JPS6132707B2 - - Google Patents
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- JPS6132707B2 JPS6132707B2 JP57182215A JP18221582A JPS6132707B2 JP S6132707 B2 JPS6132707 B2 JP S6132707B2 JP 57182215 A JP57182215 A JP 57182215A JP 18221582 A JP18221582 A JP 18221582A JP S6132707 B2 JPS6132707 B2 JP S6132707B2
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- JP
- Japan
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- memory
- bit
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- main memory
- defective
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- 230000015654 memory Effects 0.000 claims description 172
- 230000002950 deficient Effects 0.000 claims description 53
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 13
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims description 9
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 8
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 230000006870 function Effects 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 238000013507 mapping Methods 0.000 description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 230000004044 response Effects 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 2
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- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/70—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring
- G11C29/76—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using address translation or modifications
Landscapes
- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
- For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
- Hardware Redundancy (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は欠陥メモリ・ロケーシヨンを代替メモ
リ・ユニツトのメモリ・ロケーシヨンで論理的に
置き換えるようにしたデイジタル・データ・メモ
リ・システムに関し、更に詳細にいえば、代替メ
モリ・ユニツト内の割当てられる補助メモリ・ロ
ケーシヨンの数を最小にし且つ関連するエラー補
正システムで補正できない型のエラーなしにメイ
ン・メモリから読取りうるデータ量を最大にする
ようにメイン・メモリの欠陥メモリ・ロケーシヨ
ンを選択的に置き換えるようにしたメモリ・シス
テムに関する。
リ・ユニツトのメモリ・ロケーシヨンで論理的に
置き換えるようにしたデイジタル・データ・メモ
リ・システムに関し、更に詳細にいえば、代替メ
モリ・ユニツト内の割当てられる補助メモリ・ロ
ケーシヨンの数を最小にし且つ関連するエラー補
正システムで補正できない型のエラーなしにメイ
ン・メモリから読取りうるデータ量を最大にする
ようにメイン・メモリの欠陥メモリ・ロケーシヨ
ンを選択的に置き換えるようにしたメモリ・シス
テムに関する。
例えば米国特許第3436734号、米国特許第
3331058号に示されるように、欠陥メモリ・ロケ
ーシヨンを有するメモリ・ユニツトを使用可能な
メモリとして利用できるようにしたメモリ・シス
テムが種々提案されている。
3331058号に示されるように、欠陥メモリ・ロケ
ーシヨンを有するメモリ・ユニツトを使用可能な
メモリとして利用できるようにしたメモリ・シス
テムが種々提案されている。
1つの簡単な従来の方法は欠陥を含むアドレス
可能なメモリ・ロケーシヨンを単にバイパスする
ためのメモリ・アドレス手段を設けるものであ
る。他の方法としては、メイン・メモリの欠陥ロ
ケーシヨンに記憶されるデータを補助メモリに記
憶するものがある。いつ欠陥ロケーシヨンがアド
レスされるかを識別するための回路が設けられ、
欠陥ロケーシヨンにデータが入れられるときこの
データは補助メモリに記憶され、欠陥ロケーシヨ
ンの読取りが行なわれるときは代わりに補助メモ
リのデータが読取られる。
可能なメモリ・ロケーシヨンを単にバイパスする
ためのメモリ・アドレス手段を設けるものであ
る。他の方法としては、メイン・メモリの欠陥ロ
ケーシヨンに記憶されるデータを補助メモリに記
憶するものがある。いつ欠陥ロケーシヨンがアド
レスされるかを識別するための回路が設けられ、
欠陥ロケーシヨンにデータが入れられるときこの
データは補助メモリに記憶され、欠陥ロケーシヨ
ンの読取りが行なわれるときは代わりに補助メモ
リのデータが読取られる。
また、従来の技術によれば、エラー補正システ
ムによつて記憶データをエラーから保護するもの
がある。即ち、データをメモリに入れるときチエ
ツク・キヤラクタを発生してデータと共に記憶
し、後にデータを読取るとき再びチエツク・キヤ
ラクタを発生し、チエツク・キヤラクタを処理す
ることによつてエラーの存在、エラーの種類及び
エラーの位置を検出し、データをシステムによつ
て更に処理する前にエラーを補正できるようにす
るものである。
ムによつて記憶データをエラーから保護するもの
がある。即ち、データをメモリに入れるときチエ
ツク・キヤラクタを発生してデータと共に記憶
し、後にデータを読取るとき再びチエツク・キヤ
ラクタを発生し、チエツク・キヤラクタを処理す
ることによつてエラーの存在、エラーの種類及び
エラーの位置を検出し、データをシステムによつ
て更に処理する前にエラーを補正できるようにす
るものである。
メモリに記憶されたデータ・ワードと関連する
チエツク・キヤラクタの数は用いられるECCコ
ードの冪に依存する。一般には、補正されるべき
エラーの種類の数が増えると、チエツク・キヤラ
クタの数も増える。
チエツク・キヤラクタの数は用いられるECCコ
ードの冪に依存する。一般には、補正されるべき
エラーの種類の数が増えると、チエツク・キヤラ
クタの数も増える。
勿論、チエツク・ビツト又はチエツク・キヤラ
クタはメイン・メモリ内の記憶位置を浪費しシス
テムのデータ記憶効率を下げるから、最外少数の
チエツク・ビツト又はチエツク・キヤラクタを使
用するECCシステムを用いるのが望ましい。ま
た、欠陥ロケーシヨンの代替として設けられる補
助記憶ロケーシヨンの数を最小にするのが望まし
い。更に、欠陥ロケーシヨンを持つとしても、で
きるだけ多数のメイン・メモリ・ユニツトを使用
して、歩留りを高めコストを下げるのが望まし
い。
クタはメイン・メモリ内の記憶位置を浪費しシス
テムのデータ記憶効率を下げるから、最外少数の
チエツク・ビツト又はチエツク・キヤラクタを使
用するECCシステムを用いるのが望ましい。ま
た、欠陥ロケーシヨンの代替として設けられる補
助記憶ロケーシヨンの数を最小にするのが望まし
い。更に、欠陥ロケーシヨンを持つとしても、で
きるだけ多数のメイン・メモリ・ユニツトを使用
して、歩留りを高めコストを下げるのが望まし
い。
従つて本発明の目的は、メイン・メモリの欠陥
ロケーシヨンに記憶できないデータを記憶するの
に必要な補助メモリの容量を最小にするようにし
たメモリ・システムを提供することである。
ロケーシヨンに記憶できないデータを記憶するの
に必要な補助メモリの容量を最小にするようにし
たメモリ・システムを提供することである。
他の目的はシステム・パフオーマンスに影響を
与えることなくメイン・メモリの欠陥ロケーシヨ
ンを論理的に置換するメモリ・システムを提供す
ることである。
与えることなくメイン・メモリの欠陥ロケーシヨ
ンを論理的に置換するメモリ・システムを提供す
ることである。
本発明は、補正できないエラーを持つ欠陥ロケ
ーシヨンからのデータ・ワードの読取りを回避す
るように、メイン・メモリのどの欠陥ロケーシヨ
ンを補助メモリの良好ロケーシヨンと論理的に置
換するかを選択的に制御するための手段を設ける
ことによつて、メイン・メモリの欠陥ロケーシヨ
ンの数及び位置に応じてメモリ・システムを最適
化できるようにした、欠陥ロケーシヨンを有する
メイン・メモリを用いたメモリ・システムを提供
するものである。
ーシヨンからのデータ・ワードの読取りを回避す
るように、メイン・メモリのどの欠陥ロケーシヨ
ンを補助メモリの良好ロケーシヨンと論理的に置
換するかを選択的に制御するための手段を設ける
ことによつて、メイン・メモリの欠陥ロケーシヨ
ンの数及び位置に応じてメモリ・システムを最適
化できるようにした、欠陥ロケーシヨンを有する
メイン・メモリを用いたメモリ・システムを提供
するものである。
次に図面を参照して本発明の良好な実施例を説
明する。第1図は本発明によるメモリ・システム
を実施したデータ処理システムのブロツク図であ
り、ホスト・データ処理装置(CPU)10、メ
イン・メモリ11、2次メモリ13を有する。メ
モリ入力データ・バス14はCPU10から2次
メモリ13を介してメイン・メモリ11へ延び、
メモリ出力データ・バス15はメイン・メモリ1
1から2次メモリ13を介してCPU10へ延
び、アドレス・バス20はCPU10から2次メ
モリ13、メイン・メモリ11へ延び、制御バス
21はCPU10から2次メモリ13へ延びてこ
れに制御データを与える。入力バス14と出力バ
ス15にはエラー補正システム(ECCシステ
ム)22が組合わされ、CPU10とメイン・メ
モリ11との間で転送される各データ・ワード毎
にエラー補正用チエツク・キヤラクタを発生する
ように働く。ECCシステム22は欠陥メモリ・
ロケーシヨン又は何らかの正当な技術的理由のた
めに生じるランダム・エラーの結果として生じる
所定の型のエラーを補正する。
明する。第1図は本発明によるメモリ・システム
を実施したデータ処理システムのブロツク図であ
り、ホスト・データ処理装置(CPU)10、メ
イン・メモリ11、2次メモリ13を有する。メ
モリ入力データ・バス14はCPU10から2次
メモリ13を介してメイン・メモリ11へ延び、
メモリ出力データ・バス15はメイン・メモリ1
1から2次メモリ13を介してCPU10へ延
び、アドレス・バス20はCPU10から2次メ
モリ13、メイン・メモリ11へ延び、制御バス
21はCPU10から2次メモリ13へ延びてこ
れに制御データを与える。入力バス14と出力バ
ス15にはエラー補正システム(ECCシステ
ム)22が組合わされ、CPU10とメイン・メ
モリ11との間で転送される各データ・ワード毎
にエラー補正用チエツク・キヤラクタを発生する
ように働く。ECCシステム22は欠陥メモリ・
ロケーシヨン又は何らかの正当な技術的理由のた
めに生じるランダム・エラーの結果として生じる
所定の型のエラーを補正する。
本発明の実施例は第2図に示されるように、
128個のデータ・ビツト位置及び16個のチエツ
ク・ビツト位置(ECC)の計144個のビツト位置
を有するデータ・ワードを用いる。データ・バス
14,15は144ビツト幅であるものとする。ま
た、メイン・メモリ11は642K(K=1024)の
データ・ワードを記憶するものとする。
128個のデータ・ビツト位置及び16個のチエツ
ク・ビツト位置(ECC)の計144個のビツト位置
を有するデータ・ワードを用いる。データ・バス
14,15は144ビツト幅であるものとする。ま
た、メイン・メモリ11は642K(K=1024)の
データ・ワードを記憶するものとする。
メイン・メモリ11は第1A図に示されるよう
に、夫々64Kビツトのメモリ・セルを含むチツプ
を144ビツト・ワードの各ビツト位置毎に64個配
列したアレイからなる。メイン・メモリは従つて
144ビツトのデータ・ワードを642K個記憶する。
アドレス・バス20は642Kのワード・ロケーシ
ヨンの1つを指定するため22ビツト幅である。メ
イン・メモリは種々のパターンのエラーを持ちや
すく、そのいくつかが第3A図〜第3C図に示さ
れている。第3A図はビツト位置27と関連する
1つの64Kビツト・チツプ3の全部が欠陥の場
合、第3B図はビツト位置25,27と関連する
2つのチツプ1,3が欠陥を有しチツプ1では1
〜256のビツト・セル・ロケーシヨンに欠陥が
ある場合、第3C図は更にビツト位置28と関連
するチツプ4のビツト・セル・ロケーシヨン3,
4,257〜512に欠陥を持つ場合である。
に、夫々64Kビツトのメモリ・セルを含むチツプ
を144ビツト・ワードの各ビツト位置毎に64個配
列したアレイからなる。メイン・メモリは従つて
144ビツトのデータ・ワードを642K個記憶する。
アドレス・バス20は642Kのワード・ロケーシ
ヨンの1つを指定するため22ビツト幅である。メ
イン・メモリは種々のパターンのエラーを持ちや
すく、そのいくつかが第3A図〜第3C図に示さ
れている。第3A図はビツト位置27と関連する
1つの64Kビツト・チツプ3の全部が欠陥の場
合、第3B図はビツト位置25,27と関連する
2つのチツプ1,3が欠陥を有しチツプ1では1
〜256のビツト・セル・ロケーシヨンに欠陥が
ある場合、第3C図は更にビツト位置28と関連
するチツプ4のビツト・セル・ロケーシヨン3,
4,257〜512に欠陥を持つ場合である。
第4図の破線で囲まれた部分29は置換ユニツ
トとも呼ばれる36個の同じ代替データ・メモリ・
セクシヨンのうちの1つである。即ち、置換ユニ
ツト29は144ビツト・データ・ワードの4ビツ
ト毎に1つずつ設けられる。各セクシヨンは2つ
の代替メモリ31,32を有する。CPU10か
らのメモリ入力バス14の4本の線と代替メモリ
31,32との間に入力マルチプレクサ即ち書込
みマルチプレクサ33が配置され、メイン・メモ
リ30及び代替メモリ31,32の出力とCPU
10へのメモリ出力バス15の4本の線との間に
出力マルチプレクサ34が接続されている。アド
レス・バス20はメイン・メモリ30及び選択制
御ユニツト36に接続される。選択制御ユニツト
36はCPU10から制御バス21を受取る。選
択制御ユニツト36の出力制御線39A〜39D
は代替メモリ31,32及びマルチプレクサ3
3,34へ延びている。選択制御ユニツト36は
メイン・メモリ30の欠陥ビツト・セルを置換す
るように代替メモリ・ユニツト31,32のメモ
リ・ロケーシヨンをアドレスするように働く。
トとも呼ばれる36個の同じ代替データ・メモリ・
セクシヨンのうちの1つである。即ち、置換ユニ
ツト29は144ビツト・データ・ワードの4ビツ
ト毎に1つずつ設けられる。各セクシヨンは2つ
の代替メモリ31,32を有する。CPU10か
らのメモリ入力バス14の4本の線と代替メモリ
31,32との間に入力マルチプレクサ即ち書込
みマルチプレクサ33が配置され、メイン・メモ
リ30及び代替メモリ31,32の出力とCPU
10へのメモリ出力バス15の4本の線との間に
出力マルチプレクサ34が接続されている。アド
レス・バス20はメイン・メモリ30及び選択制
御ユニツト36に接続される。選択制御ユニツト
36はCPU10から制御バス21を受取る。選
択制御ユニツト36の出力制御線39A〜39D
は代替メモリ31,32及びマルチプレクサ3
3,34へ延びている。選択制御ユニツト36は
メイン・メモリ30の欠陥ビツト・セルを置換す
るように代替メモリ・ユニツト31,32のメモ
リ・ロケーシヨンをアドレスするように働く。
144ビツトよりなるデータ・ワードは、各ビツ
トが欠陥依存性のない形で、即ち144個の64Kビ
ツト・チツプの異なるチツプに1ビツトずつ記憶
される。従つて、仮に1つの64Kビツト・チツプ
が完全に動作しないとしても、64K個のワードの
各ワードの1ビツトが影響受けるだけであり、こ
の欠陥チツプは代替メモリ31又は32の別の
64Kチツプでそつくり置換しうる。
トが欠陥依存性のない形で、即ち144個の64Kビ
ツト・チツプの異なるチツプに1ビツトずつ記憶
される。従つて、仮に1つの64Kビツト・チツプ
が完全に動作しないとしても、64K個のワードの
各ワードの1ビツトが影響受けるだけであり、こ
の欠陥チツプは代替メモリ31又は32の別の
64Kチツプでそつくり置換しうる。
このような構成の場合、22ビツト・アドレスの
うちの16ビツトは各チツプに与えられ、各チツプ
上の同じビツト・セルを選択するように働く。説
明のためチツプが256行×256列のマトリクスから
なるものとすると、8ビツト・バイトで256行の
1つ、別の8ビツト・バイトで256列の1つを指
定すれば、16ビツトで特定の行列の交点の1ビツ
ト・セルを選択できる。データ・ワードの各ビツ
ト位置と関連する64個のチツプの1つを選択する
ために残りの6ビツトが用いられる。各代替デー
タ・メモリ・セクシヨン29の入力及び出力マル
チプレクサ33,34は4ビツト幅である。前に
述べたように、第4図に示されるような置換ユニ
ツト29が36個あり、従つて入力バス14及び出
力バス15は夫々4ビツト線を含む36個のビツト
線グループからなつていると考えることができ
る。
うちの16ビツトは各チツプに与えられ、各チツプ
上の同じビツト・セルを選択するように働く。説
明のためチツプが256行×256列のマトリクスから
なるものとすると、8ビツト・バイトで256行の
1つ、別の8ビツト・バイトで256列の1つを指
定すれば、16ビツトで特定の行列の交点の1ビツ
ト・セルを選択できる。データ・ワードの各ビツ
ト位置と関連する64個のチツプの1つを選択する
ために残りの6ビツトが用いられる。各代替デー
タ・メモリ・セクシヨン29の入力及び出力マル
チプレクサ33,34は4ビツト幅である。前に
述べたように、第4図に示されるような置換ユニ
ツト29が36個あり、従つて入力バス14及び出
力バス15は夫々4ビツト線を含む36個のビツト
線グループからなつていると考えることができ
る。
通常の動作では、144ビツト・ワードは入力バ
ス14によりCPUからメイン・メモリへ転送さ
れ、アドレス・バス20の22ビツト・アドレスに
より指定されるロケーシヨンに記憶される。メイ
ン・メモリ30からのデータの転送は、アドレ
ス・バス20に22ビツト・アドレスを与え、144
ビツトを各置換ユニツト29の出力マルチプレク
サ34を介して出力バス15に転送することによ
つて達成される。
ス14によりCPUからメイン・メモリへ転送さ
れ、アドレス・バス20の22ビツト・アドレスに
より指定されるロケーシヨンに記憶される。メイ
ン・メモリ30からのデータの転送は、アドレ
ス・バス20に22ビツト・アドレスを与え、144
ビツトを各置換ユニツト29の出力マルチプレク
サ34を介して出力バス15に転送することによ
つて達成される。
要するに、22ビツト・アドレスの6ビツトは64
個のチツプの1つを選択するのに用いられ、残り
の16ビツトは選択された144個のチツプの同じセ
ルを実際にアドレスする。メイン・メモリのアド
レスされたロケーシヨンが欠陥セル・ロケーシヨ
ンを含まないことが示された場合は置換ユニツト
29のメモリは作動されない。
個のチツプの1つを選択するのに用いられ、残り
の16ビツトは選択された144個のチツプの同じセ
ルを実際にアドレスする。メイン・メモリのアド
レスされたロケーシヨンが欠陥セル・ロケーシヨ
ンを含まないことが示された場合は置換ユニツト
29のメモリは作動されない。
次に、第5図を参照して代表的置換について説
明する。選択制御ユニツト36(第4図)はイン
デツクス・ユニツト50(第5図)を有し、これ
は2つの入力アドレス・バス51,52及び制御
入力バス21を有する。入力アドレス・バス5
1,52は夫々6ビツトのバスであり、アドレ
ス・バス20の22ビツト・アドレスの一部から得
られる。インデツクス・ユニツト50の機能は代
替メモリ・ユニツト31,32に対するアドレス
を発生すると共に各置換ユニツト29の動作モー
ド又は制御モードを定める制御形式の信号を各置
換ユニツトへ供給することである。インデツク
ス・ユニツト50はアドレス・データの一部及び
制御データを記憶できる書込み可能なメモリより
なる。インデツクス・ユニツトの大きさは種々の
パラメータ例えばメイン・メモリの大きさ、信頼
性、メイン・メモリの欠陥の量、置換されるべき
欠陥の大きさのようなパラメータに依存する。例
示実施例では、置換される最小の欠陥メモリ領域
即ち置換される単位領域は1024ビツトのセル即ち
1つのチツプの4列のセル(4×256)である。
インデツクス・ユニツトは2つの4K×8ビツト
のメモリ・モジユールよりなる。各メモリ・モジ
ユールには12ビツトのアドレスが与えられ、イン
デツクス・ユニツト50から16ビツトの出力が発
生される。インデツクス・ユニツト50への入力
バス51,52は夫々6ビツトであり、出力は16
ビツトである。出力16ビツトのうちの14ビツトは
第6図に示される種々のフイールドE〜Kのため
に用いられる。フイールドEは後述するように代
替メモリ31,32に対するアドレスの一部にな
る。
明する。選択制御ユニツト36(第4図)はイン
デツクス・ユニツト50(第5図)を有し、これ
は2つの入力アドレス・バス51,52及び制御
入力バス21を有する。入力アドレス・バス5
1,52は夫々6ビツトのバスであり、アドレ
ス・バス20の22ビツト・アドレスの一部から得
られる。インデツクス・ユニツト50の機能は代
替メモリ・ユニツト31,32に対するアドレス
を発生すると共に各置換ユニツト29の動作モー
ド又は制御モードを定める制御形式の信号を各置
換ユニツトへ供給することである。インデツク
ス・ユニツト50はアドレス・データの一部及び
制御データを記憶できる書込み可能なメモリより
なる。インデツクス・ユニツトの大きさは種々の
パラメータ例えばメイン・メモリの大きさ、信頼
性、メイン・メモリの欠陥の量、置換されるべき
欠陥の大きさのようなパラメータに依存する。例
示実施例では、置換される最小の欠陥メモリ領域
即ち置換される単位領域は1024ビツトのセル即ち
1つのチツプの4列のセル(4×256)である。
インデツクス・ユニツトは2つの4K×8ビツト
のメモリ・モジユールよりなる。各メモリ・モジ
ユールには12ビツトのアドレスが与えられ、イン
デツクス・ユニツト50から16ビツトの出力が発
生される。インデツクス・ユニツト50への入力
バス51,52は夫々6ビツトであり、出力は16
ビツトである。出力16ビツトのうちの14ビツトは
第6図に示される種々のフイールドE〜Kのため
に用いられる。フイールドEは後述するように代
替メモリ31,32に対するアドレスの一部にな
る。
第5図に示される代替データ・メモリ・ユニツ
ト31は4つのチツプ61〜64を有する。メモ
リ・ユニツト31,32はデータ・ワードのビツ
ト位置25〜28のための置換を与え、ビツト位
置25〜28と関連するメイン・メモリ・チツプ
の種々の欠陥領域を置換するのに用いられる。
ト31は4つのチツプ61〜64を有する。メモ
リ・ユニツト31,32はデータ・ワードのビツ
ト位置25〜28のための置換を与え、ビツト位
置25〜28と関連するメイン・メモリ・チツプ
の種々の欠陥領域を置換するのに用いられる。
欠陥メモリ・セルのロケーシヨンは制御信号バ
ス21を介してCPU10からインデツクス・ユ
ニツト50に供給されるが、後述するように、必
ずしもメイン・メモリにおけるすべての欠陥セ
ル・ロケーシヨンを含まない。インデツクス・ユ
ニツト50には代替データ・メモリ・ユニツト3
1,32に予備領域が設けられているメイン・メ
モリ30内に欠陥セルに関する情報のみが記憶さ
れる。メイン・メモリの非欠陥セルと関連するイ
ンデツクス・ユニツト50内のメモリ・ロケーシ
ヨンにもCPUからデータが供給されるが、この
データは非欠陥ロケーシヨンがアドレスされたと
き置換ユニツトを動作させないようにする。本発
明の基本的概念によれば、メイン・メモリのいく
つかの欠陥メモリ・ロケーシヨンは代替メモリ・
ユニツト31,32の対応ロケーシヨンによつて
置換されない。その理由は、置換されない欠陥セ
ルから読取られるデータの妥当性をECCシステ
ムによつて保証するからである。どのセルが置換
されるべきであるかの選択は、ECCシステムの
エラー補正能力、記憶されるデータの性質、デー
タ・ワードに生じるランダム・エラーの確率、ホ
スト・システムに供給される補正不可能なエラー
又は検出されないエラーの重大性、及び各デー
タ・ワード・ロケーシヨンの欠陥分布パターンの
分析を用いる論理演算に基づいてCPU内で行な
われる。
ス21を介してCPU10からインデツクス・ユ
ニツト50に供給されるが、後述するように、必
ずしもメイン・メモリにおけるすべての欠陥セ
ル・ロケーシヨンを含まない。インデツクス・ユ
ニツト50には代替データ・メモリ・ユニツト3
1,32に予備領域が設けられているメイン・メ
モリ30内に欠陥セルに関する情報のみが記憶さ
れる。メイン・メモリの非欠陥セルと関連するイ
ンデツクス・ユニツト50内のメモリ・ロケーシ
ヨンにもCPUからデータが供給されるが、この
データは非欠陥ロケーシヨンがアドレスされたと
き置換ユニツトを動作させないようにする。本発
明の基本的概念によれば、メイン・メモリのいく
つかの欠陥メモリ・ロケーシヨンは代替メモリ・
ユニツト31,32の対応ロケーシヨンによつて
置換されない。その理由は、置換されない欠陥セ
ルから読取られるデータの妥当性をECCシステ
ムによつて保証するからである。どのセルが置換
されるべきであるかの選択は、ECCシステムの
エラー補正能力、記憶されるデータの性質、デー
タ・ワードに生じるランダム・エラーの確率、ホ
スト・システムに供給される補正不可能なエラー
又は検出されないエラーの重大性、及び各デー
タ・ワード・ロケーシヨンの欠陥分布パターンの
分析を用いる論理演算に基づいてCPU内で行な
われる。
インデツクス・ユニツトに記憶されるデータ
は、メモリ・チエツクを行ない欠陥セルを識別す
るようにプログラムされたCPUによつて供給さ
れる。欠陥は製造時のエラー又はその後現場で生
じるエラーの結果として生じる。
は、メモリ・チエツクを行ない欠陥セルを識別す
るようにプログラムされたCPUによつて供給さ
れる。欠陥は製造時のエラー又はその後現場で生
じるエラーの結果として生じる。
例示実施例の場合メモリ・アドレス・バスは22
本の線からなり、メイン・メモリの642Kの144ビ
ツト・セルの1つをアドレスできる。しかし置換
されるべき最小領域は1048ビツト・セルよりなる
4列であるから、各置換ユニツト29のインデツ
クス・ユニツト50へのアドレスは12ビツト幅で
よい。
本の線からなり、メイン・メモリの642Kの144ビ
ツト・セルの1つをアドレスできる。しかし置換
されるべき最小領域は1048ビツト・セルよりなる
4列であるから、各置換ユニツト29のインデツ
クス・ユニツト50へのアドレスは12ビツト幅で
よい。
説明のため、データ・ワードの144個のビツト
位置が128個のデータ・ビツト位置及び16個の
ECCチエツク・ビツト位置を含み、ECCシステ
ムが2ビツトまでのランダム・エラー又は3ビツ
トまでの連続するバースト・エラーを補正できる
ものとする。1つのチツプの1つの列に欠陥が生
じた場合は1024ビツト・セル単位で置換され、チ
ツプ全体が欠陥を持つ場合はチツプ全体が置換さ
れる必要がある。
位置が128個のデータ・ビツト位置及び16個の
ECCチエツク・ビツト位置を含み、ECCシステ
ムが2ビツトまでのランダム・エラー又は3ビツ
トまでの連続するバースト・エラーを補正できる
ものとする。1つのチツプの1つの列に欠陥が生
じた場合は1024ビツト・セル単位で置換され、チ
ツプ全体が欠陥を持つ場合はチツプ全体が置換さ
れる必要がある。
上記の想定のもとでは、欠陥セルからの1ビツ
ト・データの補正はECCシステムによつて行な
われるから、1ビツト・セルだけの欠陥は一般に
置換されない。しかし何らかの妥当性ある技術的
理由のために1ビツト・セルが置換されるべきで
あるならば、その1つの欠陥セルを含む4列のグ
ループ全体が置換される。
ト・データの補正はECCシステムによつて行な
われるから、1ビツト・セルだけの欠陥は一般に
置換されない。しかし何らかの妥当性ある技術的
理由のために1ビツト・セルが置換されるべきで
あるならば、その1つの欠陥セルを含む4列のグ
ループ全体が置換される。
要するに、選択制御ユニツト36、具体的には
インデツクス・ユニツト50の主要な機能はバス
20のアドレス・データを、代替メモリ・ユニツ
ト31,32、及びマルチプレクサ33,34の
ためのアドレス信号及びモード制御信号にマツピ
ングすることである。これが行なわれる様子につ
いては次に第5図と関連して説明する。
インデツクス・ユニツト50の主要な機能はバス
20のアドレス・データを、代替メモリ・ユニツ
ト31,32、及びマルチプレクサ33,34の
ためのアドレス信号及びモード制御信号にマツピ
ングすることである。これが行なわれる様子につ
いては次に第5図と関連して説明する。
第5図のハードウエアはインデツクス・ユニツ
ト50からのn個の入力をn2個の出力にデコード
するように働く4つのデコーダ・ブロツク40A
〜40Dを有する。更に、入力マルチプレクサ3
3、メモリ・ユニツト31の別々の予備チツプ6
1〜64、及び読取りセレクタ/出力マルチプレ
クサ34も示されている。メモリ・ユニツト32
は第5図に示されていない。
ト50からのn個の入力をn2個の出力にデコード
するように働く4つのデコーダ・ブロツク40A
〜40Dを有する。更に、入力マルチプレクサ3
3、メモリ・ユニツト31の別々の予備チツプ6
1〜64、及び読取りセレクタ/出力マルチプレ
クサ34も示されている。メモリ・ユニツト32
は第5図に示されていない。
代替メモリ・ユニツト31の各チツプには16ビ
ツトのアドレス・バスが接続される。各チツプ6
1〜64は64K個のアドレス可能なメモリ・セル
を有する。この16ビツトのアドレスはメイン・メ
モリ.アドレスの14ビツト及びインデツクス・ユ
ニツト50からのフイールドEの2ビツトによつ
てつくられる。
ツトのアドレス・バスが接続される。各チツプ6
1〜64は64K個のアドレス可能なメモリ・セル
を有する。この16ビツトのアドレスはメイン・メ
モリ.アドレスの14ビツト及びインデツクス・ユ
ニツト50からのフイールドEの2ビツトによつ
てつくられる。
ここで、アドレス・バス20と関連する種々の
アドレスの関係について説明する。メイン・メモ
リのための22ビツト・アドレスのうちの6ビツト
はデータ・ワードの各ビツト位置と関連する64個
の別々のチツプのうちの1つを選択するために用
いられることは前に述べたとおりである。更に、
8ビツトは選択されたチツプの256列のうちの1
つを選択するのに用いられ、残り8ビツトは選択
されたチツプの256行の1つを選択するのに用い
られ、これにより、ワードの1ビツト位置と関連
するメモリ・セグメントの1ビツト・セルが指定
される。ワードの残りのビツト位置も同様に指定
される。
アドレスの関係について説明する。メイン・メモ
リのための22ビツト・アドレスのうちの6ビツト
はデータ・ワードの各ビツト位置と関連する64個
の別々のチツプのうちの1つを選択するために用
いられることは前に述べたとおりである。更に、
8ビツトは選択されたチツプの256列のうちの1
つを選択するのに用いられ、残り8ビツトは選択
されたチツプの256行の1つを選択するのに用い
られ、これにより、ワードの1ビツト位置と関連
するメモリ・セグメントの1ビツト・セルが指定
される。ワードの残りのビツト位置も同様に指定
される。
フイールドB及びフイールドCとして夫々6ビ
ツトずつインデツクス・ユニツト50に供給され
る12ビツト・アドレスは、64個のチツプの1つを
選択するためにメイン・メモリで用いられる6ビ
ツト(フイールドC)と、256列の1つを選択す
るために用いられる8ビツトのうちの6ビツト
(フイールドB)とからなる。従つて8ビツト列
アドレスのうちの6ビツトは夫々4列のビツト・
セルよりなる64個のグループの1つを指定する。
各グループの4列はメイン・メモリ内の1024個の
メモリ・セルを表わす。インデツクス・ユニツト
50は第6図に示されるように4096個のアドレス
可能なロケーシヨンを有する。そして、データ・
ワードの1ビツト位置と関連する64個のチツプの
うちの1つと夫々対応する64のグループのロケー
シヨンがある。従つて各グループは8ビツト列ア
ドレスの6ビツトによつて示される64個の別々の
アドレスを有する。チツプの1列が欠陥の場合は
256のビツト・セルが欠陥であるが、その1つの
欠陥列と関連する4列のグループが置換される。
換言すれば、例えば、メイン・メモリがアドレス
されるときにアドレス・バスの6ビツトによつて
チツプ21が指定されるとすると、この同じ6ビ
ツトはフイールドCとしてインデツクス・ユニツ
ト50に印加され、64個のアドレス・グループの
うちの1つ、即ちアドレス・グループ21を選択
する。アドレス・グループ21は64個のメモリ・
ロケーシヨンを有する。メイン・メモリのための
8ビツト列アドレスの上位6ビツト(フイールド
B)はアドレス・グループ21の64個のメモリ・
ロケーシヨンのうちのどの1つのメモリ・ロケー
シヨンが読取られるべきであるかを選択する。こ
のインデツクス・メモリ・ロケーシヨンに記憶さ
れた16ビツト・データが第5図に示されるように
夫々のフイールドとして読取られる。2ビツトの
フイールドEはアドレス・バス20の14ビツトと
組合わされ、16ビツト・アドレスとして代替メモ
リ31の予備チツプ61〜64に供給される。こ
の16ビツトの予備チツプ・アドレスはメイン・メ
モリ内のアドレスされたビツト・セルと置換され
る選択された予備チツプのビツト・セルを指定す
る。
ツトずつインデツクス・ユニツト50に供給され
る12ビツト・アドレスは、64個のチツプの1つを
選択するためにメイン・メモリで用いられる6ビ
ツト(フイールドC)と、256列の1つを選択す
るために用いられる8ビツトのうちの6ビツト
(フイールドB)とからなる。従つて8ビツト列
アドレスのうちの6ビツトは夫々4列のビツト・
セルよりなる64個のグループの1つを指定する。
各グループの4列はメイン・メモリ内の1024個の
メモリ・セルを表わす。インデツクス・ユニツト
50は第6図に示されるように4096個のアドレス
可能なロケーシヨンを有する。そして、データ・
ワードの1ビツト位置と関連する64個のチツプの
うちの1つと夫々対応する64のグループのロケー
シヨンがある。従つて各グループは8ビツト列ア
ドレスの6ビツトによつて示される64個の別々の
アドレスを有する。チツプの1列が欠陥の場合は
256のビツト・セルが欠陥であるが、その1つの
欠陥列と関連する4列のグループが置換される。
換言すれば、例えば、メイン・メモリがアドレス
されるときにアドレス・バスの6ビツトによつて
チツプ21が指定されるとすると、この同じ6ビ
ツトはフイールドCとしてインデツクス・ユニツ
ト50に印加され、64個のアドレス・グループの
うちの1つ、即ちアドレス・グループ21を選択
する。アドレス・グループ21は64個のメモリ・
ロケーシヨンを有する。メイン・メモリのための
8ビツト列アドレスの上位6ビツト(フイールド
B)はアドレス・グループ21の64個のメモリ・
ロケーシヨンのうちのどの1つのメモリ・ロケー
シヨンが読取られるべきであるかを選択する。こ
のインデツクス・メモリ・ロケーシヨンに記憶さ
れた16ビツト・データが第5図に示されるように
夫々のフイールドとして読取られる。2ビツトの
フイールドEはアドレス・バス20の14ビツトと
組合わされ、16ビツト・アドレスとして代替メモ
リ31の予備チツプ61〜64に供給される。こ
の16ビツトの予備チツプ・アドレスはメイン・メ
モリ内のアドレスされたビツト・セルと置換され
る選択された予備チツプのビツト・セルを指定す
る。
2ビツトの予備チツプ・アドレスをインデツク
ス・ユニツト50から供給されるようにすること
により、マツピング・プロセスに高度の融通性が
得られ、従つて欠陥を持つ予備チツプを使用する
ことが可能になり、また合理的に小さな寸法にさ
れたインデツクスを使用することが可能になる。
インデツクスのメモリはメイン・メモリの1/256
の寸法である。
ス・ユニツト50から供給されるようにすること
により、マツピング・プロセスに高度の融通性が
得られ、従つて欠陥を持つ予備チツプを使用する
ことが可能になり、また合理的に小さな寸法にさ
れたインデツクスを使用することが可能になる。
インデツクスのメモリはメイン・メモリの1/256
の寸法である。
書込みマルチプレクサ33はデコーダ40Aの
出力に応答してデータ・バス14の1つの入力線
を4つの予備メモリ・チツプ61〜64の任意の
ものに接続することができる。通常、入力線25
は予備チツプ61へ、入力線26は予備チツプ6
2へ、入力線27は予備チツプ63へ、入力線2
8は予備チツプ64へ夫々接続される。デコーダ
40Aはインデツクス・ユニツト50の2ビツト
のFフイールド出力に応答してマルチプレクサ3
3へ4つの出力を与える。入力線と予備チツプの
間の経路指定は1つのビツト位置が最大256K
(4×64K)の予備セルを持つことができるよう
に変えることができる。これはマルチプレクサ3
3による接続制御によつて達成される。
出力に応答してデータ・バス14の1つの入力線
を4つの予備メモリ・チツプ61〜64の任意の
ものに接続することができる。通常、入力線25
は予備チツプ61へ、入力線26は予備チツプ6
2へ、入力線27は予備チツプ63へ、入力線2
8は予備チツプ64へ夫々接続される。デコーダ
40Aはインデツクス・ユニツト50の2ビツト
のFフイールド出力に応答してマルチプレクサ3
3へ4つの出力を与える。入力線と予備チツプの
間の経路指定は1つのビツト位置が最大256K
(4×64K)の予備セルを持つことができるよう
に変えることができる。これはマルチプレクサ3
3による接続制御によつて達成される。
マルチプレクサ33は代替メモリ・ユニツト3
2(図示せず)の4つの予備チツプと関連する第
2組のスイツチ(図示せず)を含む。これらのス
イツチはデコーダ40Bの出力に応答する。デコ
ーダ40Bは同様に、2ビツトのフイールドGを
4つの出力線にデコードする。メモリ・ユニツト
31,32の予備チツプ61〜64はアドレス・
バス20の一部である読取り/書込み制御線を受
取る。フイールドDと示されている制御線の機能
はメモリ・ユニツト31,32の予備チツプの読
取り及び書込み動作を制御することである。
2(図示せず)の4つの予備チツプと関連する第
2組のスイツチ(図示せず)を含む。これらのス
イツチはデコーダ40Bの出力に応答する。デコ
ーダ40Bは同様に、2ビツトのフイールドGを
4つの出力線にデコードする。メモリ・ユニツト
31,32の予備チツプ61〜64はアドレス・
バス20の一部である読取り/書込み制御線を受
取る。フイールドDと示されている制御線の機能
はメモリ・ユニツト31,32の予備チツプの読
取り及び書込み動作を制御することである。
デコーダ40CはフイールドHの2入力及びフ
イールドJの1入力を受取る。フイールドJの入
力はデコーダ40Cが4つの予備チツプ61〜6
4のうちの1つを選ぶべきか又は4つの予備チツ
プのすべてがグループとして付勢されるかを決め
るフオーマツト入力である。デコーダ40Dへの
フイールドIは代替メモリ・ユニツト32に関し
て同様の機能を与える。
イールドJの1入力を受取る。フイールドJの入
力はデコーダ40Cが4つの予備チツプ61〜6
4のうちの1つを選ぶべきか又は4つの予備チツ
プのすべてがグループとして付勢されるかを決め
るフオーマツト入力である。デコーダ40Dへの
フイールドIは代替メモリ・ユニツト32に関し
て同様の機能を与える。
フイールドKの機能は各代替メモリ・ユニツト
31,32について更に制御を与えることであ
る。フイールドKの一方の線はメモリ・ユニツト
31がアクテイブかを制御し、他方の線はメモ
リ・ユニツト32がアクテイブかを制御する。こ
れによれば、両方のメモリ・ユニツト31,32
が選択される、いずれか一方が選択される、両方
が選択されない場合の4通りの制御が可能であ
る。これらのフイールドによつて与えられる種々
の制御レベルにより、システムは予備セルの割当
てに大きな融通性を持つことができる。
31,32について更に制御を与えることであ
る。フイールドKの一方の線はメモリ・ユニツト
31がアクテイブかを制御し、他方の線はメモ
リ・ユニツト32がアクテイブかを制御する。こ
れによれば、両方のメモリ・ユニツト31,32
が選択される、いずれか一方が選択される、両方
が選択されない場合の4通りの制御が可能であ
る。これらのフイールドによつて与えられる種々
の制御レベルにより、システムは予備セルの割当
てに大きな融通性を持つことができる。
代替メモリ31の読取り動作は、読取りセレク
タ/出力マルチプレクサ34を介してメイン・メ
モリ又は予備メモリを出力バスへ選択的に接続す
る点を除けば、書込み動作と同様である。読取り
選択スイツチ70A〜70Dはデコーダ40Cの
出力に応答してメイン・メモリ30又は予備チツ
プ61〜64の出力を選択し、スイツチ71
A′〜71D′はデコーダ40Aの出力に応答して
出力の経路指定機能を行なう。
タ/出力マルチプレクサ34を介してメイン・メ
モリ又は予備メモリを出力バスへ選択的に接続す
る点を除けば、書込み動作と同様である。読取り
選択スイツチ70A〜70Dはデコーダ40Cの
出力に応答してメイン・メモリ30又は予備チツ
プ61〜64の出力を選択し、スイツチ71
A′〜71D′はデコーダ40Aの出力に応答して
出力の経路指定機能を行なう。
次にシステムの動作を説明する。メイン・メモ
リの各ワード・アドレスについて診断チエツクが
行なわれ、いくつかのワード・アドレスにおいて
欠陥セルが認められたものとする。説明のため、
メイン・メモリは第1A図のように、144ビツ
ト・ワードの各ビツト位置に64個のチツプを持つ
マトリクス状に配列され、行1〜4のチツプが欠
陥を持つものとする。換言すれば、ワード・アド
レス0〜256K(4×64K)が欠陥セル位置を含
み、256K以上のアドレスが無欠陥であるものと
する。次の説明では、最初の4行のチツプの任意
のビツト位置において認められた欠陥を処理する
ものとし、チツプ位置は行列の表示を用いて表わ
される。例えばチツプ1−1は第1行にあつて、
144ビツトのデータ・ワードのうちの第1ビツト
位置即ち第1ビツト列にあるチツプを示し、チツ
プ2−119は第2行にあつて、データ・ワード
のビツト位置119に割当てられたチツプを示
す。一例として、ホストCPUにおいて行なわれ
る診断プログラムにより次のチツプが完全に欠陥
品であることが認められたものとする、即ち、チ
ツプ1−13,1−14,1−78,1−12
2,2−15,2−79,3−16,4−16,
4−19,4−20。
リの各ワード・アドレスについて診断チエツクが
行なわれ、いくつかのワード・アドレスにおいて
欠陥セルが認められたものとする。説明のため、
メイン・メモリは第1A図のように、144ビツ
ト・ワードの各ビツト位置に64個のチツプを持つ
マトリクス状に配列され、行1〜4のチツプが欠
陥を持つものとする。換言すれば、ワード・アド
レス0〜256K(4×64K)が欠陥セル位置を含
み、256K以上のアドレスが無欠陥であるものと
する。次の説明では、最初の4行のチツプの任意
のビツト位置において認められた欠陥を処理する
ものとし、チツプ位置は行列の表示を用いて表わ
される。例えばチツプ1−1は第1行にあつて、
144ビツトのデータ・ワードのうちの第1ビツト
位置即ち第1ビツト列にあるチツプを示し、チツ
プ2−119は第2行にあつて、データ・ワード
のビツト位置119に割当てられたチツプを示
す。一例として、ホストCPUにおいて行なわれ
る診断プログラムにより次のチツプが完全に欠陥
品であることが認められたものとする、即ち、チ
ツプ1−13,1−14,1−78,1−12
2,2−15,2−79,3−16,4−16,
4−19,4−20。
この場合は、最初の64Kのワード・ロケーシヨ
ンの各々がビツト位置13,14,78,122
に欠陥を持つことになる。ECCシステムは前に
述べたように、2個までの1ビツト・ランダム・
エラー又は3ビツトまでの連続するバースト・エ
ラーしか補正できないから、これらのロケーシヨ
ンに記憶されるデータ・ワードはECCシステム
では補正できない可能性が高い。エラーはデータ
依存性を有しいくつかのワードは欠陥位置のデー
タの2進値に応じて補正することも可能である
が、システムはすべてのデータ値で動作できなけ
ればならない。従つて、最初の64Kワード・ロケ
ーシヨンに記憶された任意のデータ・ワードを少
なくともECCシステムで補正できるようにする
ためには、ある形式の置換を行なう必要がある。
代替メモリ31,32は予備チツプとして働く最
大8個のチツプを有するから、メイン・メモリの
残りの部分のエラー状態に応じて種々のオプシヨ
ンの中から最適に選択しうる。
ンの各々がビツト位置13,14,78,122
に欠陥を持つことになる。ECCシステムは前に
述べたように、2個までの1ビツト・ランダム・
エラー又は3ビツトまでの連続するバースト・エ
ラーしか補正できないから、これらのロケーシヨ
ンに記憶されるデータ・ワードはECCシステム
では補正できない可能性が高い。エラーはデータ
依存性を有しいくつかのワードは欠陥位置のデー
タの2進値に応じて補正することも可能である
が、システムはすべてのデータ値で動作できなけ
ればならない。従つて、最初の64Kワード・ロケ
ーシヨンに記憶された任意のデータ・ワードを少
なくともECCシステムで補正できるようにする
ためには、ある形式の置換を行なう必要がある。
代替メモリ31,32は予備チツプとして働く最
大8個のチツプを有するから、メイン・メモリの
残りの部分のエラー状態に応じて種々のオプシヨ
ンの中から最適に選択しうる。
上記の想定した例では、グループ4の代替デー
タ・メモリ・セクシヨン即ち置換ユニツトに属す
る8個のチツプの内の5個が置換チツプ1−1
3,1−14,2−15,3−16及び4−16
に割当てることができる。しかし各列13,1
4,15,16の他の63個のチツプのどれかがそ
の全部又は1048セル・セクシヨンにおいて置換さ
れる必要がある場合は、最終割当てを行なう場合
この点を考慮する必要がある。しかしこのシステ
ムはすべてのチツプを置換するように最初決めら
れているものとする。データは次のように各置換
ユニツト29の選択制御ユニツト36へ転送され
る。
タ・メモリ・セクシヨン即ち置換ユニツトに属す
る8個のチツプの内の5個が置換チツプ1−1
3,1−14,2−15,3−16及び4−16
に割当てることができる。しかし各列13,1
4,15,16の他の63個のチツプのどれかがそ
の全部又は1048セル・セクシヨンにおいて置換さ
れる必要がある場合は、最終割当てを行なう場合
この点を考慮する必要がある。しかしこのシステ
ムはすべてのチツプを置換するように最初決めら
れているものとする。データは次のように各置換
ユニツト29の選択制御ユニツト36へ転送され
る。
メイン・メモリの第1行のチツプがアドレスさ
れる度に、インデツクス・ユニツト50のマツピ
ング・プロセスのため次の動作が行なわれる。列
グループ即ちビツト位置グループ4の置換ユニツ
ト29に割当てられたビツト位置13,14の入
力バス線14は夫々そのグループの代替メモリ・
ユニツト31,32の予備チツプ61にスイツチ
される必要がある。ビツト位置グループ20の置
換ユニツト29に割当てられたビツト位置78の
入力バス線14はそのグループの代替メモリ31
の予備チツプ61に接続される必要があり、グル
ープ31に属するビツト位置122の入力バス線
はグループ31の代替メモリ31の予備チツプ6
1に接続される必要がある。
れる度に、インデツクス・ユニツト50のマツピ
ング・プロセスのため次の動作が行なわれる。列
グループ即ちビツト位置グループ4の置換ユニツ
ト29に割当てられたビツト位置13,14の入
力バス線14は夫々そのグループの代替メモリ・
ユニツト31,32の予備チツプ61にスイツチ
される必要がある。ビツト位置グループ20の置
換ユニツト29に割当てられたビツト位置78の
入力バス線14はそのグループの代替メモリ31
の予備チツプ61に接続される必要があり、グル
ープ31に属するビツト位置122の入力バス線
はグループ31の代替メモリ31の予備チツプ6
1に接続される必要がある。
各置換ユニツトのインデツクス・ユニツト50
の最初の64個のアドレス可能なロケーシヨンは第
1チツプ行に割当られる。チツプ全体が置換され
るべきであるから、グループ4の置換ユニツトの
インデツクス・ユニツト50の64個のすべてのロ
ケーシヨンは、マツピング機能を達成するために
マルチプレクサ33,34及び代替メモリ31,
32に供給されるべき所要の制御信号を表わす同
じデータを含む。同様にグループ20及び31の
インデツクス・ユニツト50の64個のすべてのロ
ケーシヨンはメイン・メモリのこれらの欠陥領域
に対するマツピング機能を達成するのに必要なフ
イールド制御信号を表わすデータを与えられる。
他のグループと関連するインデツクス50内の対
応する64個のロケーシヨンには、夫々の代替メモ
リにおいて置換が起こらないようにする適当な制
御信号が入れられる。
の最初の64個のアドレス可能なロケーシヨンは第
1チツプ行に割当られる。チツプ全体が置換され
るべきであるから、グループ4の置換ユニツトの
インデツクス・ユニツト50の64個のすべてのロ
ケーシヨンは、マツピング機能を達成するために
マルチプレクサ33,34及び代替メモリ31,
32に供給されるべき所要の制御信号を表わす同
じデータを含む。同様にグループ20及び31の
インデツクス・ユニツト50の64個のすべてのロ
ケーシヨンはメイン・メモリのこれらの欠陥領域
に対するマツピング機能を達成するのに必要なフ
イールド制御信号を表わすデータを与えられる。
他のグループと関連するインデツクス50内の対
応する64個のロケーシヨンには、夫々の代替メモ
リにおいて置換が起こらないようにする適当な制
御信号が入れられる。
第2行のチツプについても同様のプロセスが行
なわれる。メイン・メモリの各チツプの部分的な
欠陥状態を表わすデータを種々のインデツクス・
ユニツト50へ転送する場合は同様のプロセスが
用いられる。
なわれる。メイン・メモリの各チツプの部分的な
欠陥状態を表わすデータを種々のインデツクス・
ユニツト50へ転送する場合は同様のプロセスが
用いられる。
当業者には明らかなように、いくつかの異なつ
た考え方で制御することが可能である。例えば、
ある場合は、できるだけ多数のメイン・メモリ欠
陥ロケーシヨンを代替メモリ・ユニツトで置換す
る方が好ましい場合が起りうる。このような場合
ECCシステムはランダムに生じるエラー又は固
定的に組入れられたエラーを補正する最小限の範
囲で用いられよう。
た考え方で制御することが可能である。例えば、
ある場合は、できるだけ多数のメイン・メモリ欠
陥ロケーシヨンを代替メモリ・ユニツトで置換す
る方が好ましい場合が起りうる。このような場合
ECCシステムはランダムに生じるエラー又は固
定的に組入れられたエラーを補正する最小限の範
囲で用いられよう。
反対に、ECCシステムによるエラー補正の範
囲を最大限まで高めるならば、メイン・メモリの
欠陥ロケーシヨンの予備メモリの量を最小にしう
る。
囲を最大限まで高めるならば、メイン・メモリの
欠陥ロケーシヨンの予備メモリの量を最小にしう
る。
また、使用する特定の基準に依存するが、エラ
ーのパターン及びランダム・エラー発生の確率を
考慮した統計に基づけば、補正不可能なエラーな
しにメモリに最大数のデータ・ワードを転送でき
るような制御方式を決定しうる。
ーのパターン及びランダム・エラー発生の確率を
考慮した統計に基づけば、補正不可能なエラーな
しにメモリに最大数のデータ・ワードを転送でき
るような制御方式を決定しうる。
マツピング・プロセスに大きな融通性があるか
ら、制御方式の最適設定によつて大きな効果を達
成できる。
ら、制御方式の最適設定によつて大きな効果を達
成できる。
第1図は本発明によるメモリ・システムを用い
たデータ処理システムのブロツク図、第1A図は
メイン・メモリのチツプ構成を示す図、第2図は
データ・ワードのフオーマツトを示す図、第3A
図、第3B図及び第3C図はメイン・メモリの
種々の欠陥パターンを示す図、第4図は第1図の
メモリ・システムのための置換ユニツトのブロツ
ク図、第5図は第4図の置換ユニツトの詳細図、
第6図は第5図のインデツクスの内容を例示する
図である。 10……中央処理ユニツト、11,30……メ
イン・メモリ、14……メモリ入力バス、15…
…メモリ出力バス、20……メイン・メモリ・ア
ドレス・バス、29(第4図)……置換データ・
メモリ・セクシヨン、31,32……代替メモ
リ・ユニツト、50(第5図)……インデツク
ス・ユニツト。
たデータ処理システムのブロツク図、第1A図は
メイン・メモリのチツプ構成を示す図、第2図は
データ・ワードのフオーマツトを示す図、第3A
図、第3B図及び第3C図はメイン・メモリの
種々の欠陥パターンを示す図、第4図は第1図の
メモリ・システムのための置換ユニツトのブロツ
ク図、第5図は第4図の置換ユニツトの詳細図、
第6図は第5図のインデツクスの内容を例示する
図である。 10……中央処理ユニツト、11,30……メ
イン・メモリ、14……メモリ入力バス、15…
…メモリ出力バス、20……メイン・メモリ・ア
ドレス・バス、29(第4図)……置換データ・
メモリ・セクシヨン、31,32……代替メモ
リ・ユニツト、50(第5図)……インデツク
ス・ユニツト。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 中央処理ユニツトと、夫々複数個のビツト位
置を有する複数のデータ・ワードを、各ビツトが
欠陥依存性のないメモリ・セルに置かれるように
記憶するメイン・メモリと、前記メイン・メモリ
から転送されるデータ・ワードの所定形式のエラ
ーを補正するエラー補正装置とを有するデータ処
理システムにして、前記メイン・メモリの欠陥ビ
ツト・セルを夫々のビツト位置別に置換するため
の置換メモリ・セクシヨンを設け、前記メイン・
メモリの各データ・ワード・メモリ・ロケーシヨ
ンの欠陥ビツト・セルの分布に基づいて、前記メ
イン・メモリの欠陥ビツト・セルのうち、前記エ
ラー補正装置によつて補正できるエラーの少なく
とも一部を除いたエラーを生じる欠陥ビツト・セ
ルのみを前記置換メモリ・セクシヨンによつて置
換することを特徴とするデータ処理システム。 2 前記置換メモリ・セクシヨンは、夫々所定数
のデータ・ワード・ビツト位置を含むビツト位置
グループ毎に設けられ且つ夫々関連のグループの
ビツト位置毎に複数メモリ・セルのメモリ素子を
有し、各置換メモリ・セクシヨンはメイン・メモ
リ・アドレスの所定のビツトによつて、個々にア
ドレス可能な複数の制御データ・メモリ・ロケー
シヨンを含む書込み可能なインデツクスを有し、
各インデツクスは関連の置換メモリ・セクシヨン
と対応するビツト位置グループのためのメイン・
メモリ領域内の選択された欠陥ビツト・セルを前
記メモリ素子の選択されたロケーシヨンと置換す
るための制御データを含むことを特徴とする特許
請求の範囲第1項に記載のデータ処理システム。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/334,343 US4450559A (en) | 1981-12-24 | 1981-12-24 | Memory system with selective assignment of spare locations |
| US334343 | 1981-12-24 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58111200A JPS58111200A (ja) | 1983-07-02 |
| JPS6132707B2 true JPS6132707B2 (ja) | 1986-07-29 |
Family
ID=23306787
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57182215A Granted JPS58111200A (ja) | 1981-12-24 | 1982-10-19 | デ−タ処理システム |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4450559A (ja) |
| EP (1) | EP0082981B1 (ja) |
| JP (1) | JPS58111200A (ja) |
| DE (1) | DE3280160D1 (ja) |
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