows through the mirror due to the stray capacitance between the flanking plate and the mirror, and the magnetic field caused by this current has the disadvantage of affecting the electron beam.
すなわちも従来の電子線描画装置においては、試料上の
書き始めの部分の図形が鮮明にならず、精度が著しく低
下するという欠点があった。本発明の目的は、プランキ
ング電圧変化時に鏡体に流れる電流を、シールドガード
を設けることにより阻止し、精度のよい図形を掻き得る
電子光学系のプランキング装置を提供するにある。In other words, the conventional electron beam lithography apparatus has the disadvantage that the figure at the beginning of writing on the sample is not clear, resulting in a significant drop in accuracy. SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide an electro-optical planking device that can draw accurate patterns by providing a shield guard to block current flowing through the mirror body when the planking voltage changes.
本発明は、電子線描画装置に関する前述のような考察か
ら、図形の書き始めの位置における精度の悪さの原因が
、プランキング板と鏡体間の浮遊容量により、鏡体に電
流が流れ「電子線に影響を与える点にあることを確認し
、この電流を胆止する手段として「 シールドガードを
設けるようにしたものである。第5図は本発明の一実施
例の要部断面図である。Based on the above-mentioned considerations regarding electron beam lithography equipment, the present invention has discovered that the cause of poor accuracy in the starting position of drawing a figure is that current flows through the mirror due to the stray capacitance between the planking plate and the mirror. A shield guard is provided as a means to confirm that the current is at a point where it affects the line and to stop this current. Figure 5 is a sectional view of the main part of an embodiment of the present invention. .
図において、第1〜4図と同一の符号は同一または同等
部分をあらわす。本実施例においては、鏡体9に電流1
2を流さないために〜鏡体9とプランキング板4との間
にシールドガード19を入れている。このシールドガー
ド19を入れた場合の等価回路を第6図に示す。なお、
シールドガード89はガード線2Mこよりプランキング
スイッチ竃陣の接地側に接続される。第6図において、
プランキングスイッチ15が開の時「プランキング板4
、および浮遊容量C′,にはプランキング電圧盲6が加
えられている。In the figures, the same reference numerals as in FIGS. 1 to 4 represent the same or equivalent parts. In this embodiment, a current of 1 is applied to the mirror body 9.
A shield guard 19 is inserted between the mirror body 9 and the planking plate 4 in order to prevent the flow of water. FIG. 6 shows an equivalent circuit when this shield guard 19 is included. In addition,
The shield guard 89 is connected to the ground side of the planking switch box from the guard wire 2M. In Figure 6,
When the planking switch 15 is open, the planking plate 4
, and stray capacitance C', a blanking voltage blind 6 is added.
プランキングスイッチ亀5が閉になるとプランキング板
亀の電荷は前記と同様電薪可,となる。また、浮遊容量
C′,の電荷は電流1′2としてガード線28を流れる
。このため鏡体9には電流が流れなくなり「電子線1に
は影響がなく、良好なアンプランキング動作がおこなわ
れる。プランキングスイッチ亀5が閉から開に変った場
合における電流の流れはト方向が逆になるのみで、同様
に説明できる。When the planking switch turtle 5 is closed, the electric charge on the planking plate turtle becomes electric as described above. Further, the charge of the stray capacitance C' flows through the guard line 28 as a current 1'2. Therefore, no current flows through the mirror body 9, and the electron beam 1 is not affected, and a good amplifier ranking operation is performed.When the planking switch turtle 5 changes from closed to open, the current flows in the direction It can be explained in the same way, except that it is reversed.
また、この場合においては「総画から非描画への変化で
あるため「たとえ電流が流れたとしてもL試料には影響
を与えない。第?図は本発明の他の実施例の断面図であ
り、鏡体9とシールドガード19との間に絶縁物21を
介在させたものである。In addition, in this case, since it is a change from full drawing to non-writing, even if a current flows, it will not affect the L sample. , an insulator 21 is interposed between the mirror body 9 and the shield guard 19.
この実施例はち第6図の等価回路の線bcを取り去った
形であるが、浮遊容量C3の両端は接地電位であるため
、鏡体には電流が流れない。それ故に、前述と同等の効
果が得られる。なお、前記各実施例において「 シール
ドガード蔓9が第5図に示すような円筒状のものでなく
とも、プランキング板亀をおおうような形であれば同様
な効果が得られることは当然である。In this embodiment, the line bc of the equivalent circuit in FIG. 6 is removed, but since both ends of the stray capacitance C3 are at ground potential, no current flows through the mirror body. Therefore, effects similar to those described above can be obtained. In addition, in each of the above embodiments, it is obvious that the same effect can be obtained even if the shield guard vine 9 is not cylindrical as shown in FIG. 5, but has a shape that covers the planking board turtle. be.
以上の説明から明らかなように「本発明によれば、プラ
ンキング板の電界を変化させて、プランキング〜アンプ
ランキングの制御を行なう時に、鏡体に電流が流れない
ため、良好な描画結果が得られる。As is clear from the above explanation, ``According to the present invention, when controlling planking to ampranking by changing the electric field of the planking plate, no current flows through the mirror body, so good drawing results can be obtained. can get.
第1図は従来の電子光学系のプランキング装置の一例を
示す概略断面図、第2図は第1図におけるプランキング
装置の断面図「第3図はプランキング信号発生回路の一
例を示す図「第4図は第1図におけるプランキング装置
の電気的等価回路図、第5図aは本発明によるプランキ
ング装置例の断面図、第5図bはシールドガードの一部
断面図、第6図は第5図におけるプランキング装置の電
気的等価回路図ト第7図は本発明の実施例の断面図であ
る。
1……電子線「 4…・・・プランキング板、5・…・
・プランキング絞り「6……対向レンズ、7……偏向レ
ンズ、8……試料L S…鏡体、蔓4…・・・プランキ
ング信号、翼9……シールドガード。
矛1図
希2図
矛3図
才4図
矛
5
図
斗
6
図
弐′
7
図Fig. 1 is a schematic cross-sectional view showing an example of a conventional planking device with an electron optical system, Fig. 2 is a cross-sectional view of the planking device in Fig. 1, and Fig. 3 is a diagram showing an example of a planking signal generation circuit. 4 is an electrical equivalent circuit diagram of the planking device in FIG. 1, FIG. 5a is a sectional view of an example of the planking device according to the present invention, FIG. The figure is an electrical equivalent circuit diagram of the planking device in FIG. 5, and FIG. 7 is a sectional view of an embodiment of the present invention.
・Planking aperture "6... Opposed lens, 7... Deflection lens, 8... Sample LS... Mirror body, Tensile 4... Planking signal, Wing 9... Shield guard. Spear 1, Rare 2, 3 figures, 4 figures, 5 figures, 6 figures, 2′ 7 figures.
Claims (1)
で偏向する手段と、電子線が試料に到達しないように、
電子線を偏向させてブランキングするブランキング板と
を具備した電子光学系のブランキング装置において、ブ
ランキング板と鏡体との間に、前記ブランキング板をお
おうように配設されたシールドガードと前記シールドガ
ードと鏡体とを同電位に保持する手段とをさらに具備し
たことを特徴とする電子光学系におけるブランキング装
置。1. A means for focusing the electron beam on the sample, a means for deflecting the electron beam on the sample, and a means for preventing the electron beam from reaching the sample.
A shield guard disposed between the blanking plate and a mirror body so as to cover the blanking plate in an electron optical blanking device equipped with a blanking plate that deflects and blanks an electron beam. A blanking device for an electron optical system, further comprising: and means for holding the shield guard and the mirror at the same potential.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55020638A JPS608581B2 (en) | 1980-02-22 | 1980-02-22 | Blanking device in electron optical system |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55020638A JPS608581B2 (en) | 1980-02-22 | 1980-02-22 | Blanking device in electron optical system |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56118251A JPS56118251A (en) | 1981-09-17 |
| JPS608581B2 true JPS608581B2 (en) | 1985-03-04 |
Family
ID=12032760
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55020638A Expired JPS608581B2 (en) | 1980-02-22 | 1980-02-22 | Blanking device in electron optical system |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS608581B2 (en) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63146334A (en) * | 1986-12-09 | 1988-06-18 | Jeol Ltd | Camera unit for electron microscope fitted with electron beam deflecting device |
| DE102010007777A1 (en) * | 2010-02-12 | 2011-08-18 | Carl Zeiss NTS GmbH, 73447 | particle beam |
| TW201618153A (en) * | 2014-09-03 | 2016-05-16 | 紐富來科技股份有限公司 | Multi-charged particle beam obscuration device, multiple charged particle beam delineation device, and multiple charged particle beam obscuration beam shielding method |
-
1980
- 1980-02-22 JP JP55020638A patent/JPS608581B2/en not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56118251A (en) | 1981-09-17 |
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