JPS6124656B2 - - Google Patents
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- JPS6124656B2 JPS6124656B2 JP52036942A JP3694277A JPS6124656B2 JP S6124656 B2 JPS6124656 B2 JP S6124656B2 JP 52036942 A JP52036942 A JP 52036942A JP 3694277 A JP3694277 A JP 3694277A JP S6124656 B2 JPS6124656 B2 JP S6124656B2
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- Japan
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- crystal
- type
- type scintillation
- scintillation assembly
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- Expired
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 82
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 23
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 14
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 6
- 230000002285 radioactive effect Effects 0.000 claims description 6
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 claims description 4
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 claims description 3
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 claims description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims 1
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 claims 1
- BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N thallium Chemical compound [Tl] BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 8
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 8
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 7
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 6
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 5
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 230000005865 ionizing radiation Effects 0.000 description 4
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 3
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 1
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- CJDPJFRMHVXWPT-UHFFFAOYSA-N barium sulfide Chemical compound [S-2].[Ba+2] CJDPJFRMHVXWPT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000004519 grease Substances 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 239000012254 powdered material Substances 0.000 description 1
- 230000000135 prohibitive effect Effects 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000012857 radioactive material Substances 0.000 description 1
- 239000012217 radiopharmaceutical Substances 0.000 description 1
- 229940121896 radiopharmaceutical Drugs 0.000 description 1
- 230000002799 radiopharmaceutical effect Effects 0.000 description 1
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 1
- 229920002545 silicone oil Polymers 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
- G01T1/202—Measuring radiation intensity with scintillation detectors the detector being a crystal
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、電離放射線検出装置に関する。更に
詳細には本発明は、通常光電増倍管と組み合せて
用いられ、放射線の監視、例えばアイソトープの
臨床測定に使用される型式のシンチレーシヨン検
出器に関する。
詳細には本発明は、通常光電増倍管と組み合せて
用いられ、放射線の監視、例えばアイソトープの
臨床測定に使用される型式のシンチレーシヨン検
出器に関する。
本発明は特に、放射性医薬の溶液の劣化速度を
高精度で測定することができ、かつ放射線源から
放出されるエネルギーの分布の分解能が高いウエ
ルタイプのシンチレーシヨン計数管に関する。
高精度で測定することができ、かつ放射線源から
放出されるエネルギーの分布の分解能が高いウエ
ルタイプのシンチレーシヨン計数管に関する。
放射線検出装置は一般に、X線やガンマー線を
照射されたときにそのエネルギーを光に変換して
発光するシンチレーシヨン螢光体と称する物質の
特性に依存している。各発光は一回のシンチレー
シヨンに基くものである。
照射されたときにそのエネルギーを光に変換して
発光するシンチレーシヨン螢光体と称する物質の
特性に依存している。各発光は一回のシンチレー
シヨンに基くものである。
螢光体は通常、発光またはシンチレーシヨンを
電気的パルスに変換し、そしてこのパルスを増幅
する光電増倍管のような装置と光学的に組み合せ
られる。この光電増倍管からの増幅された電流出
力は、通常の形式で情報をデイスプレーする電子
的装置に伝達される。シンチレーシヨン計数管が
広範囲の分野で種々のタイプの電離放射線の検出
のために普通に使用されるようになつて来たが、
シンチレーシヨン螢光体を更に好ましい形で使用
するために、放射能源の劣化速度の測定、および
入射した放射線のエネルギー分布の分解能の点で
の改良が要求されている。
電気的パルスに変換し、そしてこのパルスを増幅
する光電増倍管のような装置と光学的に組み合せ
られる。この光電増倍管からの増幅された電流出
力は、通常の形式で情報をデイスプレーする電子
的装置に伝達される。シンチレーシヨン計数管が
広範囲の分野で種々のタイプの電離放射線の検出
のために普通に使用されるようになつて来たが、
シンチレーシヨン螢光体を更に好ましい形で使用
するために、放射能源の劣化速度の測定、および
入射した放射線のエネルギー分布の分解能の点で
の改良が要求されている。
放射能源の計数効率における改良、すなわちX
線またはガンマー線の放射を生ずる放射能源の劣
化と比較しての螢光体で検出される単位時間当り
のシンチレーシヨンの数を記録する能力は螢光体
中に盲穴またはウエルを加工し、典型的には直立
したシリンダー内に円形穴を加工し、そしてハウ
ジングの形状が許すかぎりその穴の底の近くに放
射性材料を配置することによつて達成される。理
想的な状態は、球の中心に放射能源を配置した状
態であり、これによつて放射線が同位元素的に放
射され、そして螢光材料と常に相互作用すること
を保証する。固体螢光体への穴の加工は、理想か
ら外れたものであり、すなわちこの穴の加工は、
光電増倍管と結合される所定の面に均一な光を集
めることができるような幾何学的形状の形成を阻
げることになる。
線またはガンマー線の放射を生ずる放射能源の劣
化と比較しての螢光体で検出される単位時間当り
のシンチレーシヨンの数を記録する能力は螢光体
中に盲穴またはウエルを加工し、典型的には直立
したシリンダー内に円形穴を加工し、そしてハウ
ジングの形状が許すかぎりその穴の底の近くに放
射性材料を配置することによつて達成される。理
想的な状態は、球の中心に放射能源を配置した状
態であり、これによつて放射線が同位元素的に放
射され、そして螢光材料と常に相互作用すること
を保証する。固体螢光体への穴の加工は、理想か
ら外れたものであり、すなわちこの穴の加工は、
光電増倍管と結合される所定の面に均一な光を集
めることができるような幾何学的形状の形成を阻
げることになる。
検出装置の集光出力を均等化する従前の試案に
は、結晶の種々の部分の研摩と残部の粗面化、結
晶が中に配置される保護ハウジング上の反射ある
いは吸収コーテイングまたはペイントの使用、お
よび結晶を取り囲む特殊な反射能をもつた酸化マ
グネシウムまたは酸化アルミニウムの粉末のパツ
キングの使用等が含まれる。これらの努力は、す
べて装置における時間を消費する付加的な過程を
含んでおり、かつこの時間を消費する付加的な過
程に要するコストが非常に大きいものであつた。
更に、1つの結晶から他の結晶への再生能力を得
ることは困難であり、そして各結晶組成物内の
種々の位置における光学的特性を均一に調整する
努力は失敗に終つている。
は、結晶の種々の部分の研摩と残部の粗面化、結
晶が中に配置される保護ハウジング上の反射ある
いは吸収コーテイングまたはペイントの使用、お
よび結晶を取り囲む特殊な反射能をもつた酸化マ
グネシウムまたは酸化アルミニウムの粉末のパツ
キングの使用等が含まれる。これらの努力は、す
べて装置における時間を消費する付加的な過程を
含んでおり、かつこの時間を消費する付加的な過
程に要するコストが非常に大きいものであつた。
更に、1つの結晶から他の結晶への再生能力を得
ることは困難であり、そして各結晶組成物内の
種々の位置における光学的特性を均一に調整する
努力は失敗に終つている。
シンチレーシヨン結晶組成物の表面反射能を変
化させる従来方法の1つは米国特許第3102955号
に開示されている。この特許は、首尾よく研摩に
よつて反射系を補償しこれによつてシンチレーシ
ヨン光出力の均一化の改良を行なつた。しかしな
がらこの特許は、結晶中に盲穴を有するウエル型
アツセンブリーには適用することができず、ウエ
ル型アツセンブリーで同様な技術を使用する試み
は、経済上の問題がありかつ辛じて収支相償うほ
どの成功であつた。
化させる従来方法の1つは米国特許第3102955号
に開示されている。この特許は、首尾よく研摩に
よつて反射系を補償しこれによつてシンチレーシ
ヨン光出力の均一化の改良を行なつた。しかしな
がらこの特許は、結晶中に盲穴を有するウエル型
アツセンブリーには適用することができず、ウエ
ル型アツセンブリーで同様な技術を使用する試み
は、経済上の問題がありかつ辛じて収支相償うほ
どの成功であつた。
本発明の目的は、ウエル型シンチレーシヨンア
ツセンブリーからの光出力の均一性を改良するこ
とにある。
ツセンブリーからの光出力の均一性を改良するこ
とにある。
本発明の他の目的は、多重反射によつて光度を
損失しがちなシンチレーシヨンアツセンブリーの
領域からの集光を改良し、かつ光電増倍管に近接
した領域からの集光を減少させることによつて、
ウエル型シンチレーシヨンアツセンブリーの分解
能および集光効率を高めることにある。
損失しがちなシンチレーシヨンアツセンブリーの
領域からの集光を改良し、かつ光電増倍管に近接
した領域からの集光を減少させることによつて、
ウエル型シンチレーシヨンアツセンブリーの分解
能および集光効率を高めることにある。
本発明の更に他の目的は、結晶螢光体の表面の
注意深い加工および均一に調整された反射能およ
び吸収性を有するこれらの表面上で材料を使用す
ることによつてシンチレーシヨン螢光体からの光
出力を定常的にすることにある。
注意深い加工および均一に調整された反射能およ
び吸収性を有するこれらの表面上で材料を使用す
ることによつてシンチレーシヨン螢光体からの光
出力を定常的にすることにある。
本発明の更に他の目的は、ウエルタイプアツセ
ンブリーの製作を容易にし、かつ通常の使用の下
でそれらの完全なる状態を保証する方法を提供す
ることにある。
ンブリーの製作を容易にし、かつ通常の使用の下
でそれらの完全なる状態を保証する方法を提供す
ることにある。
本発明は、光電増倍管と光学的に組み合せられ
る円形の前面と光電増倍管から光学的におよび物
理学的に離れた後面とを有する適当なシリンダー
形状の無機結晶体から構成されるウエル型シンチ
レーシヨンアツセンブリーに特に適用することが
できる。このシンチレーシヨンアツセンブリー
は、前述した後面から前面に向つて結晶中を軸方
向に延びるウエルを含んでいる。このウエルの深
さは、通常二つの表面の間の全間隔の1/2から3/4
の間である。
る円形の前面と光電増倍管から光学的におよび物
理学的に離れた後面とを有する適当なシリンダー
形状の無機結晶体から構成されるウエル型シンチ
レーシヨンアツセンブリーに特に適用することが
できる。このシンチレーシヨンアツセンブリー
は、前述した後面から前面に向つて結晶中を軸方
向に延びるウエルを含んでいる。このウエルの深
さは、通常二つの表面の間の全間隔の1/2から3/4
の間である。
前記した利点および他の利点は、ウエルの底に
おける高光度の領域において光を吸収するための
光学的フイルター紙の極めて効果的でかつ均一な
層、ウエルを取り囲む高い反射能をもつセルロー
ス材料の円柱状シート、および装置の後表面に設
けられた反射材料の環状デイスクを使用すること
によつて得ることができる。
おける高光度の領域において光を吸収するための
光学的フイルター紙の極めて効果的でかつ均一な
層、ウエルを取り囲む高い反射能をもつセルロー
ス材料の円柱状シート、および装置の後表面に設
けられた反射材料の環状デイスクを使用すること
によつて得ることができる。
本発明は、ドーピングされているものあるいは
自己付活型のものにかかわらず、電離放射線を遮
蔽することのできるものであればいかなるシンチ
レーシヨン無機質結晶にも応用できる。例えば
NaI(Tl)、CsI(Na)、LiI(Eu)、CaF2(Eu)
等が適した結晶である。
自己付活型のものにかかわらず、電離放射線を遮
蔽することのできるものであればいかなるシンチ
レーシヨン無機質結晶にも応用できる。例えば
NaI(Tl)、CsI(Na)、LiI(Eu)、CaF2(Eu)
等が適した結晶である。
このシンチレーシヨン結晶は通常、その結晶を
物理的な力から保護し、外光がその結晶内に侵入
するのを防止し、さらにその結晶が吸湿性のもの
であるときには湿気がその結晶に侵入してその結
晶を破壊するのを防止するための金属性のハウジ
ング内に封入される。その結晶の一方の面は、ガ
ラスもしくは石英製の窓に光学的に結合されてお
り、さらにその窓は光電増倍管に結合されてい
る。結晶のウエルは、薄いアルミニウム壁で囲ま
れている。ここでアルミニウムが選ばれたのはア
ルミニウムがガンマー線に対する高い透過性を有
しているからである。小型の器かあるいはポリエ
チレンのような適当な非反応性材料で包まれた溶
液の形態の放射能源が、分析の目的でウエル内に
入れられる。ウエルの底は、光電増倍管に近接し
ているので高光度領域である。結晶の後面とウエ
ルの壁に隣接した結晶の領域においては、結晶の
前面に向けられた光が終局的に光電陰極に入る前
に多重反射を受けなければならないので、これら
の領域からの光は弱いものである。各反射におい
ては、結晶を取り囲む媒体中に逃げる光が存在
し、光の大部分は結晶内に反射してもどされ、そ
して光の一部分は媒体の中に実質的に失なわれ
る。
物理的な力から保護し、外光がその結晶内に侵入
するのを防止し、さらにその結晶が吸湿性のもの
であるときには湿気がその結晶に侵入してその結
晶を破壊するのを防止するための金属性のハウジ
ング内に封入される。その結晶の一方の面は、ガ
ラスもしくは石英製の窓に光学的に結合されてお
り、さらにその窓は光電増倍管に結合されてい
る。結晶のウエルは、薄いアルミニウム壁で囲ま
れている。ここでアルミニウムが選ばれたのはア
ルミニウムがガンマー線に対する高い透過性を有
しているからである。小型の器かあるいはポリエ
チレンのような適当な非反応性材料で包まれた溶
液の形態の放射能源が、分析の目的でウエル内に
入れられる。ウエルの底は、光電増倍管に近接し
ているので高光度領域である。結晶の後面とウエ
ルの壁に隣接した結晶の領域においては、結晶の
前面に向けられた光が終局的に光電陰極に入る前
に多重反射を受けなければならないので、これら
の領域からの光は弱いものである。各反射におい
ては、結晶を取り囲む媒体中に逃げる光が存在
し、光の大部分は結晶内に反射してもどされ、そ
して光の一部分は媒体の中に実質的に失なわれ
る。
第1図において、ウエル型シンチレーシヨンア
ツセンブリーは、前面8、環状の後面10、外壁
16および後面10から前面8に向かつて両者間
の距離の1/2から3/4程度まで延びるウエル12を
備えたほぼ円筒形のシンチレーシヨン結晶4を有
している。ウエル12の底14は円形をなしてお
り、前面8に平行であり、そしてそのウエルの側
壁36は円柱形である。結晶4は、適当なハウジ
ング6内に収容されており、このハウジングは組
立てが簡単なようにシリンダー部20と端部キヤ
ツプ22からなる。この端部キヤツプ22は、ウ
エル12内に延びる円筒部24とシリンダー部2
0の周囲に嵌合するフランジ26を有している。
この円筒部24の底部25は閉鎖されており、ま
たフランジ26とシリンダー部20の間はエポキ
シ樹脂27によつて溶融シールされている。
ツセンブリーは、前面8、環状の後面10、外壁
16および後面10から前面8に向かつて両者間
の距離の1/2から3/4程度まで延びるウエル12を
備えたほぼ円筒形のシンチレーシヨン結晶4を有
している。ウエル12の底14は円形をなしてお
り、前面8に平行であり、そしてそのウエルの側
壁36は円柱形である。結晶4は、適当なハウジ
ング6内に収容されており、このハウジングは組
立てが簡単なようにシリンダー部20と端部キヤ
ツプ22からなる。この端部キヤツプ22は、ウ
エル12内に延びる円筒部24とシリンダー部2
0の周囲に嵌合するフランジ26を有している。
この円筒部24の底部25は閉鎖されており、ま
たフランジ26とシリンダー部20の間はエポキ
シ樹脂27によつて溶融シールされている。
結晶4の前面8は高度に研摩されており、ガラ
スもしくは石英製の光学窓30で被われている。
この光学窓30は、シリンダー部20のリツプ部
28にエポキシ樹脂29によつて溶融密閉されて
保持されている。また光学窓30は、光学的に明
かるいエポキシ樹脂を使用して結晶4に接合して
もよい。
スもしくは石英製の光学窓30で被われている。
この光学窓30は、シリンダー部20のリツプ部
28にエポキシ樹脂29によつて溶融密閉されて
保持されている。また光学窓30は、光学的に明
かるいエポキシ樹脂を使用して結晶4に接合して
もよい。
光電陰極40が光学窓30にシリコーンオイ
ル、グリース等の結合剤によつて光学的に結合さ
れており、結晶4内で生ずるシンチレーシヨンを
検出するようになつている。光電陰極40は、各
シンチレーシヨンを電気信号に変換する。そして
その電気信号は増幅され、オシロスコープ等の読
取装置で表示されるかあるいはマルチチヤンネル
アナライザー等のよく知られている適当な装置に
送られる。
ル、グリース等の結合剤によつて光学的に結合さ
れており、結晶4内で生ずるシンチレーシヨンを
検出するようになつている。光電陰極40は、各
シンチレーシヨンを電気信号に変換する。そして
その電気信号は増幅され、オシロスコープ等の読
取装置で表示されるかあるいはマルチチヤンネル
アナライザー等のよく知られている適当な装置に
送られる。
電離放射線のソースをウエル12内に置くと、
ウエル12の底面14に隣接する結晶で生じたシ
ンチレーシヨンはほとんど反射を介さないで直線
的に光電陰極40に達する。したがつて、この部
分は最も光が集中する部分となる。これに対し
て、後面10、ウエルの側壁36および外壁16
に沿つた部分で発生したシンチレーシヨンは多重
反射を受けて光電陰極40に達する。したがつて
これらの面によつて区切られた部分は光の集中の
少ない部分となる。
ウエル12の底面14に隣接する結晶で生じたシ
ンチレーシヨンはほとんど反射を介さないで直線
的に光電陰極40に達する。したがつて、この部
分は最も光が集中する部分となる。これに対し
て、後面10、ウエルの側壁36および外壁16
に沿つた部分で発生したシンチレーシヨンは多重
反射を受けて光電陰極40に達する。したがつて
これらの面によつて区切られた部分は光の集中の
少ない部分となる。
ウエル12の底面14付近の光度は、底面14
を極めて滑らかとなるように研摩して、光学フイ
ルター32を結晶4に接触して位置させることに
よつて低下させられる。3300Åと5000Åの間の全
シンチレーシヨンスペクトルにわたつての光の10
ないし90%望ましくは50ないし90%を均一に吸収
することができる光学フイルターを使用すること
ができる。このフイルターは、該フイルターと端
キヤツプの円筒部の間で押圧されている発泡体パ
ツド31によつて結晶に対して支持されている。
ポリエチレン連続発泡体はこの目的を十分に充足
し得る。
を極めて滑らかとなるように研摩して、光学フイ
ルター32を結晶4に接触して位置させることに
よつて低下させられる。3300Åと5000Åの間の全
シンチレーシヨンスペクトルにわたつての光の10
ないし90%望ましくは50ないし90%を均一に吸収
することができる光学フイルターを使用すること
ができる。このフイルターは、該フイルターと端
キヤツプの円筒部の間で押圧されている発泡体パ
ツド31によつて結晶に対して支持されている。
ポリエチレン連続発泡体はこの目的を十分に充足
し得る。
結晶アツセンブリーに容易に組み込むことがで
き、均一な吸収能力を有する1つの特別なタイプ
の光学フイルターが、グラフイツクプロダクツ社
(Graphic Products Corp―oration)によつてフ
オーマツト(Forma―tt)とう登録商標で販売さ
れている。この材料は、ドツト、同心円、平行線
および交差ハツチングの均一かまたは度合がつけ
られた模様を含む種々の格子模様のものとするこ
とができ、この模様は酢酸塩マツトフイルム上に
印刷される。このフイルムの一方の面は、低粘着
性の接着剤で被覆され、本発明においては発泡体
パツド31に対して押圧されている。フイルター
の模様が光の波長に較べると大きいが、シンチレ
ーシヨンが生ずる有効領域と比較すると小さい場
合最良の結果が得られる。
き、均一な吸収能力を有する1つの特別なタイプ
の光学フイルターが、グラフイツクプロダクツ社
(Graphic Products Corp―oration)によつてフ
オーマツト(Forma―tt)とう登録商標で販売さ
れている。この材料は、ドツト、同心円、平行線
および交差ハツチングの均一かまたは度合がつけ
られた模様を含む種々の格子模様のものとするこ
とができ、この模様は酢酸塩マツトフイルム上に
印刷される。このフイルムの一方の面は、低粘着
性の接着剤で被覆され、本発明においては発泡体
パツド31に対して押圧されている。フイルター
の模様が光の波長に較べると大きいが、シンチレ
ーシヨンが生ずる有効領域と比較すると小さい場
合最良の結果が得られる。
結晶の円柱状外面および内面16および36と
後面10は、150番のやすり紙かまたは同等のも
ので粗面化される。円柱状内面36は、軸方向に
直線的に研摩され、一方他の2つの表面は3.1mm
から12.7mmの円で規定された軌跡のパターンで研
摩される。
後面10は、150番のやすり紙かまたは同等のも
ので粗面化される。円柱状内面36は、軸方向に
直線的に研摩され、一方他の2つの表面は3.1mm
から12.7mmの円で規定された軌跡のパターンで研
摩される。
均一な反射能をもつセルロースエステルタイプ
の紙が、結晶と端キヤツプの円筒部24の間でウ
エルの内部に沿うライニング38として使用さ
れ、この紙の静電荷はこの紙と結晶面との接触を
保つ働きをする。第2のシートである反射紙34
は、端キヤツプ22と結晶の間で押圧されている
発泡体層33によつて結晶の後面10に対して所
定位置に保持される。特に望ましく作用すること
が解つている特別なタイプのセルロースエステル
紙は、ミリポアフイルター社(Millipore Filter
Corp)によつて製造されている微小孔を有する
フイルター紙である。この紙の反射能は、通常波
長範囲400ないし700ナノメートルにおいて、パツ
クされたMgOの反射能の約95から98%である。
このフイルター紙は、厚さ4ミルで、例えば22ミ
クロンの均一な微細孔を有するシートを利用し得
る。
の紙が、結晶と端キヤツプの円筒部24の間でウ
エルの内部に沿うライニング38として使用さ
れ、この紙の静電荷はこの紙と結晶面との接触を
保つ働きをする。第2のシートである反射紙34
は、端キヤツプ22と結晶の間で押圧されている
発泡体層33によつて結晶の後面10に対して所
定位置に保持される。特に望ましく作用すること
が解つている特別なタイプのセルロースエステル
紙は、ミリポアフイルター社(Millipore Filter
Corp)によつて製造されている微小孔を有する
フイルター紙である。この紙の反射能は、通常波
長範囲400ないし700ナノメートルにおいて、パツ
クされたMgOの反射能の約95から98%である。
このフイルター紙は、厚さ4ミルで、例えば22ミ
クロンの均一な微細孔を有するシートを利用し得
る。
結晶の円柱状外面16は、結晶とシリンダー部
20の間の環状帯を例えば酸化アルミニウムのよ
うな光を反射することができる適当な粉末21で
充填することによつて高い反射能力をもつものと
することができる。酸化マグネシウム、硫化バリ
ウムおよび他の粉末状材料がこの目的を達成する
ために使用され得る。円筒状であつて反射能をも
つセルロースエステルタイプの紙を上述の外面1
6に沿わせて使用することもできるが、この反射
能をもつ粉末はハウジング内の結晶を正しい位置
に維持するという付加的な機能をもつている。
20の間の環状帯を例えば酸化アルミニウムのよ
うな光を反射することができる適当な粉末21で
充填することによつて高い反射能力をもつものと
することができる。酸化マグネシウム、硫化バリ
ウムおよび他の粉末状材料がこの目的を達成する
ために使用され得る。円筒状であつて反射能をも
つセルロースエステルタイプの紙を上述の外面1
6に沿わせて使用することもできるが、この反射
能をもつ粉末はハウジング内の結晶を正しい位置
に維持するという付加的な機能をもつている。
本発明に従つて準備された結晶は、深さが約
3.8cmで直径が約1.9cmのウエルを有する直径が4.4
cmで高さが約5.1cmのNaI(TI)の結晶を使用
し、129I53を励起することによる表で示された
エネルギー分解能で説明されているように、従来
のものからは予測し得ないほど進歩したものであ
る。
3.8cmで直径が約1.9cmのウエルを有する直径が4.4
cmで高さが約5.1cmのNaI(TI)の結晶を使用
し、129I53を励起することによる表で示された
エネルギー分解能で説明されているように、従来
のものからは予測し得ないほど進歩したものであ
る。
表
分 解 能
従来技術 本発明
サンプルNo.1 48.6% 29.6%
サンプルNo.2 51.2% 29.4%
サンプルNo.3 62.0% 29.1%
サンプルNo.4 53.3% 26.7%
サンプルNo.5 56.2% 28.3%
従来の補償方法は、ウエルの底におけるアルミ
ニウムのハウジング、結晶の後面と接触する端キ
ヤツブおよびウエルの円柱状面を高い反射能をも
つ酸化アルミニウム層で被覆すること、およびウ
エルの底におけるハウジングを黒いペイントで塗
布することを含む。本発明の新規な方法は、結晶
を150番のやすり紙で研摩すること、ウエルの底
における結晶と接触させて50%の光吸収性をもつ
55ラインフオーマツト(Formatt―登録商標)No.
7032光学フイルター紙を使用すること、およびウ
エルの側部のためにGSWP304FOミリポア
(Millipore)フイルター紙を、結晶の後面のため
にミリボアフイルター紙の環状デイスクをそれぞ
れ使用することを含んでいる。
ニウムのハウジング、結晶の後面と接触する端キ
ヤツブおよびウエルの円柱状面を高い反射能をも
つ酸化アルミニウム層で被覆すること、およびウ
エルの底におけるハウジングを黒いペイントで塗
布することを含む。本発明の新規な方法は、結晶
を150番のやすり紙で研摩すること、ウエルの底
における結晶と接触させて50%の光吸収性をもつ
55ラインフオーマツト(Formatt―登録商標)No.
7032光学フイルター紙を使用すること、およびウ
エルの側部のためにGSWP304FOミリポア
(Millipore)フイルター紙を、結晶の後面のため
にミリボアフイルター紙の環状デイスクをそれぞ
れ使用することを含んでいる。
ウエルアツセンブリーに適用される光吸収性裏
打ちコーテイングとして光学フイルター紙を使用
する場合は、次のような利点がある。
打ちコーテイングとして光学フイルター紙を使用
する場合は、次のような利点がある。
(1)光電増倍管へ到達する光の制御が更に正確に
なること、(2)予想される結果が更に均一になるこ
と、(3)所定のシンチレーシヨンアツセンブリーを
すみやかにかつ安く製作することができること、
および(4)使用が簡単であることである。ハーシヨ
ウケミカル(Harshaw Chemical)社で製作され
ているAW型またはF型のウエルアツセンブリー
に使用する場合は、85本のラインをもつ70%の光
吸収性を有するフオーマツトNo.7055フイルター紙
が、首尾一貫して30%以下の経済的に容認できる
分解能をもたらすことが知られている。
なること、(2)予想される結果が更に均一になるこ
と、(3)所定のシンチレーシヨンアツセンブリーを
すみやかにかつ安く製作することができること、
および(4)使用が簡単であることである。ハーシヨ
ウケミカル(Harshaw Chemical)社で製作され
ているAW型またはF型のウエルアツセンブリー
に使用する場合は、85本のラインをもつ70%の光
吸収性を有するフオーマツトNo.7055フイルター紙
が、首尾一貫して30%以下の経済的に容認できる
分解能をもたらすことが知られている。
驚くべきことに、光学フイルターを使用するこ
とによつてハイライト出力の領域における光度を
低下させるばかりでなく、付加的に、何故そうな
るのかは解らないが結晶の後面における光度の均
一性を改良することができる。この結果は、光学
フイルターが光反射性をもつセルロース紙と組合
されて使用されたとき特に顕著である。
とによつてハイライト出力の領域における光度を
低下させるばかりでなく、付加的に、何故そうな
るのかは解らないが結晶の後面における光度の均
一性を改良することができる。この結果は、光学
フイルターが光反射性をもつセルロース紙と組合
されて使用されたとき特に顕著である。
以上本発明を、特別な反射体と吸収体、および
特別な表面加工工程の条件について説明したが、
当業者であれば、本発明の範囲から離れることな
く代替物を製作しかつ分解能が30%から50%の改
良を行なうことができるであろう。150番のやす
り紙と特別なパターンが結晶表面を研摩または粗
面化するために使用されなかつたとしても、処理
のあらゆる面の有効性を減ずることなく他の技術
を使用し得る。更に、他の製造者によつて製造さ
れる他の光吸収性シート材料をフオーマツトフイ
ルターの代りに用いることができ、そして他のタ
イプでかつ他の品質のセルロースエステルタイプ
の紙を特殊なミリポアフイルター紙の代りに用い
ることができる。
特別な表面加工工程の条件について説明したが、
当業者であれば、本発明の範囲から離れることな
く代替物を製作しかつ分解能が30%から50%の改
良を行なうことができるであろう。150番のやす
り紙と特別なパターンが結晶表面を研摩または粗
面化するために使用されなかつたとしても、処理
のあらゆる面の有効性を減ずることなく他の技術
を使用し得る。更に、他の製造者によつて製造さ
れる他の光吸収性シート材料をフオーマツトフイ
ルターの代りに用いることができ、そして他のタ
イプでかつ他の品質のセルロースエステルタイプ
の紙を特殊なミリポアフイルター紙の代りに用い
ることができる。
ウル型アツセンブリーおよびウル自体はほぼ円
柱状である。しかしながら、本発明は結晶および
ウエルの寸法および形状に無関係に応用すること
ができる。かくして円柱状または多角形状のウエ
ルを備えた楕円形、矩形および他の多角形状の結
晶が、上述の表面加工、および光吸収体と光反射
体を使用することによつて利用され得る。
柱状である。しかしながら、本発明は結晶および
ウエルの寸法および形状に無関係に応用すること
ができる。かくして円柱状または多角形状のウエ
ルを備えた楕円形、矩形および他の多角形状の結
晶が、上述の表面加工、および光吸収体と光反射
体を使用することによつて利用され得る。
第1図は、光電増倍管と組み合せて使用される
ウエルタイプ無機質結晶装置の一部分を断面で示
した側面図である。 2:シンチレーシヨンアツセンブリー、4:シ
ンチレーシヨン結晶、6:ハウジング、8:結晶
4の前面、10:結晶4の後面、12:ウエル、
14:ウエル12の底、16:結晶4の外壁、2
0:シリンダー部、21:粉末、22:端部キヤ
ツプ、24:円筒部、26:フランジ、27:エ
ポキシ樹脂、28:リツプ部、29:エポキシ樹
脂、30:光学窓、31:発泡体パツド、33:
発泡体層、34:反射紙、36:側壁、38:ラ
イニング、40:光電陰極。
ウエルタイプ無機質結晶装置の一部分を断面で示
した側面図である。 2:シンチレーシヨンアツセンブリー、4:シ
ンチレーシヨン結晶、6:ハウジング、8:結晶
4の前面、10:結晶4の後面、12:ウエル、
14:ウエル12の底、16:結晶4の外壁、2
0:シリンダー部、21:粉末、22:端部キヤ
ツプ、24:円筒部、26:フランジ、27:エ
ポキシ樹脂、28:リツプ部、29:エポキシ樹
脂、30:光学窓、31:発泡体パツド、33:
発泡体層、34:反射紙、36:側壁、38:ラ
イニング、40:光電陰極。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 光学的に光電子増倍管と接続することができ
る研摩された前面と、環状の後面と、該後面から
前面に向つて軸方向に延びてはいるが前、後面間
の間隔よりは短い被験試料受入用ウエルとを備え
た円筒状のシンチレーシヨン無機質結晶、この結
晶の形状に従い、該結晶を収容するハウジング、
および前記結晶の前面と結合した光学窓を有する
ウエル型シンチレーシヨンアツセンブリーにおい
て、本体と結晶との間でウエルの側部と結晶の後
面に沿つて設けられた高い光反射能をもつ材料の
層、およびウエルの底において結晶と本体の間に
配され、ウエルの底に近接した結晶の領域で発し
た光の10ないし90%を均一に吸収することができ
る高い光吸収率を有するフイルターを含むウエル
型シンチレーシヨンアツセンブリー。 2 前記無機質結晶がタリウムをドープされた
NaIであることを特徴とする特許請求の範囲第1
項記載のウエル型シンチレーシヨンアツセンブリ
ー。 3 前記光反射層がセルロース材料からなること
を特徴とする特許請求の範囲第2項記載のウエル
型シンチレーシヨンアツセンブリー。 4 前記セルロース材料がセルロースエステルか
らなることを特徴とする特許請求の範囲第3項記
載のウエル型シンチレーシヨンアツセンブリー。 5 前記セルロースエステルが約22ミクロンの寸
法の均一な微細孔と約4ミルの厚さを有するフイ
ルター紙であることを特徴とする特許請求の範囲
第4項記載のウエル型シンチレーシヨンアツセン
ブリー。 6 前記光学フイルターが、発した光の50%から
90%を均一に吸収することができる光学フイルタ
ー紙のシートからなることを特徴とする特許請求
の範囲第5項記載のウエル型シンチレーシヨンア
ツセンブリー。 7 I129である放射能源による励起に基づくアツ
センブリーの分解能が30%以下であることを特徴
とする特許請求の範囲第6項記載のウエル型シン
チレーシヨンアツセンブリー。 8 光学的に光電子増倍管と接続することができ
る前面と、環状の後面と、被験試料受入用ウエル
とを備えた無機質結晶を使用するウエル型シンチ
レーシヨンアツセンブリーにおいて、高い光強度
の結晶領域と接触し、この領域で発する光の約10
%から90%を吸収することのできる光学フイルタ
ー、および低い光強度の結晶領域と接触している
高い反射能をもつセルロースタイプの層を含み、
これによつて結晶の前面に到達する光束を均一化
することを特徴とするウエル型シンチレーシヨン
アツセンブリー。 9 前記セルロースタイプの層がセルロースエス
テルフイルター紙であることを特徴とする特許請
求の範囲第8項記載のウエル型シンチレーシヨン
アツセンブリー。 10 前記光学フイルターが、発した光の約50%
から90%を均一に吸収することができる光学フイ
ルター紙であることを特徴とする特許請求の範囲
第8項記載のウエル型シンチレーシヨンアツセン
ブリー。 11 前記光学フイルターがウエルの底において
結晶に接触して使用されることを特徴とする特許
請求の範囲第8項記載のウエル型シンチレーシヨ
ンアツセンブリー。 12 前記ウエルの底においてフイルター紙と接
触している結晶の表面が研摩されていることを特
徴とする特許請求の範囲第11項記載のウエル型
シンチレーシヨンアツセンブリー。 13 前記高い反射能をもつセルロースタイプの
層が、150番のやすり紙での研摩によつて得られ
たものと等しい荒さを有する結晶の表面と接触し
ていることを特徴とする特許請求の範囲第8項記
載のウエル型シンチレーシヨンアツセンブリー。 14 光学的に光電子増倍管と接続することがで
きる研摩された前面、環状の後面およびこの後面
から前面に向つて延びる被験試料受入用円柱状ウ
エルを有するほぼ円筒状のシンチレーシヨン無機
質結晶、およびこの結晶の形状に従い、該結晶を
その前面を除いて取り囲んだハウジングを備えた
ウエル型シンチレーシヨンアツセンブリーを製造
する方法において、近接している結晶において生
じたシンチレーシヨンの10%から90%を均一に吸
収することができる光学フイルターを前記結晶に
接触させて前記ウエルの底に配置し、セルロース
タイプの反射材料のシリンダーを前記結晶に接触
させ、前記ウエルの内部を周らせて配置し、セル
ロースタイプの反射材料の環状デイスクを前記結
晶の後面に接触させて配置することを含むウエル
型シンチレーシヨンアツセンブリーを製造する方
法。 15 前記結晶は前記光学フイルターがウエルの
底に接触して配置される前に、このウエルの底が
研摩されていることを特徴とする特許請求の範囲
第14項記載のウエル型シンチレーシヨンアツセ
ンブリーの製造方法。 16 前記ウエルの円柱状壁は、これに接触して
反射材料が配置される前に150番のやすり紙と同
等なやすり紙によつて螺旋を描くようにして粗面
化されていることを特徴とする特許請求の範囲第
14項記載のウエル型シンチレーシヨンアツセン
ブリーの製造方法。 17 前記結晶の後面が、150番のやすり紙と同
等なやすり紙によつて約3.2から6.4mmの円を描く
ようにして粗面化されていることを特徴とする特
許請求の範囲第14項記載のウエル型シンチレー
シヨンアツセンブリーの製造方法。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US05/672,206 US4066908A (en) | 1976-03-31 | 1976-03-31 | Well-type scintillation assembly |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS52119976A JPS52119976A (en) | 1977-10-07 |
| JPS6124656B2 true JPS6124656B2 (ja) | 1986-06-12 |
Family
ID=24697586
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3694277A Granted JPS52119976A (en) | 1976-03-31 | 1977-03-31 | Well type scintilation assembly |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4066908A (ja) |
| JP (1) | JPS52119976A (ja) |
| FR (1) | FR2346728A1 (ja) |
Families Citing this family (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2012800B (en) * | 1977-12-23 | 1982-08-18 | Gen Electric | Index matched phosphor scintillator structures |
| DE2927780C2 (de) * | 1979-07-10 | 1982-06-03 | Kernforschungszentrum Karlsruhe Gmbh, 7500 Karlsruhe | Szintillationsdetektor mit einem ratationssymmetrischen scheibenförmigen Szintillator kleinen Volumens |
| US4374749A (en) * | 1980-07-15 | 1983-02-22 | General Electric Company | Index-matched phosphor scintillator structures |
| US4375423A (en) * | 1980-07-15 | 1983-03-01 | General Electric Company | Index-matched phosphor scintillator structures |
| JPS5739371A (en) * | 1980-08-20 | 1982-03-04 | Toshiba Corp | Scintillation detector for gate monitor |
| US4916320A (en) * | 1987-08-24 | 1990-04-10 | Beckman Instruments, Inc. | Sample counting support with solid scintillator for use in scintillation counting |
| US4931645A (en) * | 1988-08-16 | 1990-06-05 | National Nuclear Corporation | Detector for measurement of radiation |
| US4994673A (en) * | 1989-06-06 | 1991-02-19 | Solon Technologies, Inc. | Ruggedized scintillation detector |
| DE69817035T2 (de) * | 1997-02-14 | 2004-06-09 | Hamamatsu Photonics K.K., Hamamatsu | Strahlungsdetektor und Verfahren zu seiner Herstellung |
| CN1133881C (zh) * | 1997-02-14 | 2004-01-07 | 浜松光子学株式会社 | 放射线检测元件及其制造方法 |
| US7019301B2 (en) * | 1997-02-14 | 2006-03-28 | Hamamatsu Photonics K.K. | Radiation detection device and method of making the same |
| US5864141A (en) * | 1997-07-23 | 1999-01-26 | Southeastern Univ. Research Assn. | Compact, high-resolution, gamma ray imaging for scintimammography and other medical diagostic applications |
| AU2001271271A1 (en) * | 2000-05-26 | 2001-12-11 | Olganix Corporation | Scintillator detector and camera system and method for measuring emission uniformity and for calibration of radioactive sources |
| TWI443362B (zh) | 2011-04-29 | 2014-07-01 | Nat Applied Res Laboratoires | 不可見光粒子檢測裝置 |
| US8785841B1 (en) * | 2013-05-15 | 2014-07-22 | Schlumberger Technology Corporation | Scintillation detector package having radioactive window therein |
| US9715022B2 (en) | 2013-05-15 | 2017-07-25 | Schlumberger Technology Corporation | Scintillation detector package having radioactive support apparatus |
| US9395464B2 (en) | 2013-05-15 | 2016-07-19 | Schlumberger Technology Corporation | Scintillation detector package having radioactive reflective material therein |
| KR101668087B1 (ko) * | 2014-07-01 | 2016-10-21 | 한국원자력의학원 | 다면체형 방사선 계수기 |
| WO2019050862A2 (en) | 2017-09-06 | 2019-03-14 | The United States Of America, As Represented By The Secretary, Department Of Health And Human Services | MICRO-DOSE CALIBRATOR |
| CN108039217A (zh) * | 2017-11-27 | 2018-05-15 | 中核控制系统工程有限公司 | 一种用于井型闪烁探头的屏蔽装置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2855520A (en) * | 1956-07-03 | 1958-10-07 | Baird Atomic Inc | Radiation detector |
| US3102955A (en) * | 1960-07-06 | 1963-09-03 | Harshaw Chem Corp | Scintillation detector with compensating reflector for the crystal |
| US3591807A (en) * | 1966-09-06 | 1971-07-06 | Charles W Mays | Photon detector utilizing a well-type scintillation crystal |
-
1976
- 1976-03-31 US US05/672,206 patent/US4066908A/en not_active Expired - Lifetime
-
1977
- 1977-03-17 FR FR7707968A patent/FR2346728A1/fr active Granted
- 1977-03-31 JP JP3694277A patent/JPS52119976A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4066908A (en) | 1978-01-03 |
| JPS52119976A (en) | 1977-10-07 |
| FR2346728A1 (fr) | 1977-10-28 |
| FR2346728B1 (ja) | 1982-04-16 |
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