JPS6132751B2 - - Google Patents
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- JPS6132751B2 JPS6132751B2 JP5203277A JP5203277A JPS6132751B2 JP S6132751 B2 JPS6132751 B2 JP S6132751B2 JP 5203277 A JP5203277 A JP 5203277A JP 5203277 A JP5203277 A JP 5203277A JP S6132751 B2 JPS6132751 B2 JP S6132751B2
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- coil
- bubble memory
- coils
- magnetic bubble
- chip
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- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims description 54
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 7
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 7
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 6
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気バブルメモリデバイス、特に回転
磁界発生コイルの巻線構造に関するものである。
磁界発生コイルの巻線構造に関するものである。
一般に、磁気バブルメモリデバイスは、磁性薄
膜およびこの磁性薄膜上に形成された軟強磁性体
薄膜のパタンよりなる磁気バブルメモリチツプ
と、上記チツプと外部回路間との信号伝搬を行な
うリード線と、上記チツプに対して水平な回転磁
界を与えるコイルブロツクと、上記チツプに対し
て垂直なバイアス磁界を与える磁石ブロツクとか
ら主に構成されており、上記軟強磁性体薄膜のパ
タンに磁気バブルを発生、転送および分割させる
ことによつて所望の情報を書込み、記憶、読出し
を行なつている。
膜およびこの磁性薄膜上に形成された軟強磁性体
薄膜のパタンよりなる磁気バブルメモリチツプ
と、上記チツプと外部回路間との信号伝搬を行な
うリード線と、上記チツプに対して水平な回転磁
界を与えるコイルブロツクと、上記チツプに対し
て垂直なバイアス磁界を与える磁石ブロツクとか
ら主に構成されており、上記軟強磁性体薄膜のパ
タンに磁気バブルを発生、転送および分割させる
ことによつて所望の情報を書込み、記憶、読出し
を行なつている。
第１図ａ，ｂは従来の磁気バブルメモリデバイ
スの一例を示す要部破砕平面図、そのＡ−A′断
面図である。同図において、１はセラミツクなど
によつて形成された絶縁基板であり、この絶縁基
板１のほぼ中央部には、磁気バブルメモリチツプ
２が埋設して固定配置されている。そして、この
磁気バブルメモリチツプ２からはその出力信号配
線３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄがそれぞれ左右対称形
となるように被着形成され、上記絶縁基板１の端
部に設けられた出力端子４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄ
にそれぞれ接続されている。また、上記磁気バブ
ルメモリチツプ２が装着された絶縁基板１は、そ
の外周面側にそれぞれＸ軸方向にＸコイル５ａお
よびＹ軸方向にＹコイル５ｂが互いに直交して巻
回され、上記磁気バブルメモリチツプ２に回転磁
界が供給されている。
スの一例を示す要部破砕平面図、そのＡ−A′断
面図である。同図において、１はセラミツクなど
によつて形成された絶縁基板であり、この絶縁基
板１のほぼ中央部には、磁気バブルメモリチツプ
２が埋設して固定配置されている。そして、この
磁気バブルメモリチツプ２からはその出力信号配
線３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄがそれぞれ左右対称形
となるように被着形成され、上記絶縁基板１の端
部に設けられた出力端子４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄ
にそれぞれ接続されている。また、上記磁気バブ
ルメモリチツプ２が装着された絶縁基板１は、そ
の外周面側にそれぞれＸ軸方向にＸコイル５ａお
よびＹ軸方向にＹコイル５ｂが互いに直交して巻
回され、上記磁気バブルメモリチツプ２に回転磁
界が供給されている。
このように構成された磁気バブルメモリデバイ
スにおいて、磁気バブルメモリチツプ２内の磁気
バブル検出器によつて検出された微少な磁気バブ
ル検出信号は、出力信号配線３ａ，３ｂ，３ｃ，
３ｄおよびその出力端子４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄ
を介して図示しない外部の差動増幅器に供給され
て増幅され、検出信号の差信号によつて所定レベ
ルの磁気バブルメモリ出力信号を得ている。
スにおいて、磁気バブルメモリチツプ２内の磁気
バブル検出器によつて検出された微少な磁気バブ
ル検出信号は、出力信号配線３ａ，３ｂ，３ｃ，
３ｄおよびその出力端子４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄ
を介して図示しない外部の差動増幅器に供給され
て増幅され、検出信号の差信号によつて所定レベ
ルの磁気バブルメモリ出力信号を得ている。
しかしながら、上記構成による磁気バブルメモ
リデバイスにおいて、磁気バブルメモリチツプ２
に回転磁界を供給するＸコイル５ａおよびＹコイ
ル５ｂは、第２図ａにその斜視図を示したよう
に、導線を一層巻きにした偏平形状に形成されて
いる。したがつて、その等価回路は第２図ｂに示
したように、インダクタンスＬと抵抗Ｒから構成
されている。ここで、このＸコイル５ａ、Ｙコイ
ル５ｂの中心部で要求される磁界強度ＨRを得る
のに必要な電流Ｉは、コイルの単位長当りの巻数
（ｎ＝Ｎ／ｌ、Ｎ：コイルの巻線、ｌ：コイルの
長さ）に反比例するので、 Ｉ＝K1ＨＲ／ｎ ………(1) （K1：定数） となる。また、コイルのインダクタンスＬはn2に
比例するので Ｌ＝K2n2 ………(2) （K2：定数） となる。そして、これらのＸコイル５ａ、Ｙコイ
ル５ｂに消費される消費電力を少なくするために
は、通常巻数ｎを大きくし、電流Ｉを少さくする
が、この場合、コイルの両端電圧ＶLは ＶL＝ωLI＝K1・K2・ω・ｎ・ＨR ………(3) （Ｑ＝ωＬ／Ｒ≫１） となり、巻線ｎを大きくすると、コイル両端電圧
ＶLはそれに比例して大きくなる。そして、この
ようなＸコイル５ａ、Ｙコイル５ｂの近傍には、
出力信号配線３ａ〜３ｄが配設され、また、この
出力信号配線３ａ〜３ｄ上には、上記磁気バブル
メモリチツプ２で検出された微小検出信号が伝搬
されているために、この出力信号配線３ａ〜３ｄ
上に上記Ｘコイル５ａ、Ｙコイル５ｂと静電結合
によつて生じる静電結合雑音が重畳され、図示し
ない差動増幅器で上記検出信号を増幅すると、そ
の静電結合雑音の差分（アンバランス分）が増幅
され、磁気バブル出力信号のＳ／Ｎ比を低下させ
てしまうなどの欠点を有している。また、Ｘコイ
ル５ａ、Ｙコイル５ｂの両端電圧ＶLが高いと、
この両コイル駆動用のトランジスタおよびこれら
の電気部品等に高耐圧性のものが要求され、コス
ト的にも高価格なものとなつてしまうなどの欠点
を有している。
リデバイスにおいて、磁気バブルメモリチツプ２
に回転磁界を供給するＸコイル５ａおよびＹコイ
ル５ｂは、第２図ａにその斜視図を示したよう
に、導線を一層巻きにした偏平形状に形成されて
いる。したがつて、その等価回路は第２図ｂに示
したように、インダクタンスＬと抵抗Ｒから構成
されている。ここで、このＸコイル５ａ、Ｙコイ
ル５ｂの中心部で要求される磁界強度ＨRを得る
のに必要な電流Ｉは、コイルの単位長当りの巻数
（ｎ＝Ｎ／ｌ、Ｎ：コイルの巻線、ｌ：コイルの
長さ）に反比例するので、 Ｉ＝K1ＨＲ／ｎ ………(1) （K1：定数） となる。また、コイルのインダクタンスＬはn2に
比例するので Ｌ＝K2n2 ………(2) （K2：定数） となる。そして、これらのＸコイル５ａ、Ｙコイ
ル５ｂに消費される消費電力を少なくするために
は、通常巻数ｎを大きくし、電流Ｉを少さくする
が、この場合、コイルの両端電圧ＶLは ＶL＝ωLI＝K1・K2・ω・ｎ・ＨR ………(3) （Ｑ＝ωＬ／Ｒ≫１） となり、巻線ｎを大きくすると、コイル両端電圧
ＶLはそれに比例して大きくなる。そして、この
ようなＸコイル５ａ、Ｙコイル５ｂの近傍には、
出力信号配線３ａ〜３ｄが配設され、また、この
出力信号配線３ａ〜３ｄ上には、上記磁気バブル
メモリチツプ２で検出された微小検出信号が伝搬
されているために、この出力信号配線３ａ〜３ｄ
上に上記Ｘコイル５ａ、Ｙコイル５ｂと静電結合
によつて生じる静電結合雑音が重畳され、図示し
ない差動増幅器で上記検出信号を増幅すると、そ
の静電結合雑音の差分（アンバランス分）が増幅
され、磁気バブル出力信号のＳ／Ｎ比を低下させ
てしまうなどの欠点を有している。また、Ｘコイ
ル５ａ、Ｙコイル５ｂの両端電圧ＶLが高いと、
この両コイル駆動用のトランジスタおよびこれら
の電気部品等に高耐圧性のものが要求され、コス
ト的にも高価格なものとなつてしまうなどの欠点
を有している。
したがつて、本発明の目的は上記の欠点を改善
するためになされたものであり、回転磁界発生コ
イルの消費電力を増加させることなく、該コイル
両端電圧を低くさせ、静電結合雑音を低減させる
とともに、該コイル駆動用トランジスタの耐圧を
小さくさせてコスト的に低価格な磁気バブルメモ
リデバイスを提供することにある。
するためになされたものであり、回転磁界発生コ
イルの消費電力を増加させることなく、該コイル
両端電圧を低くさせ、静電結合雑音を低減させる
とともに、該コイル駆動用トランジスタの耐圧を
小さくさせてコスト的に低価格な磁気バブルメモ
リデバイスを提供することにある。
このような目的を達成するために本発明による
磁気バブルメモリデバイスは、一体となつた複数
本の導線を巻回して回転磁界発生コイルを構成し
たものである。以下図面を用いて本発明による磁
気バブルメモリデバイスについて詳細に説明す
る。
磁気バブルメモリデバイスは、一体となつた複数
本の導線を巻回して回転磁界発生コイルを構成し
たものである。以下図面を用いて本発明による磁
気バブルメモリデバイスについて詳細に説明す
る。
第３図は本発明による磁気バブルメモリデバイ
ス、特に回転磁界発生用のＸコイルおよびＹコイ
ルの一例を示す要部斜視図である。同図におい
て、回転磁界発生用のＸコイル６ａおよびＹコイ
ル６ｂは、一体となつた同一径の２本の導線を図
示しない絶縁基板１の断面形状に対応して偏平形
状に密接して巻回されて構成されている。
ス、特に回転磁界発生用のＸコイルおよびＹコイ
ルの一例を示す要部斜視図である。同図におい
て、回転磁界発生用のＸコイル６ａおよびＹコイ
ル６ｂは、一体となつた同一径の２本の導線を図
示しない絶縁基板１の断面形状に対応して偏平形
状に密接して巻回されて構成されている。
このように構成された磁気バブルメモリデバイ
スにおいて、回転磁界発生用のＸコイル６ａおよ
びＹコイル６ｂは、２本の導線を並列に並べて巻
回したことによつて、これらのコイルの等価回路
は第４図ａに示したように、１本の導線のインダ
クタンスL1と抵抗R1の直列回路と、他の１本の
導線のインダクタンスL2と抵抗R2の直列回路と
が並列接続された等価回路となり、その合成等価
回路は第４図ｂに示したように、インダクタンス
L′と抵抗R′の直列回路となる。こゝで、この等
価回路において、合成インダクタンスL′、合成抵
抗R′および電流I′の上記の条件によつて下記のよ
うになる。
スにおいて、回転磁界発生用のＸコイル６ａおよ
びＹコイル６ｂは、２本の導線を並列に並べて巻
回したことによつて、これらのコイルの等価回路
は第４図ａに示したように、１本の導線のインダ
クタンスL1と抵抗R1の直列回路と、他の１本の
導線のインダクタンスL2と抵抗R2の直列回路と
が並列接続された等価回路となり、その合成等価
回路は第４図ｂに示したように、インダクタンス
L′と抵抗R′の直列回路となる。こゝで、この等
価回路において、合成インダクタンスL′、合成抵
抗R′および電流I′の上記の条件によつて下記のよ
うになる。
L′＝Ｌ／４ ………(4)
（L1＝L2、コイルL1とコイルL2の結合定数Ｋ＝
１） R′＝Ｒ／４ ………(5) （R1＝R2＝Ｒ／２） I′＝２・Ｉ ………(6) したがつて、コイルの消費電力Ｐは Ｐ＝I′2・R′＝4I2・Ｒ／４＝I2R ………(7) また、コイルの両端電圧ＶLは、 ＶL＝ω・L′・I′＝ω・Ｌ／４・2I＝ωＬＩ／２……
…(8) （Q′＝ω・Ｌ′／Ｒ′≫１） となり、消費電力を一定に押えつつ、コイル両端
電圧を従来の1/2とすることができる。したがつ
て、コイル両端電圧による静電結合雑音を1/2に
抑えることができるとともに、コイル駆動用トラ
ンジスタも1/2の耐圧のものが使用可能となる。
１） R′＝Ｒ／４ ………(5) （R1＝R2＝Ｒ／２） I′＝２・Ｉ ………(6) したがつて、コイルの消費電力Ｐは Ｐ＝I′2・R′＝4I2・Ｒ／４＝I2R ………(7) また、コイルの両端電圧ＶLは、 ＶL＝ω・L′・I′＝ω・Ｌ／４・2I＝ωＬＩ／２……
…(8) （Q′＝ω・Ｌ′／Ｒ′≫１） となり、消費電力を一定に押えつつ、コイル両端
電圧を従来の1/2とすることができる。したがつ
て、コイル両端電圧による静電結合雑音を1/2に
抑えることができるとともに、コイル駆動用トラ
ンジスタも1/2の耐圧のものが使用可能となる。
なお、上記実施例において、回転磁界発生コイ
ルは、一体となつた２本の導線を巻回した場合に
ついて説明したが、本発明はこれに限定されるも
のではなく、一体となつた複数本の導線を巻回し
て構成した場合においても前述と同等かそれ以上
の効果が得られることは言うまでもない。
ルは、一体となつた２本の導線を巻回した場合に
ついて説明したが、本発明はこれに限定されるも
のではなく、一体となつた複数本の導線を巻回し
て構成した場合においても前述と同等かそれ以上
の効果が得られることは言うまでもない。
以上説明したように、本発明による磁気バブル
メモリデバイスによれば、回転磁界発生コイルの
両端電圧を低減させることができるために、静電
結合雑音が大幅に低減されて磁気バブルメモリ出
力信号のＳ／Ｎ比を大幅に向上させることができ
る。また、このコイルの駆動用トランジスタおよ
びこれらの電気部品が従来のものより低耐圧のも
のが使用でき、磁気バブルメモリ駆動回路を低コ
ストに製作できるなどの優れた効果を有する。
メモリデバイスによれば、回転磁界発生コイルの
両端電圧を低減させることができるために、静電
結合雑音が大幅に低減されて磁気バブルメモリ出
力信号のＳ／Ｎ比を大幅に向上させることができ
る。また、このコイルの駆動用トランジスタおよ
びこれらの電気部品が従来のものより低耐圧のも
のが使用でき、磁気バブルメモリ駆動回路を低コ
ストに製作できるなどの優れた効果を有する。
第１図ａ，ｂは従来の磁気バブルメモリデバイ
スの一例を示す要部破砕平面図、そのＡ−A′断
面図、第２図ａは従来のＸコイル、Ｙコイルの要
部斜視図、第２図ｂは第２図ａの等価回路図、第
３図は本発明による磁気バブルメモリデバイス、
特にＸコイル、Ｙコイルの一例を示す要部斜視
図、第４図ａ，ｂは第３図の等価回路、合成等価
回路である。 １……絶縁基板、２……磁気バブルメモリチツ
プ、３ａ〜３ｄ……出力信号配線、４ａ〜４ｄ…
…出力端子、５ａ……Ｘコイル、５ｂ……Ｙコイ
ル、６ａ……Ｘコイル、６ｂ……Ｙコイル。
スの一例を示す要部破砕平面図、そのＡ−A′断
面図、第２図ａは従来のＸコイル、Ｙコイルの要
部斜視図、第２図ｂは第２図ａの等価回路図、第
３図は本発明による磁気バブルメモリデバイス、
特にＸコイル、Ｙコイルの一例を示す要部斜視
図、第４図ａ，ｂは第３図の等価回路、合成等価
回路である。 １……絶縁基板、２……磁気バブルメモリチツ
プ、３ａ〜３ｄ……出力信号配線、４ａ〜４ｄ…
…出力端子、５ａ……Ｘコイル、５ｂ……Ｙコイ
ル、６ａ……Ｘコイル、６ｂ……Ｙコイル。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 磁気バブルメモリチツプと、該チツプに磁界
を与える少くとも第１及び第２のコイルとを具備
して成り、上記第１及び第２のコイルは第１の座
標軸に沿つて同じ回り方向で巻かれておりしかも
上記第１の座標軸方向で並ぶように巻かれてお
り、上記第１と第２のコイルは上記チツプに対し
て同方向の磁界を与えるよう電気的に並列に接続
されていることを特徴とする磁気バブルメモリデ
バイス。 ２ 磁気バブルメモリチツプと、該チツプに回転
磁界を与えるＸ及びＹコイルとを具備して成り、
上記Ｘコイルは少くとも第１及び第２のコイルを
有し、上記第１及び第２のコイルは第１の座標軸
に沿つて同じ回り方向で巻かれておりしかも上記
第１の座標軸方向で並ぶように巻かれており、上
記第１と第２のコイルは上記チツプに対して同方
向の磁界を与えるよう電気的に並列に接続されて
おり、上記Ｙコイルは少くとも第３及び第４のコ
イルを有し、上記第３及び第４のコイルは第１の
座標軸と直交する第２の座標軸に沿つて同じ回り
方向で巻かれておりしかも上記第２の座標軸方向
で並ぶように巻かれており、上記第３と第４のコ
イルは上記チツプに対して同方向の磁界を与える
よう電気的に並列に接続されていることを特徴と
する磁気バブルメモリデバイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5203277A JPS53137639A (en) | 1977-05-09 | 1977-05-09 | Magnetic bubble memory device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5203277A JPS53137639A (en) | 1977-05-09 | 1977-05-09 | Magnetic bubble memory device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS53137639A JPS53137639A (en) | 1978-12-01 |
| JPS6132751B2 true JPS6132751B2 (ja) | 1986-07-29 |
Family
ID=12903460
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5203277A Granted JPS53137639A (en) | 1977-05-09 | 1977-05-09 | Magnetic bubble memory device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS53137639A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59195806A (ja) * | 1983-04-20 | 1984-11-07 | Comput Basic Mach Technol Res Assoc | ２層巻ヘルムホルツコイル |
-
1977
- 1977-05-09 JP JP5203277A patent/JPS53137639A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS53137639A (en) | 1978-12-01 |
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