JPS6112385B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6112385B2 JPS6112385B2 JP52154821A JP15482177A JPS6112385B2 JP S6112385 B2 JPS6112385 B2 JP S6112385B2 JP 52154821 A JP52154821 A JP 52154821A JP 15482177 A JP15482177 A JP 15482177A JP S6112385 B2 JPS6112385 B2 JP S6112385B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- solder
- semiconductor
- semi
- solder paste
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/0198—Manufacture or treatment batch processes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置の製造方法にかかり、特に
半導体装置の外部リードの表面処理方法に関する
ものである。
半導体装置の外部リードの表面処理方法に関する
ものである。
従来、半導体装置の外部リードの表面処理は、
その半導体装置の目的、用途などによつて種々の
方法が使用されてきた。従来の技術を大別すると
概ね以下の３方法である。まず第１の方法は、樹
脂封止型半導体装置、ガラス封止型半導体装置に
多用されているもので、半導体素子を封着後、外
部リード切断前に電解メツキを行うものである。
次に第２の方法は多層セラミツク容器を用いた半
導体装置や一部の樹脂封止型半導体装置に見られ
るように、容器又はリードフレームを製造する際
外部リードに電解メツキを行うものであり、半導
体素子組立後何らの表面処理を行なわず、そのメ
ツキ状態で製品となる。さらに第３の方法は場合
により適用されるもので外部リードを半田槽の中
に浸漬し、半田を付着させるものである。
その半導体装置の目的、用途などによつて種々の
方法が使用されてきた。従来の技術を大別すると
概ね以下の３方法である。まず第１の方法は、樹
脂封止型半導体装置、ガラス封止型半導体装置に
多用されているもので、半導体素子を封着後、外
部リード切断前に電解メツキを行うものである。
次に第２の方法は多層セラミツク容器を用いた半
導体装置や一部の樹脂封止型半導体装置に見られ
るように、容器又はリードフレームを製造する際
外部リードに電解メツキを行うものであり、半導
体素子組立後何らの表面処理を行なわず、そのメ
ツキ状態で製品となる。さらに第３の方法は場合
により適用されるもので外部リードを半田槽の中
に浸漬し、半田を付着させるものである。
ところで、かような従来の方法については製品
のコストの点から次のような欠点があつた。すな
わち、第１の方法では半導体素子封止後電解メツ
キを行うため、電解メツキ製造ラインを作らなけ
ればらないが、その製造ラインは廃水処理装置に
対する投資や最近の厳しい環境規制における立地
場所の制限によつて、現実には不可能になりつつ
ある。又、たとえ可能であつても製品のコストは
その分上昇した。また第２の方法では、メツキを
行つた後半導体装置の組立工程を経るため、高温
で酸化し易いSn（スズ）などが使用できず、Au
（金）などの高価な金属を使用しなければなら
ず、やはり製品ストを下げることができなかつ
た。さらに第３の方法では確実に材料費は安くな
るが、半導体装置は個別になつているため大量生
産が難しく、また、半田槽の半田は刻一刻と不純
物が溶け込み品質が変るため、その品質を維持す
るには、半田槽の半田をその都度交換しなければ
ならずやはりコストを下げることは困難であつ
た。
のコストの点から次のような欠点があつた。すな
わち、第１の方法では半導体素子封止後電解メツ
キを行うため、電解メツキ製造ラインを作らなけ
ればらないが、その製造ラインは廃水処理装置に
対する投資や最近の厳しい環境規制における立地
場所の制限によつて、現実には不可能になりつつ
ある。又、たとえ可能であつても製品のコストは
その分上昇した。また第２の方法では、メツキを
行つた後半導体装置の組立工程を経るため、高温
で酸化し易いSn（スズ）などが使用できず、Au
（金）などの高価な金属を使用しなければなら
ず、やはり製品ストを下げることができなかつ
た。さらに第３の方法では確実に材料費は安くな
るが、半導体装置は個別になつているため大量生
産が難しく、また、半田槽の半田は刻一刻と不純
物が溶け込み品質が変るため、その品質を維持す
るには、半田槽の半田をその都度交換しなければ
ならずやはりコストを下げることは困難であつ
た。
本発明はかような欠点をなくし、安価で品質の
安定した半導体装置を提供することを目的とす
る。
安定した半導体装置を提供することを目的とす
る。
本発明は、半導体装置の外部リードに半田ペー
ストを塗布し、焼成したことを特徴とする。
ストを塗布し、焼成したことを特徴とする。
以下図面を用いて本発明の実施例を説明する。
第１図Ａ，Ｂ，Ｃは従来の半田槽を用いて表面
処理を行う半導体装置の斜視図である。例えば長
い金属薄板例えばコバールをプレスして各一個の
半導体装置となるパターンを連続して形成したリ
ードフレーム１に公知の方法で半導体素子を接続
し、金属細線を所定の箇所に配線した組立体をエ
ポキシ樹脂２で封止した半導体装置半製品３を形
成して（第１図Ａ）、この各半導体装置半製品３
を個別にプレスで分離し、さらに外部リード４を
所定のDIP形状でプレスで形成する。その後各半
導体装置半製品３の樹脂表面に捺印を行ない乾燥
させる（第１図Ｂ）。かようにしてほぼ最終形状
にされた状態で、外部リード４に適当なフラツク
スをつけ、例えばPb―Sn共晶ハンダを入れた半
田槽に浸す。そして最終的には外部リード４には
半田槽５が設けらた構造（第１図Ｃ）となり出荷
される。
処理を行う半導体装置の斜視図である。例えば長
い金属薄板例えばコバールをプレスして各一個の
半導体装置となるパターンを連続して形成したリ
ードフレーム１に公知の方法で半導体素子を接続
し、金属細線を所定の箇所に配線した組立体をエ
ポキシ樹脂２で封止した半導体装置半製品３を形
成して（第１図Ａ）、この各半導体装置半製品３
を個別にプレスで分離し、さらに外部リード４を
所定のDIP形状でプレスで形成する。その後各半
導体装置半製品３の樹脂表面に捺印を行ない乾燥
させる（第１図Ｂ）。かようにしてほぼ最終形状
にされた状態で、外部リード４に適当なフラツク
スをつけ、例えばPb―Sn共晶ハンダを入れた半
田槽に浸す。そして最終的には外部リード４には
半田槽５が設けらた構造（第１図Ｃ）となり出荷
される。
ところでかような従来の方法では、半導体装置
を個別に分離しないと半田浸しすることができず
大量生産的でなく、また半田槽の不純物量の管理
や、半田の交換などで工数や費用をかけるため結
果として製品コストの上昇をもたらしていた。
を個別に分離しないと半田浸しすることができず
大量生産的でなく、また半田槽の不純物量の管理
や、半田の交換などで工数や費用をかけるため結
果として製品コストの上昇をもたらしていた。
第２図Ａ，Ｂ，Ｃは本発明による半導体装置の
斜視図である。例えば従来公知のコバール等より
なるリードフレーム１にこれまた公知の方法で半
導体素子等を封止したエポキシ樹脂２を構成（第
２図Ａ）した半導体半製品３に対しまずコバール
表面を清浄にするためトリクレンなどによる溶剤
洗浄あるいはノニポールなどによるアルカリ洗浄
を行い、さらにHClなどで酸洗浄を加える。その
後、外部リード４に半田ペースト６をスクリーン
印刷法で形成する（第２図Ｂ）。この半田ペース
ト６は、例えば350メツシユ程度の細粒Pb―Sn
（38％）半田を約70％にその他樹脂、塩化アンモ
ン、軟質石油、ワツクスなどを加えたもので市販
されている。
斜視図である。例えば従来公知のコバール等より
なるリードフレーム１にこれまた公知の方法で半
導体素子等を封止したエポキシ樹脂２を構成（第
２図Ａ）した半導体半製品３に対しまずコバール
表面を清浄にするためトリクレンなどによる溶剤
洗浄あるいはノニポールなどによるアルカリ洗浄
を行い、さらにHClなどで酸洗浄を加える。その
後、外部リード４に半田ペースト６をスクリーン
印刷法で形成する（第２図Ｂ）。この半田ペース
ト６は、例えば350メツシユ程度の細粒Pb―Sn
（38％）半田を約70％にその他樹脂、塩化アンモ
ン、軟質石油、ワツクスなどを加えたもので市販
されている。
さて半田ペーストを塗布した後、約170℃前後
で焼成し、完全に接着させる。この焼成は通常の
恒温槽あるいは、電気炉、ベルト（連続）炉で可
能である。さらに、半導体装置半製品３の樹脂表
面に捺印を行い乾燥し、各半導体半製品３をリー
ドフレームより分離し、外部リードを成形する
（第２図Ｃ）。
で焼成し、完全に接着させる。この焼成は通常の
恒温槽あるいは、電気炉、ベルト（連続）炉で可
能である。さらに、半導体装置半製品３の樹脂表
面に捺印を行い乾燥し、各半導体半製品３をリー
ドフレームより分離し、外部リードを成形する
（第２図Ｃ）。
かようにして、本発明の半導体装置の製造方法
は、半田ペーストを塗布し焼成するため従来に比
して、大量生産が出き、また安価に作ることがで
きる。
は、半田ペーストを塗布し焼成するため従来に比
して、大量生産が出き、また安価に作ることがで
きる。
また、例えば捺印工程は半田ペースト塗布前に
行い塗布後の焼成で捺印乾燥を兼ねても良いため
規定することはない。
行い塗布後の焼成で捺印乾燥を兼ねても良いため
規定することはない。
第１図Ａ至第１図Ｃは従来技術による半導体装
置の製造方法を工程順に示した斜視図である。第
２図Ａ至第２図Ｃは本発明の一実施例を工程順に
示した斜視図である。 尚、図において、１……リードフレーム、２…
…樹脂、３……半導体装置半製品、４……外部リ
ード、５……半田層、６……半田ペーストであ
る。
置の製造方法を工程順に示した斜視図である。第
２図Ａ至第２図Ｃは本発明の一実施例を工程順に
示した斜視図である。 尚、図において、１……リードフレーム、２…
…樹脂、３……半導体装置半製品、４……外部リ
ード、５……半田層、６……半田ペーストであ
る。
Claims (1)
- １ 半導体装置の外部リードの少くとも一部に半
田ペースト層を形成する工程と、該半田ペースト
層を焼成する工程とを少くとも具備することを特
徴とした半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15482177A JPS5486275A (en) | 1977-12-21 | 1977-12-21 | Manufacture of semiconductor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15482177A JPS5486275A (en) | 1977-12-21 | 1977-12-21 | Manufacture of semiconductor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5486275A JPS5486275A (en) | 1979-07-09 |
| JPS6112385B2 true JPS6112385B2 (ja) | 1986-04-08 |
Family
ID=15592600
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15482177A Granted JPS5486275A (en) | 1977-12-21 | 1977-12-21 | Manufacture of semiconductor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5486275A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61267355A (ja) * | 1985-05-21 | 1986-11-26 | Fuji Plant Kogyo Kk | 半導体パツケ−ジ組立工程での外装処理方法 |
| JPS63142841A (ja) * | 1986-12-05 | 1988-06-15 | Fuji Plant Kogyo Kk | リ−ドフレ−ムへの半田外装処理方法 |
| JPS63148669A (ja) * | 1986-12-12 | 1988-06-21 | Fuji Plant Kogyo Kk | リ−ドフレ−ムへの半田外装方法 |
-
1977
- 1977-12-21 JP JP15482177A patent/JPS5486275A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5486275A (en) | 1979-07-09 |
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