JPS6113396B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6113396B2 JPS6113396B2 JP53042996A JP4299678A JPS6113396B2 JP S6113396 B2 JPS6113396 B2 JP S6113396B2 JP 53042996 A JP53042996 A JP 53042996A JP 4299678 A JP4299678 A JP 4299678A JP S6113396 B2 JPS6113396 B2 JP S6113396B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cdse
- cdte
- evaporation rate
- evaporation
- time
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はCdSe光導電膜の製造方法の改良に関
するものである。
するものである。
CdSe光導電膜はSe空孔の作るドナーレベルか
らなる欠陥がかなり材料内にあるために暗電流
（Id）が比較的大きく明電流（Ip）との比Ip／Id
は４〜５桁がせいぜいである。またIdは温度依存
性がはげしく80℃の温度になるとIp／Idが３桁程
度に低下してしまう。そのために大きな抵抗値変
化を必要とする光電変換デバイセには適用できな
い。
らなる欠陥がかなり材料内にあるために暗電流
（Id）が比較的大きく明電流（Ip）との比Ip／Id
は４〜５桁がせいぜいである。またIdは温度依存
性がはげしく80℃の温度になるとIp／Idが３桁程
度に低下してしまう。そのために大きな抵抗値変
化を必要とする光電変換デバイセには適用できな
い。
このCdSe光導電膜のSe空位を埋めるためにTe
を添加するという寸法がとられている。Teを添
加する方法としてはCdSe−Teの共蒸着、CdSe
−CdTe混合物による蒸着がすでに公知である。
前者はTeの蒸気圧の制御がむずかしく、後者は
混合比が一定であるために光導電膜のパラメータ
を変化させる際は不利である。
を添加するという寸法がとられている。Teを添
加する方法としてはCdSe−Teの共蒸着、CdSe
−CdTe混合物による蒸着がすでに公知である。
前者はTeの蒸気圧の制御がむずかしく、後者は
混合比が一定であるために光導電膜のパラメータ
を変化させる際は不利である。
本発明は、この様な欠点を除去することを目的
とし、この様な目的は、CdSeとCdTeを別々の蒸
着源として用意し、CdSeの蒸着速度をＶCSとし
CdTeの蒸発速度をＶCTとしたとき全体の蒸発速
度（ＶCS＋ＶCT）に対してCdTeの蒸発速度比Ｒ （Ｒ＝ＶＣＴ／ＶＣＳ＋ＶＣＴ）が０＜Ｒ≦0.5となる
ような割 合で蒸着することを含む光導電膜の製造方法によ
つて達成される。
とし、この様な目的は、CdSeとCdTeを別々の蒸
着源として用意し、CdSeの蒸着速度をＶCSとし
CdTeの蒸発速度をＶCTとしたとき全体の蒸発速
度（ＶCS＋ＶCT）に対してCdTeの蒸発速度比Ｒ （Ｒ＝ＶＣＴ／ＶＣＳ＋ＶＣＴ）が０＜Ｒ≦0.5となる
ような割 合で蒸着することを含む光導電膜の製造方法によ
つて達成される。
以下、本発明を実施例に基づいて詳細に説明す
る。本発明になる方法は第１図に示すように
CdSe１とCdTe２を別々の蒸着用ポート３，４に
用意し、蒸発量を制御して基板５上に光導電膜作
製を行う方法である。その時の基本的な考え方は
CdSeもCdTeも蒸発速度にほとんど差がなく、付
着させるCdSe光導電膜は各蒸発源の蒸発速度を
制御して行なうと制御性よく光導電膜が作製でき
るという事実がわかつたからである。その結果を
第２図、第３図に示す。
る。本発明になる方法は第１図に示すように
CdSe１とCdTe２を別々の蒸着用ポート３，４に
用意し、蒸発量を制御して基板５上に光導電膜作
製を行う方法である。その時の基本的な考え方は
CdSeもCdTeも蒸発速度にほとんど差がなく、付
着させるCdSe光導電膜は各蒸発源の蒸発速度を
制御して行なうと制御性よく光導電膜が作製でき
るという事実がわかつたからである。その結果を
第２図、第３図に示す。
蒸着用ポート３，４は例えばタングステン、モ
リブデン等の金属で出来ており、各々のポートに
独立に加熱用電流を流す構成となつている。この
電流によりポートは発熱しCdSe，CdTeを蒸発せ
しめる。従つて各ポートに流す電流を変化させる
ことによりCdSe，CdTeの蒸発量を独立に制御で
きる。タングステン、モリブデンのポートは
CdSe，CdTeとは反応しないので何度でも使用可
能であり制御の再現性はよい。
リブデン等の金属で出来ており、各々のポートに
独立に加熱用電流を流す構成となつている。この
電流によりポートは発熱しCdSe，CdTeを蒸発せ
しめる。従つて各ポートに流す電流を変化させる
ことによりCdSe，CdTeの蒸発量を独立に制御で
きる。タングステン、モリブデンのポートは
CdSe，CdTeとは反応しないので何度でも使用可
能であり制御の再現性はよい。
なお蒸着速度の測定は、例えばCdSe用、CdTe
用と、それぞれ独立に用意した膜厚モニタによ
り、蒸発量の時間微分をとる公知の方法により行
なう。
用と、それぞれ独立に用意した膜厚モニタによ
り、蒸発量の時間微分をとる公知の方法により行
なう。
第２図は蒸発速度の比Ｒに対する明電流IP(A)と
明電流IPと暗電流Idの比Ip／Idの変化を示す図で
ある。ここで蒸発速度の比Ｒは次式で表わされ
る。
明電流IPと暗電流Idの比Ip／Idの変化を示す図で
ある。ここで蒸発速度の比Ｒは次式で表わされ
る。
Ｒ＝ＶＣＴ／ＶＣＳ＋ＶＣＴ
ただし、ＶCS；CdSeの蒸発速度、ＶCT；CdTe
の蒸発速度。
の蒸発速度。
図中曲線６はIpの変化を示し、曲線７はIp／Id
の変化を示す。またΔはIp／Idを、●はIpを示
す。
の変化を示す。またΔはIp／Idを、●はIpを示
す。
蒸着時の条件は基板の温度を270℃とし、CdSe
の蒸発速度ＶCSは水晶発振器の周波数が１分間に
3.5KHz変化する様な値とした。
の蒸発速度ＶCSは水晶発振器の周波数が１分間に
3.5KHz変化する様な値とした。
またIpとIdの測定条件は印加電圧を6Vとし、
照射する光の光量を1000ルツクスとした。
照射する光の光量を1000ルツクスとした。
第３図は蒸発速度の比Ｒに対する明電流Ipの立
上り時間r90と立下り時間d10の変化を示す。
上り時間r90と立下り時間d10の変化を示す。
図中曲線８は立上り時間、曲線９は立下り時間
を示す。時間の単位は（ｍ sec）である。
を示す。時間の単位は（ｍ sec）である。
ここで立上り時間r90は第４図に示す様に光を
照射した時間t0から明電流Ipが90％に達する時間
t1までを示し、立下り時間R10は光照射を停止し
た時間t2から明電流Ipが10％に達する時間t3まで
を示す。
照射した時間t0から明電流Ipが90％に達する時間
t1までを示し、立下り時間R10は光照射を停止し
た時間t2から明電流Ipが10％に達する時間t3まで
を示す。
この実験によると、Ｒを０＜Ｒ≦0.5の範囲に
なるように各材料の蒸発速度を変化せしめるとＲ
＝０（CdTe蒸発のない場合）の場合に比して
Ip／Idにして１桁（最適点では２桁）以上向上
し、またr90，R10は小さくなり、スピードアツプ
がはかれている。明電流IpはＲ＝0.2まではほぼ
一定であるが、Ｒ≧0.2になると急激に小さくな
る。同時に応答時間r90，d10は速くなる。それ
故、蒸発速度の比Ｒを変化させることにより目的
に合わせて光導電膜の諸性質を変えた膜を得るこ
とが可能である。この点がCdSe−CdTeを一つの
蒸発源から蒸発させて形成する方法にまさつてい
る。
なるように各材料の蒸発速度を変化せしめるとＲ
＝０（CdTe蒸発のない場合）の場合に比して
Ip／Idにして１桁（最適点では２桁）以上向上
し、またr90，R10は小さくなり、スピードアツプ
がはかれている。明電流IpはＲ＝0.2まではほぼ
一定であるが、Ｒ≧0.2になると急激に小さくな
る。同時に応答時間r90，d10は速くなる。それ
故、蒸発速度の比Ｒを変化させることにより目的
に合わせて光導電膜の諸性質を変えた膜を得るこ
とが可能である。この点がCdSe−CdTeを一つの
蒸発源から蒸発させて形成する方法にまさつてい
る。
第１図は本発明による製造方法を説明するため
の図、第２図は蒸発速度の比Ｒに対する明電流Ip
及び明電流Ipと暗電流Idの比Ip／Idの変化を示す
図、第３図は蒸発速度の比Ｒに対する立上り時
間、立下り時間の変化を示す図、第４図は立上り
時間、立下り時間を説明するための図である。 図中１はCdSe、２はCdTe、３，４は蒸着用ポ
ート、５は基板である。
の図、第２図は蒸発速度の比Ｒに対する明電流Ip
及び明電流Ipと暗電流Idの比Ip／Idの変化を示す
図、第３図は蒸発速度の比Ｒに対する立上り時
間、立下り時間の変化を示す図、第４図は立上り
時間、立下り時間を説明するための図である。 図中１はCdSe、２はCdTe、３，４は蒸着用ポ
ート、５は基板である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ CdSeとCdTeを別々の蒸発源として用意し、
CdSeの蒸発速度をVcsとしCdTeの蒸発速度をＶ
CTとしたとき全体の蒸発速度（ＶCS＋ＶCT）に対
してCdTeの蒸発速度をＶCTの比Ｒ （Ｒ＝ＶＣＴ／ＶＣＳ＋ＶＣＴ）が０＜Ｒ≦0.5となる
ような割 合で蒸着することを含む光導電膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4299678A JPS54134994A (en) | 1978-04-12 | 1978-04-12 | Manufacture of photoconductive film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4299678A JPS54134994A (en) | 1978-04-12 | 1978-04-12 | Manufacture of photoconductive film |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS54134994A JPS54134994A (en) | 1979-10-19 |
| JPS6113396B2 true JPS6113396B2 (ja) | 1986-04-12 |
Family
ID=12651621
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4299678A Granted JPS54134994A (en) | 1978-04-12 | 1978-04-12 | Manufacture of photoconductive film |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS54134994A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6160065A (ja) * | 1984-08-31 | 1986-03-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光電変換装置 |
-
1978
- 1978-04-12 JP JP4299678A patent/JPS54134994A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS54134994A (en) | 1979-10-19 |
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