JPS609741B2 - 4,4′−ジアミノジフエニルエ−テルの製造方法 - Google Patents
4,4′−ジアミノジフエニルエ−テルの製造方法Info
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- JPS609741B2 JPS609741B2 JP56206371A JP20637181A JPS609741B2 JP S609741 B2 JPS609741 B2 JP S609741B2 JP 56206371 A JP56206371 A JP 56206371A JP 20637181 A JP20637181 A JP 20637181A JP S609741 B2 JPS609741 B2 JP S609741B2
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts
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- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は4・4′ージアミノジフェニルエーテルの製造
方法に関する。
方法に関する。
4・4′−ジアミノジフェニルヱーテルは耐熱性樹脂成
形品、電気絶縁フィルム等として用いられる縮合重合体
を製造するための二官能性単量体として、また、一般に
重合体の敬質剤として重要な中間原料であり、従来、4
・4′−ジニトロジフェニルェーテルをべシャン還元す
ることにより製造されていた。
形品、電気絶縁フィルム等として用いられる縮合重合体
を製造するための二官能性単量体として、また、一般に
重合体の敬質剤として重要な中間原料であり、従来、4
・4′−ジニトロジフェニルェーテルをべシャン還元す
ることにより製造されていた。
しかし、このような方法によれば、還元生成物中に鉄や
鉄イオンの混入が避けられず、且つ、これらの除去は困
難である。4・4ージアミノジフェニルエーテルの主た
る用途が、前記したように、耐熱性や電気絶縁性を有す
る重合体の製造であるから、この化合物中に鉄や鉄イオ
ンが混入していると、得られる重合体の上記性能を著し
く損なうばかりでなく、重合体が経時着色することもあ
る。
鉄イオンの混入が避けられず、且つ、これらの除去は困
難である。4・4ージアミノジフェニルエーテルの主た
る用途が、前記したように、耐熱性や電気絶縁性を有す
る重合体の製造であるから、この化合物中に鉄や鉄イオ
ンが混入していると、得られる重合体の上記性能を著し
く損なうばかりでなく、重合体が経時着色することもあ
る。
更に、ベシャン還元による製造方法は収率も低い。しか
し、従来、4・4′ージアミノジフェニルエーテルの製
造方法の改良については殆ど文献がなく、わずかに英国
特許第1228738号に4・4ージニトロジフェニル
エーテルの懐触水素還元による製造方法が提案されてい
るにすぎない。
し、従来、4・4′ージアミノジフェニルエーテルの製
造方法の改良については殆ど文献がなく、わずかに英国
特許第1228738号に4・4ージニトロジフェニル
エーテルの懐触水素還元による製造方法が提案されてい
るにすぎない。
この方法は、溶剤としてジメチルホルムアミドを、触媒
としてラネーニツケルをそれぞれ用い、好ましくは10
〜50k9/洲の水素圧下、70〜13000の温度で
414−ジニトoジフェニルェーテルを還元するもので
ある。この方法によれば高収率で414ージアミノジフ
ェニルエーテルを得ることができるとされているが、工
業的に実施するには、尚改善すべき点がある。即ち、上
記の方法においては、反応条件が尚激しく、付帯設備に
要する費用も高価となり、更に、用いる溶剤も高価であ
る。本発明は上言己に鑑みてなされたものであって、安
価な溶剤を用い、穏和な反応条件下に高収率で高純度の
4・4ージアミノジフェニルエーテルを製造することが
でき、従って、工業的に実施するに適する方法を提供す
ることを目的とする。
としてラネーニツケルをそれぞれ用い、好ましくは10
〜50k9/洲の水素圧下、70〜13000の温度で
414−ジニトoジフェニルェーテルを還元するもので
ある。この方法によれば高収率で414ージアミノジフ
ェニルエーテルを得ることができるとされているが、工
業的に実施するには、尚改善すべき点がある。即ち、上
記の方法においては、反応条件が尚激しく、付帯設備に
要する費用も高価となり、更に、用いる溶剤も高価であ
る。本発明は上言己に鑑みてなされたものであって、安
価な溶剤を用い、穏和な反応条件下に高収率で高純度の
4・4ージアミノジフェニルエーテルを製造することが
でき、従って、工業的に実施するに適する方法を提供す
ることを目的とする。
本発明による4・4−ジアミノジフェニルェーテルの製
造方法は、一般式AO−(CH2CH20)n−B (但し「Aは炭素数1〜4のアルキル基を示し、Rは水
素又は炭素数1〜4のアルキル基を示し、nは1又は2
である。
造方法は、一般式AO−(CH2CH20)n−B (但し「Aは炭素数1〜4のアルキル基を示し、Rは水
素又は炭素数1〜4のアルキル基を示し、nは1又は2
である。
)で表わされる溶剤(5の重量%以下の水を含有しても
よい。
よい。
)中でトラネーニッケルの存在下に「4・4−ジニトロ
ジフェニルェーテルを接触水素還元することを特徴とす
る。一般に溶剤を用いる接触水素還元において、反応が
円滑に進行するか杏かは一に溶剤の選定に係っており、
しかも、反応を工業的な規模で行なうためには、反応条
件下で4・4′ージニトロジフェニルエーテル及び41
4′−ジアミノジフェニルェーテルをよく溶解する溶剤
が望ましいが、一方、これらの芳香族ニトロ化合物やア
ミノ化合物をよく溶解する溶剤が、直ちに接触水素還元
反応を円滑に進行させるとは限らない。
ジフェニルェーテルを接触水素還元することを特徴とす
る。一般に溶剤を用いる接触水素還元において、反応が
円滑に進行するか杏かは一に溶剤の選定に係っており、
しかも、反応を工業的な規模で行なうためには、反応条
件下で4・4′ージニトロジフェニルエーテル及び41
4′−ジアミノジフェニルェーテルをよく溶解する溶剤
が望ましいが、一方、これらの芳香族ニトロ化合物やア
ミノ化合物をよく溶解する溶剤が、直ちに接触水素還元
反応を円滑に進行させるとは限らない。
従って、4・4−ジニトロジフヱニルェーテルを接触水
素還元して対応するジアミノ化合物とするために用いる
溶剤を選択することは容易でなく、前記したように、わ
ずかにジメチルホルムアミドが開示されているにすぎな
い。しかしながら、本発明者らは、上記反応に適する溶
剤を鋭意研究した結果、予測できないことに、エチレン
グリコール及びジェチレングリコールのモノアルキルェ
ーテル及びジアルキルェーナルが414−ジニトロジフ
ェニルェーテルを比較的よく溶解すると共に、その接触
水素還元反応を穏和な条件下に極めて円滑に進行させ、
高収率で高純度の4・4−ジァミノジフェニルェーテル
を与えることを見出し、本発明に到達したものである。
素還元して対応するジアミノ化合物とするために用いる
溶剤を選択することは容易でなく、前記したように、わ
ずかにジメチルホルムアミドが開示されているにすぎな
い。しかしながら、本発明者らは、上記反応に適する溶
剤を鋭意研究した結果、予測できないことに、エチレン
グリコール及びジェチレングリコールのモノアルキルェ
ーテル及びジアルキルェーナルが414−ジニトロジフ
ェニルェーテルを比較的よく溶解すると共に、その接触
水素還元反応を穏和な条件下に極めて円滑に進行させ、
高収率で高純度の4・4−ジァミノジフェニルェーテル
を与えることを見出し、本発明に到達したものである。
本発明において用いられるエチレングリコール及びジェ
チレングリコールのアルキルェーテルにおけるアルキル
基は好ましくは炭素数が1〜4であり、従って、具体例
としてメチルセロソルフ・エチルセロソルブ、フ。
チレングリコールのアルキルェーテルにおけるアルキル
基は好ましくは炭素数が1〜4であり、従って、具体例
としてメチルセロソルフ・エチルセロソルブ、フ。
ロピルセロソルブ、ブチルセロソルブ、エチレングリコ
ールジメチルエーナル、エチレングリコールジエチルエ
ーテル、エチレングリコ一ルジプロピルエーテル「エチ
レングリコールジブチルエーテル、ジエチレングリコー
ルメチルエーテル、ジエチレングリコールエチルエーテ
ル、ジエチレングリコールブチルエーテル、ジェチレン
グリコールジメチルェーテル等を挙げることができる。
特に好ましく用いられる溶剤はエチレングリコールのモ
ノアルキルェーテルである。本発明の方法においては、
414−ジニトロジフェニルェーテルを溶剤に完全に溶
解させる必要はなく、また、溶剤によっては、反応条件
下で溶剤に熔解しない場合もある。
ールジメチルエーナル、エチレングリコールジエチルエ
ーテル、エチレングリコ一ルジプロピルエーテル「エチ
レングリコールジブチルエーテル、ジエチレングリコー
ルメチルエーテル、ジエチレングリコールエチルエーテ
ル、ジエチレングリコールブチルエーテル、ジェチレン
グリコールジメチルェーテル等を挙げることができる。
特に好ましく用いられる溶剤はエチレングリコールのモ
ノアルキルェーテルである。本発明の方法においては、
414−ジニトロジフェニルェーテルを溶剤に完全に溶
解させる必要はなく、また、溶剤によっては、反応条件
下で溶剤に熔解しない場合もある。
しかし、いずれにしても、反応は円滑に進行する。更に
、本発明においては、溶剤は、約5の重量%以下の水を
含んでいてもよい。
、本発明においては、溶剤は、約5の重量%以下の水を
含んでいてもよい。
溶剤中の水含量が多くなるにつれて、4・4ージニトロ
ジフヱニルエーテルは溶剤に溶解し難くなり、従って、
接触還元反応は不均一相にて行なわれるが、反応結果は
、無水の溶剤を用いた場合と異ならず、高収率で高純度
の4・4′−ジアミノジフヱニルヱーテルを与える。ま
た、本発明の方法においては、溶剤は水を含有していて
もよいので、溶剤を特に精製することなく、繰返して使
用することができる。即ち、414一ジニトロジフェニ
ルェ−テルの懐触還元においては水が副生するが、この
水を特に除かなくとも、溶剤を繰返して使用することが
できるのである。溶剤は、4・4′ージニトロジフェニ
ルェーテル1重量部当り、通常、2〜1の重量部用いら
れる。
ジフヱニルエーテルは溶剤に溶解し難くなり、従って、
接触還元反応は不均一相にて行なわれるが、反応結果は
、無水の溶剤を用いた場合と異ならず、高収率で高純度
の4・4′−ジアミノジフヱニルヱーテルを与える。ま
た、本発明の方法においては、溶剤は水を含有していて
もよいので、溶剤を特に精製することなく、繰返して使
用することができる。即ち、414一ジニトロジフェニ
ルェ−テルの懐触還元においては水が副生するが、この
水を特に除かなくとも、溶剤を繰返して使用することが
できるのである。溶剤は、4・4′ージニトロジフェニ
ルェーテル1重量部当り、通常、2〜1の重量部用いら
れる。
本発明においては、触媒としてはラネーニッケル触媒が
用いられる。その使用量は、特に制限はないが、通常、
4・4−ジニトロジフェニルェーテルの約0.1〜5重
量%(水性ペースト合金換算)である。反応は、通常、
約1〜1ぴ気圧の水気圧下、約50〜150qo、好ま
しくは約70〜10000の温度で約30分乃至1餌時
間行なう。好ましい場合には、1〜2時間で反応が終了
する。反応終了後、反応混合物に溶剤を加えて加熱し、
熱炉過して触媒を除き、冷却して4・4ージアミノジフ
ェニルエーテルを炉取する。
用いられる。その使用量は、特に制限はないが、通常、
4・4−ジニトロジフェニルェーテルの約0.1〜5重
量%(水性ペースト合金換算)である。反応は、通常、
約1〜1ぴ気圧の水気圧下、約50〜150qo、好ま
しくは約70〜10000の温度で約30分乃至1餌時
間行なう。好ましい場合には、1〜2時間で反応が終了
する。反応終了後、反応混合物に溶剤を加えて加熱し、
熱炉過して触媒を除き、冷却して4・4ージアミノジフ
ェニルエーテルを炉取する。
溶剤を留去してもよい。本発明の方法によれば、反応生
成物中の4・4−ジアミノジフェニルヱ−テルの粗収率
は通常、90%以上、好ましい場合にはほぼ定量的であ
り、且つ、その純度も通常99.5%以上である。粗生
成物をガスクロマトグラフィ−で分析した結果、不純物
は多くとも0.1〜0.5%程度であり、これは部分還
元物、4ーアミノー4′ーニトロジフエニルエーテルで
ある。このような徴量の不純物を除いて精製を行なうに
は、本発明に従って、前記した溶剤を用いて再結晶を行
なうのがよい。
成物中の4・4−ジアミノジフェニルヱ−テルの粗収率
は通常、90%以上、好ましい場合にはほぼ定量的であ
り、且つ、その純度も通常99.5%以上である。粗生
成物をガスクロマトグラフィ−で分析した結果、不純物
は多くとも0.1〜0.5%程度であり、これは部分還
元物、4ーアミノー4′ーニトロジフエニルエーテルで
ある。このような徴量の不純物を除いて精製を行なうに
は、本発明に従って、前記した溶剤を用いて再結晶を行
なうのがよい。
即ち、4ーアミノー4′ーニトロジフヱニルエーテルは
4・4ージアミノジフェニルエーテルよりも前記溶剤に
対する溶解性が高く、これらの溶剤からの目的物を再結
晶することによって完全に部分還元物を除去することが
できるのである。再結晶溶剤としては前記溶剤のいずれ
をも用いることができるが、特に、エチルセロソルブ及
びブチルセロソルブが好ましい。また、エチレングリコ
ールやジエチレングリコール、エチルセロソルブアセテ
ート、ブチルセロソルブアセテート等も好ましく用いら
れる。従って、本発明によれば、反応終了後、反応混合
物に溶剤を追加し、熱炉週によって触媒を除き、再結晶
するという簡単な方法によって高純度の41ページアミ
ノジフェニルェーテルを得ることができる。所望ならば
、再結晶後の溶剤は繰返して再結晶に用いることができ
る。また、所望ならば、再結晶後の溶剤を反応溶剤に用
いてもよい。以上のように、本発明の方法は、4・4′
ージニトロジフェニル工−テルを、ラネーニツケル触媒
の存在下に接触水素還元する方法において、前記一般式
で表わされる有機溶剤を主成分とする溶剤を用いること
により、穏和な条件下、短時間に、高収率で高純度の4
・4′ージアミノジフェニルェーテルを与えるものであ
り、更に、用いる溶剤は安全に取扱えると共に、安価で
ある。従って、本発明の方法は、工業的に実施するのに
適すると共に、得られる4・4ージアミノジフェニルエ
ーテルは高純度が要求される用途に特に適する。更に、
本発明の方法においては、反応溶剤は精製することなく
、繰返し反応に使用でき、また、再結晶溶剤も繰返し再
結晶に使用できるから、工業上、経済的に一層有利であ
る。以下に実施例を挙げて本発明を説明するが、本発明
はこれら実施例に何ら限定されるものではない。
4・4ージアミノジフェニルエーテルよりも前記溶剤に
対する溶解性が高く、これらの溶剤からの目的物を再結
晶することによって完全に部分還元物を除去することが
できるのである。再結晶溶剤としては前記溶剤のいずれ
をも用いることができるが、特に、エチルセロソルブ及
びブチルセロソルブが好ましい。また、エチレングリコ
ールやジエチレングリコール、エチルセロソルブアセテ
ート、ブチルセロソルブアセテート等も好ましく用いら
れる。従って、本発明によれば、反応終了後、反応混合
物に溶剤を追加し、熱炉週によって触媒を除き、再結晶
するという簡単な方法によって高純度の41ページアミ
ノジフェニルェーテルを得ることができる。所望ならば
、再結晶後の溶剤は繰返して再結晶に用いることができ
る。また、所望ならば、再結晶後の溶剤を反応溶剤に用
いてもよい。以上のように、本発明の方法は、4・4′
ージニトロジフェニル工−テルを、ラネーニツケル触媒
の存在下に接触水素還元する方法において、前記一般式
で表わされる有機溶剤を主成分とする溶剤を用いること
により、穏和な条件下、短時間に、高収率で高純度の4
・4′ージアミノジフェニルェーテルを与えるものであ
り、更に、用いる溶剤は安全に取扱えると共に、安価で
ある。従って、本発明の方法は、工業的に実施するのに
適すると共に、得られる4・4ージアミノジフェニルエ
ーテルは高純度が要求される用途に特に適する。更に、
本発明の方法においては、反応溶剤は精製することなく
、繰返し反応に使用でき、また、再結晶溶剤も繰返し再
結晶に使用できるから、工業上、経済的に一層有利であ
る。以下に実施例を挙げて本発明を説明するが、本発明
はこれら実施例に何ら限定されるものではない。
実施例 1
4・4′−ジニトロジフエニルエーテル24.0夕、プ
チルセロソルブ100私及びラネーニッケル触媒水性ペ
ースト650雌を200の【容量のオートクレープに仕
込み、オートクレープ内の空気を水素で置換した後、5
k9′のゲージに加圧した。
チルセロソルブ100私及びラネーニッケル触媒水性ペ
ースト650雌を200の【容量のオートクレープに仕
込み、オートクレープ内の空気を水素で置換した後、5
k9′のゲージに加圧した。
次に、ゆっくりと蝿拝しながら加熱し、内容物の温度が
70oCに達したとき、内圧を8k9/地まで高めると
共に、蝿拝を激しくして「反応を開始した。30分後、
反応温度を90ooに高めると共に水素を補充した。
70oCに達したとき、内圧を8k9/地まで高めると
共に、蝿拝を激しくして「反応を開始した。30分後、
反応温度を90ooに高めると共に水素を補充した。
反応を2時間行なわせた。反応終了後、内容物に溶剤を
加え、加熱し、熱炉過し、溶剤を轡去して、4・4′ー
ジアミノジフエニルエーテル18.2夕を得た(収率9
9.1%)。この粗製品は、ガスクロマトグラフィ一に
よる分析の結果、純度99.8%であった。実施例 2 溶剤としてブチルセロソルブの代わりにメチルセロソル
プ80の‘を用いた以外は、実施例1と全く同様にして
、2.虫時間反応を行なった。
加え、加熱し、熱炉過し、溶剤を轡去して、4・4′ー
ジアミノジフエニルエーテル18.2夕を得た(収率9
9.1%)。この粗製品は、ガスクロマトグラフィ一に
よる分析の結果、純度99.8%であった。実施例 2 溶剤としてブチルセロソルブの代わりにメチルセロソル
プ80の‘を用いた以外は、実施例1と全く同様にして
、2.虫時間反応を行なった。
反応終了後、内容物にメチルセロソルブ80の‘を追加
、加熱し、熱炉遇して触媒を除いた後、冷却して、4・
4′ージアミノジフェニルェーテルを13.2夕を得た
。ガスクロマトグラフイ一による分析の結果、生成物中
には4−アミノ−4′−ニトロジフェニルェーテルは全
く含まれていなかった。実施例 3溶剤としてブチルセ
ロソルブの代わりにエチルセロソルブ75の‘を用い、
ラネーニツケル触媒水性ペーストを450収用し、た以
外は実施例1と全く同様にして2.5時間反応を行なっ
た。
、加熱し、熱炉遇して触媒を除いた後、冷却して、4・
4′ージアミノジフェニルェーテルを13.2夕を得た
。ガスクロマトグラフイ一による分析の結果、生成物中
には4−アミノ−4′−ニトロジフェニルェーテルは全
く含まれていなかった。実施例 3溶剤としてブチルセ
ロソルブの代わりにエチルセロソルブ75の‘を用い、
ラネーニツケル触媒水性ペーストを450収用し、た以
外は実施例1と全く同様にして2.5時間反応を行なっ
た。
反応終了後、エチルセロソルブ75の‘を加え、加熱、
熱炉遇し、溶剤を留去して、4・4−ジアミノジフェニ
ルェ−テルを98.8%収率で得た。ガスクロマトグラ
フィ一による分析の結果、純度は99.5%であった。
実施例 4溶剤としてブチルセロソルブの代わりにブチ
ルセロソルブ40の‘−水40汎‘の混合溶剤を用いた
以外は、実施例1と全く同様にして1.6時間反応を行
なった。
熱炉遇し、溶剤を留去して、4・4−ジアミノジフェニ
ルェ−テルを98.8%収率で得た。ガスクロマトグラ
フィ一による分析の結果、純度は99.5%であった。
実施例 4溶剤としてブチルセロソルブの代わりにブチ
ルセロソルブ40の‘−水40汎‘の混合溶剤を用いた
以外は、実施例1と全く同様にして1.6時間反応を行
なった。
反応終了後、冷却し、固形分を炉取し、これにエチルセ
ロソルブアセテート100の【を加えて加熱し、熱炉週
、再結晶して、不純物を全く含まない4・4ージアミノ
ジフエニルエーテル14.3夕を得た。実施例 6 溶剤としてブチルセロソルブの代わりにメチルセロソル
ブ400の【−水120の‘の混合溶剤を用い、ラネー
ニッケル触媒水性ペースト1.84夕を用いて、1そ容
量のオートクレープ内で実施例1と同機にして2.2時
間反応させた。
ロソルブアセテート100の【を加えて加熱し、熱炉週
、再結晶して、不純物を全く含まない4・4ージアミノ
ジフエニルエーテル14.3夕を得た。実施例 6 溶剤としてブチルセロソルブの代わりにメチルセロソル
ブ400の【−水120の‘の混合溶剤を用い、ラネー
ニッケル触媒水性ペースト1.84夕を用いて、1そ容
量のオートクレープ内で実施例1と同機にして2.2時
間反応させた。
反応終了後、内容物を冷却し、固形分を炉取し、エチル
セロソルブアセテートを500の‘を加えて加熱し、熱
炉過、再結晶して、不純物を含まない4・4−ジアミノ
ジフェニルェーテル15.7夕を得た。実施例 6溶剤
としてブチルセロソルブ80の‘を用いて実施例1と全
く同様にして反応を行なった。
セロソルブアセテートを500の‘を加えて加熱し、熱
炉過、再結晶して、不純物を含まない4・4−ジアミノ
ジフェニルェーテル15.7夕を得た。実施例 6溶剤
としてブチルセロソルブ80の‘を用いて実施例1と全
く同様にして反応を行なった。
反応終了後、内容物を冷却し、固形分を炉別した回収溶
剤をそのまま溶剤として用い、再び同様に反応を行なっ
た。このようにして回収溶剤を繰返し用い、8回目の反
応においても4・4ージアミノジフェニルエーテルを9
6.9%の粗収率で得た。尚、この粗生成物をブチルセ
ロソルブアセテートから再結晶したところ、不純物を全
く含まない4・4′ージアミノジフェニルエーテルを得
た。実施例 7 溶剤としてブチルセロソルブの代わりにエチレングリコ
ールジメチルェーテル80机とを用いた以外は実施例1
と同様に3時間反応を行なった。
剤をそのまま溶剤として用い、再び同様に反応を行なっ
た。このようにして回収溶剤を繰返し用い、8回目の反
応においても4・4ージアミノジフェニルエーテルを9
6.9%の粗収率で得た。尚、この粗生成物をブチルセ
ロソルブアセテートから再結晶したところ、不純物を全
く含まない4・4′ージアミノジフェニルエーテルを得
た。実施例 7 溶剤としてブチルセロソルブの代わりにエチレングリコ
ールジメチルェーテル80机とを用いた以外は実施例1
と同様に3時間反応を行なった。
反応終了後、内容物にエチルセロソルブアセテート80
叫を加え、加熱し、熱炉過し、溶剤を留去して、4・4
−ジアミノジフェニルェーテルを96.8%収率で得た
。ガスクロマトグラフィ一による分析の結果、純度は9
9.3%であった。実施例 8 溶剤としてジェチレングリコールジメチルェーテル80
の‘−水20の‘の混合溶剤を用いた以外は実施例1と
同様に3.曲時間反応を行なった。
叫を加え、加熱し、熱炉過し、溶剤を留去して、4・4
−ジアミノジフェニルェーテルを96.8%収率で得た
。ガスクロマトグラフィ一による分析の結果、純度は9
9.3%であった。実施例 8 溶剤としてジェチレングリコールジメチルェーテル80
の‘−水20の‘の混合溶剤を用いた以外は実施例1と
同様に3.曲時間反応を行なった。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 一般式 AO−(CH_2CH_2O)_n−B (但し、Aは炭素数1〜4のアルキル基を示し、Bは水
素又は炭素数1〜4のアルキル基を示し、nは1又は2
である。 )で表わされる溶剤(50重量%以下の水を含有しても
よい。 )中で、ラネーニツケル触媒の存在下に、4・4′−ジ
ニトロジフエニルエーテルを接触還元することを特徴と
する4・4′−ジアミノジフエニルエーテルの製造方法
。2 4・4′−ジニトロジフエニルエーテル1重量部
当り、溶剤2〜10重量部及び触媒0.001〜0.0
5重量部を用い、水素圧1〜10kg/cm^2及び温
度50〜100℃の条件下に反応を行なうことを特徴と
する特許請求の範囲第1項記載の4・4′−ジアミノジ
フエニルエーテルの製造方法。 3 反応混合物に前記一般式で表わされる溶剤を追加し
、加熱し、熱濾過し、再結晶することを特徴とする特許
請求の範囲第1項又は第2項記載の4・4′−ジアミノ
ジフエニルエーテルの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56206371A JPS609741B2 (ja) | 1981-12-21 | 1981-12-21 | 4,4′−ジアミノジフエニルエ−テルの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56206371A JPS609741B2 (ja) | 1981-12-21 | 1981-12-21 | 4,4′−ジアミノジフエニルエ−テルの製造方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9891479A Division JPS5622752A (en) | 1979-08-01 | 1979-08-01 | Preparation of 4,4'-diaminodiphenyl ether |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57176935A JPS57176935A (en) | 1982-10-30 |
| JPS609741B2 true JPS609741B2 (ja) | 1985-03-12 |
Family
ID=16522214
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56206371A Expired JPS609741B2 (ja) | 1981-12-21 | 1981-12-21 | 4,4′−ジアミノジフエニルエ−テルの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS609741B2 (ja) |
-
1981
- 1981-12-21 JP JP56206371A patent/JPS609741B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57176935A (en) | 1982-10-30 |
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