JPS6110983B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6110983B2 JPS6110983B2 JP52129389A JP12938977A JPS6110983B2 JP S6110983 B2 JPS6110983 B2 JP S6110983B2 JP 52129389 A JP52129389 A JP 52129389A JP 12938977 A JP12938977 A JP 12938977A JP S6110983 B2 JPS6110983 B2 JP S6110983B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead frame
- metal
- semiconductor chip
- thin metal
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/5363—Shapes of wire connectors the connected ends being wedge-shaped
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はリードフレームの半導体チツプを搭載
する面と反対側の面に熱伝導性の優れた異種金属
を厚く接着することにより熱抵抗を小さくした半
導体装置に関するものである。
する面と反対側の面に熱伝導性の優れた異種金属
を厚く接着することにより熱抵抗を小さくした半
導体装置に関するものである。
一般に、半導体装置の電力消費による温度上昇
は半導体素子の特性上、信頼性上の問題を引き起
こす。特に、樹脂封止型半導体装置の熱抵抗はセ
ラミツク容器あるいは金属容器に組み込まれた半
導体装置の熱抵抗に比較しかなり高い為、大きな
電力を消費する樹脂封止型半導体装置では過大な
温度上昇により特性上、信頼性上の問題を引き起
こす場合があつた。その為、従来はリードフレー
ムを使用する半導体装置においては、半導体素子
の消費電力により発した熱をリードフレームを介
して放散させるように、内部リードの半導体チツ
プを搭載した面にリードフレームの素材よりも熱
伝導性の優れている銀等の異種金属を接着するこ
とにより半導体装置の熱抵抗を下げる方法が用い
られていた。
は半導体素子の特性上、信頼性上の問題を引き起
こす。特に、樹脂封止型半導体装置の熱抵抗はセ
ラミツク容器あるいは金属容器に組み込まれた半
導体装置の熱抵抗に比較しかなり高い為、大きな
電力を消費する樹脂封止型半導体装置では過大な
温度上昇により特性上、信頼性上の問題を引き起
こす場合があつた。その為、従来はリードフレー
ムを使用する半導体装置においては、半導体素子
の消費電力により発した熱をリードフレームを介
して放散させるように、内部リードの半導体チツ
プを搭載した面にリードフレームの素材よりも熱
伝導性の優れている銀等の異種金属を接着するこ
とにより半導体装置の熱抵抗を下げる方法が用い
られていた。
第１図は従来のリードフレームの中央部近傍の
断面図である。
断面図である。
リードフレームのアイランド部１上に半導体チ
ツプ２が搭載され、半導体チツプ２と内部リード
３とは金属細線４で接続される。金属細線４が接
続される側の内部リード表面には熱伝導の良好な
金属、例えば銀の層５が厚く形成され、半導体チ
ツプ２に発生する熱の一部を金属細線４を通して
内部リードに導き、熱抵抗を下げるようにしてい
た。しかし、金属層５が銀のように柔らかい材質
である場合、熱圧着あるいは超音波圧着等により
金属細線４を内部リードに接続する際の圧力が前
記金属層５に吸収されてしまい金属細線４と内部
リードとの接続が不完全なものになるという欠点
があつた。
ツプ２が搭載され、半導体チツプ２と内部リード
３とは金属細線４で接続される。金属細線４が接
続される側の内部リード表面には熱伝導の良好な
金属、例えば銀の層５が厚く形成され、半導体チ
ツプ２に発生する熱の一部を金属細線４を通して
内部リードに導き、熱抵抗を下げるようにしてい
た。しかし、金属層５が銀のように柔らかい材質
である場合、熱圧着あるいは超音波圧着等により
金属細線４を内部リードに接続する際の圧力が前
記金属層５に吸収されてしまい金属細線４と内部
リードとの接続が不完全なものになるという欠点
があつた。
本発明は、上述した欠点を除去し、金属細線と
の接続が良く、かつ熱放散性の良好なリードフレ
ームを使用した半導体装置を提供するものであ
る。
の接続が良く、かつ熱放散性の良好なリードフレ
ームを使用した半導体装置を提供するものであ
る。
本発明は、リードフレームに半導体チツプを搭
載し、該半導体チツプとリードフレームとを金属
細線で接続する半導体装置において、リードフレ
ームの半導体チツプを搭載する面と反対側の面の
一部もしくは全部に熱伝導の良好な金属を設けた
ことを特徴とする。
載し、該半導体チツプとリードフレームとを金属
細線で接続する半導体装置において、リードフレ
ームの半導体チツプを搭載する面と反対側の面の
一部もしくは全部に熱伝導の良好な金属を設けた
ことを特徴とする。
本発明を実施例により説明する。
第２図は本発明にかかるリードフレームの中央
部近傍の断面図である。
部近傍の断面図である。
図において、１１はリードフレームのアイラン
ド部、１２は半導体チツプ、１３は内部リード、
１４は金属細線、１５は金属細線とのボンデイン
グ性の良好な金属の層、１６は熱伝導の良好な金
属の層である。金属層１５は通常の厚さとし、金
属層１６は通常よりも厚くする。
ド部、１２は半導体チツプ、１３は内部リード、
１４は金属細線、１５は金属細線とのボンデイン
グ性の良好な金属の層、１６は熱伝導の良好な金
属の層である。金属層１５は通常の厚さとし、金
属層１６は通常よりも厚くする。
このような構造の半導体装置にすれば、金属細
線とリードフレームとの接続部に接着された金属
細線接続用金属が厚い為に起る両者間の不完全な
接続を解消し、かつ半導体素子の発した熱を厚く
接着された異種金属１６により効率よく放散させ
ることができ熱抵抗を大幅に改善することができ
る。
線とリードフレームとの接続部に接着された金属
細線接続用金属が厚い為に起る両者間の不完全な
接続を解消し、かつ半導体素子の発した熱を厚く
接着された異種金属１６により効率よく放散させ
ることができ熱抵抗を大幅に改善することができ
る。
第１図は従来の半導体装置におけるリードフレ
ームの中央部近傍の断面図、第２図は本発明にか
かるリードフレームの中央部近傍の断面図であ
る。 １，１１……アイランド部、２，１２……半導
体チツプ、３，１３……内部リード、４，１４…
…金属細線、５，１５……金属細線接続用金属、
１６……熱伝導の良好な金属。
ームの中央部近傍の断面図、第２図は本発明にか
かるリードフレームの中央部近傍の断面図であ
る。 １，１１……アイランド部、２，１２……半導
体チツプ、３，１３……内部リード、４，１４…
…金属細線、５，１５……金属細線接続用金属、
１６……熱伝導の良好な金属。
Claims (1)
- １ リードフレームに半導体チツプを搭載し、該
半導体チツプとリードフレームとを金属細線で接
続する半導体装置において、リードフレームの半
導体チツプを搭載する面と反対側の面の一部もし
くは全部に熱伝導の良好な金属を設けたことを特
徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12938977A JPS5462780A (en) | 1977-10-27 | 1977-10-27 | Semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12938977A JPS5462780A (en) | 1977-10-27 | 1977-10-27 | Semiconductor device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5462780A JPS5462780A (en) | 1979-05-21 |
| JPS6110983B2 true JPS6110983B2 (ja) | 1986-04-01 |
Family
ID=15008360
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12938977A Granted JPS5462780A (en) | 1977-10-27 | 1977-10-27 | Semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5462780A (ja) |
-
1977
- 1977-10-27 JP JP12938977A patent/JPS5462780A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5462780A (en) | 1979-05-21 |
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