JPS6120108B2 - - Google Patents
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- JPS6120108B2 JPS6120108B2 JP55033536A JP3353680A JPS6120108B2 JP S6120108 B2 JPS6120108 B2 JP S6120108B2 JP 55033536 A JP55033536 A JP 55033536A JP 3353680 A JP3353680 A JP 3353680A JP S6120108 B2 JPS6120108 B2 JP S6120108B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は焦点合わせや非点補正時における試料
の電子線照射損傷を極力少なくして撮影すること
を可能にした電子顕微鏡における顕微鏡像撮影装
置に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a microscopic image photographing device for an electron microscope that is capable of photographing a sample while minimizing damage caused by electron beam irradiation during focusing and astigmatism correction.
一般に電子顕微鏡より得られる情報記録の準備
段階として軸合わせ、目的視野さがし、非点補
正、焦点合わせ等の確認事項が不可避である。こ
の場合斯かる準備操作中に試料に電子線照射損傷
を与えては、試料本来の性質を変えて目的を達成
できない。しかるに通常10000倍以上の観察倍率
においては前述した準備操作段階、特に非点補正
や焦点合わせに際しては、試料上に照射電子線を
最終段集束レンズにより1μm以下に絞つた状態
(つまりフオーカスさせた状態)で照射するため
電子流密度が高くなり、試料は電子線照射損傷を
受けやすい。 In general, as a preparatory step for recording information obtained from an electron microscope, confirmation items such as axis alignment, finding the target field of view, astigmatism correction, and focusing are unavoidable. In this case, if the sample is damaged by electron beam irradiation during such preparatory operations, the original properties of the sample will change and the objective cannot be achieved. However, at observation magnifications of 10,000 times or more, the preparatory steps mentioned above, especially during astigmatism correction and focusing, are performed in a state in which the irradiated electron beam is narrowed down to 1 μm or less by the final focusing lens on the sample (that is, in a focused state). ), the electron current density is high and the sample is susceptible to electron beam irradiation damage.
そこで、このような従来の欠点を解決すると共
に、視野捜しから写真撮影完了に至る各ステツプ
を手際良く行ない得るようにするため、先願の特
公昭59―19408号においては、3つの操作モード
を有する制御手段を設け、第1の操作モードにお
いては試料照射用集束レンズの励磁が予め記憶さ
れた視野捜しに適した値に設定され、第2の操作
モードにおいては前記集束レンズの励磁が予め記
憶された非点補正及び焦点合せに適した値に設定
されると共に、電子線の試料照射位置が一定量ず
れるように偏向装置が制御され、第3の操作モー
ドにおいては集束レンズの励磁が予め記憶された
写真撮影に適した値に設定されると共に、撮影装
置による撮影が行なわれるようにしている。 Therefore, in order to solve these conventional drawbacks and to enable each step from searching the field of view to completing photography to be carried out efficiently, the earlier application, Japanese Patent Publication No. 1983-19408, proposed three operation modes. In the first operation mode, the excitation of the focusing lens for sample irradiation is set to a pre-stored value suitable for searching the field of view, and in the second operation mode, the excitation of the focusing lens is set to a pre-stored value suitable for searching the field of view. The deflection device is set to a value suitable for astigmatism correction and focusing, and the deflection device is controlled so that the sample irradiation position of the electron beam is shifted by a certain amount. In the third operation mode, the excitation of the focusing lens is stored in advance. The value is set to a value suitable for the photograph taken, and the photograph is taken by the photographing device.
しかしながら、このような従来装置においては
焦点合わせの際に、照射電子線は試料上の目的と
する視野(光軸上における視野)からある距離ず
れた位置に高密度で照射され、それにより試料へ
の熱の流入が光軸からずれた局所に極端に偏るた
め、直ちに撮影モードに移したとき、つまり照射
電子線の中心を光軸上に移動させたとき、試料は
熱的なドリフト(推移)を受け、高分解能の写真
を得ることができなくなる欠点を有している。 However, in such conventional devices, when focusing, the irradiated electron beam is irradiated with high density at a position shifted a certain distance from the target field of view (field of view on the optical axis) on the sample, thereby Because the inflow of heat is extremely biased to a localized area that is off the optical axis, when we immediately switch to imaging mode, that is, when we move the center of the irradiated electron beam onto the optical axis, the sample undergoes a thermal drift (transition). This method has the disadvantage that high-resolution photographs cannot be obtained.
本発明は斯様な不都合を解決することを目的と
するもので、以下図面に基づき詳説する。 The present invention aims to solve such inconveniences, and will be explained in detail below with reference to the drawings.
第1図は本発明の一実施例を示す構成略図であ
り、1は電子銃である。該電子銃1で発生した電
子線EBは第1及び第2の集束レンズ2及び3に
よつて集束されて試料4上に照射される。該電子
線照射により試料4を透過した電子線は対物、中
間及び投影レンズ5,6及び7等からなる拡大レ
ンズ系によつて拡大結像されて螢光板8上に試料
の拡大像が投影される。又該試料の拡大像は螢光
板駆動機構9による螢光板8の開放によつて撮影
装置10により写真撮影される。11は写真撮影
する場合に使用されるシヤツター板で、シヤツタ
ー駆動機構12によつて開閉される。13は第2
の集束レンズ3を励磁するためのレンズ制御回路
で、該レンズ制御回路は切換スイツチ14を介し
て三つの基準電源15a,15b及び15cから
の電圧値に応じた励磁電流を集束レンズに供給す
る。16は前記切換スイツチ14を切換えるため
の切換回路で、該切換回路16は切換スイツチ1
4の各端子a,b及びcに対応して設けられた押
釦スイツチ17a,17b及び17cによつて制
御される。18は前記試料4を機械的に水平移動
させるための水平移動機構である。19は前記対
物、中間及び投影レンズ5,6,7の励磁電流は
制御するためのレンズ制御回路である。 FIG. 1 is a schematic diagram showing an embodiment of the present invention, and numeral 1 indicates an electron gun. The electron beam EB generated by the electron gun 1 is focused by the first and second focusing lenses 2 and 3 and irradiated onto the sample 4. The electron beam transmitted through the sample 4 by the electron beam irradiation is enlarged and imaged by a magnifying lens system consisting of objective, intermediate, and projection lenses 5, 6, and 7, and an enlarged image of the sample is projected onto the fluorescent plate 8. Ru. Further, an enlarged image of the sample is photographed by a photographing device 10 when the fluorescent plate 8 is opened by the fluorescent plate drive mechanism 9. Reference numeral 11 denotes a shutter plate used for photographing, which is opened and closed by a shutter drive mechanism 12. 13 is the second
This lens control circuit supplies excitation current to the focusing lens according to the voltage values from the three reference power supplies 15a, 15b, and 15c via the changeover switch 14. 16 is a switching circuit for switching the switching switch 14;
It is controlled by push button switches 17a, 17b and 17c provided corresponding to the respective terminals a, b and c of 4. 18 is a horizontal movement mechanism for horizontally moving the sample 4 mechanically. Reference numeral 19 denotes a lens control circuit for controlling the excitation currents of the objective, intermediate and projection lenses 5, 6, and 7.
20a及び20bは前記第2の集束レンズ3と
試料4との間におかれた二段の偏向コイル(この
偏向コイルは1段でもよい)で、制御回路21に
よつて制御される。該制御回路21には押釦スイ
ツチ17a,17b,17cを押(オン)すこと
により発生する指令信号が、又第1の遅延回路2
2を経由した押釦スイツチ17cからの指令信号
が夫々供給されている。該制御回路21は押釦ス
イツチ17a,17bからの夫々の指令信号に基
づいて偏向コイル20a+20bに予じめ設定さ
れた一定の偏向信号を夫々供給し、照射電子線
EBの中心を光軸から一定距離ずらす働きをす
る。又押釦スイツチ17cからの指令信号に基づ
いて制御回路21は偏向コイル20aにブランキ
ング信号を供給し、照射電子線EBを電子線通路
外に大きく偏向して試料4上に到達しないように
する。更に押釦スイツチ17cからの指令信号が
第1の遅延回路22によつて設定した時間(例え
ば10秒程度)遅れて供給されると制御回路21は
前記偏向コイル20aに供給しているブランキン
グ信号を解除する。 Denoted at 20a and 20b are two-stage deflection coils (the number of deflection coils may be one-stage) placed between the second focusing lens 3 and the sample 4, and are controlled by a control circuit 21. The control circuit 21 receives command signals generated by pressing (turning on) the pushbutton switches 17a, 17b, and 17c, and also receives command signals from the first delay circuit 2.
A command signal from the push button switch 17c via 2 is supplied to each of the push button switches 17c. The control circuit 21 supplies preset constant deflection signals to the deflection coils 20a+20b based on command signals from the pushbutton switches 17a and 17b, respectively, so that the irradiated electron beam
It works to shift the center of the EB a certain distance from the optical axis. In addition, based on the command signal from the push button switch 17c, the control circuit 21 supplies a blanking signal to the deflection coil 20a to largely deflect the irradiated electron beam EB out of the electron beam path so that it does not reach the sample 4. Further, when the command signal from the push button switch 17c is supplied after a delay of a set time (for example, about 10 seconds) by the first delay circuit 22, the control circuit 21 changes the blanking signal supplied to the deflection coil 20a. unlock.
前記第1の遅延回路22からの出力信号は第2
の遅延回路23を介して前記シヤツター駆動機構
12に供給され、該指令信号に基づいて閉鎖され
ているシヤツター板11を開放させる。 The output signal from the first delay circuit 22 is
The signal is supplied to the shutter drive mechanism 12 via the delay circuit 23, and the shutter plate 11, which has been closed, is opened based on the command signal.
24は前記撮影装置10の露出制御回路で、該
露出制御回路は前記第2の遅延回路23からの出
力信号によつて駆動される。 Reference numeral 24 denotes an exposure control circuit of the photographing device 10, and the exposure control circuit is driven by the output signal from the second delay circuit 23.
斯様な装置において電子銃1からの電子線EB
は第1及び第2の集束レンズ2,3によつて細く
集束されて試料4上に照射され、又第2の集束レ
ンズ3を制御することにより試料4上の照射電子
密度が制御される。第2の集束レンズ3における
基準電源15aの電圧値は第2の集束レンズ3に
視野さがしに適した電流値を供給するように設定
されており、又基準電源15bの電圧値は集点合
わせや非点補正に適した電流値を、更に基準電源
15cの電圧値は写真撮影に適した電流値を夫々
第2の集束レンズ3に供給するように設定されて
いる。 In such a device, the electron beam EB from the electron gun 1
The electron beams are narrowly focused by the first and second focusing lenses 2 and 3 and irradiated onto the sample 4, and by controlling the second focusing lens 3, the density of the irradiated electrons on the sample 4 is controlled. The voltage value of the reference power source 15a in the second focusing lens 3 is set to supply the second focusing lens 3 with a current value suitable for searching the field of view, and the voltage value of the reference power source 15b is set to supply the second focusing lens 3 with a current value suitable for searching the field of view. The voltage value of the reference power source 15c is set to supply the second focusing lens 3 with a current value suitable for astigmatism correction, and a current value suitable for photographing.
しかして今、押釦スイツチ17aをオンにする
と切換回路16は切換スイツチ14を端子a側に
接続するため、第2の集束レンズ3には視野さが
しに適した電流値が供給される。即ち第2図aに
その光学図を示すように第2の集束レンズ3が強
く励磁されるので、照射電子線EBは試料4の上
方でフオーカスされ、試料の広い領域を照射する
ことになるため、試料4上での電子流密度は低く
なる。又押釦スイツチ17aからの指令信号は切
換回路16に供給されると同時に制御回路21に
も供給されるため、偏向コイル20a,20bに
より照射電子線の中心は第2図aで示すように光
軸外に偏向され、照射電子線の縁部分の一部が光
軸上に位置するように偏向される。この状態にお
いて螢光板8上に投影される試料像(この場合試
料像は螢光板上の光軸を中心にして右側に投影さ
れている。)を観察しながら水平移動機構18に
より試料4を第2図a中左方に移動させることに
より所望とする視野A点を螢光板8の中心に移
動、つまり視野A点を光軸上に位置させる。 Now, when the push button switch 17a is turned on, the switching circuit 16 connects the switching switch 14 to the terminal a side, so that the second focusing lens 3 is supplied with a current value suitable for visual field searching. That is, as the optical diagram is shown in Fig. 2a, the second focusing lens 3 is strongly excited, so the irradiated electron beam EB is focused above the sample 4, and a wide area of the sample is irradiated. , the electron current density on sample 4 becomes low. Also, since the command signal from the push button switch 17a is supplied to the switching circuit 16 and at the same time to the control circuit 21, the center of the irradiated electron beam is aligned with the optical axis by the deflection coils 20a and 20b as shown in FIG. 2a. The electron beam is deflected outward so that a portion of the edge portion of the irradiated electron beam is located on the optical axis. In this state, while observing the sample image projected onto the fluorescent plate 8 (in this case, the sample image is projected to the right with the optical axis on the fluorescent plate as the center), the horizontal movement mechanism 18 moves the sample 4 to the first position. By moving to the left in FIG. 2a, the desired field of view point A is moved to the center of the fluorescent plate 8, that is, the field of view point A is positioned on the optical axis.
しかして斯かる視野さがしの終了後、今度は押
釦スイツチ17bをオンにすると切換回路16は
切換スイツチ14を第1図中実線で示すように端
子b側に接続させるため、第2の集束レンズ3に
は焦点合わせ及び非点補正に適した電流値が供給
される。これにより第2図b中実線で示すように
第2の集束レンズ3は励磁が弱められ、照射電子
線EBは試料4上に略フオーカスされるので例え
ば1μm以下のスポツト径に絞られ、電子流密度
は高くなる。このとき押釦スイツチ17bのオン
により切換スイツチ14が端子a側からb側に切
換わると同時に押釦スイツチ17bからの指令信
号が制御回路21にも供給されるため、該制御回
路21は偏向コイル20a,20bに一定の偏向
信号が供給される。従つて照射電子線EBは第2
図b中実線でその状態を示すように試料4中のB
点を照射し、そのB点を透過した電子線が対物、
中間及び投影レンズ5,6,7によつて螢光板8
上のP位置に拡大結像される。 After the field of view search is completed, when the push button switch 17b is turned on, the switching circuit 16 connects the switching switch 14 to the terminal b side as shown by the solid line in FIG. is supplied with a current value suitable for focusing and astigmatism correction. As a result, the excitation of the second focusing lens 3 is weakened, as shown by the solid line in FIG. Density increases. At this time, when the push button switch 17b is turned on, the changeover switch 14 is switched from the terminal a side to the terminal b side, and at the same time, the command signal from the push button switch 17b is also supplied to the control circuit 21, so that the control circuit 21 controls the deflection coil 20a, A constant deflection signal is supplied to 20b. Therefore, the irradiated electron beam EB is the second
B in sample 4 as shown by the solid line in Figure b.
The electron beam that irradiates a point and passes through point B is the object,
Fluorescent plate 8 by means of intermediate and projection lenses 5, 6, 7
An enlarged image is formed at the upper position P.
ここで試料4中の撮影すべきA点からB点まで
の距離が短かい場合、例えば3μm以内であれ
ば、偏向収差及び対物レンズの軸外収差は軸上収
差より充分小さい事が確かめられており、従つて
B点において行なつた焦点合わせや非点補正はそ
のままA点においても適用することができる。そ
こで第2図b中実線で示すように試料4中のB点
に細く絞つた照射電子線EBを照射し、螢光板8
上において十分な明るさを有する試料像を観察し
ながら焦点合わせ及び非点補正を行なう。 If the distance from point A to point B to be photographed in sample 4 is short, for example within 3 μm, it has been confirmed that the deflection aberration and the off-axis aberration of the objective lens are sufficiently smaller than the axial aberration. Therefore, the focusing and astigmatism correction performed at point B can be applied to point A as they are. Therefore, as shown by the solid line in Figure 2b, point B in the sample 4 was irradiated with a narrowly focused electron beam EB,
Focusing and astigmatism correction are performed while observing a sufficiently bright sample image above.
しかして斯かる焦点合わせ等の操作完了後、押
釦スイツチ17cをオンして第3図aで示す指令
信号を発生させると先ずこの指令信号は切換回路
16に供給されて切換スイツチ14を端子c側に
接続するため、第2の集束レンズ3に撮影に適し
た電流が供給されると同時に、指令信号は制御回
路21に供給されるため、該制御回路21は偏向
コイル20aに第3図中bで示すブランキング信
号を供給し、照射電子線EBを第2図b中点線で
示すように電子線通路外に偏向(この偏向方向は
視野さがし又は焦点合わせ時に照射電子線を偏向
する方向に一致させてある。)し、試料4に到達
させない。更に指令信号は同時に螢光板駆動機構
9及びシヤツター駆動機構12に夫夫供給される
ため、各駆動機構9及び12は第3図c及びdで
示すように駆動され、螢光板8が開放され、又シ
ヤツター板11が閉鎖する。更に又押釦スイツチ
17cからの指令信号は第1の遅延回路22にも
同時に供給されるため、設定された時刻T1(例
えば10秒程度)経過後、第3図eで示す出力信号
を前記制御回路21に送り、偏向コイル20aに
供給されているブランキング信号を解除し、照射
電子線EBの中心を光軸上に位置せしめる。この
とき第2の集束レンズ3は撮影に適した基準電源
15cに接続されているため、励磁は強められ、
照射電子線EBは第3図aと略同様にスポツト径
が大きく、試料4の広い領域を照射する。しかし
て前記第1の遅延回路22からの出力信号は更に
第2の遅延回路23に送られているため、該第2
の遅延回路23は第3図fで示すようにブランキ
ング信号が解除されてから設定された時刻T2
(例えば0.1秒程度)経過後、シヤツター駆動機構
12及び露出制御回路24に出力信号を供給す
る。これにより第3図dで示すようにシヤツター
駆動機構12の駆動が停止してシヤツター板11
が開放されるため、試料4中のA点の拡大像が撮
影装置10のフイルムに露光される。しかして所
定の露出時間T3が経過すると露出制御回路24
からシヤツター駆動機構12に出力信号が供給さ
れるため、シヤツター板11は閉鎖する。又露出
制御回路24は撮影装置10にも出力信号を送
り、撮影済フイルムを収納箱に収納し、未撮影フ
イルムを撮影位置にセツトする。更に該露出制御
回路24は第3図gで示すリセツト信号を螢光板
駆動機構9、切換回路16、第1及び第2の遅延
回路22,23に夫夫供給する。これにより第3
図cで示すように螢光板駆動機構9の駆動が停止
されて螢光板8が閉鎖される。又切換スイツチ1
4が第1図中実線で示すように端子b側に接続さ
れ、照射電子線EBが予じめ設定した試料4中の
B点を照射するようにセツトされる。更に第1及
び第2の遅延回路22及び23は第3図e及びf
で夫々示すようにリセツトされる。尚螢光板8が
閉鎖することによりシヤツター板11が開放する
ように構成されている。そこでこの状態において
対物レンズ5の焦点距離を任意に変化させれば、
フオーカス状態の異つた試料像を撮影することが
できる。 After completion of such operations such as focusing, the push button switch 17c is turned on to generate the command signal shown in FIG. Since a current suitable for photographing is supplied to the second focusing lens 3, and at the same time, a command signal is supplied to the control circuit 21, the control circuit 21 connects the deflection coil 20a to the direction b in FIG. A blanking signal shown in is supplied, and the irradiated electron beam EB is deflected out of the electron beam path as shown by the dotted line in the center of Figure 2b (this direction of deflection corresponds to the direction in which the irradiated electron beam is deflected when searching for a field of view or focusing. ) and do not allow it to reach sample 4. Furthermore, since the command signal is simultaneously supplied to the fluorescent plate drive mechanism 9 and the shutter drive mechanism 12, each drive mechanism 9 and 12 is driven as shown in FIGS. 3c and 3d, and the fluorescent plate 8 is opened. Also, the shutter plate 11 is closed. Furthermore, since the command signal from the push button switch 17c is simultaneously supplied to the first delay circuit 22 , the output signal shown in FIG. The blanking signal sent to the circuit 21 and supplied to the deflection coil 20a is canceled, and the center of the irradiated electron beam EB is positioned on the optical axis. At this time, since the second focusing lens 3 is connected to the reference power source 15c suitable for photographing, the excitation is strengthened.
The irradiation electron beam EB has a large spot diameter as shown in FIG. 3a, and irradiates a wide area of the sample 4. Since the output signal from the first delay circuit 22 is further sent to the second delay circuit 23, the second
As shown in Fig. 3f, the delay circuit 23 of
(For example, after about 0.1 seconds), an output signal is supplied to the shutter drive mechanism 12 and the exposure control circuit 24. As a result, the drive of the shutter drive mechanism 12 is stopped and the shutter plate 11 is stopped as shown in FIG.
is opened, so that an enlarged image of point A in the sample 4 is exposed to the film of the photographing device 10. However, when the predetermined exposure time T3 has elapsed, the exposure control circuit 24
Since the output signal is supplied to the shutter drive mechanism 12 from the shutter plate 11, the shutter plate 11 is closed. The exposure control circuit 24 also sends an output signal to the photographing device 10 to store the photographed film in the storage box and set the unphotographed film at the photographing position. Further, the exposure control circuit 24 supplies a reset signal shown in FIG. This allows the third
As shown in FIG. c, the driving of the fluorescent plate drive mechanism 9 is stopped and the fluorescent plate 8 is closed. Also changeover switch 1
4 is connected to the terminal b side as shown by the solid line in FIG. 1, and the irradiation electron beam EB is set so as to irradiate a preset point B in the sample 4. Further, the first and second delay circuits 22 and 23 are arranged as shown in FIG.
They are reset as shown respectively in . The shutter plate 11 is configured to open when the fluorescent plate 8 is closed. Therefore, if the focal length of the objective lens 5 is arbitrarily changed in this state,
Sample images with different focus states can be taken.
尚該実施例において、倍率の変化により焦点合
わせ用のスポツト像(つまり試料4中のB点に相
当する像)の位置が変化するため、レンズ制御回
路19の操作に連動して制御回路21を制御する
ことにより偏向コイル20a,20bにおける偏
向量を制御して常に螢光板8上のP位置に結像さ
せるように構成する必要がある。 In this embodiment, since the position of the focusing spot image (that is, the image corresponding to point B in the sample 4) changes as the magnification changes, the control circuit 21 is activated in conjunction with the operation of the lens control circuit 19. It is necessary to control the amount of deflection in the deflection coils 20a and 20b so that the image is always focused on the P position on the fluorescent plate 8.
尚前述の説明は本発明の例示であり、実施にあ
たつては幾多の変形が考えられる。 It should be noted that the above description is an illustration of the present invention, and many modifications may be made in implementing the present invention.
例えば視野さがしや焦点合わせ等を行うときに
使用される偏向コイルを照射電子線のブランキン
グ用偏向コイルとして兼用した場合について述べ
たが、該偏向コイルとは別個にブランキング専用
の偏向コイルやシヤツター板を用意してもよい。 For example, we have described the case where a deflection coil used for field searching, focusing, etc. is also used as a deflection coil for blanking the irradiated electron beam. You can also prepare a board.
又、視野さがしのとき照射電子線の中心を光軸
からずらすように述べたが、必ずしもずらす必要
はない。 Further, although it has been described that the center of the irradiated electron beam is shifted from the optical axis when searching the field of view, it is not necessarily necessary to shift it.
更に又、焦点合わせ用の試料中におけるB点の
像は螢光板の中心外のあるP位置に結像させるよ
うに述べたが、これに限定されることなく、対物
レンズと中間レンズとの間に二段の偏向コイル
(この偏向コイルを対物レンズの後焦点面又はそ
の近傍に設置した場合には偏向コイルは一段でも
よい)を設置することにより試料中におけるB点
の像を螢光板の中心部に結像させることも可能で
ある。この場合第2の集束レンズと試料間におか
れる偏向コイルと対物レンズと中間レンズ間にお
かれる偏向コイルとの偏向方向は倍率等の変化に
より生ずる像の回転にともなつてくるいが生ずる
ため、結像レンズ系のレンズ制御回路の操作に関
連して制御する必要がある。 Furthermore, although it has been described that the image of point B in the sample for focusing is formed at a certain P position outside the center of the phosphor plate, the image is not limited to this, but may be formed between the objective lens and the intermediate lens. By installing two stages of deflection coils (one stage of deflection coils may be used if this deflection coil is installed at or near the back focal plane of the objective lens), the image of point B in the sample can be set at the center of the fluorescent plate. It is also possible to form an image on the area. In this case, the deflection direction of the deflection coil placed between the second focusing lens and the sample, and the deflection coil placed between the objective lens and the intermediate lens may cause distortion due to rotation of the image caused by changes in magnification, etc. , it is necessary to control in connection with the operation of the lens control circuit of the imaging lens system.
上述した説明より明らかなように、本発明にお
いては、写真撮影を行なうため、第3の操作モー
ドを開始させると、制御手段により電子線照射用
集束レンズの励磁が写真撮影に適する予め記憶さ
れた値に設定されると共にブランキング手段によ
り電子線を一定時間ブランキングし、該ブランキ
ングを解除した後撮影が開始されるため、第2の
操作モードにおいて非点補正及び焦点合わせを行
なうため、光軸から外れた試料位置に高密度の電
子線を照射しても、熱の流入が光軸からずれた局
所に極端に偏ることによる熱的なドリフトが緩和
された後写真撮影を行なうことができるため、第
3のモードを開始させるという簡単な操作のみで
操作ミス無く確実に高分解能の写真撮影を行なう
ことができる。 As is clear from the above description, in the present invention, when the third operation mode is started in order to take a photograph, the control means excite the focusing lens for electron beam irradiation in a pre-stored manner suitable for taking a photograph. At the same time, the blanking means blanks the electron beam for a certain period of time, and after canceling the blanking, shooting starts. Even if a high-density electron beam is irradiated to a sample position that is off-axis, photographs can be taken after the thermal drift caused by the heat inflow being extremely localized to a localized area off-axis has been alleviated. Therefore, high-resolution photography can be reliably performed without any operational errors by simply starting the third mode.
第1図は本発明の一実施例装置を示す構成路
図、第2図a,b及びcは第1図に示した一実施
例装置の動作を説明するための光学的略図、第3
図a乃至hは第1図に示した一実施例装置の動作
説明図である。
1…電子銃、2及び3…第1及び第2の集束レ
ンズ、4…試料、5,6及び7…対物、中間及び
投影レンズ、8…螢光板、9…螢光板板駆動機
構、10…撮影装置、11…シヤツター板、12
…シヤツター駆動機構、13及び19…レンズ制
御回路、14…切換スイツチ、15a乃至15c
…基準電源、16…切換回路、17a乃至17c
…押釦スイツチ、18…水平移動機構、20a及
び20b…偏向コイル、21…制御回路、22及
び23…第1及び第2の遅延回路、24…露出制
御回路。
FIG. 1 is a configuration diagram showing an embodiment of the device of the present invention, FIGS. 2a, b, and c are optical diagrams for explaining the operation of the embodiment of the device shown in FIG. 1, and FIG.
Figures a to h are explanatory views of the operation of the embodiment of the apparatus shown in Figure 1. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Electron gun, 2 and 3... First and second focusing lenses, 4... Sample, 5, 6, and 7... Objective, intermediate and projection lenses, 8... Fluorescent plate, 9... Fluorescent plate drive mechanism, 10... Photographing device, 11...Shutter board, 12
... Shutter drive mechanism, 13 and 19... Lens control circuit, 14... Changeover switch, 15a to 15c
...Reference power supply, 16...Switching circuit, 17a to 17c
...Push button switch, 18...Horizontal movement mechanism, 20a and 20b...Deflection coil, 21...Control circuit, 22 and 23...First and second delay circuit, 24...Exposure control circuit.
Claims (1)
上に照射するための集束レンズと、電子線を偏向
することにより電子線の試料への照射を阻止する
ためのブランキング手段と、該試料上の電子線照
射位置を移動させるための偏向手段と、電子顕微
鏡像を写真撮影するための撮影手段とを備えた装
置において、3つの操作モードを有する制御手段
を設け、該制御手段による第1の操作モードにお
いては前記集束レンズの励磁が視野捜しに適する
低密度照射に対応した予め記憶された値に設定さ
れ、第2の操作モードにおいては前記集束レンズ
の励磁が非点補正及び焦点合わせに適する高密度
照射に対応した予め記憶された値に設定されると
共に、電子線の試料照射位置が一定量ずれるよう
に前記偏向装置が制御され、第3の操作モードに
おいては前記集束レンズの励磁が写真撮影に適す
る予め記憶された値に設定されると共に前記ブラ
ンキング手段により電子線を一定時間ブランキン
グし、該ブランキングを解除した後前記撮影装置
による撮影が行なわれるように構成したことを特
徴とする電子顕微鏡における顕微鏡像の撮影装
置。 2 前記ブランキング手段が前記偏向手段によつ
て兼用されている前記特許請求の範囲第1項記載
の電子顕微鏡における顕微鏡像撮影装置。[Claims] 1. A focusing lens for focusing the electron beam generated from the electron gun and irradiating it onto the sample, and a blanking lens for preventing the electron beam from irradiating the sample by deflecting the electron beam. a deflection means for moving an electron beam irradiation position on the sample, and a photographing means for photographing an electron microscope image, a control means having three operation modes is provided, In a first mode of operation by the control means, the excitation of the focusing lens is set to a pre-stored value corresponding to low-intensity irradiation suitable for field searching, and in a second mode of operation, the excitation of the focusing lens is set to an astigmatic value. The deflection device is set to a pre-stored value corresponding to high-density irradiation suitable for correction and focusing, and the deflection device is controlled so that the sample irradiation position of the electron beam is shifted by a certain amount. The excitation of the focusing lens is set to a pre-stored value suitable for photographing, and the blanking means blanks the electron beam for a certain period of time, and after canceling the blanking, the photographing device performs photographing. 1. A microscopic image photographing device for an electron microscope, characterized in that: 2. A microscopic image photographing device for an electron microscope according to claim 1, wherein the blanking means is also used by the deflecting means.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3353680A JPS56130066A (en) | 1980-03-17 | 1980-03-17 | Photographing method of microscope image on electron microscope |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3353680A JPS56130066A (en) | 1980-03-17 | 1980-03-17 | Photographing method of microscope image on electron microscope |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56130066A JPS56130066A (en) | 1981-10-12 |
| JPS6120108B2 true JPS6120108B2 (en) | 1986-05-20 |
Family
ID=12389276
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3353680A Granted JPS56130066A (en) | 1980-03-17 | 1980-03-17 | Photographing method of microscope image on electron microscope |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS56130066A (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002150987A (en) | 2000-11-16 | 2002-05-24 | Jeol Ltd | Electron microscope and transmission electron image capturing method in electron microscope |
-
1980
- 1980-03-17 JP JP3353680A patent/JPS56130066A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56130066A (en) | 1981-10-12 |
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